JPH0570177A - Antistatic glass and its production - Google Patents

Antistatic glass and its production

Info

Publication number
JPH0570177A
JPH0570177A JP23836991A JP23836991A JPH0570177A JP H0570177 A JPH0570177 A JP H0570177A JP 23836991 A JP23836991 A JP 23836991A JP 23836991 A JP23836991 A JP 23836991A JP H0570177 A JPH0570177 A JP H0570177A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film
glass
tin oxide
antistatic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23836991A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Takeuchi
伸行 竹内
Yoshio Asai
祥生 浅井
Hiroshi Nakajima
弘 中嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Central Glass Co Ltd
Original Assignee
Central Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Central Glass Co Ltd filed Critical Central Glass Co Ltd
Priority to JP23836991A priority Critical patent/JPH0570177A/en
Publication of JPH0570177A publication Critical patent/JPH0570177A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve through-vision properties and resistant light, weather and chemicals, etc., by forming a film which is an outermost surface layer thin film having a prescribed film thickness and surface resistivity on the surface of a glass plate by a reactive DC sputtering method. CONSTITUTION:A target of metallic Sn is set and a glass plate is introduced and arranged in a vacuum thin film laminator in which a mixed gas of O2 and Ar is used as an atmosphere at 0-75wt.% ratio of O2/(O2+Ar). The glass plate is then subjected to reactive DC sputtering to coat the glass plate surface with a laminated thin film. Heat treatment is subsequently carried out at 100-500 deg.C in air atmosphere so as to provide a tin oxide thin film of high resistance having 200-2000 A film thickness of the outermost surface layer thin film and 10<6> to 10<9>OMEGA/square surface resistivity. The objective antistatic glass in which the tin oxide thin film has oxygen deficiency and 260% visible light transmittance and the color tone of transmitted light is colorless or a light chromatic color is then produced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁体の帯電を防止で
きて、クリーンルーム用あるいは陳列ショウケース用等
に有用であるとともに、さらには複写機用ガラスとして
応用できる等広い分野で採用し得る帯電防止ガラスなら
びにその効率的な製造法を提供するものである。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can prevent the electrification of an insulator and is useful for a clean room or a display showcase. Further, the present invention can be applied to a wide variety of fields such as a glass for a copying machine. The present invention provides an antistatic glass and an efficient manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体関連産業、精密部品関連産
業等が益々発展し、社会的にも重要なものとなってきて
おり、なかでもホコリ等を極端に嫌うクリーンルームで
のクリーン度がその製品品質あるいは歩留等の低下に大
きく影響することとなるものである。すなわち、ホコリ
などの絶縁材は空気中を浮遊し壁などにぶつかり、その
際壁材が絶縁物であればホコリあるいは空気流と壁材と
の間で摩擦し、静電気を発現し静電吸着を起こし、ホコ
リが壁に付着し、クリーン度を低下させて製品の不良の
主要因となるものである。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor-related industries, precision parts-related industries, etc. have developed more and more and become socially important. Above all, the cleanliness in a clean room that is extremely reluctant to remove dust is the product. This will greatly affect the deterioration of quality or yield. That is, an insulating material such as dust floats in the air and hits a wall or the like. At that time, if the wall material is an insulating material, friction occurs between the dust or the air flow and the wall material to generate static electricity and electrostatic adsorption. It causes the dust to adhere to the wall and reduces the cleanliness, which is the main cause of product defects.

【0003】したがって、付着したホコリが適当な時間
で壁材から離れるように帯電した静電気を取り除く帯電
防止技術が非常に大切なものとなってきている。そのな
かで、帯電防止の方法としては、例えば反応性スパッタ
法でSnにInをドープし、抵抗値を104 〜106
度したもの等、ドープ材を用いる方法、さらには、室内
全面において床面の抵抗値より少し高い抵抗値に壁材等
をしてホコリが付着しないようにする方法、例えばアク
リル等高分子材料に導電性材料を練り込むこと、あるい
は界面活性材・親水性の樹脂を塗布すること等(帯電塗
料を使用時103 〜104 Ω/□)〔特開昭63ー67
92号公報等〕、または導電性金属材料を溶射したり、
導電性金属フィラーを塗付する等の方法がある。
Therefore, an antistatic technique for removing the static electricity charged so that the attached dust is separated from the wall material at an appropriate time is becoming very important. Among them, as an antistatic method, for example, a method in which Sn is doped with In by a reactive sputtering method and the resistance value is about 10 4 to 10 6 is used, and a method of using a doping material is used. A method to prevent dust from adhering by using a wall material with a resistance value slightly higher than the surface resistance value, for example, kneading a conductive material into a polymer material such as acrylic, or using a surfactant / hydrophilic resin Coating (10 3 to 10 4 Ω / □ when using a charged paint) [JP-A-63-67
No. 92, etc.], or by spraying a conductive metal material,
There is a method such as applying a conductive metal filler.

