JPH0553239U - Sample holder - Google Patents
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- JPH0553239U JPH0553239U JP10303691U JP10303691U JPH0553239U JP H0553239 U JPH0553239 U JP H0553239U JP 10303691 U JP10303691 U JP 10303691U JP 10303691 U JP10303691 U JP 10303691U JP H0553239 U JPH0553239 U JP H0553239U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハに対する温度コントロール性の向上を
図る。
【構成】 ウェハ１６を保持する静電吸着方式の試料保
持装置において、電極本体１０が熱伝導性に優れた金属
材料を用いて形成され、前記電極本体１０内に水冷ジャ
ケット１２が形成され、前記電極本体表面にアルミナな
どからなる絶縁物層１５と金属材料からなる双極電極１
１とが積層形成されている試料保持装置。
(57) [Summary] [Purpose] To improve the temperature controllability of the wafer. In an electrostatic adsorption type sample holding device for holding a wafer 16, an electrode body 10 is formed of a metal material having excellent thermal conductivity, and a water cooling jacket 12 is formed in the electrode body 10. An insulator layer 15 made of alumina or the like on the surface of the electrode body and a bipolar electrode 1 made of a metal material.
1. A sample holding device in which 1 and 1 are laminated.
Description
【０００１】[0001]
本考案は試料保持装置、より詳細にはＣＶＤあるいはエッチングを施す半導体 製造装置等に用いられ、静電吸着作用を利用してウェハを吸着保持する静電チャ ックのごとき試料保持装置に関する。 The present invention relates to a sample holding device, and more particularly to a sample holding device such as an electrostatic chuck that is used in a semiconductor manufacturing device that performs CVD or etching and that holds a wafer by an electrostatic attraction.
【０００２】[0002]
例えば、電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonance) を利用し て成されるＥＣＲプラズマにより、試料の表面上に所望物質の薄膜を形成するた めのＣＶＤ(Chemical Vaper Deposition)装置、あるいは試料の表面上に微細な 回路パターンなどを形成するためのドライエッチング装置などの半導体集積回路 の製造装置においては、前記試料を高真空状態に維持された処理室内に保持する ため、静電吸着力を利用した静電チャック式の試料保持装置が広く用いられてい る。 For example, a chemical vapor deposition (CVD) device for forming a thin film of a desired substance on the surface of a sample by an ECR plasma generated by using electron cyclotron resonance (Electron Cyclotron Resonance), or a surface of the sample In a semiconductor integrated circuit manufacturing apparatus such as a dry etching apparatus for forming a fine circuit pattern, in order to hold the sample in a processing chamber maintained in a high vacuum state, electrostatic attraction using electrostatic attraction is used. Chuck type sample holders are widely used.
【０００３】 この種従来の試料保持装置を図４に示す。図４において４３はセラミックによ り構成された電極を示しており、電極４３内にはタングステンなどを材料とした 導体４１が埋設されている。ウェハ１６を吸着保持する電極４３の下方には冷却 板４０が配設されており、冷却板４０内には冷却液を循環させる流路４０ａが形 成され、冷却板４０と電極４３との間には熱伝導性の良い緩衝材４６が介装され ている。電極４３は電極押え４４により冷却板４０に固定されており、電極押さ え４４は冷却板４０にボルト４７で締め付け固定されている。電極４３は約１ｃ ｍの厚さを有して形成されている。A conventional sample holding device of this type is shown in FIG. In FIG. 4, reference numeral 43 denotes an electrode made of ceramic, and a conductor 41 made of tungsten or the like is embedded in the electrode 43. A cooling plate 40 is disposed below the electrode 43 that adsorbs and holds the wafer 16, and a flow path 40a that circulates a cooling liquid is formed in the cooling plate 40 so that a space between the cooling plate 40 and the electrode 43 is formed. A shock-absorbing material 46 having good heat conductivity is interposed between the two. The electrode 43 is fixed to the cooling plate 40 by the electrode holder 44, and the electrode holder 44 is fixed to the cooling plate 40 by bolts 47. The electrode 43 is formed to have a thickness of about 1 cm.
