JPH0566376A - 液晶素子の過渡的誘電率測定法及び測定装置 - Google Patents
液晶素子の過渡的誘電率測定法及び測定装置Info
- Publication number
- JPH0566376A JPH0566376A JP22740891A JP22740891A JPH0566376A JP H0566376 A JPH0566376 A JP H0566376A JP 22740891 A JP22740891 A JP 22740891A JP 22740891 A JP22740891 A JP 22740891A JP H0566376 A JPH0566376 A JP H0566376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- circuit
- dielectric constant
- wien bridge
- oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は液晶電気光学素子において、ウイー
ンブリッジ発振回路および周波数／電圧変換回路を用い
て過渡的誘電率を測定法に係り、液晶表示パネルの特性
評価等に供するものである。 【構成】 液晶セルを入力側に接続ウイーンブリッジ発
振回路と、その出力端に接続した周波数／電圧変換回路
と、前記発振回路の出力側より入力側に帰還する発振振
幅安定化回路とより成り、印加電圧による液晶分子の動
きによって過渡的に変化する誘電率の変化を周波数−電
圧変化し、電圧の変化として読取り、表示するようにし
た測定法及び装置である。
ンブリッジ発振回路および周波数／電圧変換回路を用い
て過渡的誘電率を測定法に係り、液晶表示パネルの特性
評価等に供するものである。 【構成】 液晶セルを入力側に接続ウイーンブリッジ発
振回路と、その出力端に接続した周波数／電圧変換回路
と、前記発振回路の出力側より入力側に帰還する発振振
幅安定化回路とより成り、印加電圧による液晶分子の動
きによって過渡的に変化する誘電率の変化を周波数−電
圧変化し、電圧の変化として読取り、表示するようにし
た測定法及び装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶を用いた液晶電気光
学素子に関するものである。特に本発明は液晶電気光学
素子において、ウイーンブリッジ発振回路および周波数
／電圧変換回路を用いた誘電率観測装置を利用して過渡
的誘電率を観測することによる液晶分子挙動を観測する
測定法及び装置に係る。
学素子に関するものである。特に本発明は液晶電気光学
素子において、ウイーンブリッジ発振回路および周波数
／電圧変換回路を用いた誘電率観測装置を利用して過渡
的誘電率を観測することによる液晶分子挙動を観測する
測定法及び装置に係る。
【０００２】本発明の産業上の利用分野としては液晶表
示パネルの特性評価等に供するものである。
示パネルの特性評価等に供するものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、強誘電性液晶素子の分極反転応答
の評価は、三角波法や反転電場法が用いられている。こ
れらの方法の特徴は、強誘電性液晶のもつ自発分極の反
転にともなう分極反転電流を求める方法としては比較的
簡便である。ここで分極反転電流は液晶分子の反転挙動
をよく反映しているため、その応答波形自体の解析評価
が広く行われている。
の評価は、三角波法や反転電場法が用いられている。こ
れらの方法の特徴は、強誘電性液晶のもつ自発分極の反
転にともなう分極反転電流を求める方法としては比較的
簡便である。ここで分極反転電流は液晶分子の反転挙動
をよく反映しているため、その応答波形自体の解析評価
が広く行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
分極反転電流は、自発分極にともなうものだけでなく、
液晶に含まれている不純物による電流が重畳されること
や、外部からのノイズ等によって正確な反転挙動をとら
えることが困難な場合がある。また、低い周波数により
強誘電性液晶素子を駆動した場合、分極反転電流値は微
量となってしまうため、正確な測定ができない欠点があ
