JPH0557471A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH0557471A JPH0557471A JP3224322A JP22432291A JPH0557471A JP H0557471 A JPH0557471 A JP H0557471A JP 3224322 A JP3224322 A JP 3224322A JP 22432291 A JP22432291 A JP 22432291A JP H0557471 A JPH0557471 A JP H0557471A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、レーザ光によって被加工物の加工
を行うレーザ加工装置に関し、湾曲した被加工物に対し
て自動的かつ正確にレーザ光を垂直に当てることを目的
とする。 【構成】 被加工物の加工処理に供する第一のレーザ光
とは異なる波長の第二のレーザ光を生成する第二のレー
ザ光源と、第二のレーザ光を第一のレーザ光に合波し、
被加工物に同一光路で照射する合波手段と、被加工物を
透過した第二のレーザ光の透過位置を検出し、その透過
位置から被加工物の傾斜角を割り出して第二のレーザ光
の被加工物に対する入射角を垂直に調整する制御量を照
射角制御手段に与える位置検出手段とを備え、照射角制
御手段が被加工物に対する第一のレーザ光の照射角を調
整することを特徴とする。
を行うレーザ加工装置に関し、湾曲した被加工物に対し
て自動的かつ正確にレーザ光を垂直に当てることを目的
とする。 【構成】 被加工物の加工処理に供する第一のレーザ光
とは異なる波長の第二のレーザ光を生成する第二のレー
ザ光源と、第二のレーザ光を第一のレーザ光に合波し、
被加工物に同一光路で照射する合波手段と、被加工物を
透過した第二のレーザ光の透過位置を検出し、その透過
位置から被加工物の傾斜角を割り出して第二のレーザ光
の被加工物に対する入射角を垂直に調整する制御量を照
射角制御手段に与える位置検出手段とを備え、照射角制
御手段が被加工物に対する第一のレーザ光の照射角を調
整することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光によって被加
工物の加工を行うレーザ加工装置に関する。特に、被加
工物にレーザ光を垂直に照射できるようにレーザ光の照
射角の制御が可能なレーザ加工装置に関する。
工物の加工を行うレーザ加工装置に関する。特に、被加
工物にレーザ光を垂直に照射できるようにレーザ光の照
射角の制御が可能なレーザ加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来のレーザ加工装置の構成例
を示す図である。
を示す図である。
【０００３】図において、レーザ発振器５１から出射さ
れたレーザ光は、光ファイバ５２を介して加工光学系５
３に導かれる。加工光学系５３は、レーザ光を集光して
被加工物５４に照射する。載荷台５５は、真空ポンプ５
６の吸引によって被加工物５４を真空吸着させて固定す
る。ＸＹＺ機構ユニット５７は、載荷台５５をＸ，Ｙ，
Ｚ軸方向に移動させ、加工光学系５３から照射するレー
ザ光と被加工物５４の加工部位との位置合わせを行う。
回転機構ユニット５８は、加工光学系５３をＸ，Ｙ軸回
りに回転させ、被加工物５４に照射するレーザ光の照射
角を調整する。コントローラ５９は、ＸＹＺ機構ユニッ
ト５７および回転機構ユニット５８に対してレーザ光の
位置合わせおよび照射角の制御を行い、さらにレーザ発
振器５１に電力を供給するとともに冷却を行う電源・冷
却ユニット６０を制御する。
れたレーザ光は、光ファイバ５２を介して加工光学系５
３に導かれる。加工光学系５３は、レーザ光を集光して
被加工物５４に照射する。載荷台５５は、真空ポンプ５
６の吸引によって被加工物５４を真空吸着させて固定す
る。ＸＹＺ機構ユニット５７は、載荷台５５をＸ，Ｙ，
Ｚ軸方向に移動させ、加工光学系５３から照射するレー
ザ光と被加工物５４の加工部位との位置合わせを行う。
回転機構ユニット５８は、加工光学系５３をＸ，Ｙ軸回
りに回転させ、被加工物５４に照射するレーザ光の照射
角を調整する。コントローラ５９は、ＸＹＺ機構ユニッ
ト５７および回転機構ユニット５８に対してレーザ光の
位置合わせおよび照射角の制御を行い、さらにレーザ発
振器５１に電力を供給するとともに冷却を行う電源・冷
却ユニット６０を制御する。