【０００４】 上記従来例のものでは導体４１が単極式となっており、ウェハ１６の吸着時に は電荷の移動を行なわせるためにプラズマ・アシストあるいは搬送アーム等を用 いて補助回路を形成する必要があり、吸着に時間を要した。またウェハ１６の離 脱にも時間を要し、しかも残留電荷が多いことからウェハ１６を電極４３から無 理に離脱させようとするとウェハ１６が破損してしまうといった問題もあった。 補助回路の不要な静電チャックに双極式のものがあるが従来からの双極式一層 の電極に直流電圧と高周波を同時に印加する方式のものでは、ウェハ１６の抵抗 値が化合物半導体の様に高い場合、導入経路の差からインピーダンスの違いを生 じウェハ上面に形成される帯電層の分布が不均一になるという問題があった。こ れらの問題を解決する為に本発明者は二層式双極静電チャックを開発し、先に提 案した。In the above-mentioned conventional example, the conductor 41 is of a unipolar type, and it is necessary to form an auxiliary circuit using a plasma assist or a transfer arm in order to move charges when the wafer 16 is attracted. Therefore, it took a long time for the adsorption. Further, it takes time to detach the wafer 16, and since there are many residual charges, there is a problem that the wafer 16 is damaged if the wafer 16 is forcibly detached from the electrode 43. There is a bipolar type electrostatic chuck that does not require an auxiliary circuit, but in the conventional bipolar type that simultaneously applies a DC voltage and a high frequency to one electrode of a bipolar type, the wafer 16 has a high resistance value like a compound semiconductor. In this case, there was a problem in that the distribution of the charging layer formed on the upper surface of the wafer was non-uniform due to the difference in impedance due to the difference in the introduction path. In order to solve these problems, the present inventor has developed a two-layer type bipolar electrostatic chuck and has previously proposed it.
【０００５】 以下にこの二層式双極静電チャック方式の試料保持装置について説明する。図 ５に示したように、基台（図示せず）に冷却板５０が載置されており、この冷却 板５０の内部には冷却液を循環させる為の流路１２が形成されている。この流路 １２には外部から冷却液が導入、導出される構成となっている。冷却板５０の上 方には電極２７がシリコンゴムなどの伝熱体（図示せず）を介して載置されてお り、この電極２７の上部にウェハ１６が載置されるようになっている。電極２７ は例えばセラミックにより形成された絶縁層１５内部に上下２層に電極層１１、 １０が埋設されて構成されており、下層の電極層１０には冷却板５０を貫通する 高周波印加用の電極棒１８が接続されている。上層の電極層１１は２枚の電極層 １１ａ、１１ｂに分離して形成され、それぞれ直流電圧印加用の電極棒１４、１ ４が冷却板５０および下層の電極層１０を貫通して接続されている。The two-layer bipolar electrostatic chuck type sample holding device will be described below. As shown in FIG. 5, a cooling plate 50 is placed on a base (not shown), and a channel 12 for circulating a cooling liquid is formed inside the cooling plate 50. Cooling liquid is introduced into and discharged from the flow path 12 from the outside. An electrode 27 is placed above the cooling plate 50 via a heat transfer body (not shown) such as silicon rubber, and the wafer 16 is placed on the electrode 27. There is. The electrode 27 is configured by burying two upper and lower electrode layers 11 and 10 inside an insulating layer 15 formed of, for example, ceramic. The lower electrode layer 10 penetrates the cooling plate 50 and is an electrode for applying a high frequency. A rod 18 is connected. The upper electrode layer 11 is formed separately into two electrode layers 11a and 11b, and the electrode rods 14 and 14 for applying a DC voltage are connected through the cooling plate 50 and the lower electrode layer 10 respectively. There is.