る。
分極反転電流は、自発分極にともなうものだけでなく、
液晶に含まれている不純物による電流が重畳されること
や、外部からのノイズ等によって正確な反転挙動をとら
えることが困難な場合がある。また、低い周波数により
強誘電性液晶素子を駆動した場合、分極反転電流値は微
量となってしまうため、正確な測定ができない欠点があ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、液晶分子
の分極反転電流の測定にかわる液晶分子反転の測定法と
して、液晶分子反転にともなって変化する液晶素子の見
かけの過渡的誘電率の変化を測定する方法を発明した。
すなわち本発明者等は過渡的誘電率を測定することによ
って、液晶分子の反転挙動を精度良く観測することに成
功した。
の分極反転電流の測定にかわる液晶分子反転の測定法と
して、液晶分子反転にともなって変化する液晶素子の見
かけの過渡的誘電率の変化を測定する方法を発明した。
すなわち本発明者等は過渡的誘電率を測定することによ
って、液晶分子の反転挙動を精度良く観測することに成
功した。
【０００６】三角波法による分極反転電流応答と、過渡
的誘電率応答変化の比較を図１に示す。図１（Ａ）は液
晶駆動電圧、（Ｂ）は過渡的誘電率応答、（Ｃ）は分極
反転電流、（Ｄ）は電気光学応答である。（Ｃ）の波形
には、不純物イオンによるピークが重畳されており、か
つ外来ノイズの影響が大きくみられる。これに対し、
（Ｂ）では、そうした悪影響が全く見られず、液晶分子
の反転挙動が捉えられ、（Ｄ）電気光学応答ともよく対
応している。また、過渡的誘電率の測定はネマティック
液晶素子の分子スイッチング挙動の観測にも応用でき
る。このように、過渡的誘電率変化をとらえることによ
って、液晶素子の反転挙動の観測に成功した。
的誘電率応答変化の比較を図１に示す。図１（Ａ）は液
晶駆動電圧、（Ｂ）は過渡的誘電率応答、（Ｃ）は分極
反転電流、（Ｄ）は電気光学応答である。（Ｃ）の波形
には、不純物イオンによるピークが重畳されており、か
つ外来ノイズの影響が大きくみられる。これに対し、
（Ｂ）では、そうした悪影響が全く見られず、液晶分子
の反転挙動が捉えられ、（Ｄ）電気光学応答ともよく対
応している。また、過渡的誘電率の測定はネマティック
液晶素子の分子スイッチング挙動の観測にも応用でき
る。このように、過渡的誘電率変化をとらえることによ
って、液晶素子の反転挙動の観測に成功した。
【０００７】本発明の目的は、上述の従来の分極反転電
流測定に代わる新しい測定法として、過渡的誘電率を測
定することを提唱し、これに基づいて過渡的誘電率の測
定を実現することにある。 第１発明 本発明は、電源に接続した強誘電性液晶セルと、この液
晶セルを入力側に接続したウイーンブリッジ発振回路
と、前記ウイーンブリッジ発振回路の出力端に接続した
周波数−電圧変換回路とより成り、前記ウイーンブリッ
ジ発振回路は発振回路の最終段より入力側に帰還するよ
う接続された緩衝増幅回路および発振回路の振幅を安定
化する緩衝増幅回路およびバイアス制御回路とを順次接
続して発振安定化回路を構成し、印加電圧による液晶分
子の動きによって過渡的に変化する誘電率の挙動をウイ
ーンブリッジにより読みとり、これを周波数−電圧変換
し、液晶素子の過渡的誘電率の変化に対応した挙動を表
示するようにしたことを特徴とする液晶素子の過渡的誘
電率測定法。 第２発明 本発明は、電源に接続した強誘電性液晶セルと、この液
晶セルを入力側に接続したウイーンブリッジ発振回路
と、前記ウイーンブリッジ発振回路の出力端に接続した
周波数−電圧変換回路とより成り、前記ウイーンブリッ
ジ発振回路は発振回路の最終段より入力側に帰還するよ
う接続された緩衝増幅回路および発振回路の振幅を安定
化する緩衝増幅回路およびバイアス制御回路とを順次接
続して発振安定化回路を構成し、印加電圧による液晶分
子の動きによって過渡的に変化する誘電率の挙動をウイ
ーンブリッジにより読みとり、これを周波数−電圧変換
し、液晶素子の過渡的誘電率の変化に対応した挙動を表
示するようにしたことを特徴とする液晶素子の過渡的誘
電率測定装置。
流測定に代わる新しい測定法として、過渡的誘電率を測
定することを提唱し、これに基づいて過渡的誘電率の測
