JPH0554326A - Pattern forming method and production of plane thin-film magnetic head using the same - Google Patents
Pattern forming method and production of plane thin-film magnetic head using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は各種薄膜素子の製造に用
いることができるパターン形成法、および前記形成法を
使用した固定磁気ディスク装置などに使用される平面型
薄膜磁気ヘッドの製法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern forming method which can be used for manufacturing various thin film elements, and a method for manufacturing a flat type thin film magnetic head used for a fixed magnetic disk device or the like using the above forming method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から様々な分野で使用されている薄
膜素子の例として、たとえば薄膜磁気ヘッドがある。前
記薄膜磁気ヘッドは、半導体集積回路と同様に、めっ
き、蒸着、スパッタなどの成膜技術、写真製版技術、エ
ッチング技術などを用いて製造され、高精度なヘッドが
基板上に一括して多数形成できる点に特徴がある。2. Description of the Related Art As an example of a thin film element conventionally used in various fields, there is a thin film magnetic head, for example. Similar to the semiconductor integrated circuit, the thin film magnetic head is manufactured by using film forming technology such as plating, vapor deposition and sputtering, photoengraving technology, etching technology, etc., and a large number of high-precision heads are collectively formed on the substrate. The feature is that it can be done.
【０００３】薄膜磁気ヘッドとしては、従来から磁気ギ
ャップが基板面に平行に形成され、媒体対向面が基板面
に垂直に構成された垂直型と、磁気ギャップが基板面に
垂直に形成され、媒体対向面が基板面に平行に構成され
た平面型とが知られている。Conventional thin film magnetic heads have a magnetic gap formed in parallel with the substrate surface and a medium facing surface perpendicular to the substrate surface, and a vertical type in which the magnetic gap is formed perpendicular to the substrate surface. A flat type is known in which the facing surface is configured to be parallel to the substrate surface.
【０００４】現在は、磁気ギャップ形成の容易さから垂
直型が実用化されている。一方、平面型は、ヘッドの媒
体対向面が基板面に平行にあるため、スライダの浮動面
加工などやヘッドの性能を左右する磁気ギャップ深さ研
磨が基板上で一括して行なえる点に特徴がある。At present, the vertical type is put into practical use because of the ease of forming the magnetic gap. On the other hand, the flat type is characterized in that since the medium facing surface of the head is parallel to the substrate surface, the magnetic gap depth polishing that affects slider floating surface processing and head performance can be performed collectively on the substrate. There is.
【０００５】前記平面型薄膜磁気ヘッドの製法が、たと
えば「ア ニュー アプローチ ツウ メイキング シ
ン フィルム ヘッド スライダー ディバイシズ(A N
EW APPROACH TO MAKING THIN FILM HEAD SLIDER DEVICE
S)」（アイ イー イー イー トランザクションズ
オン マグネティックス(IEEE TRANSACTIONS ON MAGNET
ICS)第25巻、第５号、1989年９月、第3686〜3688頁）に
記載されている。A method of manufacturing the above-mentioned flat type thin film magnetic head is described, for example, in "Annu Approach Approach Two Making Thin Film Head Slider Devices (AN
EW APPROACH TO MAKING THIN FILM HEAD SLIDER DEVICE
S) ”(IEE Transactions
On Magnetics (IEEE TRANSACTIONS ON MAGNET
ICS) Vol. 25, No. 5, September 1989, pp. 3686-3688).
【０００６】前記製法の概略を図５を用いて説明する。
図５は断面図であり、図中、１は基板、６は摺動保護
膜、７は磁気ギャップ、８は下部磁気コア、９は絶縁
層、10はコイル、11は上部磁気コア、12はコイル引き出
し導体、13は絶縁保護膜、14は接着層、15は支持基板、
16は支持基板15に設けられた接続導体である。The outline of the manufacturing method will be described with reference to FIG.
FIG. 5 is a sectional view, in which 1 is a substrate, 6 is a slide protection film, 7 is a magnetic gap, 8 is a lower magnetic core, 9 is an insulating layer, 10 is a coil, 11 is an upper magnetic core, and 12 is a magnetic layer. Coil lead conductor, 13 insulating protection film, 14 adhesive layer, 15 support substrate,
Reference numeral 16 is a connection conductor provided on the support substrate 15.