【0004】また、壁材の表面抵抗率を例えば103 Ω
/□以下と低くしてアースをとって静電気を除去する方
法、例えば低抵抗のAu、ITO(インジウム・錫酸化
物)、SnO2 、TiO2 /Ag/TiO2 等の導電性
薄膜または各層膜等が利用されている。さらに無機基板
の表面上に、高さ0.1〜2.0μmの微細な多数の隆
起を有し、かつその表面の比抵抗が106 Ω・cm〜1
4 MΩ・cmであるゾルーゲル法でのスズ化合物、イ
ンジウム化合物の透明無機被膜が設けられているという
ものが特開昭62ー176946号公報等に記載され知
られている。
The surface resistivity of the wall material is, for example, 10 3 Ω.
/ □ or less to remove the static electricity by grounding to reduce the static electricity, such as low resistance Au, ITO (indium tin oxide), SnO 2 , TiO 2 / Ag / TiO 2 conductive thin film or each layer film Etc. are used. Further, the surface of the inorganic substrate has a large number of fine ridges having a height of 0.1 to 2.0 μm, and the surface has a specific resistance of 10 6 Ω · cm to 1
It is known from JP-A-62-176946 that a transparent inorganic coating film of a tin compound or an indium compound is provided by a sol-gel method of 0 4 MΩ · cm.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする問題点】前述したような従来
のもののうち、例えば導電性材料を練り込む方法では大
きなサイズのガラス基板等には練り込むことができず採
用できないものであり、仮に練り込めたとしても紫外線
による劣化がしやすいものであり、界面活性材を用いる
方法では壁材でも密着性が劣ることがあってガラス基板
においても同様の現象を発現し使用され難いものであ
り、導電性金属材料の溶射あるいは導電性金属フィラー
の塗付の方法では透明性を得難く、金属材料などの剥離
なども起こりやすいものであり、低抵抗の膜を用いる方
法ではアースを設置することが必要であって、人体との
静電気障害を起こすことがあるものであり、さらにゾル
ーゲル法で比抵抗が106 Ω・cm〜104 MΩ・cm
であるスズ化合物あるいはインジウム化合物の透明無機
被膜を形成するものでは大きなサイズのガラス基板等に
はスプレー法、浸漬法あるいは流下法で塗布せざるを得
ず、必ずしも耐摩耗性あるいは耐久性のあるものとは言
えないものである。
Among the conventional methods as described above, for example, the method of kneading a conductive material cannot be kneaded into a large-sized glass substrate or the like and cannot be adopted. Even if it is contained, it is likely to be deteriorated by ultraviolet rays, and the method using a surfactant may be inferior in adhesiveness even to a wall material, and it is difficult to use because a similar phenomenon is expressed even in a glass substrate. It is difficult to obtain transparency with the method of spraying a conductive metal material or application of a conductive metal filler, and peeling of the metal material is likely to occur, so it is necessary to install a ground in the method using a low resistance film The sol-gel method has a specific resistance of 10 6 Ω · cm to 10 4 MΩ · cm.
In the case of forming a transparent inorganic film of a tin compound or an indium compound, which has to be applied to a large-sized glass substrate by a spray method, a dipping method, or a flow-down method, it is necessarily abrasion resistant or durable. It cannot be said.

【0006】いずれにしても、ことに最近、ガラス基板
を壁材として採用する機会が増加するなかで、耐摩耗
性、耐久性、耐光性があって、アースを設置する必要が
なく、透視性を有し、しかも帯電防止性を、ことに10
6 〜109 Ω/□の表面抵抗率を充分調整できて有する
ものであるとは言い難いものであった。
In any case, in recent years, the glass substrate has been increasingly used as a wall material, and it has abrasion resistance, durability, and light resistance, and it is not necessary to install a ground. And has an antistatic property, especially 10
It was hard to say that the surface resistivity of 6 to 10 9 Ω / □ could be adjusted sufficiently.

【0007】[0007]

【問題点を解決するための手段】本発明は、従来のかか
る欠点に鑑みてなしたものであって、ドープ剤を用いず
酸化スズ膜中に酸素欠陥が存在するようにして、特定し
た106 〜109 Ω/□の表面抵抗率を任意にかつ容易
に調整できて有し帯電防止膜とし得て、透明性と耐久性
の充分あるものとなる帯電防止ガラスならびにその製造
法を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and was specified by making oxygen defects existing in a tin oxide film without using a doping agent. Provided are an antistatic glass and a method for producing the same, which can have a surface resistivity of 6 to 10 9 Ω / □ arbitrarily and easily and can be used as an antistatic film and has sufficient transparency and durability. It is a thing.

【0008】すなわち、本発明は、ガラス板表面に被覆
した積層薄膜において、最外表層薄膜が反応性直流スパ
ッタ法による成膜薄膜であって、該薄膜が200〜20
00Åの膜厚である酸化スズ薄膜であり、該酸化スズ薄
膜の表面抵抗率が106 〜109 Ω/□の高抵抗薄膜で
あることを特徴とする帯電防止ガラス。ならびにまた前
記酸化スズ薄膜が、酸素欠陥を有し、可視光透過率が6
0%以上であって、透過光の色調が無色あるいは淡い有
色であることを特徴とする上述した帯電防止ガラス。
That is, according to the present invention, in the laminated thin film coated on the surface of the glass plate, the outermost surface thin film is a thin film formed by the reactive DC sputtering method, and the thin film has a thickness of 200 to 20.
An antistatic glass, which is a tin oxide thin film having a film thickness of 00Å, and which is a high resistance thin film having a surface resistivity of 10 6 to 10 9 Ω / □. Also, the tin oxide thin film has oxygen defects and has a visible light transmittance of 6
The above-mentioned antistatic glass, which is 0% or more and has a colorless or pale color tone of transmitted light.