【０００６】 上記試料保持装置の等価回路を図６に示す。図中、下層の電極層１０にはＲＦ 電源１９が接続されており、下層の電極層１０は上層の電極層１１ａ、１１ｂと の間でコンデンサＣ2 、Ｃ4 を構成し、上層の電極層１１ａ、１１ｂはウェハ１ ６との間でコンデンサＣ3 、Ｃ5 を構成している。図中左側のコンデンサＣ2 、 Ｃ3 はそれぞれコイル２０を介してＤＣ電源６５の正側に接続され、図中右側の コンデンサＣ4 、Ｃ5 はコイル２０を介してＤＣ電源６６の負側に接続されてお り、ＤＣ電源６５、６６はスイッチ６７、６７により左側のコンデンサＣ2 、Ｃ 3 と右側のコンデンサＣ4 、Ｃ5 との間で接続の切り替えができるようになって いる。ＲＦ電源１９およびＤＣ電源６５、６６の一端は接地されている。FIG. 6 shows an equivalent circuit of the sample holding device. In the figure, an RF power source 19 is connected to the lower electrode layer 10, and the lower electrode layer 10 is connected to the upper electrode layers 11a and 11b to form a capacitor C.2 , CFour And the upper electrode layers 11a and 11b are arranged between the wafer 16 and the capacitor C.3 , CFive Is composed of. Capacitor C on the left side of the figure2 , C3 Are respectively connected to the positive side of the DC power source 65 via the coil 20, and the capacitor C on the right side in the figureFour , CFive Is connected to the negative side of the DC power supply 66 via the coil 20, and the DC power supplies 65 and 66 are connected to the left side capacitor C by the switches 67 and 67.2 , C 3 And the capacitor C on the right sideFour , CFive You can switch the connection between and. One ends of the RF power source 19 and the DC power sources 65 and 66 are grounded.
【０００７】 ウェハ１６を吸着させるために図６に示したように上層の電極層１１ａ、１１ ｂに直流電圧を印加すると、上層の電極層１１ａ、１１ｂとウェハ１６とが帯電 して静電気力が発生し、ウェハ１６は電極２７に吸着される。ＲＦ電源１９から 下層の電極層１０に高周波を印加すると、高周波はコンデンサＣ2 、Ｃ3 、Ｃ4 、Ｃ5 を介してウェハ１６に伝わる。この印加された高周波の周期に対応して試 料１６上面には正負の電荷が交互にあらわれるが、成膜処理またはエッチング処 理のためにプラズマ照射を行なった場合、反応ガスイオンと電子のうち周波数の 激しい変化に対応できる電子が多くウェハ１６上面に蓄積され、ウェハ１６上面 は負に帯電する。このウェハ１６上面に形成された負の帯電層に正の電荷を有す る反応ガスイオンが引き付けられ、ウェハ１６上面に指向性に有して成膜または エッチングが施される。When a DC voltage is applied to the upper electrode layers 11a and 11b as shown in FIG. 6 in order to attract the wafer 16, the upper electrode layers 11a and 11b and the wafer 16 are charged and electrostatic force is generated. It is generated and the wafer 16 is attracted to the electrode 27. When a high frequency is applied from the RF power source 19 to the lower electrode layer 10, the high frequency is transmitted to the wafer 16 via the capacitors C 2 , C 3 , C 4 and C 5 . Positive and negative charges alternately appear on the upper surface of the sample 16 according to the cycle of the applied high frequency. However, when plasma irradiation is performed for film formation processing or etching processing, reaction gas ions and electrons are Many electrons that can respond to a drastic change in frequency are accumulated on the upper surface of the wafer 16, and the upper surface of the wafer 16 is negatively charged. Reactive gas ions having a positive charge are attracted to the negative charging layer formed on the upper surface of the wafer 16, and film formation or etching is performed on the upper surface of the wafer 16 with directivity.
【０００８】 試料１６を電極２７から離脱させる場合、ＤＣ電源６５、６６に接続されたス イッチ６７、６７を切り替て反転電圧を電極層１１ａ，１１ｂに印加もしくは接 地すると、コンデンサＣ2 、Ｃ3 、Ｃ4 、Ｃ5 に蓄積されていた電荷は放電され 、吸着力は消失する。When the sample 16 is detached from the electrode 27, when the switches 67, 67 connected to the DC power sources 65, 66 are switched and an inversion voltage is applied or grounded to the electrode layers 11 a, 11 b, the capacitors C 2 , C The charges accumulated in 3 , C 4 , and C 5 are discharged, and the adsorption force disappears.