定を実現することにある。 第１発明 本発明は、電源に接続した強誘電性液晶セルと、この液
晶セルを入力側に接続したウイーンブリッジ発振回路
と、前記ウイーンブリッジ発振回路の出力端に接続した
周波数−電圧変換回路とより成り、前記ウイーンブリッ
ジ発振回路は発振回路の最終段より入力側に帰還するよ
う接続された緩衝増幅回路および発振回路の振幅を安定
化する緩衝増幅回路およびバイアス制御回路とを順次接
続して発振安定化回路を構成し、印加電圧による液晶分
子の動きによって過渡的に変化する誘電率の挙動をウイ
ーンブリッジにより読みとり、これを周波数−電圧変換
し、液晶素子の過渡的誘電率の変化に対応した挙動を表
示するようにしたことを特徴とする液晶素子の過渡的誘
電率測定法。 第２発明 本発明は、電源に接続した強誘電性液晶セルと、この液
晶セルを入力側に接続したウイーンブリッジ発振回路
と、前記ウイーンブリッジ発振回路の出力端に接続した
周波数−電圧変換回路とより成り、前記ウイーンブリッ
ジ発振回路は発振回路の最終段より入力側に帰還するよ
う接続された緩衝増幅回路および発振回路の振幅を安定
化する緩衝増幅回路およびバイアス制御回路とを順次接
続して発振安定化回路を構成し、印加電圧による液晶分
子の動きによって過渡的に変化する誘電率の挙動をウイ
ーンブリッジにより読みとり、これを周波数−電圧変換
し、液晶素子の過渡的誘電率の変化に対応した挙動を表
示するようにしたことを特徴とする液晶素子の過渡的誘
電率測定装置。
【０００８】
【作用】以下図面について、本発明の実施態様を説明す
る。図２，図３は本発明に使用する液晶素子の構成を示
すものである。同図において１は基板、２は電極、３は
配向膜、４は液晶層を示す。強誘電性液晶は、図２に示
すような層構造をもち、また液晶表示素子は電界又は電
流の印加により液晶層内部において分子が反転する。液
晶の分子が反転するときは、図３に示すようなコーン上
に沿って動く。また、液晶分子は、誘電率異方性（分子
長軸に平行な誘電率と、垂直な誘電率の値に違いがあ
る）を持つ。よって、液晶分子が反転していく過程にお
いて、基板電極からの見かけ上の誘電率の値は連続的に
変化する。この変化をとらえることによって液晶分子の
反転挙動を観測するのが本発明の液晶素子の測定原理で
ある。
る。図２，図３は本発明に使用する液晶素子の構成を示
すものである。同図において１は基板、２は電極、３は
配向膜、４は液晶層を示す。強誘電性液晶は、図２に示
すような層構造をもち、また液晶表示素子は電界又は電
流の印加により液晶層内部において分子が反転する。液
晶の分子が反転するときは、図３に示すようなコーン上
に沿って動く。また、液晶分子は、誘電率異方性（分子
長軸に平行な誘電率と、垂直な誘電率の値に違いがあ
る）を持つ。よって、液晶分子が反転していく過程にお
いて、基板電極からの見かけ上の誘電率の値は連続的に
変化する。この変化をとらえることによって液晶分子の
反転挙動を観測するのが本発明の液晶素子の測定原理で
ある。
【０００９】本発明において、液晶素子を用いてその過
渡的誘電率の変化を測定するには、図４におけるウイー
ンブリッジ発振回路に液晶素子を接続し測定するもの
で、液晶分子の反転にともなう液晶素子の誘電率の変化
は素子の静電容量変化として現れるため、容量の変化に
ともなって発振周波数が変化する。この発振周波数変化
を図５に示す周波数／電圧変換回路によって、電圧の変
化の形に変換して測定する。すなわち本発明において
は、以上の回路を用いて、誘電率の変化を電圧変化とし
て読み出し過渡的誘電率の変化を測定することができる
のである。
渡的誘電率の変化を測定するには、図４におけるウイー
ンブリッジ発振回路に液晶素子を接続し測定するもの
で、液晶分子の反転にともなう液晶素子の誘電率の変化
は素子の静電容量変化として現れるため、容量の変化に
ともなって発振周波数が変化する。この発振周波数変化
を図５に示す周波数／電圧変換回路によって、電圧の変
化の形に変換して測定する。すなわち本発明において
は、以上の回路を用いて、誘電率の変化を電圧変化とし
て読み出し過渡的誘電率の変化を測定することができる
のである。
【００１０】ここで、発振回路はＲＣ型発振回路で安定