【０００４】このようなレーザ加工装置では、被加工物
５４を加工する場合に、ＸＹＺ機構ユニット５７および
回転機構ユニット５８をコントローラ５９の制御によっ
て動かし、ティーチング法および補間法によって被加工
物５４に対する加工の軌跡を求めている。
５４を加工する場合に、ＸＹＺ機構ユニット５７および
回転機構ユニット５８をコントローラ５９の制御によっ
て動かし、ティーチング法および補間法によって被加工
物５４に対する加工の軌跡を求めている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、被加工物５
４がガラス基板上の透明導電性膜である場合には、２次
元的に多少の湾曲がある。したがって、レーザ光を被加
工物５４に対して垂直方向から照射させるには、回転機
構ユニット５８による照射角の調整が必要になってい
る。しかし、従来の照射角の制御法では、被加工物５４
の面に対するレーザ光の照射角の確認が目視で行われて
いるので、その照射角が正確に被加工物５４の面に対し
て垂直になっているとは限らなかった。一方、そのよう
な状態で被加工物５４に対する加工処理を行った場合に
は、加工幅にむらができるとともに微小な範囲を正確に
指定することが困難であった。
４がガラス基板上の透明導電性膜である場合には、２次
元的に多少の湾曲がある。したがって、レーザ光を被加
工物５４に対して垂直方向から照射させるには、回転機
構ユニット５８による照射角の調整が必要になってい
る。しかし、従来の照射角の制御法では、被加工物５４
の面に対するレーザ光の照射角の確認が目視で行われて
いるので、その照射角が正確に被加工物５４の面に対し
て垂直になっているとは限らなかった。一方、そのよう
な状態で被加工物５４に対する加工処理を行った場合に
は、加工幅にむらができるとともに微小な範囲を正確に
指定することが困難であった。
【０００６】本発明は、湾曲した被加工物に対して自動
的かつ正確にレーザ光を垂直に当てることができるレー
ザ加工装置を提供することを目的とする。
的かつ正確にレーザ光を垂直に当てることができるレー
ザ加工装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、被加工物の加
工処理に供する第一のレーザ光を生成する第一のレーザ
光源と、前記第一のレーザ光源から出射された第一のレ
ーザ光を集光して前記被加工物に照射する加工光学系
と、前記被加工物を移動させ、前記被加工物に対する前
記第一のレーザ光の照射位置を調整する照射位置制御手
段と、前記加工光学系を回転させ、前記被加工物に対す
る前記第一のレーザ光の照射角を調整する照射角制御手
段とを備えたレーザ加工装置において、前記第一のレー
ザ光とは異なる波長の第二のレーザ光を生成する第二の
レーザ光源と、前記第二のレーザ光を前記第一のレーザ
光に合波し、前記被加工物に同一光路で照射する合波手
段と、前記被加工物を透過した前記第二のレーザ光の透
過位置を検出し、その透過位置から前記被加工物の傾斜
角を割り出して前記第二のレーザ光の前記被加工物に対
する入射角を垂直に調整する制御量を前記照射角制御手
段に与える位置検出手段とを備えたことを特徴とする。
工処理に供する第一のレーザ光を生成する第一のレーザ
光源と、前記第一のレーザ光源から出射された第一のレ
ーザ光を集光して前記被加工物に照射する加工光学系
と、前記被加工物を移動させ、前記被加工物に対する前
記第一のレーザ光の照射位置を調整する照射位置制御手
段と、前記加工光学系を回転させ、前記被加工物に対す
る前記第一のレーザ光の照射角を調整する照射角制御手
段とを備えたレーザ加工装置において、前記第一のレー
ザ光とは異なる波長の第二のレーザ光を生成する第二の
レーザ光源と、前記第二のレーザ光を前記第一のレーザ
光に合波し、前記被加工物に同一光路で照射する合波手
段と、前記被加工物を透過した前記第二のレーザ光の透
過位置を検出し、その透過位置から前記被加工物の傾斜
角を割り出して前記第二のレーザ光の前記被加工物に対
する入射角を垂直に調整する制御量を前記照射角制御手
段に与える位置検出手段とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】レーザ光が傾斜したガラス基板に入射するとレ
ーザ光の入射角が垂直とならないために、ガラス基板を
透過した後のレーザ光の出射位置が入射した位置（傾斜
０のときの出射位置）に対して、ガラス基板の傾斜角，