【０００９】[0009]
図４に示した従来例のものでは緩衝材４６を電極４３で押さえつけるが、ただ 単に電極４３と緩衝材４６、緩衝剤４６と冷却板４０とが接触しただけでは真空 を挟んで相対するだけで極めてわずかな接触面積しか得られないので、熱伝導に よる十分な冷却効果は期待できない。このことは、電極４３のサイズが大きくな るにつれて顕著に表われ、冷却板４０の冷却が十分でも電極４３の冷却を十分に 行なえず、また、熱電導性の悪い電極４３の厚みが約１ｃｍ程度あった為に冷却 板４０からウェハ１６への熱電導性があまり良くなく、従ってウェハ１６の冷却 を十分に行なえないといった課題があった。 In the conventional example shown in FIG. 4, the cushioning material 46 is pressed down by the electrode 43, but if the electrode 43 and the cushioning material 46 and the cushioning agent 46 and the cooling plate 40 are simply brought into contact with each other, a vacuum is sandwiched between them. Since a very small contact area can be obtained, a sufficient cooling effect by heat conduction cannot be expected. This becomes remarkable as the size of the electrode 43 increases. Even if the cooling plate 40 is sufficiently cooled, the electrode 43 cannot be sufficiently cooled, and the thickness of the electrode 43 having poor thermal conductivity is about 1 cm. However, the thermal conductivity from the cooling plate 40 to the wafer 16 is not so good, and there is a problem that the wafer 16 cannot be cooled sufficiently.
【００１０】 更に、長期の使用によりボルト４７の弛みも生じ、長期にわたる信頼性も不十 分であるという欠点があった。Further, there is a drawback that the bolt 47 is loosened due to long-term use, and the long-term reliability is insufficient.
【００１１】 図５、６に示した従来の双極静電チャック方式のものでも、上記課題について は同様に有していた。The conventional bipolar electrostatic chuck system shown in FIGS. 5 and 6 similarly has the above problems.
【００１２】 本考案はこのような課題に鑑み考案されたものであって、温度コントロール性 を高める為に直接電極本体に冷媒を導入することを可能にし、プラズマなどの入 熱に対してウェハの温度変化を最小限におさえることができ、更にウェハの吸着 ・離脱をウェハに補助回路を形成することなくおこなえ、かつ高周波印加の均一 性に優れた試料保持装置を提供することを目的としている。The present invention has been devised in view of the above problems, and it is possible to directly introduce a coolant into the electrode body in order to improve the temperature controllability, and to protect the wafer against heat input such as plasma. It is an object of the present invention to provide a sample holding device capable of minimizing temperature change, adsorbing and desorbing a wafer without forming an auxiliary circuit on the wafer, and excellent in uniformity of high frequency application.
【００１３】[0013]
上記した目的を達成するために本考案に係る試料保持装置は、ウェハを保持す る静電吸着方式の試料保持装置において、電極本体が熱伝導性に優れた金属材料 を用いて形成され、前記電極本体内に水冷ジャケットが形成され、前記電極本体 表面にアルミナなどからなる絶縁物層と金属材料からなる双極電極とが積層形成 されていることを特徴としている。 In order to achieve the above-mentioned object, the sample holding device according to the present invention is an electrostatic adsorption type sample holding device for holding a wafer, in which the electrode body is formed of a metal material having excellent thermal conductivity. A water cooling jacket is formed in the electrode body, and an insulating layer made of alumina or the like and a bipolar electrode made of a metal material are laminated on the surface of the electrode body.
【００１４】[0014]
上記した装置によれば、ウェハを保持する静電吸着方式の試料保持装置におい て、電極本体が熱伝導性に優れた金属材料を用いて形成され、前記電極本体内に 絶縁物と金属材料からなる双極電極とが積層形成されているので、電極本体が効 率的に自在に冷却され、前記電極本体に載置されるウェハも効率的に冷却されて ウェハに対する温度コントロール性が高められる。 According to the above apparatus, in the electrostatic adsorption type sample holding device for holding the wafer, the electrode body is formed by using the metal material having excellent thermal conductivity, and the electrode body is made of the insulator and the metal material. Since the bipolar electrode is formed in a laminated manner, the electrode body is efficiently and freely cooled, and the wafer placed on the electrode body is also efficiently cooled, so that the temperature controllability for the wafer is enhanced.