であれば何でも良く、また周波数／電圧変換回路の代わ
りにジッタアナライザ等を用いても良い。
であれば何でも良く、また周波数／電圧変換回路の代わ
りにジッタアナライザ等を用いても良い。
【００１１】
【実施例】本発明の液晶素子の過渡的誘電率測定法を図
４ないし図８について詳細に説明する。図４は本発明の
誘電率測定法を実施するに必要な振幅安定化ウイーンブ
リッジ発振回路図、図５はこれに接続する周波数ー電圧
変換回路図であり、図６，図７，図８はそれぞれその波
形図である。
４ないし図８について詳細に説明する。図４は本発明の
誘電率測定法を実施するに必要な振幅安定化ウイーンブ
リッジ発振回路図、図５はこれに接続する周波数ー電圧
変換回路図であり、図６，図７，図８はそれぞれその波
形図である。
【００１２】まず図４の回路図について本発明の測定法
について説明する。図４において、１は印加電圧入力端
子、２は液晶素子のサンプルセル、３はウイーンブリッ
ジ発振回路である。４は発振増幅器であり、５はこれに
接続された緩衝増幅回路、６は発振出力端子である。本
発明に使用するウイーンブリッジ発振回路は振幅安定化
することが測定の精度をあげるために必要で、このため
にウイーンブリッジ発振回路３の出力側の抵抗Ｒ7 の個
所で分圧して出力の一部を発振変化検出回路７、積分回
路８、緩衝増幅回路９、発振増幅器のバイアス制御回路
９より成る振幅安定化回路を通して発振増幅器４のバイ
アス抵抗Ｒ21に帰還してその振幅を安定化させるもので
ある。
について説明する。図４において、１は印加電圧入力端
子、２は液晶素子のサンプルセル、３はウイーンブリッ
ジ発振回路である。４は発振増幅器であり、５はこれに
接続された緩衝増幅回路、６は発振出力端子である。本
発明に使用するウイーンブリッジ発振回路は振幅安定化
することが測定の精度をあげるために必要で、このため
にウイーンブリッジ発振回路３の出力側の抵抗Ｒ7 の個
所で分圧して出力の一部を発振変化検出回路７、積分回
路８、緩衝増幅回路９、発振増幅器のバイアス制御回路
９より成る振幅安定化回路を通して発振増幅器４のバイ
アス抵抗Ｒ21に帰還してその振幅を安定化させるもので
ある。
【００１３】まず、ウイーンブリッジ発振回路３の入力
側に接続した液晶素子より成るサンプルセル２には図６
に示すように２種の電圧がかかっている。すなわち、三
角波形の駆動電圧Ｖ1 とウイーンブリッジ発振回路３か
らの電圧Ｖ2 とである。強誘電性液晶セルは、三角波駆
動電圧Ｖ1 とウイーンブリッジ発振回路よりの発振周波
数（40ｋＨｚ）のパルス電圧Ｖ2 を印加すると、液晶分
子は図３に示すように円錐面にそい反転する。この液晶
セルの見かけ上の誘電率も液晶分子の動きに従って過渡
的に変化する。この誘電率の変化はセルの静電容量の変
化の形（Ｃc の値の変化）で表わされる。ウイーンブリ
ッジ発振回路の発振周波数ｆは次式で表わされる。
側に接続した液晶素子より成るサンプルセル２には図６
に示すように２種の電圧がかかっている。すなわち、三
角波形の駆動電圧Ｖ1 とウイーンブリッジ発振回路３か
らの電圧Ｖ2 とである。強誘電性液晶セルは、三角波駆
動電圧Ｖ1 とウイーンブリッジ発振回路よりの発振周波
数（40ｋＨｚ）のパルス電圧Ｖ2 を印加すると、液晶分
子は図３に示すように円錐面にそい反転する。この液晶
セルの見かけ上の誘電率も液晶分子の動きに従って過渡
的に変化する。この誘電率の変化はセルの静電容量の変
化の形（Ｃc の値の変化）で表わされる。ウイーンブリ
ッジ発振回路の発振周波数ｆは次式で表わされる。
【００１４】
【数１】
【００１５】によって、印加電圧により、液晶分子が動
きその動きによって誘電率が変化し、その誘電率をウイ
ーンブリッジ発振周波数ｆの形で読みとるのである。Ｒ
1 ，Ｒ2 ，Ｃ1 はセル非駆動時には40ｋＨｚで発振回路
３が発振するように設定してあり、Ｒ1 ＝Ｒ2 ＝2.2ｋ
Ω，Ｃ1 ＝1500ｐＦである。発振増幅器４の出力は、緩
衝増幅回路５において緩衝増幅され、出力端６に出力さ
れる。
きその動きによって誘電率が変化し、その誘電率をウイ
ーンブリッジ発振周波数ｆの形で読みとるのである。Ｒ
1 ，Ｒ2 ，Ｃ1 はセル非駆動時には40ｋＨｚで発振回路
