JPH05508517A - Polypropylene wafer carrier - Google Patents

Polypropylene wafer carrier

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JPH05508517A
JPH05508517A JP4505409A JP50540992A JPH05508517A JP H05508517 A JPH05508517 A JP H05508517A JP 4505409 A JP4505409 A JP 4505409A JP 50540992 A JP50540992 A JP 50540992A JP H05508517 A JPH05508517 A JP H05508517A
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Japan
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wafer
polypropylene
storage device
wafers
container
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JP4505409A
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Inventor
ミケルセン,カーク・ジェイ
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フルオロウェア・インコーポレーテッド
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    • HELECTRICITY
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    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67366Closed carriers characterised by materials, roughness, coatings or the like

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 ポリプロピレン製ウェハーキャリヤ この発明は集積回路チップへと加工されるシリコンウェハーを運搬(+hipp ing)するために使用されるポリプロピレンコンテナに関する。さらに詳しく は、この発明はそうした運搬用コンテナに使用されるポリプロピレンの特性に関 する。[Detailed description of the invention] Polypropylene wafer carrier This invention transports silicon wafers to be processed into integrated circuit chips (+hipp ing). Learn more This invention relates to the properties of polypropylene used in such shipping containers. do.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

ジッパとして知られる上述のコンテナは従来から利用されてきており、ポリプロ ピレンから成形されている。これまで用いられてきたポリプロピレンはそれが有 する高い透明性のゆえに選ばれたものであった。これまで使用されてきたポリプ ロピレンは、蒸発する揮発性物質の総量に基づくと非常にクリーンであると考え られていた。このときの揮発性物質の総量は、ペンシルバニア州フィラデルフィ ア(Pbiladelph目、Pann571マ!n目)のアメリカン・ソサイ アテイ・フォー・テスティング・アンド−7テリアルズ(American 5 ociet7 lot Testing IndMaterials)によって 発行されているアニュアル・ブック・オブ・ニーエステイ−エム−スタンダーズ (Annual Book of ASTM S目nda+dsl 15. 0 3巻のF1227に記載されている周知の試験方法によって測定されている。 The above-mentioned containers, known as zippers, have been used for a long time and are polypropylene. Molded from pyrene. The polypropylene that has been used so far has It was chosen because of its high level of transparency. Polyps that have been used so far Lopyrene is considered to be very clean based on the total amount of volatiles evaporated. It was getting worse. The total amount of volatile substances at this time was A (order Pbiladelph, order Pann571!n) of the American species Atty for Testing and -7 Territorials (American 5 ociet7 lot Testing IndMaterials) by Published Annual Book of NST-M Standards (Annual Book of ASTM Sth nda+dsl 15.0 It is determined by the well-known test method described in Volume 3 F1227.

しかし、こうしたジッパの利用者は、従来のポリプロピレンジッパが有機不純物 をアウトガス(ou1ga+) L、この有機不純物がウニ/%−上に付着する ことがわかった。通常、こうしたウェハーの表面上に有機不純物が存在しない場 合には、ウェハーの酸化物層は非常に親水性に富み、脱イオン(DI)水がウエ ノ1−に広がり、ウェハーの上に水滴が形成されることはない。こうしたこれま で使用されてきたポリプロピレンから形成された従来型ジッパの中に収容された ウエノ1−は、ジッパのポリプロピレンにさらされる結果起きる有機汚染fo+ ganic c++laminafion)のために、疎水性になることがわか っている。However, users of these zippers have found that traditional polypropylene zippers contain organic impurities. Outgas (ou1ga+) L, this organic impurity adheres to the sea urchin/%- I understand. Typically, if there are no organic impurities on the surface of these wafers, In some cases, the wafer's oxide layer is very hydrophilic and deionized (DI) water is No water droplets are formed on the wafer. All this Housed within a traditional zipper formed from polypropylene that has been used in Ueno 1- is an organic contamination fo+ resulting from exposure to the zipper's polypropylene. It can be seen that it becomes hydrophobic due to ganic c++ lamination). ing.

こうした疎水性を生じる、従来型ジッパに利用されているポリプロピレンは、プ ラウエア州つイルミントン(Wilmingfon 5Del!vue)のヒモ ント・ニーニスニー・インコーホレーテッド01imont Il、 S、 A 、 Inc、 )のランダムコポリマから形成されていた。ランダムコポリマは 高活性(high acjiマ1ty)の触媒を添加されたモノマを重合し、重 合のあと透明化剤(clui17ing Bent)とステアリン酸カルシウム をフローエンハンサ(flow enhxncer) として添加し、亜リン酸 塩やヒンダード(hindered)フェノールなどの酸化防止剤を添加してい た。触媒も、重合のときに生じるアタクチック(g + 1c It el材料 も、ジッパを成形するためにポリプロピレンを使用する前に取り除かれることは なかった。The polypropylene used in conventional zippers, which produces this hydrophobic property, is A string from Wilmington, Lauea (Wilmingfon 5Del!vue) Ninnisny Incorporated 01imont Il, S, A , Inc. ) random copolymer. Random copolymer is Polymerize monomers to which a high activity (high acji polymer 1 ty) catalyst has been added. After mixing, add a clarifying agent (clui17ing Bent) and calcium stearate. is added as a flow enhancer, and phosphorous acid Added antioxidants such as salt and hindered phenols. Ta. The catalyst is also an atactic material (g + 1c Itel material produced during polymerization). Even the polypropylene is not removed before being used to mold the zipper. There wasn't.

ポリプロピレン成分の正確な特性は企業秘密にすることが一般的であり、従って 市販されている他のジッパに使用されている成分の特性については公になってお らず、わかっていない。The exact characteristics of the polypropylene component are generally kept as trade secrets and therefore The characteristics of the ingredients used in other zippers on the market are not publicly available. I don't know, I don't understand.

また、二重にディアッシュされた(dooble deixhed)ポリプロピ レンは以前から知られているが、その中にシリコンやガリウムひ素のウェハーや 磁気材料からなるメモリディスクが運搬のために貯蔵(+to+e) されてい るジッパあるいはコンテナに対してこのポリプロピレンが使用されたことはない 。こうした従来の二重にディアッシュされたポリプロピレンは透明化剤やフロー エンハンサを大量に使用しており、また分子量の大きいある種のヒンダードフェ ノール系酸化防止剤/オゾン割れ防止剤(xnliotonanl) も使用し てきた。これらはすべて、もしウェハージッパに使用されると、アウトガスを大 量に発生し、貯蔵されているウニ/1−を許容できないほど汚染するようなポリ プロピレンになる。その結果、ウェハーは許容できないほど疎水性になる。すな わち、使用する前に洗浄が必要になる。Also, double deixed polypropylene Ren has been known for a long time, but it includes silicon and gallium arsenide wafers, A memory disk made of magnetic material is stored (+to+e) for transportation. This polypropylene has never been used for zippers or containers. . These traditional double-deashed polypropylenes are made with clarifying agents and flow It uses a large amount of enhancers and some types of hindered enzymes with large molecular weights. Nor-based antioxidant/ozone cracking inhibitor (xnliotonanl) is also used. It's here. All of these, if used in wafer zippers, can cause significant outgassing. Polymers that occur in large amounts and contaminate the stored sea urchins to an unacceptable degree. Becomes propylene. As a result, the wafer becomes unacceptably hydrophobic. sand In other words, it needs to be cleaned before use.

疎水性は、単にウェハー表面をDI水で濡らすことによって測定する方法が最も 一般的である。もし、水がウェハー上に広がらずに水滴となればウェハーは汚染 されており、使用する前に洗浄しなければならないということが即座にわかる。Hydrophobicity is best measured by simply wetting the wafer surface with DI water. Common. If the water does not spread over the wafer and becomes water droplets, the wafer becomes contaminated. and immediately know that it must be cleaned before use.

もちろん、洗浄はウェハー処理に余分な工程を必要とし、このことはコスト的に も、またウェハー表面をさらに汚染することになるそれ以上の粒子を発生させる 可能性のためにも、好ましいことではない。ウェハー製造業者はまた疎水性汚染 にも気を使う。なぜなら、汚染は他の面でウェハーに影響を与える可能性がある からである。Of course, cleaning requires an extra step in wafer processing, which can be costly. will also generate more particles that will further contaminate the wafer surface. For the sake of possibility, it's not a good thing. Wafer manufacturers also avoid hydrophobic contamination. I also take care. Because contamination can affect the wafer in other ways It is from.

ジッパが、こうしたポリプロピレン製ジッパによって運搬されるウェハーの疎水 性を引き起こすかどうかということを決定するためには、幾分過酷でかつ荒つぼ い試験が行なわれてきた。従来行なわれてきた方法は非常に主観的(Sυbie cliマe)なものであったが、ウェハー上に起こる疎水性の大きさはポリプロ ピレンが異なると違ってくることを示している。従来行なわれてきた試験方法に は、50℃のオープンの中でウェハーをそうしたポリプロピレン製ジッパの内部 に24時間貯蔵する工程が含まれている。24時間の貯蔵を終えたら、ウェハー をジッパから取り出し、DI水で濡らし、垂直な状態に傾ける。10秒後に、濡 れていないウェハーのパーセントを疎水性の割合として記録する。The zippers are hydrophobic on the wafers carried by these polypropylene zippers. A somewhat harsh and rough process is needed to determine whether Tests have been conducted. The conventional methods are very subjective (Sυbie However, the magnitude of the hydrophobicity that occurs on the wafer is This shows that different pyrenes result in different results. The conventional test method The wafer was placed inside such a polypropylene zipper in the open at 50°C. This includes a 24-hour storage step. After 24 hours of storage, the wafer Remove from zipper, wet with DI water, and tilt to vertical position. After 10 seconds, Record the percentage of wafers that are not hydrophobic.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明の目的は、有機汚染やそれに関連してジッパ内に収容されたウェハーに 対して疎水性を引き起こす可能性を最小限に抑えるような特性を有するポリプロ ピレンから形成された、ウェハーを貯蔵したり運搬したりするのに適した貯蔵装 置あるいはコンテナを製造することである。 It is an object of this invention to prevent organic contamination and its related effects on wafers contained within the zipper. Polypropylene with properties that minimize the possibility of causing hydrophobicity A storage device formed from pyrene suitable for storing and transporting wafers. manufacturing containers.