【００１５】[0015]
以下、本考案に係る試料保持装置の実施例を図面に基づいて説明する。 図１は本実施例に係る試料保持装置を模式的に示した断面図であり、図中１０ はアルミニウムにより形成され、試料台１７を構成する電極本体を示している。 電極本体１０内には冷却水を循環させるための水冷ジャケット１２が形成され、 電極本体１０の中央部には高周波印加用の電極棒１８が接続され、電極棒１８の 両側には直流電圧を印加するための電極棒１４を挿通させる貫通孔１０ａが形成 されている。電極棒１４が接続された表面部分を除いて電極本体１０の略全表面 にはアルミナからなる絶縁層１５ａが２００〜５００μｍの厚さで形成されてお り、電極棒１４が接続された部分を中心としてその上方にはアルミニウムを材料 とした溶射による電極層１１ａ、１１ｂが形成されている。そして電極層１１ａ 、１１ｂの上方には更に絶縁層１５ｂが形成され、この１５ｂ上にウェハ１６が 載置されるようになっている。また貫通孔１０ａには絶縁パイプ１３が装着され ている。 An embodiment of a sample holding device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the sample holding device according to the present embodiment. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes an electrode body which is made of aluminum and constitutes a sample stand 17. A water cooling jacket 12 for circulating cooling water is formed in the electrode body 10, an electrode rod 18 for high frequency application is connected to the center of the electrode body 10, and a DC voltage is applied to both sides of the electrode rod 18. A through hole 10a through which the electrode rod 14 for inserting is inserted is formed. An insulating layer 15a made of alumina having a thickness of 200 to 500 μm is formed on substantially the entire surface of the electrode body 10 except the surface portion to which the electrode rod 14 is connected. Electrode layers 11a and 11b made of aluminum as a material are formed above the center of the electrode by thermal spraying. An insulating layer 15b is further formed above the electrode layers 11a and 11b, and the wafer 16 is placed on the insulating layer 15b. An insulating pipe 13 is attached to the through hole 10a.
【００１６】 つまり、本実施例のものではウェハ１６、厚さの薄い絶縁層１５、熱電導性に 優れた電極本体１０、冷媒の順に配置されており、直接電極本体１０に冷媒を導 入するので、プラズマなどの入熱に対しウェハ１６の温度変化を最小限に押える ことができ、ウェハ１６に対する温度コントロール性を良好なものにすることが できる。 上記試料保持装置の回路構成を図２に示す。図中、下層の電極層となる電極本 体１０にはコンデンサＣ1 を介してＲＦ電源１９が接続されており、電極本体１ ０は上層の電極層１１ａ、１１ｂとの間で２つのコンデンサを構成し、上層の電 極層１１ａ、１１ｂはウェハ１６との間で２つのコンデンサを構成している。左 右のコンデンサはそれぞれ高周波カット用フィルタの作用を有するコイル２０を 介してＤＣ電源２５、２６に接続されている。That is, in this embodiment, the wafer 16, the thin insulating layer 15, the electrode body 10 having excellent thermal conductivity, and the coolant are arranged in this order, and the coolant is directly introduced into the electrode body 10. Therefore, the temperature change of the wafer 16 can be suppressed to a minimum with respect to heat input such as plasma, and the temperature controllability for the wafer 16 can be improved. The circuit configuration of the sample holder is shown in FIG. In the figure, an RF power source 19 is connected to an electrode body 10 serving as a lower electrode layer via a capacitor C 1 , and the electrode body 10 has two capacitors between the upper electrode layers 11a and 11b. The upper electrode layers 11 a and 11 b form two capacitors with the wafer 16. The left and right capacitors are respectively connected to DC power supplies 25 and 26 via the coil 20 having the function of a high frequency cut filter.
【００１７】 ウェハ１６を吸着させる場合、電極層１１ａ、１１ｂに直流電圧を印加すると 、上層の電極層１１ａ、１１ｂとウェハ１６とが帯電して静電気力が発生し、ウ ェハ１６は試料台１７に吸着される。ＲＦ電源１９から下層の電極本体１０に高 周波を印加すると、高周波はコンデンサを介してウェハ１６に伝わる。この印加 された高周波の周期に対応してウェハ１６上面には正負の電荷が交互にあらわれ るが、成膜処理またはエッチング処理のためにプラズマ照射を行なった場合、反 応ガスイオンと電子のうち周波数の激しい変化に対応できる電子が多くウェハ１ ６上面に蓄積され、ウェハ１６上面は負に帯電する。このウェハ１６上面に形成 された負の帯電層に正の電荷を有する反応ガスイオンが引き付けられ、ウェハ１ ６上面に指向性を有して成膜またはエッチングが施される。When a direct current voltage is applied to the electrode layers 11a and 11b when adsorbing the wafer 16, the upper electrode layers 11a and 11b and the wafer 16 are electrified and electrostatic force is generated. Adsorbed on 17. When a high frequency is applied from the RF power source 19 to the lower electrode body 10, the high frequency is transmitted to the wafer 16 via the capacitor. Positive and negative charges alternately appear on the upper surface of the wafer 16 according to the cycle of the applied high frequency, but when plasma irradiation is performed for film formation processing or etching processing, reaction gas ions and electrons are Many electrons that can respond to a drastic change in frequency are accumulated on the upper surface of the wafer 16 and the upper surface of the wafer 16 is negatively charged. Reactive gas ions having a positive charge are attracted to the negative charging layer formed on the upper surface of the wafer 16, and the upper surface of the wafer 16 is film-formed or etched with directivity.
【００１８】 つまり、高周波は上層の電極層１１ａ、１１ｂに別々に印加されるのではなく 、電極本体１０を介して上層の電極層１１ａ、１１ｂに同時に印加されるので高 周波をウェハ１６に均等に伝導させることができる。したがって、ウェハ１６上 面に形成される帯電層の電荷分布も均一になり、ウェハ１６上面に衝突する反応 ガスイオンの分布状態および入射方向もウェハ１６全面にわたり均一的なものと なる。In other words, the high frequency is not applied to the upper electrode layers 11 a and 11 b separately, but is simultaneously applied to the upper electrode layers 11 a and 11 b via the electrode body 10, so that the high frequency is uniformly applied to the wafer 16. Can be conducted to. Therefore, the charge distribution of the charging layer formed on the upper surface of the wafer 16 is also uniform, and the distribution state and incident direction of the reactive gas ions colliding with the upper surface of the wafer 16 are also uniform over the entire surface of the wafer 16.
【００１９】 一方、ウェハ１６を離脱させる場合には、ＤＣ電源２５からの電力の供給を停 止することより、ウェハ１６の帯電状態は補助回路を必要とすることなく速やか に解除され、ウェハ１６を試料台１７から容易に離脱させることができる。On the other hand, when the wafer 16 is detached, by stopping the power supply from the DC power supply 25, the charged state of the wafer 16 is quickly released without the need for an auxiliary circuit, and the wafer 16 is removed. Can be easily detached from the sample table 17.
【００２０】 図３は本実施例に係る試料保持装置と図５に示した従来の試料保持装置を用い て抜熱効果を調べた結果を示すグラフであり、縦軸にウェハ温度Ｔｓ、横軸に冷 媒温度Ｔｃをとっている。実施例に係るものの場合、ウェハ１６温度は冷媒温度 の＋５〜１５℃の範囲内におさまっており、従来例のものの場合が冷媒温度の＋ ２０〜４０℃の範囲であるのに較べて冷媒温度に非常にちかくなっている。この グラフから本実施例の装置は抜熱効果が非常に良好であるといえる。FIG. 3 is a graph showing the results of examining the heat removal effect using the sample holding apparatus according to the present embodiment and the conventional sample holding apparatus shown in FIG. 5, in which the vertical axis represents the wafer temperature Ts and the horizontal axis represents the horizontal axis. The cooling medium temperature Tc is used. In the case of the example, the temperature of the wafer 16 is within the range of +5 to 15 ° C. of the cooling medium temperature, and in the case of the conventional example, it is in the range of +20 to 40 ° C. of the cooling medium temperature. Have become very small. From this graph, it can be said that the device of this embodiment has a very good heat removal effect.