３が発振するように設定してあり、Ｒ1 ＝Ｒ2 ＝2.2ｋ
Ω，Ｃ1 ＝1500ｐＦである。発振増幅器４の出力は、緩
衝増幅回路５において緩衝増幅され、出力端６に出力さ
れる。
【００１６】出力電圧の一部は振幅安定化回路を通じて
発振回路４のバイアス電流を制御するバイアス制御回路
10に帰還される。すなわち、出力電圧の一部は整流器11
で整流された後、分圧され、その振幅変化が発振変化検
出回路７により検出される。上記の整流器11で整流され
た波形が図７の（Ｅ）に示す波形である。この波形の整
流された電圧成分は発振変化検出回路７に送られ、ここ
で発振周波数の変化に対応した電圧変化を検出する。こ
こで、出力電圧の振幅変化が急激なときは、発振変化検
出回路７だけではその振幅変化に追従できないので、検
出回路７の出力は次の積分回路８に送ると共に、急激変
化はバイパス７Ｂを通じて緩衝増幅回路９に直接伝えら
れるようにする。バイパス７Ａと７Ｂとの波形が図７の
波形（Ｆ）と波形（Ｇ）であり、これら両成分が緩衝増
幅回路９で緩衝増幅され、図７の波形（Ｈ）として発振
回路のバイアス制御回路10に入力される。これにより発
振回路４の−入力バイアスを制御し、その振幅を安定化
させるのである。（なお、図４において、回路７，８，
９の各オペアンプの＋電極、−電極の結線は省略して示
してある。）次に図５について説明する。図５におい
て、16は入力端子、17はシュミットトリガ回路17、周波
数−電圧変換用ＩＣ回路18、引算回路19に送られる。
発振回路４のバイアス電流を制御するバイアス制御回路
10に帰還される。すなわち、出力電圧の一部は整流器11
で整流された後、分圧され、その振幅変化が発振変化検
出回路７により検出される。上記の整流器11で整流され
た波形が図７の（Ｅ）に示す波形である。この波形の整
流された電圧成分は発振変化検出回路７に送られ、ここ
で発振周波数の変化に対応した電圧変化を検出する。こ
こで、出力電圧の振幅変化が急激なときは、発振変化検
出回路７だけではその振幅変化に追従できないので、検
出回路７の出力は次の積分回路８に送ると共に、急激変
化はバイパス７Ｂを通じて緩衝増幅回路９に直接伝えら
れるようにする。バイパス７Ａと７Ｂとの波形が図７の
波形（Ｆ）と波形（Ｇ）であり、これら両成分が緩衝増
幅回路９で緩衝増幅され、図７の波形（Ｈ）として発振
回路のバイアス制御回路10に入力される。これにより発
振回路４の−入力バイアスを制御し、その振幅を安定化
させるのである。（なお、図４において、回路７，８，
９の各オペアンプの＋電極、−電極の結線は省略して示
してある。）次に図５について説明する。図５におい
て、16は入力端子、17はシュミットトリガ回路17、周波
数−電圧変換用ＩＣ回路18、引算回路19に送られる。
【００１７】図４の発振出力は（図８の波形（Ａ））は
まず入力端子16よりシュミットトリガ回路17に入力さ
れ、サイン波から矩形波（図８の波形（Ｂ））に変換さ
れる。そしてＩＣ回路18に入力される。このＩＣ回路18
は周波数−電圧変換用１チップＩＣであり、０〜100 ｋ
Ｈｚを０〜10Ｖに直接的に変換する。ＩＣ回路18からの
出力電圧はセル非駆動時は、40ｋＨｚで４Ｖであるがセ
ル駆動時の誘電率の変化にともなうＩＣ回路18の出力電
圧の変化量は数10ｍＶであるため、引算回路19によって
セル非駆動時の諸出力を０ボルトに調整し、セル駆動に
ともなう電圧出力（０ｍＶ〜50ｍＶ）のみをその出力端
子20に出力するようにセットしてあり、液晶素子の所要
の過渡的誘電率が測定できるのである。
まず入力端子16よりシュミットトリガ回路17に入力さ
れ、サイン波から矩形波（図８の波形（Ｂ））に変換さ
れる。そしてＩＣ回路18に入力される。このＩＣ回路18
は周波数−電圧変換用１チップＩＣであり、０〜100 ｋ
Ｈｚを０〜10Ｖに直接的に変換する。ＩＣ回路18からの
出力電圧はセル非駆動時は、40ｋＨｚで４Ｖであるがセ
ル駆動時の誘電率の変化にともなうＩＣ回路18の出力電
圧の変化量は数10ｍＶであるため、引算回路19によって
セル非駆動時の諸出力を０ボルトに調整し、セル駆動に
ともなう電圧出力（０ｍＶ〜50ｍＶ）のみをその出力端
子20に出力するようにセットしてあり、液晶素子の所要