【０００７】まず、基板１に、無機絶縁膜などからな
る、媒体に対する摺動保護膜６を形成する。つぎに、摺
動保護膜６の一部をテーパーエッチングして窓を開け
る。つぎに、この窓部に磁気ギャップ７を形成する。磁
気ギャップ７は基板１に対してほぼ垂直に形成される。
磁気ギャップ７は、電子ビーム露光などによって形成さ
れるサブミクロン幅のレジストパターンを用いて形成さ
れる。レジスト自体を磁気ギャップ７として用いてもよ
いが、耐摩耗性がおとる。したがって、通常は摺動保護
膜６と同じ無機絶縁膜などがギャップ材として用いられ
る。このばあい、ギャップ材上についでギャップ材より
もエッチング速度の小さいマスク材をあらかじめ積層し
て成膜しておき、上記レジストパターンを用いてマスク
材をエッチングしてマスクを形成し、ついでギャップ材
を垂直エッチングして磁気ギャップ７を形成する。この
磁気ギャップ７の幅を小さくすることは、磁気記録密度
を高くするために重要であり、サブミクロンのパターン
幅が要求される。First, a slide protection film 6 made of an inorganic insulating film or the like for the medium is formed on the substrate 1. Next, a part of the slide protection film 6 is taper-etched to open a window. Next, the magnetic gap 7 is formed in this window. The magnetic gap 7 is formed substantially perpendicular to the substrate 1.
The magnetic gap 7 is formed using a resist pattern having a submicron width formed by electron beam exposure or the like. The resist itself may be used as the magnetic gap 7, but wear resistance is low. Therefore, the same inorganic insulating film as the sliding protection film 6 is usually used as the gap material. In this case, a mask material having an etching rate lower than that of the gap material is laminated on the gap material in advance to form a film, the mask material is etched using the resist pattern to form a mask, and then the gap material is formed. Is vertically etched to form a magnetic gap 7. Reducing the width of the magnetic gap 7 is important for increasing the magnetic recording density, and a submicron pattern width is required.
【０００８】つぎに、下部磁気コア８がめっきなどによ
って形成される。このとき、レジストまたは絶縁膜など
からなる磁気ギャップ７部分には磁性膜は形成されな
い。前記磁気コア８上に順次、絶縁層９、コイル10、上
部磁気コア11、コイル引き出し導体12が同様に形成され
る。つぎに、絶縁保護層13が積層され、コイル引き出し
導体12が露出するまで研摩され、スライダとヘッド素子
の支持をかねた支持基板15が、接着層14を介して陽極接
合などの手法により接合される。つぎに、支持基板15に
設けられたスルーホールに接続導体16を形成する。つぎ
に、基板１をエッチング除去して摺動保護膜６、磁気ギ
ャップ７の面を露出させ、この面にスライダの浮動面加
工をエッチングにより施す。最後に支持基板15を切断し
て、多数のヘッドが完成する。Next, the lower magnetic core 8 is formed by plating or the like. At this time, no magnetic film is formed in the magnetic gap 7 made of resist or insulating film. An insulating layer 9, a coil 10, an upper magnetic core 11, and a coil lead conductor 12 are sequentially formed on the magnetic core 8 in the same manner. Next, the insulating protection layer 13 is laminated and polished until the coil lead conductor 12 is exposed, and the support substrate 15 which also serves as a support for the slider and the head element is joined by a method such as anodic bonding via the adhesive layer 14. It Next, the connection conductor 16 is formed in the through hole provided in the support substrate 15. Next, the substrate 1 is removed by etching to expose the surfaces of the sliding protection film 6 and the magnetic gap 7, and the slider floating surface processing is performed on this surface by etching. Finally, the support substrate 15 is cut to complete a large number of heads.
【０００９】この製法によれば、スライダの浮動面加工
が、基板面上で一括して行なえるだけでなく、ヘッドの
性能を左右する磁気ギャップ深さ研磨を必要としない。
したがって、低コスト化が可能である。According to this manufacturing method, the floating surface of the slider can be collectively processed on the substrate surface, and the magnetic gap depth polishing that affects the performance of the head is not required.