厚さ，屈折率に応じてシフトする。
ーザ光の入射角が垂直とならないために、ガラス基板を
透過した後のレーザ光の出射位置が入射した位置（傾斜
０のときの出射位置）に対して、ガラス基板の傾斜角，
厚さ，屈折率に応じてシフトする。
【０００９】本発明は、加工処理に用いる第一のレーザ
光と波長の異なる第二のレーザ光を同一光路で被加工物
に照射し、その透過光の入射位置に対する出射位置のシ
フト量（ずれ）を位置検出手段で読み取ることにより、
被加工物の傾斜角を割り出すことができる。このように
して得られた傾斜角情報を第一のレーザ光および第二の
レーザ光の照射角を調整する照射角制御手段に与えるこ
とにより、被加工物に対するレーザ光の入射角が垂直に
なるように制御することができる。
光と波長の異なる第二のレーザ光を同一光路で被加工物
に照射し、その透過光の入射位置に対する出射位置のシ
フト量（ずれ）を位置検出手段で読み取ることにより、
被加工物の傾斜角を割り出すことができる。このように
して得られた傾斜角情報を第一のレーザ光および第二の
レーザ光の照射角を調整する照射角制御手段に与えるこ
とにより、被加工物に対するレーザ光の入射角が垂直に
なるように制御することができる。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の一実施例構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【００１１】図において、レーザ発振器５１，光ファイ
バ５２，加工光学系５３，被加工物５４，載荷台５５，
真空ポンプ５６，ＸＹＺ機構ユニット５７，回転機構ユ
ニット５８，コントローラ５９および電源・冷却ユニッ
ト６０の構成は、従来のレーザ加工装置と同様である。
バ５２，加工光学系５３，被加工物５４，載荷台５５，
真空ポンプ５６，ＸＹＺ機構ユニット５７，回転機構ユ
ニット５８，コントローラ５９および電源・冷却ユニッ
ト６０の構成は、従来のレーザ加工装置と同様である。
【００１２】本発明の特徴とするところは、本実施例で
は、さらにレーザダイオードユニット（ＬＤ）１１，点
灯回路１２および位置検出ユニット１３を備えた構成に
ある。
は、さらにレーザダイオードユニット（ＬＤ）１１，点
灯回路１２および位置検出ユニット１３を備えた構成に
ある。
【００１３】レーザダイオードユニット１１は、レーザ
発振器５１から光ファイバ５２を介して加工光学系５３
に導かれ、レーザ加工に供されるレーザ光の波長と異な
る波長のレーザ光（以下、区別のためにレーザダイオー
ド光という。）を発生し、加工光学系５３に入射させ
る。なお、本実施例ではレーザ光の波長を1.06μｍと
し、レーザダイオード光の波長を0.78μｍとする。点灯
回路１２はレーザダイオードユニット１１の点灯制御を
行う。また、加工光学系５３には、レーザ光とレーザダ
イオード光とを同一光路に合波する機構が付加される。
発振器５１から光ファイバ５２を介して加工光学系５３
に導かれ、レーザ加工に供されるレーザ光の波長と異な
る波長のレーザ光（以下、区別のためにレーザダイオー
ド光という。）を発生し、加工光学系５３に入射させ
る。なお、本実施例ではレーザ光の波長を1.06μｍと
し、レーザダイオード光の波長を0.78μｍとする。点灯
回路１２はレーザダイオードユニット１１の点灯制御を
行う。また、加工光学系５３には、レーザ光とレーザダ
イオード光とを同一光路に合波する機構が付加される。
【００１４】位置検出ユニット１３は、被加工物５４の
下部に置かれ、被加工物５４を透過したレーザダイオー
ド光の透過位置を検出し、被加工物５４の傾斜角を割り
出してコントローラ５９に与える。コントローラ５９
は、被加工物５４の傾斜角情報に基づいて回転機構ユニ
ット５８を制御し、レーザ光およびレーザダイオード光
の被加工物５４に対する入射角が垂直になるように調整
する。
下部に置かれ、被加工物５４を透過したレーザダイオー
ド光の透過位置を検出し、被加工物５４の傾斜角を割り
出してコントローラ５９に与える。コントローラ５９
は、被加工物５４の傾斜角情報に基づいて回転機構ユニ
ット５８を制御し、レーザ光およびレーザダイオード光
の被加工物５４に対する入射角が垂直になるように調整
する。
【００１５】図２は、位置検出ユニット１３の実施例構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【００１６】図において、位置検出ユニット１３は、1.
06μｍ可視光カットフィルタ２１，集光レンズ２２，減
衰フィルタ２３，半導体位置検出器２４および信号処理
回路２５から構成される。
06μｍ可視光カットフィルタ２１，集光レンズ２２，減
衰フィルタ２３，半導体位置検出器２４および信号処理
回路２５から構成される。
【００１７】ガラス基板２６上に透明導電性膜２７を蒸
着した被加工物５４に集光されたレーザ光およびレーザ
ダイオード光の一部は、被加工物５４を透過して位置検
出ユニット１３の1.06μｍ可視光カットフィルタ２１に
入射される。1.06μｍ可視光カットフィルタ２１では、
波長1.06μｍのレーザ光がカットされ、波長0.78μｍの
レーザダイオード光のみが透過して集光レンズ２２に入
射する。集光レンズ２２で集光されたレーザダイオード
光は減衰フィルタ２３を介して減衰され、半導体位置検
出器２４上に結像する。半導体位置検出器２４は、レー
ザダイオード光の結像位置に応じた電気信号を信号処理
回路２５に出力する。信号処理回路２５は、入力信号か
らレーザダイオード光の透過位置を検出し、被加工物５
４の傾斜角度を割り出してコントローラ５９に与える。
着した被加工物５４に集光されたレーザ光およびレーザ
ダイオード光の一部は、被加工物５４を透過して位置検
出ユニット１３の1.06μｍ可視光カットフィルタ２１に
入射される。1.06μｍ可視光カットフィルタ２１では、
波長1.06μｍのレーザ光がカットされ、波長0.78μｍの
レーザダイオード光のみが透過して集光レンズ２２に入
射する。集光レンズ２２で集光されたレーザダイオード
光は減衰フィルタ２３を介して減衰され、半導体位置検
出器２４上に結像する。半導体位置検出器２４は、レー
ザダイオード光の結像位置に応じた電気信号を信号処理
回路２５に出力する。信号処理回路２５は、入力信号か
らレーザダイオード光の透過位置を検出し、被加工物５
４の傾斜角度を割り出してコントローラ５９に与える。
【００１８】ここで、傾斜したガラス基板２６に入射し
たレーザ光の光路について、図３を参照して説明する。
たレーザ光の光路について、図３を参照して説明する。
【００１９】ガラス基板２６の厚さをｄ、屈折率をｎと
すると、空気中に傾斜角θで傾斜して置かれたガラス基
板２６に入射したレーザダイオード光は、ガラス基板２
６が傾斜していないとき（θ＝０）の透過位置に対し
て、ｘだけ平行にシフトした位置から出射され、位置検
出ユニット１３に入射される。シフト量ｘは、屈折の法
則により、 ｘ＝ｄsinθ｛（ｎ2−sin2θ)1/2−cosθ｝／（ｎ2−sin2θ)1/2 …(1) となる。
すると、空気中に傾斜角θで傾斜して置かれたガラス基
板２６に入射したレーザダイオード光は、ガラス基板２
６が傾斜していないとき（θ＝０）の透過位置に対し
て、ｘだけ平行にシフトした位置から出射され、位置検
出ユニット１３に入射される。シフト量ｘは、屈折の法
則により、 ｘ＝ｄsinθ｛（ｎ2−sin2θ)1/2−cosθ｝／（ｎ2−sin2θ)1/2 …(1) となる。
【００２０】一方、位置検出ユニット１３の半導体位置
検出器２４では、レーザダイオード光の入射位置に応じ
たレベルの信号が出力される。ここで、図４に示すよう
に、ガラス基板２６が傾斜していないとき（θ＝０）の
レーザダイオード光の入射位置を、半導体位置検出器２
４の電気的中心にくるように共通電極Ｅ0 の位置に一致
させると、共通電極Ｅ0 に対して等距離にある電極
Ｅ1 ，Ｅ2 から出力される各信号Ｉ1 ，Ｉ2 は、電極Ｅ
1 ，Ｅ2 間の距離をＤとすると、 Ｉ2 ／Ｉ1 ＝（Ｄ／２＋ｘ）／（Ｄ／２−ｘ） …(2) の関係になる。したがって、信号処理回路２５では、ま
ず測定された信号Ｉ1 ，Ｉ2 を (2)式に代入してシフト
量ｘを求める。続いて、得られたシフト量ｘを (1)式に
代入することにより、厚さｄ，屈折率ｎのガラス基板２
６の傾斜角θを求めることができる。
検出器２４では、レーザダイオード光の入射位置に応じ
たレベルの信号が出力される。ここで、図４に示すよう
に、ガラス基板２６が傾斜していないとき（θ＝０）の
レーザダイオード光の入射位置を、半導体位置検出器２
４の電気的中心にくるように共通電極Ｅ0 の位置に一致
させると、共通電極Ｅ0 に対して等距離にある電極
Ｅ1 ，Ｅ2 から出力される各信号Ｉ1 ，Ｉ2 は、電極Ｅ
1 ，Ｅ2 間の距離をＤとすると、 Ｉ2 ／Ｉ1 ＝（Ｄ／２＋ｘ）／（Ｄ／２−ｘ） …(2) の関係になる。したがって、信号処理回路２５では、ま
ず測定された信号Ｉ1 ，Ｉ2 を (2)式に代入してシフト
量ｘを求める。続いて、得られたシフト量ｘを (1)式に
代入することにより、厚さｄ，屈折率ｎのガラス基板２
６の傾斜角θを求めることができる。
【００２１】コントローラ５９では、位置検出ユニット
１３の信号処理回路２５から被加工物５４の傾斜角θを
入力し、制御パラメータの１つに加えて回転機構ユニッ
ト５８を制御することにより、被加工物５４に対するレ
ーザ光およびレーザダイオード光の入射角が垂直になる
ようにフィードバック制御することができる。なお、レ
ーザ光およびレーザダイオード光がθだけ回転すること
により被加工物５４上の照射位置もずれるが、それは回
転角θに対応しているので同時にＸＹＺ機構ユニット５
７を制御することにより容易に補正することができる。
１３の信号処理回路２５から被加工物５４の傾斜角θを
入力し、制御パラメータの１つに加えて回転機構ユニッ
ト５８を制御することにより、被加工物５４に対するレ
ーザ光およびレーザダイオード光の入射角が垂直になる
ようにフィードバック制御することができる。なお、レ
ーザ光およびレーザダイオード光がθだけ回転すること
により被加工物５４上の照射位置もずれるが、それは回
転角θに対応しているので同時にＸＹＺ機構ユニット５
７を制御することにより容易に補正することができる。
【００２２】ところで、以上説明した実施例では、第二
のレーザ光として波長0.78μｍのレーザダイオード光を
用いているが、例えば波長0.64μｍのHe−Neレーザ発振
器から出射されるレーザ光を用いても同様に本発明を実
施することができる。また、本実施例では、被加工物を
透過したレーザダイオード光の透過位置を検出する素子
として半導体位置検出器２４を用いているが、例えばＣ
ＣＤラインセンサその他を用いることも可能である。
のレーザ光として波長0.78μｍのレーザダイオード光を
用いているが、例えば波長0.64μｍのHe−Neレーザ発振
器から出射されるレーザ光を用いても同様に本発明を実
施することができる。また、本実施例では、被加工物を
透過したレーザダイオード光の透過位置を検出する素子
として半導体位置検出器２４を用いているが、例えばＣ
ＣＤラインセンサその他を用いることも可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、被加工物
を透過したレーザ光の透過位置を検出して被加工物が傾
斜していない場合に対するシフト量を求め、さらに被加
工物の厚さおよび屈折率を用いて屈折の法則式に当ては
めることにより、被加工物の傾斜角を求めることができ
る。さらに、求められた傾斜角をレーザ光の照射角を調
整する照射角制御手段にフィードバックすることによ
り、被加工物に対するレーザ光の入射角が垂直になるよ
うに制御することができる。
を透過したレーザ光の透過位置を検出して被加工物が傾
斜していない場合に対するシフト量を求め、さらに被加
工物の厚さおよび屈折率を用いて屈折の法則式に当ては
めることにより、被加工物の傾斜角を求めることができ
る。さらに、求められた傾斜角をレーザ光の照射角を調
整する照射角制御手段にフィードバックすることによ
り、被加工物に対するレーザ光の入射角が垂直になるよ
うに制御することができる。
【００２４】さらに、２次元的に湾曲した被加工物に対
して傾斜角の測定箇所を多くとることにより、被加工物
面に対してレーザ光を垂直に当てる制御を自動的に行う
ことができ、加工幅を常に一定に保つことが可能にな
り、また微小な範囲を正確に指定することも容易にな
る。したがって、従来装置に比べて加工性能を大幅に向
上させることができる。
して傾斜角の測定箇所を多くとることにより、被加工物
面に対してレーザ光を垂直に当てる制御を自動的に行う
ことができ、加工幅を常に一定に保つことが可能にな
り、また微小な範囲を正確に指定することも容易にな
る。したがって、従来装置に比べて加工性能を大幅に向
上させることができる。
【図１】本発明の一実施例構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】位置検出ユニット１３の実施例構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図３】傾斜したガラス基板２６に入射したレーザ光の
光路を説明する図である。
光路を説明する図である。
【図４】半導体位置検出器２４におけるシフト量ｘの検
出原理を説明する図である。
出原理を説明する図である。
【図５】従来のレーザ加工装置の構成例を示す図であ
る。
る。
１１ レーザダイオードユニット（ＬＤ） １２ 点灯回路 １３ 位置検出ユニット ２１ 1.06μｍ可視光カットフィルタ ２２ 集光レンズ ２３ 減衰フィルタ ２４ 半導体位置検出器 ２５ 信号処理回路 ５１ レーザ発振器 ５２ 光ファイバ ５３ 加工光学系 ５４ 被加工物 ５５ 載荷台 ５６ 真空ポンプ ５７ ＸＹＺ機構ユニット ５８ 回転機構ユニット ５９ コントローラ ６０ 電源・冷却ユニット
Claims (1)
- 【請求項１】 被加工物の加工処理に供する第一のレー
ザ光を生成する第一のレーザ光源と、 前記第一のレーザ光源から出射された第一のレーザ光を
集光して前記被加工物に照射する加工光学系と、 前記被加工物を移動させ、前記被加工物に対する前記第
一のレーザ光の照射位置を調整する照射位置制御手段
と、 前記加工光学系を回転させ、前記被加工物に対する前記
第一のレーザ光の照射角を調整する照射角制御手段とを
備えたレーザ加工装置において、 前記第一のレーザ光とは異なる波長の第二のレーザ光を
生成する第二のレーザ光源と、 前記第二のレーザ光を前記第一のレーザ光に合波し、前
記被加工物に同一光路で照射する合波手段と、 前記被加工物を透過した前記第二のレーザ光の透過位置
を検出し、その透過位置から前記被加工物の傾斜角を割
り出して前記第二のレーザ光の前記被加工物に対する入
射角を垂直に調整する制御量を前記照射角制御手段に与
える位置検出手段とを備えたことを特徴とするレーザ加
工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3224322A JPH0557471A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3224322A JPH0557471A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0557471A true JPH0557471A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16811939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3224322A Withdrawn JPH0557471A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0557471A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1529592A1 (de) * | 2003-11-08 | 2005-05-11 | TRUMPF Laser GmbH + Co. KG | Ausrichtvorrichtung und -anordnung für einen Laserstrahl sowie zugehöriges Teach-Verfahren |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP3224322A patent/JPH0557471A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1529592A1 (de) * | 2003-11-08 | 2005-05-11 | TRUMPF Laser GmbH + Co. KG | Ausrichtvorrichtung und -anordnung für einen Laserstrahl sowie zugehöriges Teach-Verfahren |
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