この発明の別の目的は、前述したジッパに使用されるポリプロピレンによってウ ェハーに生じる疎水性をチェックするための改善された方法を提供することであ る。Another object of the present invention is to provide a zipper with a zipper made of polypropylene. by providing an improved method for checking hydrophobicity occurring in wafers. Ru.

この発明の特徴は、シリコンウェハーや他の同じようなウェハー、そして磁気デ ィスクを貯蔵、運搬するのに特に用いられるポリプロピレンコンテナである。A feature of this invention is that silicon wafers and other similar wafers as well as magnetic devices can be A polypropylene container specifically used for storing and transporting discs.

このポリプロピレンコンテナは、コンテナからコンテナの中に貯蔵されているシ リコンウェハーの上へアウトガスを生じ、その結果ウェハーを汚染したり疎水性 を生じたりするアタクチックポリプロピレンやオリゴマなどの材料が洗浄されて いるポリプロピレンから成形されている。好ましいポリプロピレンは透明化剤や 酸化防止剤、フローエンハンサをできる限り含まないような古いスタイルの触媒 で重合された二重にディアッシュされたランダムコポリマからなる。ジッパ内の そうしたポリプロピレンは有機汚染物質のアウトガスを最小限に抑え、運搬及び 貯蔵を行うときにシリコンウェハーをクリーンに保つ。従って、ウニノ1−をコ ンテナの中に貯蔵したあと、次に処理を行う前にウニ/’l−を洗浄する必要は なくなる。高活性触媒を用いた重合プロセスから得られ、前述した添加物を含む ポリプロピレンは、ウェハー表面を汚染しその結果ウェハー表面の疎水性を引き 起こすような材料を取り除けば、これを使用することができるであろう。This polypropylene container is used to store the products stored inside the container. Outgassing onto the recon wafer, resulting in contamination or hydrophobicity of the wafer Materials such as atactic polypropylene and oligomers that can cause Molded from polypropylene. Preferred polypropylene is a clarifying agent and Old style catalysts containing as little antioxidants and flow enhancers as possible consists of a doubly deashed random copolymer polymerized with inside the zipper Such polypropylene minimizes the outgassing of organic contaminants and is Keep silicon wafers clean when performing storage. Therefore, Copy Unino 1- There is no need to wash the sea urchins after they are stored in the container and before further processing. It disappears. Obtained from a polymerization process using highly active catalysts and containing the aforementioned additives Polypropylene can contaminate the wafer surface and make the wafer surface hydrophobic. This could be used if the material that causes it is removed.

二重にディアッシュされたポリプロピレンからなるこのコンテナは衝撃に強く、 また十分に透明であるため、貯蔵されているウェハーを閉じたコンテナを開ける ことなく目で検査することができる。Constructed from double deashed polypropylene, this container is impact resistant and It is also transparent enough to allow the stored wafers to be opened in closed containers. It can be visually inspected without any need for inspection.

二重にディアッシュされたポリプロピレンから透明化剤をなくすことは多くの場 合に問題とはならない。なぜなら、断面が薄いと、コンテナのパネルは十分に透 明であり必要な検査を行えるからである。Eliminating clarifying agents from double deashed polypropylene is often This is not a problem if the This is because the thin cross-section makes the container panels sufficiently transparent. This is because it is clear and necessary inspections can be performed.

コンテナを成形するために使用されるのに好ましいポリプロピレンは、運搬用コ ンテナにとって重要な特性である透明性と耐衝撃性のためのエチレン含有量をで きる限る少なくしたランダムコポリマを用いている。ポリプロピレンにおける透 明化剤の量をできる限り少なくすることは重要である。なぜなら、コンテナ部分 が特に薄い断面を有していない限り、ランダムコポリマはそれ自身十分な透明性 を持っていないからである。透明性は、通常の使用において適切に透明でありコ ンテナの中に収容されたシリコンウェハーを検査できるようにするために必要で ある。The preferred polypropylene used to form containers is Low ethylene content for transparency and impact resistance, important properties for antennas. We use as little random copolymer as possible. Transparent in polypropylene It is important to keep the amount of brightening agent as low as possible. Because the container part Random copolymers themselves are sufficiently transparent unless they have a particularly thin cross section. This is because they do not have . Transparency means that in normal use it is adequately transparent and required to be able to inspect the silicon wafer housed inside the antenna. be.

これとは違って、ポリプロピレンは最小限の酸化防止剤/オゾン割れ防止剤とフ ローエンハンサが添加された二重にディアッシュされたホモポリマからなってい てもよい。通常、ホモポリマは透明化剤が添加されていない。ホモポリマからな るこうした二重にディアッシュされたポリプロピレンは、いくつかのパネル部分 において非常に薄い断面に成形すれば適切な透明性を有する。ホモポリマからな るポリプロピレンはランダムコポリマからなるポリプロピレンのような高い耐衝 撃性を持たないかもしれないが、多くの場合に対して適切な耐衝撃性を有する。Unlike this, polypropylene is made with minimal antioxidants/antiozonants. Consists of a double deashed homopolymer with added low enhancer. It's okay. Usually, homopolymers do not have added clarifying agents. From homopolymer This double deashed polypropylene is used in some panel areas. If molded into a very thin cross-section, it will have appropriate transparency. From homopolymer Polypropylene made of random copolymers has high impact resistance. Although it may not be impact resistant, it has adequate impact resistance in most cases.

なぜなら、ウェハーが搭載されたポリプロピレンジツバは貯蔵されているウニノ 〜−が高価なため非常に注意して扱われるからである。ホモポリマポリプロピレ ンの主な違いは、モノマからエチレンをなくしていることである。ランダムコポ リマはエチレンを含有している。This is because the polypropylene range tube on which the wafer is mounted is This is because ~- is expensive and is therefore treated with great care. homopolymer polypropylene The main difference between the two is the elimination of ethylene from the monomer. random copo Lima contains ethylene.

ポリプロピレンにとって、酸化防止剤/オゾン割れ防止剤は、ポリマの鎖が切れ るのを防止し材料が脆くなることを防ぐためには重要である。好ましくは、使用 される酸化防止剤はエタノツク7、 (Efhanox) 330であり、アウ トガスが少ないような特性を有するヒンダードフェノール化合物である。これは 貯蔵されているウェハーに生じる疎水性を小さくする。For polypropylene, antioxidants/antiozonants help break the polymer chains. This is important to prevent the material from becoming brittle. Preferably, use The antioxidant used is Ethanox 7, (Efhanox) 330, It is a hindered phenol compound that has the property of producing little gas. this is Reduce the hydrophobicity that occurs in stored wafers.

ウェハーの有害な疎水性を生じさせずに、ポリプロピレンの成形の充填(mol dlit!fng)や、イジエクション(ejection)特性を改善するに は、ポリプロピレン中のフローエンハンサの量を最小限に抑えることが重要であ る。Polypropylene mold filling (mol dlit! fng) and to improve ejection characteristics. It is important to minimize the amount of flow enhancer in the polypropylene. Ru.

オリゴマやアタクチックポリプロピレン、重合化触媒を取り除くためにポリプロ ピレンを二重にディアッシュすることが重要であると考えられる。二重のディア ッシュは、ポリプロピレンを溶媒洗浄剤(+olven+ vxshinglの 中に二重通すことによって、成形されたコンテナがウニノー−へ許容限度を越え た量の有機汚染物質をアウトガスして、貯蔵のあとに再び洗浄が必要となるよう なことがないようにする工程を含んでいる。Polypropylene to remove oligomers, atactic polypropylene, and polymerization catalysts. It is believed that it is important to double de-ash the pyrene. double deer Wash polypropylene with solvent cleaning agent (+olven+vxshingl) By double-passing the molded container into the Uni-No- outgasses the amount of organic contaminants that need to be cleaned again after storage. It includes steps to ensure that this does not happen.

二重にディアッシュされた材料は溶媒洗浄剤からの揮発性物質がいくらかその中 に残っているが、これらの化合物は分子量が十分に小さく、また十分に揮発性に 富んでいるために、ウェハー上で再凝結(τeeon+1ense) して疎水 性を引き起こすようなことはない。また、二重にディアッシュされたポリプロピ レンは、ウニノ\−の表面上に溜るとこれも汚染物質になると考えられる微量金 属(trxce metal)のレベルが低いことも重要である。The double deashed material has some volatiles from the solvent detergent in it. However, these compounds have sufficiently small molecular weights and are sufficiently volatile to Because it is rich, it recondenses on the wafer (τeeon+1ense) and becomes hydrophobic. There is no such thing as causing sex. Also double deashed polypropy Len is a trace amount of gold that is thought to become a contaminant if it accumulates on the surface of Unino. It is also important that the level of trxce metal is low.

ウェハーという言葉を使うときはいつでも、回路チップへと加工される、シリコ ンやガリウムひ素から形成された種々のウニノ1−やディスク、エピタキシャル ウェハーやメモリディスクへと加工されるディスク、磁気媒体など任意のものを 含むものとし、特別な限定は行わない。Whenever we use the word wafer, we are referring to silicon that is processed into circuit chips. various types of disks and disks formed from gallium arsenide and gallium arsenide; Any object such as a wafer, a disk processed into a memory disk, or a magnetic medium. shall be included, without any special limitation.

この発明の別の特徴は、シリコンウニノ\−を汚染して疎水性を引き起こすよう なことなく、ジッパに使用できるポリプロピレンの適合性を測定する(d山rm ine)ための簡単な方法を提供することである。試料ウニ/’−に対して有機 物質の洗浄をまず行なって、あとで生じた疎水性がわかるようにする必要がある 。ウェハーを適切に洗浄したあと、このウニノ1−をこれも有機汚染物質が予め 洗浄されたジャーの中に貯蔵し、次に例えば50℃の温度において約20時間、 シールされたきれいなジャーの中へポリプロピレン樹脂とともに貯蔵する。ウェ ハーやジッパは、ウェハーをジッパの中に貯蔵するときにこの50℃という高温 に暴露される。貯蔵及び暴露が終わったあと、セシルドロップコンタクト角度測 定と呼ばれる方法によってウェハーの疎水性が測定される。セシルドロップ(+ es+ile d+op)コンタクト角度測定法は、有機汚染が非常に小さいと ころやウェハーの表面が非常に親水性であるところを除いては、疎水性を非常に 正確に測定できる。できれば、ジャー及びそのカバーと、ウェハーと、ジャー内 でウェハーを支持するアルミニウムスタンドとを酸素プラズマ洗浄装置を用いて 洗浄することが好ましい。酸素プラズマ洗浄装置は市販されており、当該分野の 技術者には周知のものである。さもなければ、硫酸の中にノクロミックス(H( hromixl添加物や三酸化クロムを入れた濃縮硫酸などの強酸中にジャーを 浸すことによって洗浄する。こうした酸で洗浄したあと、ジャーをDI水ですす ぎ、オープンフレーム(open Ilimel上で乾燥する。ウェハーが赤く なるまでオープンフレーム上でそれらを加熱することによって、ウェハーやウェ ハーを支持するためのアルミニウムスタンドから有機汚染物質を洗浄する。これ とは違って、UVオゾンクリーナを使用してジャーやスタンド、ウェハーを洗浄 してもよいが、酸素プラズマ洗浄を使用するのが好ましい。Another feature of this invention is that silicon urinary oxides can be contaminated to cause hydrophobicity. Determine the suitability of polypropylene for use in zippers without ine). Organic for sample sea urchin/'- The material must be washed first so that the resulting hydrophobicity can be seen later. . After properly cleaning the wafer, this Unino 1- is also pre-cleaned of organic contaminants. stored in washed jars and then at a temperature of e.g. 50° C. for about 20 hours. Store with polypropylene resin in a sealed clean jar. We When storing wafers inside zippers, wafers are stored at high temperatures of 50°C. be exposed to. After storage and exposure, Cecil drop contact angle measurement is performed. The hydrophobicity of a wafer is measured by a method called hydrophobicity. Cecil drop (+ es+ile d+op) contact angle measurement method is effective when organic contamination is very small. Unless the surface of the roller or wafer is very hydrophilic, Can be measured accurately. Preferably the jar and its cover, the wafer and the inside of the jar. Support the wafer on an aluminum stand and using an oxygen plasma cleaning device. Washing is preferred. Oxygen plasma cleaning equipment is commercially available and It is well known to engineers. Otherwise, add Nochromix (H) in sulfuric acid. Place the jar in a strong acid such as concentrated sulfuric acid with hromixl additive or chromium trioxide. Clean by soaking. After cleaning with these acids, rinse the jars with DI water. and dry on an open frame (Ilimel).The wafer will turn red. Prepare wafers or wafers by heating them on an open frame until Cleaning organic contaminants from aluminum stands for supporting the housing. this Unlike other products, you can use UV ozone cleaners to clean jars, stands, and wafers. However, it is preferred to use oxygen plasma cleaning.

ウェハー表面の疎水性を決定するためにセシルドロップコンタクト角度法を利用 するときは、DI水の小さな水滴をマイクロシリンジを利用してウニ/X−上に 付ける。水滴の広がりが止まったときに、ウェハーの面と、水滴のベース(bx se)への接線との間の角度を測定する。これは前進角度(advxncing  alley’と呼ばれる。水滴が動くまでウェハーを傾けたり、あるいは水を マイクロシリンジまで引き戻すことによって、後退角度(+eceding a ngle)も測定する。水滴の端部が後退を始めたとき、水の除去(vatξr  umoval)を停止し、ウェハーの面と水滴のベースの接線との間の角度を 測定する。後退角度は、角度が非常に小さい場合には測定がとても困難である。Utilizing Cecil Drop Contact Angle Method to Determine Hydrophobicity of Wafer Surface When using a microsyringe, pour a small drop of DI water onto the sea urchin/X- wear. When the water droplet stops spreading, the surface of the wafer and the base of the water droplet (bx measure the angle between the tangent to se). This is the advancing angle (advxncing It is called 'alley'. Tilt the wafer or pour water until the water drops move. By pulling back to the microsyringe, the retraction angle (+eceding a ngle) is also measured. When the end of the water droplet starts to retreat, water removal (vatξr umoval) and calculate the angle between the surface of the wafer and the tangent to the base of the droplet. Measure. Retraction angles are very difficult to measure when the angles are very small.

しかし、角度が小さいということは表面が非常に親水性に富んでおり、疎水性で はないことを示している。However, a small angle means that the surface is highly hydrophilic and hydrophobic. It shows that there is no

〔図面の簡単な説明〕[Brief explanation of the drawing]

図1は、シリコンウェハーに対するこの発明による運搬用ポリプロピレンコンテ ナを示す図である。 Figure 1 shows a polypropylene container for transporting silicon wafers according to the present invention. FIG.

図2は、図1の運搬用ポリプロピレンコンテナを成形するときに使用されるポリ マの重合及び洗浄を示すフローチャートである。Figure 2 shows the polypropylene used in molding the polypropylene shipping container of Figure 1. 2 is a flowchart showing polymerization and washing of polymer.

図3は、その表面が洗浄されていて親水性であり、脱イオン水が表面上に広がっ ているシリコンウェハーの一つを示す斜視図である。Figure 3 shows that the surface is cleaned and hydrophilic, and deionized water spreads over the surface. FIG. 2 is a perspective view showing one of the silicon wafers.

図4は、図3のシリコンウェハーの側部立面図であり、ウェハーの親水性に富ん だ表面上に均一に広がった脱イオン水を示している。Figure 4 is a side elevational view of the silicon wafer of Figure 3, showing that the wafer is highly hydrophilic. It shows deionized water spread evenly over the surface.

図5は、少なくとも部分的に疎水性であり表面上に脱イオン水の水滴が形成され ているような表面を有するシリコンウェハーの斜視図である。Figure 5 shows that deionized water droplets are formed on a surface that is at least partially hydrophobic. 1 is a perspective view of a silicon wafer having a surface that looks like

図6は図5のウェハーの立面図であり、ウェハーの表面上に水滴を形成している 水を示している。FIG. 6 is an elevational view of the wafer of FIG. 5 with water droplets forming on the surface of the wafer. It shows water.

図7は、試料ウェハーを洗浄するのに有用な酸素プラズマ洗浄装置と、ポリプロ ピレン樹脂の疎水性の影響をチェックするための改善された方法に使用される他 の装置を示す図である。Figure 7 shows an oxygen plasma cleaning device useful for cleaning sample wafers and a polypropylene Others used in an improved method to check the hydrophobic effects of pyrene resins FIG.

図8は、貯蔵されているウェハーに対して樹脂が与える疎水性の影響を決定する ために、ウェハーをポリプロピレン樹脂にさらすために使用される閉じられたク リーンなジャーを示す図である。Figure 8 determines the hydrophobic impact of resin on stored wafers A closed cage used to expose the wafer to polypropylene resin Figure 2 shows a lean jar.

図9は、シリコンウェハーに対してポリプロピレンが与える疎水性の影響をチェ ックするための改善された方法に使用されるセシルドロップコンタクト角度測定 法を示す図である。Figure 9 shows the effect of hydrophobicity of polypropylene on silicon wafers. Cecil Drop Contact Angle Measurement Used for Improved Method for FIG.

〔詳細な説明〕[Detailed explanation]

ウェハー貯蔵装置9はウェハーを運搬するためのポリプロピレン製の外側のコン テナ10を有する。外側コンテナの重要な部材はりセブタクル11とカバー12 である。リセプタクル11とカバー12はジヨイント13においてしっかりと一 体に係合している。ジヨイント13はその上に接着剤を有するテープによってシ ールされており、コンテナの内部はコンテナ外側の周囲状態から密閉され隔絶さ れている。これとは違って、カバー12はラッチ機構を用いてリセプタクル11 上へ保持されてもよい。コンテナ10は射出成形によって全体がポリプロビレ  ンから形成されている。ポリプロピレンは非常に透明であり、従ってコンテナ内 部の物体はコンテナの壁を介して目でみることができる。 The wafer storage device 9 has an outer container made of polypropylene for transporting wafers. It has a tena 10. Important parts of the outer container: beam septacle 11 and cover 12 It is. Receptacle 11 and cover 12 are firmly aligned at joint 13. engaged with the body. The joint 13 is sealed by tape with adhesive on it. The inside of the container is sealed and isolated from the surrounding conditions outside the container. It is. Alternatively, the cover 12 can be attached to the receptacle 11 using a latching mechanism. May be held on top. The container 10 is made entirely of polypropylene by injection molding. It is formed from Polypropylene is very transparent and therefore inside the container The objects in the container are visible through the walls of the container.

コンテナ10は内部コンテナあるいはウェハーキャリヤ14を収容している。Container 10 contains an inner container or wafer carrier 14.

ウェハーキャリヤ14は多数の、一般的には25個の、シリコンのウニノ\−1 5を貯蔵している。ウェハーキャリヤ14もコンテナ10がそれから成形されて いるのと同じポリプロピレンから成形されている。他の類似のウェハーキャリヤ 14はテフロン(Teflam) P F A、あるいはペルフルオロアルコキ シとしても知られている材料、もしくはポリエチレンなどの他の材料から成形さ れていてもよいが、ポリプロピレン製のコンテナ10にはおそらく使用されない であろう。The wafer carrier 14 includes a large number, typically 25, silicon wafer carriers. 5 is stored. Wafer carrier 14 and container 10 are then formed. It is molded from the same polypropylene as the original. Other similar wafer carriers 14 is Teflon PFA or perfluoroalkoxy molded from other materials such as polyethylene or polyethylene. may be used, but is probably not used for polypropylene containers10. Will.

個々のウェハーは互いに位置を揃えた状態で側部同士並べられている。ウェハー は複数の分離用の歯あるいはウェブ16によって互いに分離されている。ウェブ 16はウェハーキャリヤ14の側壁にウェハーキャリヤ14と一体化されて形成 されている。歯あるいはウェブ16は各ウェハー15が隣接するウェハーと係合 しないようにしており、キャリヤ中でのウェハーの動きを最小限に抑えている。The individual wafers are placed side by side in alignment with each other. wafer are separated from each other by a plurality of separating teeth or webs 16. web 16 is formed integrally with the wafer carrier 14 on the side wall of the wafer carrier 14. has been done. Teeth or webs 16 allow each wafer 15 to engage an adjacent wafer. This minimizes wafer movement within the carrier.