【0009】また、本発明は、真空薄膜積層装置中にお
いて、金属スズのターゲットをセットし、酸素とアルゴ
ンの混合ガスがO2 /(O2 +Ar)=0〜75%であ
る雰囲気でもって、積層薄膜被覆ガラス板の最外表層薄
膜として、反応性直流スパッタ法によって、膜厚が20
0〜2000Åである酸化スズ薄膜を、該酸化スズ薄膜
の表面抵抗率が106 〜109 Ω/□の高抵抗薄膜とな
るよう成膜したことを特徴とする帯電防止ガラスの製造
法。
Further, according to the present invention, in a vacuum thin film laminating apparatus, a target of metallic tin is set, and an atmosphere in which a mixed gas of oxygen and argon is O 2 / (O 2 + Ar) = 0 to 75%, As the outermost surface thin film of the laminated thin film-coated glass plate, the film thickness was 20 by reactive DC sputtering.
A process for producing antistatic glass, characterized in that a tin oxide thin film having a thickness of 0 to 2000 Å is formed so as to be a high resistance thin film having a surface resistivity of 10 6 to 10 9 Ω / □.

【0010】さらに、本発明は、真空薄膜積層装置中に
おいて、金属スズのターゲットをセットし、酸素とアル
ゴンの混合ガスがO2 /(O2 +Ar)=0〜75%で
ある雰囲気でもって、積層薄膜被覆ガラス板の最外表層
薄膜として、反応性直流スパッタ法によって、膜厚が2
00〜2000Åである酸化スズ薄膜を成膜し、該酸化
スズ薄膜の表面抵抗率が106 〜109 Ω/□の高抵抗
薄膜となるよう、空気雰囲気でもって100〜500°
Cの処理温度において熱処理を施したことを特徴とする
帯電防止ガラスの製造法。ならびに前記混合ガスがO2
/(O2 +Ar)=0〜30%である雰囲気として成膜
した際には、成膜後、空気中でもって100〜250°
Cの処理温度において熱処理を施すことを特徴とする上
述した帯電防止ガラスの製造法。また前記混合ガスがO
2 /(O2 +Ar)=20〜75%である雰囲気として
成膜した際には、成膜後、空気中でもって200〜50
0°Cの処理温度において熱処理を施すことを特徴とす
る上述した帯電防止ガラスの製造法をそれぞれ提供する
ものである。
Further, according to the present invention, in a vacuum thin film laminating apparatus, a metallic tin target is set, and an atmosphere in which a mixed gas of oxygen and argon is O 2 / (O 2 + Ar) = 0 to 75%, As the outermost surface thin film of the laminated thin film coated glass plate, the film thickness is 2 by the reactive DC sputtering method.
A tin oxide thin film having a thickness of 0 to 2000 Å is formed, and a surface resistivity of the tin oxide thin film is a high resistance thin film of 10 6 to 10 9 Ω / □ in an air atmosphere of 100 to 500 °.
A method for producing an antistatic glass, characterized in that a heat treatment is performed at a treatment temperature of C. And the mixed gas is O 2
When the film is formed in an atmosphere of / (O 2 + Ar) = 0 to 30%, after the film is formed, it is 100 to 250 ° in air.
The method for producing antistatic glass as described above, characterized in that heat treatment is performed at a treatment temperature of C. In addition, the mixed gas is O
When the film is formed in an atmosphere of 2 / (O 2 + Ar) = 20 to 75%, after the film formation, 200 to 50 in air.
The respective methods for producing antistatic glass described above are characterized in that heat treatment is performed at a treatment temperature of 0 ° C.

【0011】ここで、最外表層薄膜が反応性直流スパッ
タ法による成膜薄膜であって、該薄膜が200〜200
0Åの膜厚である酸化スズ薄膜としたのは、例えば表面
抵抗率が10Ω/□以下になりうる酸化物の内、酸化ス
ズ薄膜は最も化学耐久性に優れており、発生期の水素の
還元によってのみ溶解するものの、酸にもアルカリ溶液
にも溶解しないものであって最外表層薄膜として適し、
かつ透過光の色調が無色あるいは淡い有色であって、し
かも可視光透過率が60%以上を得易く好ましいもので
あり、また反応性直流スパッタ法による酸化スズ薄膜の
成膜は、例えば金属スズターゲットは安価であり、薄膜
の表面抵抗値をコントロールし易く、ことに酸素ガスの
存在下での反応性スパッタ成膜のうちでも成膜速度が大
きい等、割合安価で効率的に所期の最外表層薄膜を得る
ことができるからである。
Here, the outermost surface thin film is a thin film formed by the reactive DC sputtering method, and the thin film has a thickness of 200 to 200.
The tin oxide thin film having a film thickness of 0 Å means that the tin oxide thin film has the highest chemical durability among the oxides whose surface resistivity can be 10Ω / □ or less, and the reduction of hydrogen in the nascent stage Although it dissolves only by, it does not dissolve in acid or alkaline solution and is suitable as the outermost surface thin film,
In addition, the color tone of transmitted light is colorless or pale, and the visible light transmittance is 60% or more, which is preferable, and the tin oxide thin film is formed by the reactive DC sputtering method, for example, a metal tin target. Is inexpensive, it is easy to control the surface resistance of the thin film, and the deposition rate is high even in reactive sputtering deposition in the presence of oxygen gas. This is because a surface thin film can be obtained.