Therefore, the cost can be reduced.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】前記の平面型薄膜磁気
ヘッドの製法では、テーパーエッチングによる摺動保護
膜の窓開けと垂直エッチングによる磁気ギャップの形成
とが別個に行なわれているため、工程数が多くなるとい
う問題点がある。In the above-described method of manufacturing a flat-type thin film magnetic head, the opening of the sliding protection film by taper etching and the formation of the magnetic gap by vertical etching are performed separately, so the number of steps is reduced. There is a problem in that
【００１１】また、前記製法では、サブミクロンのパタ
ーン幅を有する磁気ギャップ７を摺動保護膜６の窓部に
形成するため、基板となる窓部の凹凸によりレジストの
膜厚むらや、露光時のフォーカスのずれがあり、高度な
寸法精度をうることが困難である。Further, in the above-mentioned manufacturing method, since the magnetic gap 7 having a submicron pattern width is formed in the window portion of the slide protection film 6, the unevenness of the resist film due to the unevenness of the window portion which becomes the substrate and the time of exposure. It is difficult to obtain a high degree of dimensional accuracy because there is a shift in focus.
【００１２】一方、前記平面型薄膜磁気ヘッド以外の薄
膜素子の製造においても、テーパーエッチングと垂直エ
ッチングを行なうばあい、それらは別個に行なわれてお
り、同様の問題点がある。On the other hand, also in the manufacture of thin film elements other than the above-mentioned flat type thin film magnetic head, when taper etching and vertical etching are performed, they are performed separately, and there is a similar problem.
【００１３】本発明は前記問題点を解決するためになさ
れたもので、テーパーエッチングと垂直エッチングとを
同時に行なって工程数を短縮し、かつ高精度なサブミク
ロン幅のパターンをうることができるパターン形成法お
よび前記方法を応用した薄膜磁気ヘッドの製法をうるこ
とを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to reduce the number of steps by performing taper etching and vertical etching at the same time, and to obtain a highly accurate submicron width pattern. An object of the present invention is to obtain a forming method and a method of manufacturing a thin film magnetic head applying the above method.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、基板
上に第１の物質層を形成する工程と、第１の物質層より
もエッチング速度が小さく、膜厚の薄い第２の物質層を
形成したのち、第１のレジストパターンを形成し、この
パターンをマスクとして、第２の物質層をエッチングし
て第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクの存在
しない場所に、第２のレジストパターンからなる第２の
マスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の
物質を垂直エッチングする工程と第２のマスクを用いて
第１の物質をテーパーエッチングする工程とを同時に行
なう工程を含むことを特徴とするパターン形成法および
基板上に摺動保護膜を形成し、前記摺動保護膜上に形成
されたマスクを用いて前記摺動保護膜の一部をテーパー
エッチングする工程と、前記テーパーエッチングで除去
される範囲の一部にもマスクを形成し、前記摺動保護膜
を垂直エッチングすることにより磁気ギャップを形成す
る工程とを同時に行なうことを特徴とする平面型薄膜磁
気ヘッドの製法に関する。That is, according to the present invention, a step of forming a first material layer on a substrate and a second material layer having a smaller etching rate than the first material layer and a thin film thickness are formed. After the formation, a step of forming a first resist pattern, using the pattern as a mask to etch the second material layer to form the first mask, and a step of forming a second mask in a place where the first mask does not exist. Forming a second mask composed of the resist pattern, a step of vertically etching the first substance using the first mask, and a step of taper etching the first substance using the second mask. A pattern forming method characterized by including simultaneous steps and forming a sliding protection film on a substrate, and using a mask formed on the sliding protection film, a part of the sliding protection film is taper-etched. Work And a step of forming a mask in a part of the range removed by the taper etching and forming a magnetic gap by vertically etching the sliding protection film at the same time. Regarding the manufacturing method of the head.