ウェハーキャリヤ14にはウェブ16が設けられており、ロボットによってキャ リヤを処理しやすくなっている。ウェハーキャリヤ14の上部17は開口してお り、キャリヤを運搬用のコンテナ10から取り出すときのウェハーの挿入あるい は取り出しを容易にしている。底部18も開口しており、ウェハー15に対する 処理液を流せるようになっている。一般にキャリヤの側壁19にも、ウェハーを 処理するときに液体や気体を流せるようにするためのスロットが設けられている 。The wafer carrier 14 is provided with a web 16, which is moved by the robot. It is easier to handle the rear. The upper part 17 of the wafer carrier 14 is open. wafer insertion or removal when the carrier is removed from the shipping container 10. makes it easy to take out. The bottom part 18 is also open, and the bottom part 18 is open to the wafer 15. Processing liquid can be flowed through. Generally, the side walls 19 of the carrier are also coated with wafers. Slots are provided to allow liquid or gas to flow during processing. .

ウェハーキャリヤ14は米国特許第4.949.1148号あるいは第3.96 1.877号に開示されているウェハーキャリヤや、他の類似した市販のキャリ ヤのような構造を有する。Wafer carrier 14 is described in U.S. Pat. No. 4.949.1148 or 3.96. 1.877 or other similar commercially available carriers. It has a ya-like structure.

下部あるいはりセプタクル11及びカバー12は完全に閉じられており、コンテ ナ10の内部へ液体や気体が流入したり内部から流出したりしないようになって いることに留意すべきである。The lower part or receptacle 11 and cover 12 are completely closed and the container This prevents liquid or gas from flowing into or out of the na 10. It should be noted that there are

ウェハー15を貯蔵するとき、ウェハーはりセプタクル11の内側表面にさらさ れており、コンテナの壁からアウトガスが生じる。運搬用コンテナはカバー12 に形成された、あるいはカバー12に取付けられたクッション装置を有する。When the wafer 15 is stored, the inner surface of the wafer beam receptacle 11 is exposed. outgassing occurs from the container walls. The transport container has cover 12 The cover 12 has a cushioning device formed in the cover 12 or attached to the cover 12.

クッション装置20はウェハー15と係合して下方へ押さえつけており、ウェハ ーをウェハーキャリヤ14の中で保持している。The cushion device 20 engages with the wafer 15 and presses it downward, and the wafer is held in a wafer carrier 14.

コンテナ10及びウェハーキャリヤ14を成形するのに好ましい材料は、二重に ディアッシュされた、酸化防止剤/オゾン割れ防止剤及びフローエン/為ンサと 、好ましくは透明化剤をも含んだランダムコポリマポリプロピレンである。これ とは違って、材料として酸化防止剤/オゾン割れ防止剤とフローエンノ\ンサを 含んだ二重にディアッシュされたホモポリマを使ってもよい。Preferred materials for forming container 10 and wafer carrier 14 are Diashed antioxidant/antiozonant and fluorene/tamensa , preferably a random copolymer polypropylene that also contains a clarifying agent. this Unlike , antioxidants/ozone inhibitors and fluorocarbons are used as materials. A doubly deashed homopolymer may also be used.

二重にディアッシュされたランダムコポリマポリプロピレンあるいは二重にデ疎 水性を最も起こしにくいことがわかっている。ランダムコポリマポリプロピレン は本来透明であり、耐衝撃性を有している。これらの性質は運搬用コンテナにと って重要である。こうした特徴は、堅固さに劣り透明性や耐衝撃性にも劣るホモ ポリマに比べてかなり優れていると考えられるが、多くの場合において決定的に 重要なことではない。Double deashed random copolymer polypropylene or double deashed random copolymer polypropylene It is known that it is the least likely to cause aqueous reactions. random copolymer polypropylene is naturally transparent and has impact resistance. These properties are suitable for shipping containers. That's important. These characteristics are due to homogeneous materials, which are less solid, less transparent, and have less impact resistance. It is considered to be considerably superior to polymers, but in many cases it is not decisive. It's not important.

ランダムコポリマはポリプロピレン基本構造(backbonelへとランダム に重合されたエチレンのモノマを有する。ランダムコポリマは以下の繰り返し単 位(uni)を有する。Random copolymer is a polypropylene basic structure (random to backbone) It has an ethylene monomer polymerized to Random copolymers consist of the following repeating units: It has a unique position (uni).

ここに、”X”は90%以上のリンクを有する。ランダムコポリマ樹脂のエチレ ン含有量は2.2〜2.8%である。Here, "X" has more than 90% links. Etile of random copolymer resin The content is between 2.2 and 2.8%.

二重にディアッシュされたポリプロピレンは最も透明なポリプロピレン樹脂の一 つと考えられている。これは、ディアッシュ処理によって、オリゴマやアタクチ ックポリプロピレン、重合化触媒が取り除かれ、アイソタクチックポリプロピレ ンとして知られる所望のプロピレンが残るからである。アイソタクチックポリプ ロピレンは以下のような立体配置(iteric orienlxlion)を 有する。Double deashed polypropylene is one of the clearest polypropylene resins. It is thought that there is one. This process removes oligomers and attaches. The polymerization catalyst is removed and the isotactic polypropylene is This is because the desired propylene, known as carbon, remains. isotactic polyp Lopyrene has the following steric configuration (iteric orienlxlion) have

取り除かれるオリゴマはほとんどモノマ単位を持たない化合物である。取り除か れるアククチツクポリプロピレンは非常に軟らかく、ねばねばした材料であり、 接着剤(glue)に使用される。アタクチックポリプロピレンは以下のような 特定の立体配置を有するモノマ単位を有する。The oligomers that are removed are compounds with almost no monomeric units. Should I remove it? The sticky polypropylene produced is a very soft and sticky material. Used for adhesives. Atactic polypropylene is as follows Contains monomer units with a specific steric configuration.

ポリプロピレンに対する前述した立体配置の両方において、RはCH,のグルー プを表している。ディアッシュ処理によって重合化触媒も取り除かれる。この触 媒は、ある種のポリプロピレンを重合するときに用いられる最近開発された高活 性の触媒と比べると古いスタイルの触媒である。高活性触媒ポリプロピレンは重 合化を行ったあと、望ましくない触媒や、アタクチック材料、そしてアウトガス を生じるオリゴマなどの他の材料を取り除くために洗浄を行えば使用できるかも しれない。In both of the configurations described above for polypropylene, R is a group of CH, It represents the The polymerization catalyst is also removed by the deash treatment. This touch The medium is a recently developed high-activity polymer used when polymerizing certain types of polypropylene. It is an old style catalyst compared to the sexual catalyst. Highly active catalyst polypropylene After the synthesis, undesirable catalysts, atactic materials, and outgassing It may be possible to use it if it is washed to remove other materials such as oligomers that cause unknown.

ここで使用されている二重にディアッシュされたランダムコポリマポリプロピレ ンは、溶媒洗浄剤からの揮発性物質をある程度その中に含んでいるが、これらの 化合物は分子量が十分に小さく、また十分に揮発性に富んでいるため、ウニノ\ −上で再凝結して疎水性を生じることはない。ポリマの洗浄は、取り除かれる触 媒が役に立たない(ol +or++)酸化金属アッシュ(xsh)であるため 、ディアッシング(dcashinglと呼ばれる。重合化されるポリプロピレ ンを生成するときには高いアッシュ含有量とアタクチック含有量のために、ディ アッシングを行う必要がある。二重のディアッシングは、ポリプロピレンを洗浄 プロセスの中に二重通す工程を有する。ディアッシュされたポリプロピレンは、 疎水性化合物のレベルが低いことに加えて微量金属のレベルも低い。金属は半導 体産業においては汚染物質と考えられるため、このことは有益である。Double deashed random copolymer polypropylene used here contain volatiles from solvent detergents to some extent; Since the compound has a sufficiently small molecular weight and is sufficiently volatile, it is - not recondensed on top to create hydrophobicity. Washing the polymer removes the Because the medium is useless (ol +or++) oxidized metal ash (xsh) , deashing (called dcashingl) Polypropylene that is polymerized Due to the high ash content and atactic content when producing It is necessary to perform ashing. Double deashing washed polypropylene It has a double pass step in the process. Deashed polypropylene is In addition to low levels of hydrophobic compounds, there are also low levels of trace metals. Metal is a semiconductor This is beneficial since it is considered a pollutant in the industrial industry.

かなり透明ではあるがランダムコポリマはこの状況で使用するには透明性が十分 でないため、コンテナ10へ成形されるポリプロピレンに゛は透明化剤を使用す ることが望まれる。透明化剤はポリプロピレンを結晶化し、光学的に透明にする 。Although fairly transparent, random copolymers are transparent enough to be used in this situation. Therefore, it is necessary to use a clarifying agent in the polypropylene molded into the container 10. It is hoped that Clarifying agents crystallize polypropylene and make it optically clear. .

透明化剤はソルビトール°をベースとした材料であることが好ましく、糖の基本 構造とベンズアルデヒド誘導体(derinttve 1ppendxfe)を 有する。The clarifying agent is preferably a sorbitol-based material, which is a basic sugar Structure and benzaldehyde derivative (derinttve 1ppendxfe) have

透明化剤はミツイ(Mtlsui) N C4として知られているものが好まし い。ミツイNC4は非常に透明な材料である。透明化剤は非常に低いレベルで使 用されることが好ましく、1.5o(lpp■プラスマイナス15%であること が好ましい。透明化剤をこのように極力小さい充填レベル(iosdi11!1 evel)に抑えることによって、貯蔵されているウェハーに対するポリプロピ レンの疎水性の影響を減らすことに寄与できると考えられる。透明化剤の充填レ ベルはloo〜3.QOOppl++の範囲にあるけれども、そのレベルは通常 は2.500ppmであることを考えると、この充填レベルの小さいことが理解 できる。The clarifying agent is preferably known as Mtlsui NC4. stomach. Mitsui NC4 is a very transparent material. Clarifying agents should be used at very low levels. It is preferable to use 1.5o (lpp is preferred. The clarifying agent is thus added to the lowest possible filling level (iosdi11!1 polypropylene on stored wafers. It is thought that this can contribute to reducing the influence of hydrophobicity of Ren. Clearing agent filling level The bell is loo~3. Although it is in the range of QOOppl++, the level is usually Considering that is 2.500 ppm, it is understood that this filling level is small. can.

ミツイNC4という材料の構造は以下の通りである。The structure of the material Mitsui NC4 is as follows.

誘導体 ソルビトール 糖−基本構造 酸化防止剤/オゾン割れ防止剤(以下では酸化防止剤と呼ぶ)をポリプロピレン に添加することによって、ポリマの鎖が切れて材料が脆くなることを防止する。Derivative Sorbitol Sugar - basic structure Antioxidants/antiozonants (hereinafter referred to as antioxidants) are added to polypropylene. This prevents the polymer chains from breaking and making the material brittle.

、選択候補としての酸化防止剤は数多くあるが、好ましい酸化防止剤はエチル・ コーポレーション(!1byI Corps、riHonl によって製造され ているエタノックス(E[huoz) 330である。技術的には、エタノック ス330は、1、 3. 5−)リスチル−2,4,6−)リス(3,5−ジー tert−ブチルー4−ハイドロキシルベンジル) ベンジンから構成されてい る。この酸化防止剤は高分子量のヒンダードフェノール化合物であり、亜リン酸 塩を含まない。リンは半導体の強いドーパントでありウェハー上にアウトがスさ れると非常に好ましくない酸化防止剤副産物であるため、亜リン酸塩をなくすこ とが望ましい。酸化防止剤の好ましい充填レベルは約1.000ppmプラスマ イナス15%である。このレベルはポリプロピレンの製造における酸化防止剤に 対する充填レベルの最小範囲である。ある場合においては充填レベルは250P Pfflから4.0OOppmという広い範囲にわたるけれども、一般的には酸 化防止剤は1、000ppmから2.500ppmのレベル範囲で充填される。Although there are many antioxidants to choose from, the preferred antioxidant is ethyl. Manufactured by Corporation (!1byI Corps, riHonl) It is Ethanox (E [huoz) 330. Technically, Eternoc The step 330 includes 1, 3. 5-) Listyl-2,4,6-) Listile (3,5-G Consists of benzine (tert-butyl-4-hydroxybenzyl) Ru. This antioxidant is a high molecular weight hindered phenolic compound and is Contains no salt. Phosphorus is a strong dopant in semiconductors, and it is difficult to get out on the wafer. Eliminating phosphites is a highly undesirable antioxidant by-product. is desirable. The preferred loading level of antioxidant is about 1.000 ppm plasma. This is a minus 15%. This level is used as an antioxidant in the production of polypropylene. This is the minimum range of filling levels for In some cases the filling level is 250P Generally, acid The inhibitor is loaded at levels ranging from 1,000 ppm to 2,500 ppm.

好ましいものではないが、使用できる他の酸化防止剤としてはチバ・ガイギ(C hibs Geigg)によって製造されているイルガノックス(Irgino x> 1010がある。この酸化防止剤は技術的には テトラキス(メチレン) [3,5−ジーtert−ブチルー4−ハイドロオキ シハイドロシンナメイト)]メタン で表される。コンテナ10を成形するのに利用されるポリプロピレンは大部分の ポリプロピレンと同様にフローエンハンサ添加物を含む。最も一般的なフローエ ンハンサであるステアリン酸カルシウムがコンテナ10のポリプロピレンに使用 されている。コンテナlOに対するこの発明のポリプロピレンにおける充填レベ ルは約1100ppプラスマイナス15%に設定されていて、ポリプロピレンか らアウトガスされる材料の汚染可能性を最小限に抑えつつ、一方では十分なフロ ー特性を与えている。この充填レベルは、一般の充填レベルが約250ppmで あり、そうでない場合には充填レベルは1. HOppのまでの範囲のフローエ ンハンサであることを考えると、非常に小さいものであることがわかる。ステア リン酸カルシウムはこの発明のポリプロピレン化合物におけるフローエンハンサ の好ましい形であると考えられる。Other antioxidants that can be used, although not preferred, include Ciba Geigi (C Irganox (Irgino) manufactured by Hibs Geigg There is x>1010. This antioxidant is technically Tetrakis (methylene) [3,5-di-tert-butyl-4-hydroxy cyhydrocinnamate)] methane It is expressed as The polypropylene used to form the container 10 is mostly Contains flow enhancer additives as well as polypropylene. The most common floe Calcium stearate is used in polypropylene container 10. has been done. Filling level in polypropylene of this invention for container lO The color is set to about 1100pp plus or minus 15%, and it is polypropylene. while minimizing the potential for contamination of materials outgassed from – giving characteristics. This filling level is about 250 ppm, which is the general filling level. Yes, otherwise the filling level is 1. Floae range up to HOpp Considering that it is a 3D filter, it can be seen that it is very small. steer Calcium phosphate is a flow enhancer in the polypropylene compounds of this invention. This is considered to be the preferred form.

ポリプロピレンに添加される他の添加物はコンテナ10のポリプロピレンでは用 いないことが好ましい。こうした他の添加物はUVスタビライザや熱スタビライ ザなどであり、紫外線にさらされる材料の使用寿命を伸ばすものである。最も一 般的な紫外線照射源は太陽や蛍光灯であり、その中にUVスタビライザを含まな いような透明あるいは半透明のポリプロピレンは、長期間にわたって紫外線にさ らされると脆くなる。コンテナ10のこうした使い方は想定されておらず、従っ て汚染の可能性のある添加物は避ける。Other additives added to polypropylene are not used in polypropylene in container 10. Preferably not. These other additives are UV stabilizers and thermal stabilizers. and extend the service life of materials exposed to ultraviolet light. most one Common sources of UV irradiation are the sun and fluorescent lights, which do not include UV stabilizers. Transparent or translucent polypropylene should not be exposed to ultraviolet light for long periods of time. It becomes brittle when exposed to stress. This use of container 10 is not intended and must be followed. Avoid additives that may cause contamination.

ホモポリマボリプロヒッンを作製するときには、重合反応炉(po17+uri zationreacted)に供給されるモノマからエチレンを除く。しかし 、透明化剤を添加しないことを除いては図2に示されているプロセス工程をすべ て行う。量についてはランダムコポリマポリプロピレンに対して示したものと同 じである。When producing homopolymer polyprohin, a polymerization reactor (po17 + uri zation reacted). but , all the process steps shown in Figure 2 were followed except that no clarifying agent was added. I will do it. The amounts are the same as those shown for the random copolymer polypropylene. It is the same.

要約すると、ポリプロピレンコンテナの中に貯蔵されたウェハーに対する疎水性 の影響が極めて小さいようなポリプロピレンはこれまでこうしたコンテナには使 用されていなかった。また、このポリプロピレンは従来の他のポリプロピレンと 比べてかなり改善されている。これは、透明化剤やフローエンハンサを非常に少 なく抑えていることや、コンテナの中に貯蔵されているウェハーの表面上におけ る親水性を改善し疎水性を抑えるために、新しい樹脂ではエタノックス330を 使用しているためである。In summary, hydrophobic properties for wafers stored in polypropylene containers Until now, polypropylene, which has a very low impact on was not used. In addition, this polypropylene is different from other conventional polypropylenes. It's much improved compared to that. This requires very little clarifying agent or flow enhancer. The surface of the wafers stored in the container must be In order to improve the hydrophilicity and suppress the hydrophobicity, the new resin uses Ethanox 330. This is because it is used.

図2は、ジッパ、あるいは運搬用のコンテナ10を成形するときに使用されるポ リプロピレンの重合化と、ディアッシングと、乾燥と、ペレット化の一般的なプ ロセスを示している。触媒や、溶媒としてのプロパンとともに、エチレンやプロ ピレンを含むモノマを重合反応炉25の中に入れる。重合反応炉25においてポ リマは溶媒の中に懸架される。プロパンの中に懸架されたポリマを反応炉から取 り出した(drew ofilあと、プロパンを26において流す(flash  oll)。ディアッシングのために、好ましくはへブタンである溶媒が流され たポリマ固形物をディアッシング装置27の中に入れる。溶媒の中に懸架された ディアッシュされた固形物はディアッシング装置27から取り出され、フィルタ 28へ導かれる。すなわち、まずバッグフィルタへ導かれ、次にドラムフィルタ へ導かれて、固形物から液体が分離される。アタクチックポリプロピレンや触媒 、オリゴマなどの好ましくない物質が、アイソタクチックポリプロピレンのフレ ーク(目xke)からなる固形物から分離された溶媒とともに取り除かれるのは 、このフィルタにおいてである。アイソタクチックポリプロピレンのフレークは ディアッシングあるいは洗浄の第2段階29へ供給される。この段階で例えばヘ プタンなどの溶媒が追加される。ポリマフレークを含んだ溶媒を再び取り出して 、フィルタ30へ導く。FIG. 2 shows a port used when forming a zipper or shipping container 10. General processes for polymerization, deashing, drying and pelletizing of polypropylene It shows the process. Ethylene and propane are used as catalysts and propane as solvents. A monomer containing pyrene is placed in a polymerization reactor 25. In the polymerization reactor 25, Lima is suspended in a solvent. Remove the polymer suspended in propane from the reactor. After taking out (drew ofil), flush propane at 26 (flash oll). For deashing, a solvent, preferably hebutane, is flushed. The polymer solids are placed in a deashing device 27. suspended in a solvent The deashed solids are taken out from the deashing device 27 and filtered. It will lead you to 28. That is, it is first guided to the bag filter, then to the drum filter. The liquid is separated from the solids. Atactic polypropylene and catalyst , oligomers and other undesirable substances can cause What is removed along with the solvent separated from the solids consisting of , in this filter. Isotactic polypropylene flakes It is fed to a second stage 29 of deashing or cleaning. At this stage, for example A solvent such as butane is added. Take out the solvent containing the polymer flakes again and , leads to filter 30.

すなわち、まずバッグフィルタへ導き、次にドラムフィルタへ導く。このフィル タは液体と固体を分離し、アタクチックポリプロピレンや触媒、オリゴマなどの 望ましくない材料を含む溶媒を取り除く。ポリマフレークをフィルタ30から抽 出し、オーブン31へ供給する。オーブン31は残った溶媒をポリマフレークか ら取り除き、フレークをタンブル(tumble) !、て乾燥プロセスを終了 する。次に、フレークを押し出し機及びペレット装置32の中に供給するときに 、酸化防止剤や透明化剤、フローエンハンサなどの添加物を乾燥したポリマフレ ークへ添加して処理を完了する。ペレットはコンテナ10に使用するのに適した ポリプロピレンからなり、前述したようにして製造されたベレットから成形機3 3において成形される。That is, it is first led to the bag filter and then to the drum filter. This fill Separates liquids and solids, and removes atactic polypropylene, catalysts, oligomers, etc. Remove solvent containing undesirable materials. Extract the polymer flakes from the filter 30. The sample is taken out and supplied to the oven 31. Oven 31 turns the remaining solvent into polymer flakes. Remove and tumble the flakes! , to finish the drying process. do. Next, when feeding the flakes into the extruder and pellet apparatus 32 Additives such as antioxidants, clarifying agents, and flow enhancers are added to dried polymer resins. Add to the tank to complete the process. Pellets are suitable for use in containers 10 Molding machine 3 from pellets made of polypropylene and manufactured as described above. 3.

考えている種々のポリプロピレンすべてから形成された運搬用コンテナの成形を 行う必要なく、ポリプロピレンからなるコンテナを運搬することによって生じる シリコンウェハー上での疎水性を測定するための改善された方法を開発した。Molding shipping containers made from all the different types of polypropylene you can think of. caused by transporting containers made of polypropylene without the need to An improved method for measuring hydrophobicity on silicon wafers has been developed.

一般に、カバーされたガラスジャーの中に、有機汚染物質をなくすために洗浄の 行なわれたシリコンウェハーを設置する。ジャーも少なくともその内側は有機汚 染物質がないように洗浄されている。ウェハーは、ジャーの中でアルミニウムス タンドの上に支持されていることが好ましい。アルミニウムスタンドも有機汚染 物質が洗浄されている。ジャーの中にポリプロピレン樹脂を入れ、図1に示され たコンテナ10の中のウェハーを運搬したり貯蔵したりするときにさらされる温 度で、ある時間にわたって貯蔵する。暴露が終了したらウェハーをジャーから取 り出し、脱イオン水のヤシ1ルドロツプをウェハー表面上へ置く。水滴の前進コ ンタクト角度及び後退コンタクト角度を測定する。これらの角度はウェハー表面 の疎水性を示している。コンタクト角度が大きいときは疎水性が大きく親水性が 小さいことを示しており、コンタクト角度が小さいときは疎水性が小さく親水性 が大きいことを示している。Typically placed in a covered glass jar, washed to eliminate organic contaminants. Install the silicon wafer made. Jars are also free of organic contamination, at least on the inside. Cleaned free of staining substances. The wafers are made of aluminum in a jar. Preferably, it is supported on a stand. Aluminum stands also have organic contamination The substance has been cleaned. Put the polypropylene resin in the jar, as shown in Figure 1. The temperature to which the wafers are exposed during transportation and storage in the container 10 stored at a temperature for a period of time. Once the exposure is complete, remove the wafer from the jar. Remove and place a palm drop of deionized water onto the wafer surface. forward movement of water droplets Measure the contact angle and retracted contact angle. These angles are at the wafer surface shows hydrophobicity. When the contact angle is large, the hydrophobic property is large and the hydrophilic property is large. When the contact angle is small, it is less hydrophobic and more hydrophilic. It shows that is large.

次に、試験したポリプロピレンのうちウェハー表面上での疎水性が最も小さいも のを運搬用コンテナに成形して、コンテナに使用する。Next, of the polypropylenes tested, the one with the least hydrophobicity on the wafer surface was selected. Formed into a shipping container and used as a container.

さらに詳しく説明すると、図3及び図4に描かれているウェハー35のようなシ リコンのウェハーとガラスジャー36すべてをそのカバー37及びアルミニウム スタンド38とともに、図7に参照番号39で表されているタイプの市販のプラ ズマクリーナの中で酸素プラズマ洗浄する。プラズマクリーナは、参照番号40 によって表されているRF発振器とプロセスチャンバ42を排気するための真空 ポンプ41を有する。ウェハー35とガラスジャー36とカバー37をウェハー に対するアルミニウムスタンド38とともに分離して設置すると、これら物体の 表面上の有機汚染物質は洗浄される。ウェハーをこのようにして洗浄したら、少 量の脱イオン水をウェハー35の表面上に付ける。すると、この脱イオン水は図 3及び図4に示されているようにウェハー35表面上に薄いシートあるいはフィ ルム43となって広がる。More specifically, a system such as the wafer 35 depicted in FIGS. Recon wafers and glass jars 36 all with their covers 37 and aluminum Along with the stand 38, a commercially available plastic plug of the type designated by the reference numeral 39 in FIG. Oxygen plasma cleaning in a Zuma cleaner. The plasma cleaner has reference number 40 a vacuum for evacuating the RF oscillator and process chamber 42, represented by It has a pump 41. wafer 35, glass jar 36 and cover 37 When installed separately with the aluminum stand 38 against the Organic contaminants on the surface are cleaned. After cleaning the wafer in this way, A quantity of deionized water is placed on the surface of the wafer 35. Then, this deionized water is 3 and 4, a thin sheet or film is deposited on the surface of the wafer 35. It becomes Lum 43 and expands.

ウェハーを洗浄したあと、それを濡らさずに、きれいなウェハー35を取付けた きれいなアルミニウムスタンド38をガラスジャー36の中に設置し、ある量の ポリプロピレン樹脂をジャーの下部の中に入れたあと、カバー37をかぶせる。After cleaning the wafer, I installed a clean wafer 35 without getting it wet. A clean aluminum stand 38 is placed inside the glass jar 36 and a quantity of After putting the polypropylene resin into the lower part of the jar, cover it with the cover 37.

次に、閉じたジャーを例えば20時間などの適当な時間だけ、約50℃の温度で 貯蔵し、ウェハー35及び樹脂44を、ウェハーがそのあとコンテナ1oの中に 貯蔵されるときの一般的な環境にさらす。ジャー内の樹脂44はアウトガスを生 じ、ウェハー35の表面上には有機汚染物質が堆積し、疎水性(水に対する親和 性の欠如)を生じる。The closed jar is then kept at a temperature of about 50°C for a suitable period of time, e.g. 20 hours. The wafer 35 and the resin 44 are then stored in the container 1o. Exposure to the general environment in which it is stored. The resin 44 in the jar generates outgas. Similarly, organic contaminants are deposited on the surface of the wafer 35, which has a hydrophobic property (an affinity for water). (lack of sexuality).

ある時間だけウェハー35をポリプロピレン樹脂へさらしたあとでウェハー35 をガラスジャー36から取り出したら、脱イオン水の一つあるいは複数個の水滴 45をウェハー35の表面上に付ける。ウェハーの表面が疎水性であれば、図5 及び図6に示されているように水は集まって水滴を形成する。次にセシルドロッ プのコンタクト角度を測定する。前進及び後退状態におけるコンタクト角度がウ ェハー表面上の疎水性を直接に表わしている。After exposing the wafer 35 to the polypropylene resin for a certain amount of time, the wafer 35 Once removed from the glass jar 36, add one or more drops of deionized water. 45 onto the surface of wafer 35. If the wafer surface is hydrophobic, Figure 5 and the water collects to form water droplets as shown in FIG. Then Cecil Drop Measure the contact angle of the tap. The contact angle in forward and backward conditions is It directly represents the hydrophobicity on the wafer surface.

セシルドロップのコンタクト角度を測定することは一般に従来からよく知られて おり、数多くの方法によって実施することができる。コンタクト角度は、水滴の 端部における水滴の形状が水滴がその上に載っている表面に対してなす角度であ る。前進コンタクト角度は、水滴がウェハー表面上を移動あるいは前進するとき の水滴端部におけるコンタクト角度である。水滴の移動あるいは前進は、水滴の サイズが大きくなって水滴の端部が外側へ向けて移動を始めたり、水滴が載って いるウェハーを傾けるたときに重力の効果によって水滴が表面上を移動したりす るときに起きる。後退角度は、水滴の量が減りウェハー内側へ向けて移動したり 、ウェハーを傾けたときに水滴をフォロー(lollov) したりするときの 水滴のコンタクト角度である。図9においては、水滴45は非常に拡大されてい る。接線46はウェハー35の表面に対する水滴の前進端部で水滴45に接して いる。前進コンタクト角度は参照番号47で表わされている。後退コンタクト角 度48はある量の液体をマイクロシリンジ50によって水滴から取り除いたあと の、水滴45aの接線49の間の矢印で表わされている。後退コンタクト角度4 8は水滴の体積が減少し水滴の形状が図9において点線の45aになったときに 、水滴の端部がウェハー表面上を内側へ向けてちょうど移動を始めるときに測定 する。Measuring the contact angle of a Cecil drop is generally well known in the past. and can be implemented in a number of ways. The contact angle is The angle that the shape of the droplet at its edge makes with the surface it rests on. Ru. The advancing contact angle is the angle at which the water drop moves or advances over the wafer surface. is the contact angle at the droplet end. The movement or advancement of a water droplet is The size of the droplet increases and the edge of the water droplet begins to move outward, or the droplet is placed on top of the When a wafer is tilted, the effect of gravity causes water droplets to move across the surface. I wake up when I wake up. The receding angle means that the amount of water droplets decreases and moves toward the inside of the wafer. , when the wafer is tilted and the water droplets follow (roll). It is the contact angle of the water droplet. In Figure 9, the water droplet 45 is greatly enlarged. Ru. A tangent line 46 is tangent to the droplet 45 at the advancing end of the droplet to the surface of the wafer 35. There is. The forward contact angle is designated by reference numeral 47. Retraction contact angle Degree 48 is after a certain amount of liquid is removed from the water droplet by microsyringe 50. is represented by an arrow between tangents 49 of the water droplet 45a. Retraction contact angle 4 8 is when the volume of the water droplet decreases and the shape of the water droplet becomes 45a shown by the dotted line in Fig. 9. , measured when the edge of the droplet just begins to move inward over the wafer surface. do.

コンタクト角度は、マクロレンズを備えたオプティカルコンパレータあるいはカ メラによって容易に測定することができる。マクロレンズは水滴を拡大し、コン タクト角度を測定可能にしている。The contact angle can be determined using an optical comparator with a macro lens or a cover. It can be easily measured by Mela. Macro lenses magnify water droplets and The takt angle can be measured.

別の場合には、コンタクト角度は水滴の像を投影するか、あるいはゴニオメータ アイピースを備えた望遠鏡を使って測定される。また、コンタクト角度は水滴の サイズ、すなわちその直径と高さを測ることによっても測定できる。もちろん、 前進コンタクト角度あるいは後退コンタクト角度を測定するときには、水滴の振 動や変形を避けなければならない。In other cases, the contact angle may project an image of the water drop or a goniometer Measured using a telescope with an eyepiece. Also, the contact angle is It can also be measured by measuring its size, i.e. its diameter and height. of course, When measuring the advancing or receding contact angle, use a water droplet shaker. Movement and deformation must be avoided.

種々のポリプロピレンにさらされたシリコンウェハー上のDI水のセシルドロッ プのコンタクト角度を測定した結果は以下の表1の通りである。Cecil drops of DI water on silicon wafers exposed to various polypropylene The results of measuring the contact angle of the tap are shown in Table 1 below.

材 料 前進角度 後退角度 (度) (度) AA(好ましい) 10.0 0.6 A(ホモポリマ) 9.9 1.0 F 17.0 1.0 これら種々の物質へさらしたあとシリコンウェハー上の水のセシルドロップコン タクト角度を測定すると、材料はすべてウニノ1−上での疎水性がかなり小さく 、親水性が相当大きいことを示している。コンテナ10はこの明細書において好 ましい材料とされている材料AAから形成されている。材料AAは古いスタイル の触媒を用いて二重にディアッシュされたランダムコポリマである。このコポリ マは2.2から2.8%のエチレンを含有している。エタノツクス330を約1 .000ppmの充填レベルで酸化防止剤/オゾン割れ防止剤として使用した。Material Advance angle Retraction angle (degrees) (degrees) AA (preferred) 10.0 0.6 A (homopolymer) 9.9 1.0 F 17.0 1.0 Cecil drop condensation of water on silicon wafers after exposure to these various substances. When measuring the tact angle, all the materials have a fairly small hydrophobicity on Unino 1-. , indicating considerable hydrophilicity. Container 10 is preferred in this specification. It is made of material AA, which is considered to be a desirable material. Material AA is old style It is a random copolymer that is doubly de-ashed using a catalyst. This copoly Ma contains 2.2 to 2.8% ethylene. Approximately 1 ethanolox 330 .. It was used as an antioxidant/antiozonant at a loading level of 1,000 ppm.

前述した透明化剤を1.500pp−レベルで使用した。フローエンハンサであ るステアリン酸カルシウムをIOQppmの充填レベルで使用した。この好まし い材料で形成されたポリプロピレンは試験した他の材料と比べてかなり優れてい た。The clarifying agents described above were used at the 1.500 pp-level. flow enhancer Calcium stearate was used at a loading level of IOQppm. This preference Polypropylene, which is made from a thin material, performs significantly better than other materials tested. Ta.

材料Aはホモポリマ材料であり、ランダムコポリマ材料よりも堅固で脆いポリプ ロピレンに形成される。このホモポリマを二重にディアッシュし、酸化防止剤/ オゾン割れ防止剤として1.000ppmのヒンダードフェノールを使用した。Material A is a homopolymer material, with polyplasts that are stiffer and more brittle than random copolymer materials. Formed into lopyrene. This homopolymer is double de-ashed and antioxidant/ 1.000 ppm of hindered phenol was used as an antiozonant.

約1100ppのステアリン酸カルシウムをフローエンハンサとして添加した。Approximately 1100 pp of calcium stearate was added as a flow enhancer.

表1の材料Fはランダムコポリマ材料である。このランダムコポリマ材料は約2 、 SOQppmのソルビトール透明化剤と、酸化防止剤/オゾン割れ防止剤と してのl。Material F in Table 1 is a random copolymer material. This random copolymer material is approximately 2 , SOQppm sorbitol clarifying agent, antioxidant / antiozonant The l.

QOGppmのヒンダードフェノールと、2511ppmの充填レベルと見積ら れるフローエンハンサとしてのステアリン酸カルシウムという添加物を使用して おり、二重にディアッシュされている。QOG ppm of hindered phenols and estimated loading level of 2511 ppm. using an additive called calcium stearate as a flow enhancer. It is double deashed.

この発明は、貯蔵されているウニノ九−上に生じる疎水性を最小限に抑えるよう なポリプロピレンからなる、シリコンウニノ1−に対する改善された運搬用コン テナに関することがわかろう。この発明は、ポリプロピレンから形成されたキャ リヤの中に貯蔵されたシリコンウェハーへポリプロピレンが与える疎水性の影響 をチェックする改善された方法に関する。This invention aims to minimize the hydrophobicity generated on stored sea urchins. Improved conveying compound for silicone unino 1- made of polypropylene. Let's find out something about Tena. This invention features a cap made from polypropylene. Hydrophobic influence of polypropylene on silicon wafers stored in rear Concerning an improved way to check.

この発明は発明の精神及び本質から逸脱することなく、他の形で実現することが できる。従って、上述した実施例は単に説明のためのものであり、発明を制限し ない。この発明の範囲については、上述した実施例よりも添付の請求の範囲を参 照すべきである。This invention may be embodied in other forms without departing from its spirit or essence. can. Accordingly, the embodiments described above are merely illustrative and do not limit the invention. do not have. For the scope of this invention, please refer to the appended claims rather than the embodiments described above. should be looked into.

FIG、 8 要 約 シリコンウェハーに対する運搬用コンテナである。このコンテナは、エチレンを できる限り少なくし、また酸化防止剤/オゾン割れ防止剤としての添加物である 高分子量のヒンダードフェノールの量をできる限り少なくし、さらに透明化剤や フローエンハンサの量をできる限り少なくした二重にディアッシュされたランダ ムコポリマからなるポリプロピレンから形成されている。貯蔵されている半導体 ウェハーに対してポリプロピレンが与える疎水性の影響を測定する試験方法には 、試料ウェハーから有機汚染を洗浄し、ガラスジャーの内側及びガラスジャーの カバーと、ウェハーを保持するスタンドから有機汚染を洗浄する段階と、ウェハ ーをジャーの中である時間だけポリプロピレンに高温状態でさらす段階と、種々 のポリプロピレンにさらされたシリコンウェハーの表面上でDI水のセシルドロ ップコンタクト角度を測定する段階とを有し、最小の水滴コンタクト角度が、ウ ェハーに対してポリプロピレンが与える疎水性の影響を表している。FIG.8 summary This is a shipping container for silicon wafers. This container holds ethylene. Minimize it as much as possible, and use it as an antioxidant/antiozonant. The amount of high molecular weight hindered phenol should be minimized, and the amount of clarifying agent and Double deashed lander with as little flow enhancer as possible It is formed from polypropylene, which is a mucopolymer. semiconductors in storage A test method for measuring the hydrophobic effect of polypropylene on wafers includes , clean the organic contamination from the sample wafer and clean the inside of the glass jar and the inside of the glass jar. A step of cleaning organic contamination from the cover and the stand holding the wafer; - exposed to polypropylene at high temperature for a certain period of time in a jar, and various other steps. of DI water on the surface of a silicon wafer exposed to polypropylene. and measuring the droplet contact angle, and the minimum water droplet contact angle is It shows the hydrophobic influence of polypropylene on the wafer.

国際調査報告international search report

Claims (25)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.ウエハー収容用コンテナを有し、前記コンテナがその中に少なくとも一つの ウエハーを保持するための装置を有し、前記コンテナが二重にディアッシュされ たポリプロピレンから成形されており、前記ポリプロピレンに酸化防止剤/オゾ ン割れ防止剤とフローエンハンサが添加されているウエハー貯蔵装置。1. a container for accommodating wafers, said container having at least one wafer therein; It has a device for holding the wafers and the container is double deashed. It is molded from polypropylene, and the polypropylene is coated with antioxidant/ozone. Wafer storage device with added anti-crack agent and flow enhancer. 2.前記二重にディアッシュされたポリプロピレンがランダムコポリマポリプロ ピレンからなる請求の範囲第1項記載のウェハー貯蔵装置。2. The double deashed polypropylene is a random copolymer polypropylene. The wafer storage device of claim 1 comprising pyrene. 3.前記二重にディアッシュされたポリプロピレンがホモポリマポリプロピレン からなる請求の範囲第1項記載のウエハー貯蔵装置。3. The double deashed polypropylene is homopolymer polypropylene A wafer storage device according to claim 1, comprising: 4.前記二重にディアッシュされたポリプロピレンが透明化剤も添加されている ランダムコポリマポリプロピレンからなる請求の範囲第1項記載のウエハー貯蔵 装置。4. The double de-ashed polypropylene is also added with a clarifying agent. Wafer storage according to claim 1, consisting of a random copolymer polypropylene. Device. 5.前記ウエハーを保持するための装置がポリプロピレンから成形されたウエハ ーキャリヤ部を有し、前記ポリプロピレンが酸化防止剤/オゾン割れ防止剤及び フローエンハンサが添加された二重にディアッシュされたポリプロピレンからな る請求の範囲第1項記載のウエハー貯蔵装置。5. A wafer in which the device for holding the wafer is molded from polypropylene. - has a carrier part, and the polypropylene contains an antioxidant/antiozonant and Made from double deashed polypropylene with added flow enhancer. A wafer storage device according to claim 1. 6.前記二重にディアッシュされたランダムコポリマが洗浄工程に二度通される 請求の範囲第1項記載のウエハー貯蔵装置。6. The double deashed random copolymer is passed through a washing process twice. A wafer storage device according to claim 1. 7.前記ランダムコポリマのエチレン含有量が2.2%〜2.8%の範囲である 請求の範囲第1項記載のウエハー貯蔵装置。7. The random copolymer has an ethylene content in the range of 2.2% to 2.8%. A wafer storage device according to claim 1. 8.前記ポリプロピレンが古いタイプの触媒を利用して重合化され、そのあと二 度ディアッシュされる請求の範囲第1項記載のウエハー貯蔵装置。8. The polypropylene is polymerized using an old type of catalyst and then The wafer storage device according to claim 1, wherein the wafer storage device is de-ashed. 9.前記透明化剤がソルビトールをベースとした材料であり、この材料が糖を基 本構造とし、ベンズアルデヒド誘導体を有する請求の範囲第4項記載のウエハー 貯蔵装置。9. The clarifying agent is a sorbitol-based material, and this material is a sugar-based material. The wafer according to claim 4, which has this structure and has a benzaldehyde derivative. Storage device. 10.前記透明化剤が約1,500ppmの充填レベルを有する請求の範囲第9 項記載のウエハー貯蔵装置。10. Claim 9, wherein said clarifying agent has a loading level of about 1,500 ppm. The wafer storage device described in Section 1. 11.前記酸化防止剤/オゾン割れ防止剤が高分子量のヒンダードフェノール化 合物である請求の範囲第1項記載のウエハー貯蔵装置。11. The antioxidant/antiozonant is a high molecular weight hindered phenol. The wafer storage device according to claim 1, wherein the wafer storage device is a compound. 12.前記酸化防止剤/オゾン割れ防止剤が約1,000ppmの充填レベルを 有する請求の範囲第11項記載のウエハー貯蔵装置。12. The antioxidant/antiozonant has a loading level of about 1,000 ppm. A wafer storage device according to claim 11. 13.前記酸化防止剤/オゾン割れ防止剤がユダノツクス(Ethanox)3 30である請求の範囲第1項記載のウエハー貯蔵装置。13. The antioxidant/antiozonant is Ethanox 3. 30. The wafer storage device according to claim 1, wherein the wafer storage device is 30. 14.前記フローエンハンサがステアリン酸カルシウムである請求の範囲第1項 記載のウエハー貯蔵装置。14. Claim 1, wherein the flow enhancer is calcium stearate. The wafer storage device described. 15.前記フローエンハンサが約100ppmの充填レベルを有する請求の範囲 第14項記載のウエハー貯蔵装置。15. Claims wherein said flow enhancer has a fill level of about 100 ppm. 15. The wafer storage device according to item 14. 16.開くことが可能な閉じた堅固な外側コンテナ部と、この外側コンテナ部の 中に収容されている内側コンテナ部とを有し、前記内側コンテナ部がその中に少 なくとも一つのシリコンウエハーを保持しており、前記外側コンテナ部及び内側 コンテナ部がポリプロピレンモノマからなるポリプロピレンから成形され、前記 ポリプロピレンモノマが触媒を使用して重合化され、得られたポリマがそのあと 二度洗浄されて、有害な触媒やアウトガスを生じたりウエハーの汚染や疎水性を 生じたりする他の材料が取り除かれ、前記ポリプロピレンが酸化防止剤とフロー エンハンサも添加されていて、コンテナの中に貯蔵されているウエハーを汚染し たり疎水性を生じたりするようなことができる限り少なくなっているウェハー用 シッパ。16. A closed solid outer container part that can be opened and a an inner container portion housed therein, said inner container portion having a small amount therein; holding at least one silicon wafer, said outer container portion and said inner container portion; The container part is molded from polypropylene made of polypropylene monomer, and Polypropylene monomer is polymerized using a catalyst and the resulting polymer is then The wafers are cleaned twice, producing harmful catalysts and outgassing, and contaminating the wafers and making them hydrophobic. The resulting polypropylene is freed from antioxidants and other materials are removed. Enhancers are also added to prevent contamination of wafers stored in containers. For wafers that have as little as possible Shippa. 17.前記ポリプロピレンモノマがエチレンが添加されたランダムポリプロピレ ンからなり、このポリプロピレンにさらに透明化剤が添加されている請求の範囲 第16項記載のウエハー用シッパ。17. The polypropylene monomer is random polypropylene added with ethylene. polypropylene, and a clarifying agent is further added to this polypropylene. The sipper for wafers according to item 16. 18.前記ポリプロピレンモノマがホモポリプロピレンからなる請求の範囲第1 6項記載のウエハー用シッパ。18. Claim 1, wherein the polypropylene monomer comprises homopolypropylene. The sipper for wafers described in item 6. 19.シリコンウエハー上の疎水性を測定するための改善された方法であって、 ウエハー表面に対してセシルドロップ角度測定を行なう段階を有し、この測定を 行なう段階が、ウエハーの表面上に脱イオン水を置く段階と、水滴の一部をウエ ハー表面部分で前進させて、水滴の一部が前進を始める直前にこの水滴がウェハ ー表面との接触点においてウエハー表面に対して前進コンタクト角度を形成する ような形をとらせる段階と、ウエハー表面上の疎水性を表わす前記コンタクト角 皮を測定する段階とを有するような方法。19. An improved method for measuring hydrophobicity on silicon wafers, comprising: The method includes the step of performing a Cecil drop angle measurement on the wafer surface. The steps involved are placing deionized water on the surface of the wafer and discharging some of the water droplets onto the wafer. The water droplets are moved forward on the surface of the wafer, and just before some of the water droplets begin to advance, the water droplets are - forms a forward contact angle to the wafer surface at the point of contact with the surface and the contact angle representing hydrophobicity on the wafer surface. and measuring the skin. 20.前記水滴の一部をウエハー表面上で前進させる段階が、ある量の水を水滴 へ追加して水滴を落ち着かせる段階を有する請求の範囲第19項記載の方法。20. The step of advancing a portion of the water droplet onto the wafer surface may include moving a certain amount of water onto the wafer surface. 20. The method of claim 19, further comprising the step of adding water to settle the water droplets. 21.前記水滴の第2の部分をウエハー表面と接触している水滴の端部から離れ る方向に後退させ、前記水滴の第2の部分に対してこの部分が後退を始める直前 に前記水滴の端部においてウエハー表面に対して後退コンタクト角度を形成する ような形をとらせ、さらにウエハー表面の疎水性を表わす量として前記後退コン タクト角度が測定される請求の範囲第19項記載の方法。21. The second portion of the water droplet is moved away from the end of the water droplet that is in contact with the wafer surface. immediately before this part starts to retreat with respect to the second part of the water droplet. forming a receding contact angle with the wafer surface at the end of the water droplet. In addition, the regression condenser is used as a quantity representing the hydrophobicity of the wafer surface. 20. The method of claim 19, wherein the takt angle is measured. 22.閉じたコンテナヘと成形されるポリプロピレン樹脂が、前記コンテナの中 に貯蔵されるシリコンウエハーに対して与える疎水性の影響を測定するための改 善された方法であって、 試料シリコンウエハーの表面部分から有機汚染を洗浄する段階と、その中にウエ ハーを収容できるガラスジャーの内側とジャーのクロージャから有機汚染を洗浄 する段階と、 前記ジャーの中にポリプロピレン樹脂の粒子を挿入し、ウエハーをポリプロピレ ン樹脂の粒子がない状態でジャーの中に保持し、ジャーを閉じる段階と、ジャー と、ウエハーと、ポリプロピレン樹脂の粒子をある時間だけ加熱して、閉じたコ ンテナの中のウエハーの貯蔵状態をシミュレートする段階と、そのあとにウエハ ーに対してポリプロピレンが及ぼす疎水性の影響を表わす量として、ウエハー上 の脱イオン水の水滴の前進コンタクト角度及び後退コンタクト角度に対してセシ ルドロップ角度測定を行なう段階と、を有する方法。22. A polypropylene resin molded into a closed container is placed inside said container. A modification to measure the effect of hydrophobicity on silicon wafers stored in It is an improved method, A step of cleaning organic contamination from the surface portion of the sample silicon wafer and Cleaning organic contamination from the inside of a glass jar and the jar closure that can contain and the step of Insert polypropylene resin particles into the jar and place the wafer in the polypropylene resin. a step of keeping the resin particles free in the jar and closing the jar; Then, the wafer and polypropylene resin particles are heated for a certain period of time and then closed. A step of simulating the storage condition of the wafer in the antenna, and then on the wafer as a quantity expressing the hydrophobic influence of polypropylene on For the advancing and receding contact angles of the deionized water droplet, and performing a drop angle measurement. 23.前記セシルドロップコンタクト角度を測定する段階が、ウエハーの表面上 に脱イオン水の水滴を置く段階と、水滴がウエハー表面と接触する部分において 水滴がウエハー表面に対してなす前進コンタクト角度及び後退コンタクト角度を 前記水滴の部分がウエハー部分で移動を始める時点において測定する段階とを有 する請求の範囲第22項記載の方法。23. The step of measuring the Cecil drop contact angle is performed on the surface of the wafer. placing a drop of deionized water on the wafer surface and at the point where the drop makes contact with the wafer surface. The forward and backward contact angles that a water droplet makes with the wafer surface are measuring the point at which the portion of the water droplet begins to move on the wafer portion; 23. The method according to claim 22. 24.前記ウエハー表面とジャーとクロージャから有機汚染を洗浄する段階が、 酸素プラズマ洗浄する段階を有する請求の範囲第22項記載の方法。24. cleaning organic contamination from the wafer surface and the jar and closure; 23. The method of claim 22, including the step of oxygen plasma cleaning. 25.前記シリコンウエハーから有機汚染を洗浄する段階が、ウエハーを加熱す る段階を有する請求の範囲第18項記載の方法。25. The step of cleaning organic contamination from the silicon wafer includes heating the wafer. 19. The method of claim 18, comprising the step of:
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