【0012】またさらに膜厚として200Å未満では、
例えば仮に100Å程度とすれば、表面抵抗率上は所期
の目的を達成できたとしても、最外表層薄膜として種々
の条件あるいは期間で、場合によっては各品位を必ずし
も充分保証し得るものとは言い難くなるためであり、2
000Åを超えると被膜時間が長くなりすぎて経済的に
好ましくないためであり、好ましい膜厚としては300
〜1500Å程度である。
Further, if the film thickness is less than 200Å,
For example, if the surface resistivity is about 100 Å, it may not always be possible to sufficiently guarantee the quality of the outermost surface thin film under various conditions or periods even if the intended purpose can be achieved. Because it ’s hard to say, 2
If it exceeds 000Å, the coating time becomes too long, which is not economically preferable.
It is about 1500Å.

【0013】さらに、酸化スズ薄膜の表面抵抗率が10
6 〜109 Ω/□の高抵抗薄膜であるとしたのは、例え
ば空気中を浮遊しているホコリなどの絶縁材粒子が、壁
面にぶつかった際、壁材が絶縁物であれば、ホコリを含
む空気流との間の摩擦により、静電気が発生し、ホコリ
は静電吸着により壁面に付着することとなるが、帯電し
た電荷の半減期が2秒以下になる材質によりなる壁面で
あれば、前記ホコリは壁面に付着しないことがわかり、
前記酸化スズ薄膜の半減期が2秒以下になる表面抵抗率
をスタチックオネストメータ(シシド静電気製)で確認
したところ、109 Ω/□程度以下であり、表面抵抗率
の上限を109 Ω/□以下とした。一方、何らかの原因
で、帯電している人間が自分の抵抗である106 Ω/□
程度より低い物体、例えば金属製ドアーノブに接すると
放電が生じて人間は衝撃を受けることとなり、該人間の
抵抗値106 Ω/□を表面抵抗率の下限とした。すなわ
ち、静電気拡散性作用を充分発揮して帯電防止効果を発
現するものとなって、例えばアースの設置も必要がない
ものとすることができるためである。
Further, the surface resistivity of the tin oxide thin film is 10
The high resistance thin film of 6 to 10 9 Ω / □ means that when the insulating material particles such as dust floating in the air hit the wall surface and the wall material is an insulator, Static electricity is generated by friction with the air flow containing air, and dust adheres to the wall surface due to electrostatic attraction, but if the wall surface is made of a material whose half-life of the charged charge is 2 seconds or less. , I found that the dust did not adhere to the wall surface,
The surface resistivity of the tin oxide thin film having a half-life of 2 seconds or less was confirmed by a static Honest meter (manufactured by Shishido Electrostatics) to be about 10 9 Ω / □ or less, and the upper limit of the surface resistivity was 10 9 Ω. / □ or less. On the other hand, for some reason, charged human beings have a resistance of 10 6 Ω / □
When a human touches a lower object such as a metal doorknob, an electric discharge is generated and a human being is shocked. The lower limit of the surface resistivity is 10 6 Ω / □. That is, it is possible to sufficiently exert the static electricity diffusive action and to exhibit the antistatic effect, so that it is possible to eliminate the need to install a ground, for example.

【0014】またさらに可視光透過率が60%以上であ
って、透過光の色調が無色あるいは淡い有色であること
が好ましいものであるとしたのは、例えば自動車用窓ガ
ラス等充分透視性を必要とする場合でも、使用して安全
性が確保できるものとすることができ、より好ましくは
70%程度以上である。
Further, it is preferable that the visible light transmittance is 60% or more and the color tone of transmitted light is colorless or light colored. For example, sufficient transparency is required for automobile window glass. Even in such a case, safety can be ensured by using, and it is more preferably about 70% or more.

【0015】さらにまた、反応性直流スパッタ法によっ
て、金属スズのターゲットをセットし、酸素とアルゴン
の混合ガスの雰囲気でもって、積層被膜することとした
のは、成膜雰囲気中における酸素ガスの調整、ことにO
2 /(O2 +Ar)=0〜75%である調整雰囲気で成
膜、あるいは成膜後における空気中での熱処理で発現す
る、前記酸化スズ薄膜における酸素欠陥(陰イオン空
孔)の調整により呈する挙動によって、所期の帯電防止
あるいは透明度等になるものであるとともに、上述した
高作業性、高経済性を備えるものとなるためである。
Furthermore, the reason why the metallic tin target is set by the reactive direct current sputtering method and the laminated coating is performed in the atmosphere of the mixed gas of oxygen and argon is to adjust the oxygen gas in the film forming atmosphere. , Especially O
By adjusting oxygen defects (anion vacancies) in the tin oxide thin film, which are manifested by film formation in a controlled atmosphere in which 2 / (O 2 + Ar) = 0 to 75% or heat treatment in air after film formation This is because, depending on the behavior to be exhibited, the desired antistatic property, transparency, or the like is achieved, and the above-described high workability and high economic efficiency are provided.

【0016】またなかでも、成膜後、空気中でもって1
00〜500°Cの温度で熱処理を施すこととしたの
は、100°C未満あるいは500°Cを超えると、前
記酸素とアルゴンの混合ガスの成膜雰囲気における酸素
ガスを調整して成膜後、106 〜109 Ω/□への調整
が充分できないためである。
Above all, after film formation, 1
The heat treatment is performed at a temperature of 00 to 500 ° C. when the temperature is lower than 100 ° C. or higher than 500 ° C., after adjusting the oxygen gas in the film forming atmosphere of the mixed gas of oxygen and argon, the film is formed. This is because adjustment to 10 6 to 10 9 Ω / □ cannot be performed sufficiently.

【0017】また、前記ガラス板としては、所謂無機質
の透明板ガラスはもちろん、有機質の樹脂板あるいはフ
イルム等ガラス状体物であり、その種類あるいは色調、
形状等に特に限定されるものではなく、さらに強化ガラ
ス、平板や曲げ板ガラスとして単板で使用できるととも
に、複層ガラスあるいは合せガラスとしても使用できる
ことは言うまでもない。
The glass plate is not only a so-called inorganic transparent plate glass, but also an organic resin plate or a glass-like material such as a film.
It is needless to say that the shape is not particularly limited, and it can be used as a tempered glass, a single plate as a flat plate or a bent plate glass, and can also be used as a multi-layer glass or a laminated glass.

【0018】[0018]

【作用】前述したとおり、本発明の帯電防止ガラスおよ
びその製造法は、反応性直流スパッタ法において、金属
スズをターゲットとして、O2 とArの混合ガス雰囲気
のなかで、絶縁体であるガラス板表面に酸化スズ薄膜を
被膜すること、あるいはさらに特定の熱処理を施すこと
により、該被覆薄膜のなかに適宜酸素欠陥が発現するよ
うに調整できて、例えば図1に示すように、O2 /(O
2 +Ar)の値を0〜60%の雰囲気のなかで前記スパ
ッタ法を用いて成膜したとき、被覆薄膜の表面抵抗率の
値となり、O2 ガスの含有量の調整により、表面抵抗率
を106 〜109 Ω/□の特定高抵抗薄膜を適宜任意に
選択でき、さらにO2 ガスの含有量が75%以下の割合
であれば、成膜後の被覆薄膜を空気中で100〜500
°Cの特定温度で熱処理することにより、より確実に安
定して任意に適宜106 〜109 Ω/□の間の値を選択
できることとなるとともに、透視性が高くしかも耐摩耗
性がより優れるものとなって耐久性がよりあるものとな
り、単板として充分採用できるものとなることはもちろ
ん、ホコリを極端に嫌うクリーンルームの窓等の壁材に
使用して帯電量がほぼなくなり、仮にホコリが壁に付着
しても壁材から離れるようになり、充分な帯電防止作用
を発現するものとなって、人体との静電気障害を起こす
こともないものとなり、さらには陳列用ショウケースを
はじめ、自動車用窓ガラスに採用できるものとなって、
電波透過作用もあって充分透視性を有する安全性が高い
ものとなる等、優れた帯電防止ガラスならびにその製造
法を提供するものである。
As described above, the antistatic glass and the method for producing the same of the present invention are the glass plate which is an insulator in the reactive direct current sputtering method in the mixed gas atmosphere of O 2 and Ar with the target of metallic tin. tin oxide thin film can be coated on the surface, or by further performing a particular heat treatment and can be adjusted as appropriate oxygen defects Some of the coating film is expressed, for example, as shown in FIG. 1, O 2 / ( O
2 + Ar) in the atmosphere of 0 to 60% by the sputtering method, the surface resistivity of the coating thin film is obtained, and the surface resistivity can be adjusted by adjusting the O 2 gas content. A specific high resistance thin film of 10 6 to 10 9 Ω / □ can be arbitrarily selected, and if the O 2 gas content is 75% or less, the coated thin film after film formation is 100 to 500 in air.
By heat-treating at a specific temperature of ° C, it becomes possible to more reliably and arbitrarily select a value between 10 6 and 10 9 Ω / □, and the transparency is high and the abrasion resistance is more excellent. As a result, it becomes more durable and can be used as a veneer enough to use it as a wall material such as windows in clean rooms where dust is extremely disliked. Even if it adheres to the wall, it will separate from the wall material, and it will exhibit a sufficient antistatic effect, and will not cause electrostatic damage to the human body. Furthermore, it will be used for display cases and automobiles. It can be used as window glass for
It is intended to provide an excellent antistatic glass and a method for producing the same, which has a radio wave transmitting effect and is sufficiently transparent and highly safe.