【００１５】[0015]
【作用】本発明のパターン形成法では、第１の物質層よ
りエッチング速度が小さく、膜厚の薄い第２の物質層か
らなる第１のマスクは、第１の物質層の垂直エッチング
用のマスクとして作用し、レジストパターンからなる第
２のマスクは第１の物質層のテーパーエッチング用のマ
スクとして作用し、一工程で垂直エッチングとテーパー
エッチングが同時に行われる。In the pattern forming method of the present invention, the first mask made of the second material layer having a smaller etching rate than the first material layer and having a smaller film thickness is used as a mask for vertical etching of the first material layer. The second mask formed of the resist pattern acts as a mask for taper etching of the first material layer, and vertical etching and taper etching are simultaneously performed in one step.
【００１６】また、前記方法を応用した平面型薄膜磁気
ヘッドの製法では、工程が短縮され、かつ摺動保護膜と
磁気ギャップは同一の物質層で構成されているので、平
坦な基板上に摺動保護膜と磁気ギャップのパターンを形
成することが可能であり、高度な寸法精度をうることが
可能となる。Further, in the method of manufacturing the flat-type thin film magnetic head to which the above method is applied, the steps are shortened, and the slide protection film and the magnetic gap are made of the same material layer, so that they are slid on a flat substrate. It is possible to form a pattern of the dynamic protection film and the magnetic gap, and it is possible to obtain a high degree of dimensional accuracy.
【００１７】[0017]
【実施例】本発明のパターン形成法および平面型薄膜磁
気ヘッドの製法の一実施例を図面に基づいて説明する
が、本発明はかかる実施例に限定されるものではない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the pattern forming method and the flat thin film magnetic head manufacturing method of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to such embodiments.
【００１８】図１および図２はそれぞれ本発明に係るパ
ターン形成法の２つの例を示したものである。図中、１
は基板、２は第１の物質層、３は第２の物質層（第１の
マスク）、４は第１のレジストパターン、５は第２のレ
ジストパターン（第２のマスク）を示す。1 and 2 respectively show two examples of the pattern forming method according to the present invention. 1 in the figure
Is a substrate, 2 is a first material layer, 3 is a second material layer (first mask), 4 is a first resist pattern, and 5 is a second resist pattern (second mask).
【００１９】第１のパターン形成法では、まず、図１ａ
に示すように、たとえばＳｉなどからなる基板１上に、
たとえばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＤＬＣ（ダイ
ヤモンドライクカーボン）などからなる厚さ0.5〜２μ
ｍの第１の物質層２を形成し、そのうえに第１の物質層
よりもエッチング速度が１/10以下と小さく、膜厚が0.0
5〜0.2μｍと薄い、たとえばＭｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、
Ａｌなどの金属膜や、ＳｉＯ2などからなる厚さ0.05〜
0.2μｍの第２の物質層３を形成する。前記第１の物質
層２と第２の物質層３を形成する方法はどのような方法
でもよいが、たとえばスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法な
どを用いて形成する。In the first pattern formation method, first, as shown in FIG.
As shown in, on the substrate 1 made of, for example, Si,
For example, a thickness of 0.5 to 2 μm made of Al 2 O 3 , SiO 2 , Si 3 N 4 , DLC (diamond-like carbon), etc.
m first material layer 2 is formed, and the etching rate is smaller than that of the first material layer by 1/10 or less and the film thickness is 0.0
As thin as 5 to 0.2 μm, such as Mo, Ti, Cr, Cu,
A metal film such as Al, or a thickness of SiO 2 of 0.05 to
A second material layer 3 having a thickness of 0.2 μm is formed. The first material layer 2 and the second material layer 3 may be formed by any method, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method or the like.
【００２０】さらに、第２の物質層３のうえに、たとえ
ばＣＭＳ（クロロメチル化ポリスチレン）、ＰＭＭＡな
どからなる厚さが0.5〜１μｍの第１のレジストパター
ン４を形成する。第１のレジストパターン４は、垂直性
のよい形状に形成され、高解像度なレジストが使用され
る。Further, a first resist pattern 4 made of, for example, CMS (chloromethylated polystyrene), PMMA or the like and having a thickness of 0.5 to 1 μm is formed on the second material layer 3. The first resist pattern 4 is formed in a shape with good verticality, and a high resolution resist is used.
【００２１】第１のレジストパターン４の形成法につい
ても、とくに限定されないが、たとえば電子ビーム露
光、Ｘ線露光などを用いれば0.5μｍ以下のパターンも
高精度に形成できる。The method of forming the first resist pattern 4 is not particularly limited either, but a pattern of 0.5 μm or less can be formed with high accuracy by using, for example, electron beam exposure or X-ray exposure.
【００２２】つぎに図１ｂに示すように、第１のレジス
トパターン４をマスクとしてエッチングを行なったのち
第１のレジストパターン４を除去し、第２の物質層３か
らなる第１のマスクを形成する。このときのエッチング
方法は、たとえばＣＦ4、Ｏ2、ＳＦ6などのガスによる
ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）法をとること
ができ、その条件としては寸法変化のないことが好まし
い。Next, as shown in FIG. 1b, etching is performed using the first resist pattern 4 as a mask, and then the first resist pattern 4 is removed to form a first mask made of the second material layer 3. To do. As an etching method at this time, for example, a RIE (reactive ion etching) method using a gas such as CF 4 , O 2 , SF 6 or the like can be adopted, and it is preferable that the condition is that there is no dimensional change.
【００２３】つぎに図１ｃに示すように、第１のマスク
（第２の物質層３）の存在しない場所であり、ノボラッ
ク樹脂などからなる厚さ２〜５μｍのテーパー角を有す
る第２レジストパターン５を形成する。第２のレジスト
パターン５はテーパー角を有することが必要である。Next, as shown in FIG. 1c, a second resist pattern having a taper angle of 2 to 5 μm, which is a place where the first mask (second material layer 3) does not exist and which is made of novolac resin or the like. 5 is formed. The second resist pattern 5 needs to have a taper angle.
【００２４】前記第２のレジストパターン５の形成法は
通常の光学露光などを用いる。形成された第２のレジス
トパターン５に130〜250℃程度の熱処理を行なうとレジ
ストは流動し、必要とするテーパー角を有する形状をう
ることができる。えられた第２のレジストパターン５は
テーパーエッチング用の第２マスクとなる。As the method of forming the second resist pattern 5, ordinary optical exposure or the like is used. When the formed second resist pattern 5 is heat-treated at about 130 to 250 ° C., the resist flows so that a shape having a required taper angle can be obtained. The obtained second resist pattern 5 becomes a second mask for taper etching.
【００２５】つぎに、図１ｄに示すように、第１のマス
ク（第２の物質層３）を用いて第１の物質層２を垂直エ
ッチングする工程と、第２のマスク（第２のレジストパ
ターン５）を用いて同じ第１の物質層２をテーパーエッ
チングする工程とを同時に行なう。前記したように第２
のレジストパターン５はテーパ角を有するためエッチン
グの際、それが転写され、テーパーエッチングされる。Next, as shown in FIG. 1d, a step of vertically etching the first material layer 2 using the first mask (second material layer 3) and a second mask (second resist). The step of taper etching the same first material layer 2 using the pattern 5) is performed at the same time. Second as mentioned above
Since the resist pattern 5 has a taper angle, it is transferred and taper-etched during etching.
【００２６】前記エッチング方法の例としては、たとえ
ば垂直エッチングが可能なＩＢＥ、ＲＩＥ、ＥＣＲなど
のドライエッチングの方法をとることができ、その条件
は第１のマスクでサイドエッチングがなく、垂直異方性
エッチングのできるガス圧パワーを選択することが必要
である。As an example of the etching method, a dry etching method such as IBE, RIE, or ECR capable of vertical etching can be adopted, and the conditions are that the first mask does not have side etching and vertical anisotropic method is used. It is necessary to select the gas pressure power that can perform the property etching.
【００２７】この方法により、図１ｅに示すように、垂
直エッチングされた第１の物質層とテーパーエッチング
された第１の物質層を有する目的のパターンが形成され
る。By this method, as shown in FIG. 1e, a target pattern having a vertically etched first material layer and a taper-etched first material layer is formed.
【００２８】第２のパターン形成法は、図２ａに示すよ
うに基板１上に第１の物質層２を形成するまでは第１の
パターン形成法と同じであるが、つぎに前記第１の物質
層２のうえに第２のレジストパターン５を形成する点が
異なる。The second pattern forming method is the same as the first pattern forming method until the first material layer 2 is formed on the substrate 1 as shown in FIG. 2a. The difference is that a second resist pattern 5 is formed on the material layer 2.
【００２９】そののち、図２ｂに示すように第２の物質
層３を形成し、そのうえに第１のレジストパターン４を
形成し、第１のレジストパターン４をマスクにして、第
２の物質層３をエッチングするものであり、これにより
図１ｃと同じパターンをうる。After that, as shown in FIG. 2B, a second material layer 3 is formed, a first resist pattern 4 is formed on the second material layer 3, and the second material layer 3 is used as a mask. , Which results in the same pattern as in FIG. 1c.
【００３０】そののちは、図２ｃ〜図２ｅに示すように
第１のパターン形成法と同様の工程を行なうものであ
る。第２のパターン形成法においても、基板１、第１の
物質層２、第２の物質層３、第１のレジストパターン
４、第２のレジストパターン５のそれぞれの厚さ、材
質、形成法などの条件は第１のパターン形成法と同様で
ある。After that, as shown in FIGS. 2c to 2e, steps similar to those of the first pattern forming method are performed. Also in the second pattern forming method, the thickness, material, forming method, etc. of each of the substrate 1, the first material layer 2, the second material layer 3, the first resist pattern 4, and the second resist pattern 5 are formed. The conditions are the same as in the first pattern forming method.
【００３１】前記の本発明のパターンの形成法により、
第１のマスクと第２のマスクを用いて垂直エッチングと
テーパーエッチングが同時に行なえるので、工程を簡略
化することができる。By the pattern forming method of the present invention described above,
Since vertical etching and taper etching can be performed at the same time using the first mask and the second mask, the process can be simplified.
【００３２】前記パターン形成法は、マイクロマシン、
薄膜磁気ヘッドの製造などに使用できる。The pattern forming method is a micromachine,
It can be used for manufacturing thin film magnetic heads.
【００３３】つぎに、本発明の平面型薄膜磁気ヘッドの
製法の一実施例を図３に基づいて説明するが、この方法
は前記パターン形成法を平面型薄膜磁気ヘッドの製法に
応用したものである。図中、１は基板、６は摺動保護
膜、３は前記第１のマスクは摺動保護膜よりもエッチン
グ速度が遅く、膜厚の薄い第２の物質層（第１のマス
ク）である。５は第２のレジストパターン（第２のマス
ク）、７は形成された磁気ギャップを示す。Next, an embodiment of the method of manufacturing the flat thin film magnetic head of the present invention will be described with reference to FIG. 3, which is a method in which the pattern forming method is applied to the method of manufacturing the flat thin film magnetic head. is there. In the figure, 1 is a substrate, 6 is a slide protection film, and 3 is a second material layer (first mask) having a smaller film thickness and a lower etching rate than the slide protection film. .. Reference numeral 5 indicates a second resist pattern (second mask), and 7 indicates a formed magnetic gap.
【００３４】まず、図３ａに示すように、たとえばＳｉ
からなる厚さ0.4〜0.6mmの基板１上に摺動保護膜６を形
成する。摺動保護膜６は、たとえばＡｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＤＬＣなどからなり、その厚さは0.5〜
２μｍである。摺動保護膜６の形成法は、たとえばスパ
ッタ法、ＣＶＤ法があげられる。First, as shown in FIG. 3a, for example, Si
The slide protection film 6 is formed on the substrate 1 having a thickness of 0.4 to 0.6 mm. The sliding protection film 6 is made of, for example, Al 2 O 3 or Si.
It is made of O 2 , Si 3 N 4 , DLC, etc., and has a thickness of 0.5 to
2 μm. Examples of the method for forming the sliding protection film 6 include a sputtering method and a CVD method.
【００３５】つぎに、図３ｂに示すように摺動保護膜６
のうえに、第２の物質層３からなる第１のマスクを形成
し、第２のレジストパターン５からなる第２のマスクを
形成する。Next, as shown in FIG. 3b, the slide protection film 6 is formed.
On top of that, a first mask made of the second material layer 3 is formed, and a second mask made of the second resist pattern 5 is formed.
【００３６】第２の物質層３および第２のレジストパタ
ーン５は、前述のパターン形成法の説明で示した材質の
ものを使用できるが、本製法のばあい、第２の物質層３
としては、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕなどの金属が好まし
く、その厚さは0.05〜0.2μｍが好ましい。また、第２
のレジストパターン５としては、ノボラック樹脂が好ま
しく、その厚さは２〜５μｍが好ましい。また、図４に
示す第２のレジストパターン５のテーパー角θは、30〜
60°が望ましい。The second material layer 3 and the second resist pattern 5 can be made of the same materials as those described in the above description of the pattern forming method. In the case of this manufacturing method, the second material layer 3 is used.
As the metal, metals such as Mo, Ti, Cr, and Cu are preferable, and the thickness thereof is preferably 0.05 to 0.2 μm. Also, the second
The resist pattern 5 is preferably a novolac resin, and its thickness is preferably 2 to 5 μm. The taper angle θ of the second resist pattern 5 shown in FIG.
60 ° is desirable.
【００３７】第１のマスク（第２の物質層３）および第
２のレジストパターン５は、パターン形成法の説明で示
した方法と同様の方法および条件で形成することができ
るが、第１のマスクはサブミクロンのパターン幅を有す
るのが好ましいため、電子ビーム露光、Ｘ線露光によっ
て形成するのが好ましい。The first mask (second material layer 3) and the second resist pattern 5 can be formed by the same method and conditions as the method shown in the description of the pattern forming method, but the first mask Since the mask preferably has a submicron pattern width, it is preferably formed by electron beam exposure or X-ray exposure.
【００３８】つぎに図３ｃに示すように第２の物質層か
らなる第１のマスクおよび第２のレジストパターン５か
らなる第２のマスクを使用して、垂直エッチングとテー
パーエッチングを同時に行なう。Next, as shown in FIG. 3c, vertical etching and taper etching are simultaneously performed using the first mask made of the second material layer and the second mask made of the second resist pattern 5.
【００３９】前記エッチングの条件は、パターン形成法
で記載した条件で行なうことができるが、垂直異方性の
よいＥＣＲエッチングが好ましい。The etching conditions may be those described in the pattern formation method, but ECR etching having good vertical anisotropy is preferable.
【００４０】前記工程により、図３ｄに示すような摺動
保護膜と同じ材質からなる磁気ギャップ７およびテーパ
ーエッチングされ窓部が形成された摺動保護膜６が形成
される。つぎに、図３ｅに示すように下部磁気コア８を
形成する。下部磁気コア８の形成は従来法と同様に行な
えばよい。ついで従来と同様の工程により目的の平面型
薄膜磁気ヘッドが製造される。Through the above steps, a magnetic gap 7 made of the same material as the sliding protection film and a sliding protection film 6 having a window portion formed by taper etching are formed as shown in FIG. 3d. Next, the lower magnetic core 8 is formed as shown in FIG. 3e. The lower magnetic core 8 may be formed in the same manner as the conventional method. Then, the desired planar thin-film magnetic head is manufactured by the same process as the conventional process.
【００４１】前記平面型薄膜磁気ヘッドの製法によれ
ば、磁気ギャップと摺動保護膜の窓部の形成を一度のエ
ッチング工程で行なうことができ、しかも平坦な摺動保
護膜上に磁気ギャップ用のマスクを形成できるので、サ
ブミクロンの磁気ギャップパターンでも高度な寸法精度
をうることができる。According to the method of manufacturing the flat type thin film magnetic head described above, the magnetic gap and the window portion of the sliding protection film can be formed in a single etching step, and the magnetic gap can be formed on the flat sliding protection film. Since the mask can be formed, a high degree of dimensional accuracy can be obtained even with a submicron magnetic gap pattern.
【００４２】えられた平面型薄膜磁気ヘッドは、高密度
で磁気記録を行なうことができる。The flat type thin film magnetic head thus obtained can perform magnetic recording at high density.
【００４３】[0043]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパターン
形成法によれば、前記垂直エッチングとテーパーエッチ
ングが同時に行えるのでパターン形成工程が簡略化され
る。As described above, according to the pattern forming method of the present invention, the vertical etching and the taper etching can be simultaneously performed, so that the pattern forming process is simplified.
【００４４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製法によ
れば、前記パターン形成法と同様に工程が簡略化され、
エッチングされた摺動保護膜を磁気ギャップ材として用
いたので、平坦な基板上に高度な寸法精度を有する磁気
ギャップパターンを形成できる。Further, according to the method of manufacturing the thin film magnetic head of the present invention, the steps are simplified as in the pattern forming method,
Since the etched sliding protection film is used as the magnetic gap material, it is possible to form a magnetic gap pattern having a high degree of dimensional accuracy on a flat substrate.
【図１】本発明のパターン形成法の工程を説明するため
の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a step of a pattern forming method of the present invention.
【図２】本発明のパターン形成法の工程を説明するため
の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a step of the pattern forming method of the present invention.
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の工程を説明す
るための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a process of a method of manufacturing the thin film magnetic head of the invention.
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法における、第２
のレジストパターン５のテーパー角を示す断面図であ
る。FIG. 4 is a second view of the method of manufacturing the thin film magnetic head of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing the taper angle of the resist pattern 5 of FIG.
【図５】従来の平面型薄膜磁気ヘッドの製造における一
工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing one step in manufacturing a conventional planar thin film magnetic head.
１ 基板 ２ 第１の物質層 ３ 第２の物質層 ４ 第１のレジストパターン ５ 第２のレジストパターン ６ 摺動保護膜 ７ 磁気ギャップ 1 Substrate 2 First Material Layer 3 Second Material Layer 4 First Resist Pattern 5 Second Resist Pattern 6 Sliding Protective Film 7 Magnetic Gap
Claims (2)
と、第１の物質層よりもエッチング速度が小さく、膜厚
の薄い第２の物質層を形成したのち、第１のレジストパ
ターンを形成し、このパターンをマスクとして、第２の
物質層をエッチングして第１のマスクを形成する工程
と、第１のマスクの存在しない場所に、第２のレジスト
パターンからなる第２のマスクを形成する工程と、第１
のマスクを用いて第１の物質を垂直エッチングする工程
と第２のマスクを用いて第１の物質をテーパーエッチン
グする工程とを同時に行なう工程を含むことを特徴とす
るパターン形成法。1. A step of forming a first material layer on a substrate, and a step of forming a second material layer having an etching rate smaller than that of the first material layer and having a thin film thickness, and then forming a first resist pattern. And forming a first mask by etching the second material layer using this pattern as a mask, and a second mask formed of a second resist pattern at a place where the first mask does not exist. Forming the first and the first
2. A pattern forming method comprising: simultaneously performing the step of vertically etching the first substance using the mask and the step of taper etching the first substance using the second mask.
保護膜上に形成されたマスクを用いて前記摺動保護膜の
一部をテーパーエッチングする工程と、前記テーパーエ
ッチングで除去される範囲の一部にもマスクを形成し、
前記摺動保護膜を垂直エッチングすることにより磁気ギ
ャップを形成する工程とを同時に行なうことを特徴とす
る平面型薄膜磁気ヘッドの製法。2. A step of forming a slide protection film on a substrate and taper-etching a part of the slide protection film using a mask formed on the slide protection film; and removing the taper etching by the taper etching. A mask is also formed in a part of the range
A method of manufacturing a planar thin-film magnetic head, which comprises simultaneously performing a step of forming a magnetic gap by vertically etching the slide protection film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211798A JPH0554326A (en) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | Pattern forming method and production of plane thin-film magnetic head using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211798A JPH0554326A (en) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | Pattern forming method and production of plane thin-film magnetic head using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0554326A true JPH0554326A (en) | 1993-03-05 |
Family
ID=16611786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3211798A Pending JPH0554326A (en) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | Pattern forming method and production of plane thin-film magnetic head using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0554326A (en) |
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| US11577871B2 (en) | 2016-08-04 | 2023-02-14 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Support plate for a package suitable for a food product |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP3211798A patent/JPH0554326A/en active Pending
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