JPH0567921A - Oscillator circuit - Google Patents

Oscillator circuit

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Publication number
JPH0567921A
JPH0567921A JP22760591A JP22760591A JPH0567921A JP H0567921 A JPH0567921 A JP H0567921A JP 22760591 A JP22760591 A JP 22760591A JP 22760591 A JP22760591 A JP 22760591A JP H0567921 A JPH0567921 A JP H0567921A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
state
inverter
circuit
control signal
terminal
Prior art date
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Pending
Application number
JP22760591A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaaki Sato
雅昭 佐藤
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain the stable oscillating frequencies of two kinds or over with one circuit. CONSTITUTION:A tri-state inverter 50 whose operating state is controlled with a control signal S1 to a control terminal 60, an inverter 1, an NMOS transistor(TR) NF1 whose conduction state is controlled by the control signal S1 a feedback resistor R2 connecting in series with the TR NF1 and a feedback resistor R1 are connected in parallel. The feedback resistor R2 and the tri-state inverter 50 are inserted between an input terminal and an output terminal or disconnected from them by changing the level of the control signal S1 so as to change the circuit constant thereby varying the oscillating frequency.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は発振回路に関し、特に水
晶振動子とCMOSインバータとを用いた型の発振回路
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oscillator circuit, and more particularly to an oscillator circuit of a type using a crystal oscillator and a CMOS inverter.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の従来の発振回路は、図3に示す
ように、帰還増幅用のインバータ1と、その入力と出力
にそれぞれ一端が接続された帰還抵抗R1 とを有してい
る。そして、インバータ1のトランジスタサイズおよび
帰還抵抗R1 の回路定数とにより、入力端子2と接地端
子3との間および出力端子4と接地端子3との間に容量
1 およびC2 が挿入され、入力端子2と出力端子4と
の間に水晶振動子Xが付加されている。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 3, a conventional oscillator circuit of this type has a feedback amplification inverter 1 and a feedback resistor R 1 having one end connected to the input and the output thereof. .. Then, the capacitors C 1 and C 2 are inserted between the input terminal 2 and the ground terminal 3 and between the output terminal 4 and the ground terminal 3 depending on the transistor size of the inverter 1 and the circuit constant of the feedback resistor R 1 . A crystal oscillator X is added between the input terminal 2 and the output terminal 4.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】この従来の発振回路で
は、回路定数が固定なので最適な発振周波数が設計・製
造の段階で決まってしまう。分周回路を設け周波数を変
える方法もあるが、例えば、10MHz から1k z
するとしたら214分周しなければならない。この場合、
分周回路をトグルフリップフロップのバイナリーカウン
タ構成とすると14ビット分が必要となり、トグルフリ
ップフロップは14ブロック必要となる。そして、1ブ
ロックあたり20トランジスタを使用することから、1
4ブロックでは280トランジスタが必要となる。この
ように分周に必要なトランジスタの数が多くなると、面
積や消費電力の関係などでトランジスタ数に制限がある
場合には分周回路を設計することが出来なくなってしま
う。
In this conventional oscillation circuit, since the circuit constant is fixed, the optimum oscillation frequency is determined at the designing / manufacturing stage. Method of changing the frequency provided dividing circuit there is also, for example, must be 2 14 divided After that the 1 k H z from 10 MHz z. in this case,
If the frequency dividing circuit is constituted by a toggle flip-flop binary counter, 14 bits are required, and 14 toggle flip-flops are required. And since 20 transistors are used per block, 1
280 transistors are required for 4 blocks. When the number of transistors required for frequency division increases in this way, it becomes impossible to design a frequency division circuit when the number of transistors is limited due to the area and power consumption.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の発振回路は、入
力端子と出力端子との間に、水晶振動子と帰還増幅用の
インバータと帰還抵抗とが並列に設けられてなる型の発
振回路において、入力端子と出力端子との間に、抵抗と
NチャンネルMOS電界効果型トランジスタとからなる
直列回路と、スリーステートインバータとが並列に接続
された回路が設けられ、前記NチャンネルMOS電界効
果型トランジスタの導通状態と前記スリーステートイン
バータの動作状態とは外部からの制御信号によって制御
され、前記制御信号の一方の状態においては、前記Nチ
ャンネルMOS電界効果型トランジスタが導通状態とな
り、前記スリーステートインバータが出力モードとなる
ように動作し、前記制御信号の他方の状態においては、
前記NチャンネルMOS電界効果型トランジスタが遮断
状態となり、前記スリーステートインバータが高インピ
ーダンス状態となるように動作することを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An oscillator circuit of the present invention is an oscillator circuit of a type in which a crystal oscillator, an inverter for feedback amplification and a feedback resistor are provided in parallel between an input terminal and an output terminal. In the above, a circuit in which a series circuit including a resistor and an N-channel MOS field effect transistor and a three-state inverter are connected in parallel is provided between the input terminal and the output terminal, and the N-channel MOS field effect type transistor is provided. The conduction state of the transistor and the operating state of the three-state inverter are controlled by an external control signal. In one state of the control signal, the N-channel MOS field effect transistor is in the conduction state and the three-state inverter is Operates in the output mode, and in the other state of the control signal,
The N-channel MOS field effect transistor is turned off, and the three-state inverter operates so as to be in a high impedance state.