【0019】[0019]

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。ただし本発明は係る実施例に限定されるものではな
い。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples. However, the present invention is not limited to the embodiment.

【0020】大きさ610mm×610mm、厚さ5m
mのクリアーガラス板を中性洗剤、水すすぎ、イソプロ
ピルアルコールで順次洗浄し、乾燥した後、DCマグネ
トロンスパッタリング装置の真空槽内にセットしてある
Snターゲットに対向して上方を往復できるようセット
し、つぎに前記槽内を真空ポンプで約5×10-6Tor
rまでに脱気した後、該真空槽内にO2 ガスとArガス
(但し、O2 ガス濃度0〜75%の範囲)を導入して、
真空度を約2×10-3Torrに保持し、前記Snター
ゲットに約1kwの電力を印加し、O2 、Arの混合ガ
スによるDCマグネトロンスパッタの中を、前記Snタ
ーゲット上方においてスピード約100mm/minで
前記板ガラスを搬送することによって、約200〜20
00Åの間の各種厚さの酸素欠陥を含む酸化スズ薄膜を
成膜した。成膜が完了した後、Snターゲットへの印加
を停止する。
Size 610 mm × 610 mm, thickness 5 m
The clear glass plate of m was washed with a neutral detergent, rinsed with water, isopropyl alcohol in that order, dried, and then set so that it could reciprocate upward against the Sn target set in the vacuum chamber of the DC magnetron sputtering device. Then, the inside of the tank is vacuum pumped at about 5 × 10 −6 Tor.
After deaeration up to r, O 2 gas and Ar gas (provided that the O 2 gas concentration is in the range of 0 to 75%) are introduced into the vacuum chamber,
The degree of vacuum is maintained at about 2 × 10 −3 Torr, a power of about 1 kW is applied to the Sn target, and a speed of about 100 mm / in a DC magnetron sputter with a mixed gas of O 2 and Ar above the Sn target. By transporting the plate glass at min, about 200 to 20
Thin films of tin oxide containing oxygen defects of various thicknesses between 00Å were deposited. After the film formation is completed, the application to the Sn target is stopped.

【0021】得られた酸化スズ薄膜付き帯電防止ガラス
において、まず表面抵抗率については、表面高抵抗計
(HIRESTA HTー20,三菱油化製)によって
測定し、その一例として膜厚が約1000Å程度の際に
おいて、O2 /(O2 +Ar)の値を0〜60%の間に
変化させた雰囲気のなかで前記スパッタ法を用いて成膜
したときの表面抵抗率(Ω/□)の変化を図1に示し、
さらに前記各種酸素ガス濃度(%)における成膜直後
と、空気中で成膜した上述の被覆薄膜を熱処理した後の
それぞれの表面抵抗率(Ω/□)を表1に示す。該表1
より明らかなように、上述した成膜条件でのみ、あるい
は成膜後空気中で特定の温度と時間に調整して熱処理す
ることにより、表面抵抗率を106 〜109 Ω/□の特
定高抵抗薄膜とすることができた。
In the obtained antistatic glass with a tin oxide thin film, the surface resistivity was first measured by a surface high resistance meter (HIRESTA HT-20, manufactured by Mitsubishi Yuka), and as an example, the film thickness was about 1000Å. Change in surface resistivity (Ω / □) when a film is formed by the sputtering method in an atmosphere in which the value of O 2 / (O 2 + Ar) is changed between 0% and 60%. Is shown in FIG.
Table 1 shows the surface resistivities (Ω / □) immediately after film formation at various oxygen gas concentrations (%) and after heat treatment of the above-mentioned coated thin film formed in air. Table 1
As is clearer, the surface resistivity is 10 6 to 10 9 Ω / □ when the film is heat-treated only under the above-mentioned film formation conditions or after the film formation is adjusted to a specific temperature and time in air. It could be a resistive thin film.

【0022】なお、除電性能である帯電半減期について
は、前述したスタチックオネストメータ(シシド静電気
製)によって測定し、帯電防止ガラス表面の帯電半減期
はすべて0.1〜2秒の範囲にあるものであった。なお
さらにこれら電気的特性については25°C、50%R
H雰囲気のクリーンルーム内で測定したものである。
The charge elimination half-life, which is the static elimination performance, was measured by the static onest meter (manufactured by Shishido Electrostatics Co., Ltd.) described above, and the charge half-life of the antistatic glass surface was all in the range of 0.1 to 2 seconds. It was a thing. Furthermore, regarding these electrical characteristics, 25 ° C, 50% R
It is measured in a clean room in an H atmosphere.