の過渡的誘電率が測定できるのである。
【００１８】
【発明の効果】本発明によると、液晶電気光学素子にお
いて、過渡的誘電率を観測することによる液晶分子挙動
が高精度で測定することが可能となった。本発明の測定
法を応用することによって、 液晶分子反転の観測 次世代強誘電性液晶素子作製の問題点の一つである
層構造の解析 ネマティック液晶における電気２重層の解析 等の応用が期待できる。
いて、過渡的誘電率を観測することによる液晶分子挙動
が高精度で測定することが可能となった。本発明の測定
法を応用することによって、 液晶分子反転の観測 次世代強誘電性液晶素子作製の問題点の一つである
層構造の解析 ネマティック液晶における電気２重層の解析 等の応用が期待できる。
【００１９】また、本発明の測定法を利用することによ
り、従来の分極反転電流の観測では、様々な雑音成分の
重畳による測定誤差が問題となるが、この方法では外来
雑音電流成分を分離して測定することが可能となる工業
上顕著な利点があり有用である。
り、従来の分極反転電流の観測では、様々な雑音成分の
重畳による測定誤差が問題となるが、この方法では外来
雑音電流成分を分離して測定することが可能となる工業
上顕著な利点があり有用である。
【図１】図１は従来の三角波法による分極反転電流応答
波形と、本発明の過渡的誘電率応答波形と電気光学応答
波形とを対比した比較図である。
波形と、本発明の過渡的誘電率応答波形と電気光学応答
波形とを対比した比較図である。
【図２】図２は本発明に使用する液晶素子の構成を示す
図である。
図である。
【図３】図３は本発明に使用する液晶素子の作用説明図
である。
である。
【図４】図４は本発明の測定に使用する振幅安定化ウイ
ーンブリッジ発振回路図である。
ーンブリッジ発振回路図である。
【図５】図５は本発明の測定に使用する周波数−電圧変
換回路図である。
換回路図である。
【図６】図６（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は本発明の測定の
波形図である。
波形図である。
【図７】図７（Ｄ），（Ｅ），（Ｆ），（Ｇ），（Ｈ）
は本発明測定の波形図である。
は本発明測定の波形図である。
【図８】図８（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）は本発明
測定の波形図である。
測定の波形図である。
１ 印加電圧入力端子 ２ 液晶素子のサンプルセル ３ ウイーンブリッジ発振回路 ４ 発振増幅器 ５ 緩衝増幅回路 ６ 発振出力端子 ７ 発振変化検出回路 ８ 積分回路 ９ 緩衝増幅回路 １０ 発振増幅器のバイアス制御回路 11，12，13，14 整流器 Ｒ0 〜Ｒ21 抵抗 Ｃ1 〜Ｃ7 コンデンサー １５ 周波数−電圧変換回路 １６ 発振入力端子 １７ シュミットトリガ １８ 周波数−電圧変換用１チップＩＣ回路 １９ 緩衝増幅回路 ２０ 電圧出力端子 Ｃ8 〜Ｃ17 コンデンサー Ｒ22〜Ｒ31 抵抗
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年９月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【数１】
Claims (2)
- 【請求項１】 電源に接続した強誘電性液晶セルと、こ
の液晶セルを入力側に接続したウイーンブリッジ発振回
路と、前記ウイーンブリッジ発振回路の出力端に接続し
た周波数−電圧変換回路とより成り、前記ウイーンブリ
ッジ発振回路は発振回路の最終段より入力側に帰還する
よう接続された緩衝増幅回路および発振回路の振幅を安
定化する緩衝増幅回路およびバイアス制御回路とを順次
接続して発振安定化回路を構成し、印加電圧による液晶
分子の動きによって過渡的に変化する誘電率の挙動をウ
イーンブリッジにより読みとり、これを周波数−電圧変
換し、液晶素子の過渡的誘電率の変化に対応した挙動を
表示するようにしたことを特徴とする液晶素子の過渡的
誘電率測定法。 - 【請求項２】 電源に接続した強誘電性液晶セルと、こ
の液晶セルを入力側に接続したウイーンブリッジ発振回
路と、前記ウイーンブリッジ発振回路の出力端に接続し
た周波数−電圧変換回路とより成り、前記ウイーンブリ