【００２１】[0021]
以上の説明により明らかなように、本考案に係る試料保持装置にあっては、ウ ェハを保持する静電吸着方式の試料保持装置において、電極本体が熱伝導性に優 れた金属材料を用いて形成され、前記電極本体内に水冷ジャケットが形成され、 前記電極本体表面にアルミナなどからなる絶縁物層と金属材料からなる双極電極 とが積層形成されているので、前記電極本体が冷媒により直接的に冷却されるこ ととなり、また、前記絶縁物層の厚さを２００〜５００μｍ程度に薄く形成する ことにより前記ウェハの抜熱効率を大幅に向上させることができる。 As is clear from the above description, in the sample holding device according to the present invention, in the electrostatic holding type sample holding device for holding the wafer, the electrode body is made of a metal material excellent in thermal conductivity. Since a water cooling jacket is formed in the electrode body and an insulator layer made of alumina or the like and a bipolar electrode made of a metal material are laminated on the surface of the electrode body, the electrode body is made of a refrigerant. The wafer is directly cooled, and the heat removal efficiency of the wafer can be significantly improved by forming the insulator layer to a thickness of about 200 to 500 μm.
【図１】本考案に係る試料保持装置の実施例の要部を摸
式的に示した断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a main part of an embodiment of a sample holding device according to the present invention.
【図２】実施例に係る試料保持装置の回路構成を示した
模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a circuit configuration of a sample holding device according to an example.
【図３】従来例と実施例に係る装置を用いた抜熱効果の
比較を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a comparison of heat removal effects using the devices according to the conventional example and the example.
【図４】従来の試料保持装置の要部を概略的に示した断
面図である。FIG. 4 is a sectional view schematically showing a main part of a conventional sample holding device.
【図５】別の従来例に係る試料保持装置の要部を概略的
に示した断面図である。FIG. 5 is a sectional view schematically showing a main part of a sample holding device according to another conventional example.
【図６】図５に示した従来例の等価回路図である。6 is an equivalent circuit diagram of the conventional example shown in FIG.
１０ 電極本体 １１ａ、１１ｂ 電極層（双極電極） １２ 水冷ジャケット １５ 絶縁層 １６ ウェハ 10 Electrode Main Body 11a, 11b Electrode Layer (Bipolar Electrode) 12 Water Cooling Jacket 15 Insulating Layer 16 Wafer
Claims (1)
持装置において、電極本体が熱伝導性に優れた金属材料
を用いて形成され、前記電極本体内に水冷ジャケットが
形成され、前記電極本体表面にアルミナなどからなる絶
縁物層と、金属材料からなる双極電極とが積層形成され
ていることを特徴とする試料保持装置。1. In an electrostatic adsorption type sample holding device for holding a wafer, the electrode body is formed of a metal material having excellent thermal conductivity, and a water cooling jacket is formed in the electrode body. A sample holding device, wherein an insulating layer made of alumina or the like and a bipolar electrode made of a metal material are laminated on the surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303691U JPH0553239U (en) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | Sample holder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303691U JPH0553239U (en) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | Sample holder |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0553239U true JPH0553239U (en) | 1993-07-13 |
Family
ID=14343436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10303691U Pending JPH0553239U (en) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | Sample holder |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0553239U (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308079A (en) * | 2000-02-14 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2008235430A (en) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Ltd | Structure in plasma treatment equipment, and plasma treatment equipment |
| JP2018098275A (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-21 | 日本特殊陶業株式会社 | Base material structure and base material manufacturing method |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP10303691U patent/JPH0553239U/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308079A (en) * | 2000-02-14 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2008235430A (en) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Ltd | Structure in plasma treatment equipment, and plasma treatment equipment |
| JP2018098275A (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-21 | 日本特殊陶業株式会社 | Base material structure and base material manufacturing method |
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