【0023】つぎに、可視光透過率(380〜780n
m)等については、340型自記分光光度計(日立製作
所製)とJISZ8722、JISR3106によって
それぞれ測定ならびに計算でその光学的特性を求め、例
えば可視光透過率が60%以上、70〜80%程度であ
って、充分透視性があるものであり、また耐摩耗性につ
いては、ABRASER MODEL503(TYBE
R社製)によって、荷重250g下で200回回転した
後、デジタルヘイズ(曇り度)メーター(日本電色工業
製、NDHー20D)によって測定し、その値は例えば
1%以下となって、該酸化スズ薄膜の耐損傷度合いが向
上し耐摩耗性が優れるものであった。
Next, the visible light transmittance (380 to 780n
m), etc., the optical characteristics of the 340 type self-recording spectrophotometer (manufactured by Hitachi, Ltd.) and JISZ8722, JISR3106 are obtained by measurement and calculation. For example, when the visible light transmittance is 60% or more, 70-80% It has sufficient transparency, and the abrasion resistance of ABRASER MODEL 503 (TYBE
R, 200 rotations under a load of 250 g, and then measured by a digital haze meter (NDH-20D, manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.), and the value is, for example, 1% or less. The tin oxide thin film had an improved degree of damage resistance and excellent wear resistance.

【0024】さらに、耐薬品性のうち耐酸試験について
は、常温で1規定のHCl溶液中に前記試験片を約6時
間浸漬した後、膜の劣化状態を見て判断したものであ
り、耐アルカリ試験については、常温で1規定のNaO
H溶液に試験片を約6時間浸漬した後、膜の劣化状態を
見て判断したところ、ほとんど劣化が見られなないもの
であった。
Further, regarding the acid resistance test of the chemical resistance, it was judged by observing the deterioration state of the film after immersing the test piece in a 1N HCl solution at room temperature for about 6 hours. For the test, 1N NaO at room temperature
After the test piece was immersed in the H solution for about 6 hours, the state of deterioration of the film was judged and judged, and almost no deterioration was observed.

【0025】前述したように、得られた帯電防止ガラス
は所期の特性を充分に有するものであった。
As mentioned above, the antistatic glass obtained had sufficient desired properties.

【0026】[0026]

【表1】 [Table 1]

【0027】[0027]

【発明の効果】以上前述したように、本発明はことに特
定雰囲気とした成膜条件の反応性直流スパッタ法で、特
定の膜厚で酸素欠陥を含む酸化スズ薄膜の最外表層薄膜
を、効率よく巧みにガラス板表面に被膜せしめ、また必
要に応じて上記被覆薄膜を空気中で熱処理することで、
被覆体自体の表面抵抗率を106 〜109 Ω/□と特定
できるものとなし得、透視性はもちろん、より耐光性、
耐候性あるいは耐薬品性等より耐久性が優れるものとな
るとともに、例えば帯電防止が必要な場所に単板で充分
使用できて、その所期の帯電防止性能を発揮するものと
なり、建築建装材をはじめ、各種分野に広く採用し得る
ものとなるものである。
As described above, according to the present invention, the outermost surface thin film of the tin oxide thin film containing oxygen defects at a specific film thickness is formed by the reactive DC sputtering method under the film forming conditions in a specific atmosphere. Efficiently and skillfully coat the surface of the glass plate, and if necessary, heat-treating the coated thin film in air,
It can be assumed that the surface resistivity of the coating itself can be specified as 10 6 to 10 9 Ω / □, and not only the transparency but also the light resistance,
Not only will it be more durable than weather resistance or chemical resistance, but it can also be used as a single plate in places where antistatic is required, for example, and it will exhibit the desired antistatic performance. In addition, it can be widely adopted in various fields.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】夲発明の帯電防止ガラスにおいて、酸化スズ薄
膜の膜厚約1000Å程度における、成膜雰囲気の酸素
濃度と表面抵抗率である絶縁抵抗値の関係を示す一例で
ある。
FIG. 1 is an example showing a relationship between an oxygen concentration in a film forming atmosphere and an insulation resistance value which is a surface resistivity in the antistatic glass of the present invention, when the film thickness of a tin oxide thin film is about 1000 Å.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラス板表面に被覆した積層薄膜におい
て、最外表層薄膜が反応性直流スパッタ法による成膜薄
膜であって、該薄膜が200〜2000Åの膜厚である
酸化スズ薄膜であり、該酸化スズ薄膜の表面抵抗率が1
6 〜109 Ω/□の高抵抗薄膜であることを特徴とす
る帯電防止ガラス。
1. A laminated thin film coated on the surface of a glass plate, wherein the outermost surface thin film is a thin film formed by a reactive DC sputtering method, and the thin film is a tin oxide thin film having a thickness of 200 to 2000 Å. The surface resistivity of the tin oxide thin film is 1
An antistatic glass, which is a high resistance thin film of 0 6 to 10 9 Ω / □.
【請求項2】 前記酸化スズ薄膜が、酸素欠陥を有し、
可視光透過率が60%以上であって、透過光の色調が無
色あるいは淡い有色であることを特徴とする請求項1記
載の帯電防止ガラス。
2. The tin oxide thin film has oxygen defects,
2. The antistatic glass according to claim 1, wherein the visible light transmittance is 60% or more, and the color tone of the transmitted light is colorless or light colored.
【請求項3】 真空薄膜積層装置中において、金属スズ
のターゲットをセットし、酸素とアルゴンの混合ガスが
2 /(O2 +Ar)=0〜75%である雰囲気でもっ
て、積層薄膜被覆ガラス板の最外表層薄膜として、反応
性直流スパッタ法によって、膜厚が200〜2000Å
である酸化スズ薄膜を、該酸化スズ薄膜の表面抵抗率が
106 〜109 Ω/□の高抵抗薄膜となるよう成膜した
ことを特徴とする帯電防止ガラスの製造法。
3. A laminated thin film-coated glass in a vacuum thin film laminating apparatus, in which a metallic tin target is set and the mixed gas of oxygen and argon is O 2 / (O 2 + Ar) = 0 to 75%. As the outermost surface thin film of the plate, the film thickness is 200 to 2000 Å by the reactive DC sputtering method.
The method for producing antistatic glass, characterized in that the tin oxide thin film is formed into a high resistance thin film having a surface resistivity of 10 6 to 10 9 Ω / □.
【請求項4】 真空薄膜積層装置中において、金属スズ
のターゲットをセットし、酸素とアルゴンの混合ガスが
2 /(O2 +Ar)=0〜75%である雰囲気でもっ
て、積層薄膜被覆ガラス板の最外表層薄膜として、反応
性直流スパッタ法によって、膜厚が200〜2000Å
である酸化スズ薄膜を成膜し、該酸化スズ薄膜の表面抵
抗率が106 〜109 Ω/□の高抵抗薄膜となるよう、
空気雰囲気でもって100〜500°Cの処理温度にお
いて熱処理を施したことを特徴とする帯電防止ガラスの
製造法。
4. A laminated thin film-coated glass in a vacuum thin film laminating apparatus, in which a target of metallic tin is set and the mixed gas of oxygen and argon is O 2 / (O 2 + Ar) = 0 to 75%. As the outermost surface thin film of the plate, the film thickness is 200 to 2000 Å by the reactive DC sputtering method.
To form a tin oxide thin film having a surface resistivity of 10 6 to 10 9 Ω / □.
A method for producing an antistatic glass, characterized in that a heat treatment is performed in an air atmosphere at a treatment temperature of 100 to 500 ° C.
【請求項5】 前記混合ガスがO2 /(O2 +Ar)=
0〜30%である雰囲気として成膜した際には、成膜
後、空気中でもって100〜250°Cの処理温度にお
いて熱処理を施すことを特徴とする請求項4記載の帯電
防止ガラスの製造法。
5. The mixed gas is O 2 / (O 2 + Ar) =
The antistatic glass according to claim 4, wherein when the film is formed in an atmosphere of 0 to 30%, a heat treatment is performed in the air at a processing temperature of 100 to 250 ° C after the film is formed. Law.
【請求項6】 前記混合ガスがO2 /(O2 +Ar)=
20〜75%である雰囲気として成膜した際には、成膜
後、空気中でもって200〜500°Cの処理温度にお
いて熱処理を施すことを特徴とする請求項4記載の帯電
防止ガラスの製造法。
6. The mixed gas is O 2 / (O 2 + Ar) =
The antistatic glass according to claim 4, wherein when the film is formed in an atmosphere of 20 to 75%, a heat treatment is performed in the air at a processing temperature of 200 to 500 ° C after the film is formed. Law.
JP23836991A 1991-09-18 1991-09-18 Antistatic glass and its production Pending JPH0570177A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23836991A JPH0570177A (en) 1991-09-18 1991-09-18 Antistatic glass and its production