ッジ発振回路は発振回路の最終段より入力側に帰還する
よう接続された緩衝増幅回路および発振回路の振幅を安
定化する緩衝増幅回路およびバイアス制御回路とを順次
接続して発振安定化回路を構成し、印加電圧による液晶
分子の動きによって過渡的に変化する誘電率の挙動をウ
イーンブリッジにより読みとり、これを周波数−電圧変
換し、液晶素子の過渡的誘電率の変化に対応した挙動を
表示するようにしたことを特徴とする液晶素子の過渡的
誘電率測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22740891A JP2732444B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 液晶素子の過渡的誘電率測定法及び測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22740891A JP2732444B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 液晶素子の過渡的誘電率測定法及び測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566376A true JPH0566376A (ja) | 1993-03-19 |
| JP2732444B2 JP2732444B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=16860370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22740891A Expired - Lifetime JP2732444B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 液晶素子の過渡的誘電率測定法及び測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732444B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6054870A (en) * | 1996-05-16 | 2000-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal device evaluation method and apparatus |
| JP2009069052A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Ube Ind Ltd | 液晶物性評価装置 |
| WO2022145248A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | Dic株式会社 | 液晶材料の製造方法及び液晶材料の評価方法とその測定装置、並びに液晶材料 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP22740891A patent/JP2732444B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6054870A (en) * | 1996-05-16 | 2000-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal device evaluation method and apparatus |
| WO2004079323A1 (ja) * | 1996-05-16 | 2004-09-16 | Taeko Urano | 液晶素子評価方法および評価装置 |
| JP2009069052A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Ube Ind Ltd | 液晶物性評価装置 |
| WO2022145248A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | Dic株式会社 | 液晶材料の製造方法及び液晶材料の評価方法とその測定装置、並びに液晶材料 |