【0005】[0005]

【実施例】次に本発明の最適な実施例について図面を参
照して説明する。図1(a)は、本発明の一実施例の発
振回路のブロック図である。図1(a)を参照すると、
この発振回路では、帰還抵抗R1 およびR2 の一端と、
インバータ1およびスリーステートインバータ50の出
力とが出力端子4に接続されている。そして、帰還抵抗
1 の他端と、NMOSトランジスタNF1のドレイン
と、インバータ1およびスリーステートインバータ50
の入力端とが入力端子2に接続されている。帰還抵抗R
2 の他端はNMOSトランジスタNF1のソースに接続さ
れている。又、スリーステートインバータ50の制御入
力端とNMOSトランジスタNF1のゲートとが制御端子
60に接続されている。更に、入力端子2と接地端子3
との間および出力端子4と接地端子3との間に容量C1
およびC2が挿入され、入力端子2と出力端子4との間
に水晶振動子Xが付加されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, an optimum embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a block diagram of an oscillator circuit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 (a),
In this oscillator circuit, one end of the feedback resistors R 1 and R 2 ,
The outputs of the inverter 1 and the three-state inverter 50 are connected to the output terminal 4. Then, the other end of the feedback resistor R 1 , the drain of the NMOS transistor N F1 , the inverter 1 and the three-state inverter 50.
And the input end of are connected to the input terminal 2. Feedback resistor R
The other end of 2 is connected to the source of the NMOS transistor N F1 . The control input terminal of the three-state inverter 50 and the gate of the NMOS transistor N F1 are connected to the control terminal 60. Furthermore, the input terminal 2 and the ground terminal 3
Between the output terminal 4 and the ground terminal 3 and the capacitance C 1
And C 2 are inserted, and the crystal unit X is added between the input terminal 2 and the output terminal 4.

【0006】以下に本実施例の発振回路の動作につい
て、図1(b)を用いて説明する。図1(b)は、図1
(a)のブロック図をトランジスタレベルで表わした回
路図である。いま、1(b)において帰還抵抗R1 およ
びR2 の抵抗値を250kΩとし、インバータ1および
スリーステートインバータ50のNMOSトランジスタ
1 およびN2 のゲート幅を150μm,PMOSトラ
ンジスタP1 およびP2 のゲート幅を300μmとす
る。
The operation of the oscillator circuit of this embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 1B is the same as FIG.
It is the circuit diagram which represented the block diagram of (a) at the transistor level. Now, in 1 (b), the resistance values of the feedback resistors R 1 and R 2 are set to 250 kΩ, the gate widths of the NMOS transistors N 1 and N 2 of the inverter 1 and the three-state inverter 50 are set to 150 μm, and the PMOS transistors P 1 and P 2 are set. The gate width is 300 μm.

【0007】ここで、制御端子60への制御信号S1
“H”レベルとすると、NMOSトランジスタNF1がオ
ン状態となり帰還抵抗R2 と入力端子2とが導通する。
一方、スリーステートインバータ50が出力モードとな
る。この場合、インバータ1とスリーステートインバー
タ50とは並列接続であるので、2つで1つのインバー
タとしてみた時のMOSトランジスタのゲート幅は、N
MOSトランジスタ側では150×2=300(μ
m),PMOSトランジスタ側では300×2=600
(μm)となる。同様に、帰還抵抗R1 とR2 とが並列
接続となるので、全体としての帰還抵抗Rは、1/R=
(1/250)+(1/250)より、R=125kΩ
となる。
Here, when the control signal S 1 to the control terminal 60 is set to "H" level, the NMOS transistor N F1 is turned on and the feedback resistor R 2 and the input terminal 2 are conducted.
On the other hand, the three-state inverter 50 is in the output mode. In this case, since the inverter 1 and the three-state inverter 50 are connected in parallel, the gate width of the MOS transistor when two inverters are regarded as one is N
On the MOS transistor side, 150 × 2 = 300 (μ
m), 300 × 2 = 600 on the PMOS transistor side
(Μm). Similarly, since the feedback resistors R 1 and R 2 are connected in parallel, the total feedback resistor R is 1 / R =
From (1/250) + (1/250), R = 125kΩ
Becomes

【0008】逆に、制御信号S1 を“L”レベルにする
とNMOSトランジスタNF1がオフ状態となり、帰還抵
抗R2 と入力端子2とが遮断される。一方、スリーステ
ートインバータ50が高インピーダンスとなる。従って
この場合には、全体として見た時のインバータのMOS
トランジスタのゲート幅はインバータ1のMOSトラン
シスタの分のみとなるので、NMOSトランジスタ側で
は150×1=150(μm)PMOSトランジスタ側
では300×1=300(μm)となる。そして、この
時の全体としての帰還抵抗RはR=R1 =250kΩで
ある。
On the contrary, when the control signal S 1 is set to "L" level, the NMOS transistor N F1 is turned off and the feedback resistor R 2 and the input terminal 2 are cut off. On the other hand, the three-state inverter 50 has a high impedance. Therefore, in this case, the MOS of the inverter as a whole
Since the gate width of the transistor is only that of the MOS transistor of the inverter 1, 150 × 1 = 150 (μm) on the NMOS transistor side and 300 × 1 = 300 (μm) on the PMOS transistor side. The feedback resistance R as a whole at this time is R = R 1 = 250 kΩ.

【0009】すなわち、本実施例の発振回路は、制御信
号S1 が“H”レベルの時は、帰還抵抗が小さくインバ
ータのゲインが高いので高周波用の発振回路となり、制
御信号S1 が“L”レベルの時は、帰還抵抗が大きくイ
ンバータのゲインが低いので低周波用の発振回路とな
る。これにより、2つの発振回路を用意しなくても2種
類の周波数を得ることが出来る。
That is, when the control signal S 1 is at "H" level, the oscillation circuit of this embodiment serves as a high frequency oscillation circuit because the feedback resistance is small and the gain of the inverter is high, and the control signal S 1 is "L". At the "" level, the feedback resistance is large and the gain of the inverter is low, so the oscillation circuit is for low frequency. Thereby, two kinds of frequencies can be obtained without preparing two oscillation circuits.

【0010】尚、以上の説明は、2種類の発振周波数が
得られるような発振回路を例にして行ったが、本発明は
これに限られるものではない。例えば、図2に示すよう
に、図1(a)に示す回路に、更に帰還抵抗R3 とNM
OSトランジスタNF2との直列回路と、これに並列に接
続されたスリーステートインバータ51とを設け、この
NMOSトランジスタNF2の導通状態とスリーステート
インバータ51の動作状態とを、制御端子61に入力さ
れる制御信号S2 によって制御するようにすれば、3種
類の発振周波数を得ることができる。このことから、同
様の構成によって、特別な回路を設けなくても3種類以
上の発振周波数を安定して得ることができることは明ら
かである。
Although the above description has been made with reference to an oscillation circuit that can obtain two types of oscillation frequencies, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 2, a feedback resistor R 3 and NM are added to the circuit shown in FIG.
A series circuit including the OS transistor N F2 and a three-state inverter 51 connected in parallel to the OS transistor N F2 are provided, and the conduction state of the NMOS transistor N F2 and the operating state of the three-state inverter 51 are input to the control terminal 61. By controlling with the control signal S 2 according to the above, three kinds of oscillation frequencies can be obtained. From this, it is clear that three or more kinds of oscillation frequencies can be stably obtained without providing a special circuit with the same configuration.

【0011】[0011]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の発振回路
では、水晶発振回路の帰還抵抗とインバータのゲート幅
を制御信号のレベルを変えて切り換えることにより、回
路定数を容易に変更することができる。これにより、本
発明は、1つの回路で、分周回路などの特別の回路を設
けなくても、異なる発振周波数を安定して得ることが出
来るという効果を有する。
As described above, in the oscillator circuit of the present invention, the circuit constant can be easily changed by switching the feedback resistance of the crystal oscillator circuit and the gate width of the inverter by changing the level of the control signal. it can. As a result, the present invention has an effect that different oscillation frequencies can be stably obtained with one circuit without providing a special circuit such as a frequency dividing circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】分図(a)は、本発明の一実施例による発振回
路のブロック図である。分図(b)は、分図(a)に示
すブロック図を、トランジスタレベルで表した図であ
る。
FIG. 1A is a block diagram of an oscillator circuit according to an embodiment of the present invention. Diagram (b) is a diagram showing the block diagram shown in diagram (a) at the transistor level.

【図2】本発明の発振回路の他のブロック図である。FIG. 2 is another block diagram of the oscillator circuit of the present invention.

【図3】従来の発振回路の一例のブロック図である。FIG. 3 is a block diagram of an example of a conventional oscillator circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 インバータ 2 入力端子 3 接地端子 4 出力端子 50,51 スリーステートインバータ 60,61 制御端子 1 Inverter 2 Input terminal 3 Grounding terminal 4 Output terminal 50,51 Three-state inverter 60,61 Control terminal

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力端子と出力端子との間に、水晶振動
子と帰還増幅用のインバータと帰還抵抗とが並列に設け
られてなる型の発振回路において、 入力端子と出力端子との間に、抵抗とNチャンネルMO
S電界効果型トランジスタとからなる直列回路と、スリ
ーステートインバータとが並列に接続された回路が設け
られ、 前記NチャンネルMOS電界効果型トランジスタの導通
状態と前記スリーステートインバータの動作状態とは外
部からの制御信号によって制御され、 前記制御信号の一方の状態においては、前記Nチャンネ
ルMOS電界効果型トランジスタが導通状態となり、前
記スリーステートインバータが出力モードとなるように
動作し、 前記制御信号の他方の状態においては、前記Nチャンネ
ルMOS電界効果型トランジスタが遮断状態となり、前
記スリーステートインバータが高インピーダンス状態と
なるように動作することを特徴とする発振回路。
1. An oscillator circuit of a type in which a crystal oscillator, an inverter for feedback amplification, and a feedback resistor are provided in parallel between an input terminal and an output terminal, and between the input terminal and the output terminal. , Resistance and N channel MO
A circuit in which a series circuit including an S field effect transistor and a three-state inverter are connected in parallel is provided, and a conduction state of the N-channel MOS field effect transistor and an operating state of the three-state inverter are externally provided. Of the control signal, the N-channel MOS field effect transistor is turned on in one state of the control signal, and the three-state inverter is operated in the output mode. In the state, the N-channel MOS field effect transistor operates in a cutoff state, and the three-state inverter operates in a high impedance state.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108988828A (en) * 2017-06-02 2018-12-11 爱思开海力士有限公司 Oscillator

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108988828A (en) * 2017-06-02 2018-12-11 爱思开海力士有限公司 Oscillator
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