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23836991A JPH0570177A (en) 1991-09-18 1991-09-18 Antistatic glass and its production

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0570177A true JPH0570177A (en) 1993-03-23

Family

ID=17029167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23836991A Pending JPH0570177A (en) 1991-09-18 1991-09-18 Antistatic glass and its production

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0570177A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6679978B2 (en) Method of making self-cleaning substrates
US4610771A (en) Sputtered films of metal alloy oxides and method of preparation thereof
CN1914131B (en) Method for cleaning a substrate
JPS62196366A (en) High permeability and low emissivity article
JPS61111940A (en) High permeability and low radiation product and manufacture
JP2008505841A (en) Low maintenance coating
US4806221A (en) Sputtered films of bismuth/tin oxide
EP1322567B1 (en) Temporary protective covers
JPH07249316A (en) Transparent conductive film and transparent substrate using the transparent conductive film
JPH0570177A (en) Antistatic glass and its production
JP3501820B2 (en) Transparent conductive film with excellent flexibility
JP2005071901A (en) Transparent conductive laminated film
US6419804B1 (en) Contamination-resistant thin film deposition method
US20170167014A1 (en) Method of coating both sides of a substrate using a sacrificial coating
JP3369728B2 (en) Laminated transparent conductive substrate
JPS6143805B2 (en)
JP3501819B2 (en) Transparent conductive film with excellent flatness
JPS59228202A (en) Non-electrical or non-reflective wear resistant optical part
WO2023042848A1 (en) Transparent conductive film
KR100514346B1 (en) Transparent conductive layer, product for conductive protection layer and menufacturing method
WO2021024945A1 (en) Transparent electrically-conductive film
JPH03276600A (en) Electrification preventing film body and manufacture thereof
WO2020255947A1 (en) Transparent electroconductive film
WO2023042849A1 (en) Transparent electroconductive film
WO2021001691A4 (en) Transparent conductive film