| JP7148022B1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-10-05 | Dic株式会社 | 液晶材料の製造方法及び液晶材料の評価方法とその測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2732444B2 (ja) | 1998-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8677822B2 (en) | Angular velocity detection circuit, angular velocity detection apparatus, and failure determination system | |
| US7456731B2 (en) | Capacitive-type physical quantity sensor | |
| US8671755B2 (en) | Angular velocity detection circuit and angular velocity detection apparatus | |
| JP2000171257A (ja) | 角速度検出装置 | |
| DE69304460T2 (de) | Driftunterdrückungsschaltung für Gyrometer | |
| JP2732444B2 (ja) | 液晶素子の過渡的誘電率測定法及び測定装置 | |
| CN102508034B (zh) | 微固体模态陀螺等效电路的参数测量方法及装置 | |
| Yahaya et al. | Ultra-low current biosensor output detection using portable electronic reader | |
| JPH09211046A (ja) | 非接触電位検出方法とその装置 | |
| EP1094297B1 (en) | Method of measuring angular velocity and vibrating gyroscope | |
| JP4936921B2 (ja) | 水晶振動子センサー装置 | |
| JPS62207968A (ja) | 導電率計回路 | |
| US7046016B2 (en) | Potential fixing device, potential fixing method, and capacitance measuring instrument | |
| JP2013079972A (ja) | 角速度検出装置用回路、角速度検出装置及び故障判定システム | |
| Wei et al. | CMOS chopper amplifier for chemical sensor | |
| TWI489168B (zh) | 待測物特性檢測裝置及其檢測方法 | |
| JP2862761B2 (ja) | 静電容量式アルコール濃度測定装置 | |
| KR100243078B1 (ko) | 압전진동형 회전각센서시스템 및 압전진동형 회전각센서의 출력계측방법 | |
| JP2801304B2 (ja) | 溶液抵抗率測定装置 | |
| JP3390110B2 (ja) | 水晶振動子の漂動特性の測定方法及び測定装置 | |
| JP3371847B2 (ja) | インピーダンス／電圧変換装置及びその変換方法 | |
| SU1518725A1 (ru) | Устройство дл определени комплексных компонент переменного поверхностного нат жени | |
| SU1509758A1 (ru) | Измеритель напр женности статических и квазистатических электрических полей | |
| JP2004333148A (ja) | 分析装置 | |
| JPS6290564A (ja) | 表面電位検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |