JPH0550429U - Drive board for light valve device - Google Patents

Drive board for light valve device

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JPH0550429U
JPH0550429U JP10003091U JP10003091U JPH0550429U JP H0550429 U JPH0550429 U JP H0550429U JP 10003091 U JP10003091 U JP 10003091U JP 10003091 U JP10003091 U JP 10003091U JP H0550429 U JPH0550429 U JP H0550429U
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JP
Japan
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adhesive
light valve
valve device
drive substrate
drive
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Application number
JP10003091U
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Japanese (ja)
Inventor
均 竹内
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セイコー電子工業株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 駆動電極及び駆動素子が形成されている単結
晶シリコン薄膜1と担体層2が常温域で硬化する接着剤
3によって貼合わされている。 【効果】 接着工程において、接着剤の硬化が常温域で
行われることにより接着剤硬化時の温度変化が少なくな
るので、シリコンと担体層の熱膨張率の違いによる駆動
基板の反りの発生を抑制できる。
(57) [Summary] [Structure] The single crystal silicon thin film 1 on which the drive electrodes and the drive elements are formed and the carrier layer 2 are bonded together by an adhesive 3 which cures at room temperature. [Effect] In the bonding process, since the curing of the adhesive is performed in the normal temperature range, the temperature change during the curing of the adhesive is reduced, so that the warpage of the driving substrate due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the silicon and the carrier layer is suppressed. it can.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は直視型表示装置や投影型表示装置等に用いられる平板型光弁装置に関 する。より詳しくは、駆動回路と画素電極群が集積的に形成された半導体薄膜基 板を用いて構成されたアクティブマトリックス型の光弁装置に関する。 The present invention relates to a flat type light valve device used for a direct view type display device, a projection type display device and the like. More specifically, the present invention relates to an active matrix type light valve device including a semiconductor thin film substrate in which a driving circuit and a pixel electrode group are integrally formed.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior Art]

アクティブマトリックス装置の原理は比較的簡単であり、各画素にスイッチ素 子を設け、特定の画素を選択する場合には対応するスイッチ素子を導通させ、非 選択時においては、スイッチ素子を非導通状態にしておくものである。個々のス イッチ素子は光弁装置を構成する半導体薄膜基板に形成されている。 The principle of the active matrix device is relatively simple. Each pixel is provided with a switch element and the corresponding switch element is made conductive when a specific pixel is selected, and the switch element is made non-conductive when not selected. It is something to keep. The individual switch elements are formed on the semiconductor thin film substrate that constitutes the light valve device.

【0003】 従来、アクティブマトリックス型の光弁装置においては、薄膜トランジスタは ガラス基板上に堆積された非晶質シリコン薄膜の表面に形成し駆動基板としてい た。これら非晶質シリコン薄膜及び多結晶シリコン薄膜は物理気相成長法または 化学気相成長法を用いてガラス基板上に容易に堆積できるので、比較的大画面の アクティブマトリックス型光弁装置を製造するのに適している。Conventionally, in an active matrix type light valve device, a thin film transistor is formed on a surface of an amorphous silicon thin film deposited on a glass substrate and used as a driving substrate. Since the amorphous silicon thin film and the polycrystalline silicon thin film can be easily deposited on the glass substrate by using the physical vapor deposition method or the chemical vapor deposition method, an active matrix type light valve device having a relatively large screen is manufactured. Suitable for

【0004】 さらに薄膜スイッチ素子の微細化及び、画素電極の高密度化を図ったアクティ ブマトリックス型光弁装置として、担体層であるガラス板の上に単結晶シリコン 薄膜層を形成する駆動基板を用いたものが提案されている。これにより投影型表 示装置等に用いる超小型高精細アクティブマトリックス型光弁装置が実現できる 。Further, as an active matrix type light valve device in which the thin film switch element is miniaturized and the pixel electrode is highly densified, a drive substrate in which a single crystal silicon thin film layer is formed on a glass plate which is a carrier layer is used. The one used is proposed. This makes it possible to realize an ultra-compact high-definition active matrix type light valve device used for projection display devices and the like.

【0005】 図9に単結晶シリコン薄膜層を持つ超高密度のアクティブマトリックス型光弁 装置を示す。図示してあるように、光弁装置は駆動基板14に対して所定の間隔 を介して対向配置された対向基板11と、前期間隔に充填された電気光学物質層 、例えば液晶層12からなる。なお、駆動基板14の表面には液晶層12に含ま れる液晶分子を配向するための配向膜13が被覆されている。駆動基板14の画 素領域に形成された個々の画素電極は対応するトランジスタ素子の導通により選 択的に励起され液晶層12に作用してその光透過特性を制御し光弁として作用す る。個々の画素電極の大きさは1μm程度であるのできわめて高精細なアクティ ブマトリックス液晶装置を得ることができる。FIG. 9 shows an ultrahigh-density active matrix light valve device having a single crystal silicon thin film layer. As shown in the figure, the light valve device comprises a counter substrate 11 facing the driving substrate 14 at a predetermined interval, and an electro-optical material layer, for example, a liquid crystal layer 12 filled in the previous period. The surface of the drive substrate 14 is covered with an alignment film 13 for aligning the liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer 12. Each pixel electrode formed in the pixel region of the driving substrate 14 is selectively excited by conduction of a corresponding transistor element and acts on the liquid crystal layer 12 to control its light transmission characteristics and act as a light valve. Since the size of each pixel electrode is about 1 μm, an extremely high-definition active matrix liquid crystal device can be obtained.

【0006】 図10は、図9の駆動基板14の拡大図である。ここで画素電極及びその駆動 素子が形成されている単結晶シリコン薄膜層10は、担体層、例えば石英ガラス 板2の上に接着されている。接着はここでは接着剤15によって行っている。 この光弁装置の駆動基板の製造工程は、単結晶シリコンウエハ表面に半導体製 造プロセスによって駆動電極、駆動回路等の各種半導体素子を形成する第1工程 (以下、第1工程により得られたウエハをICウエハと呼ぶ)と、ICウエハの 素子が形成されている面とガラス板とを接着する第2工程と、ICウエハの素子 の形成されていない面を研摩もしくは除去して単結晶シリコン薄膜層を形成する 第3工程とからなっている。FIG. 10 is an enlarged view of the drive substrate 14 shown in FIG. Here, the single crystal silicon thin film layer 10 on which the pixel electrode and its driving element are formed is bonded onto a carrier layer, for example, a quartz glass plate 2. Adhesion is performed here with an adhesive 15. The manufacturing process of the drive substrate of this light valve device is the first process of forming various semiconductor elements such as drive electrodes and drive circuits on the surface of a single crystal silicon wafer by a semiconductor manufacturing process (hereinafter, the wafer obtained by the first process). Is called an IC wafer), a second step of adhering the surface of the IC wafer on which the elements are formed to the glass plate, and the surface of the IC wafer on which the elements are not formed is polished or removed to form a single crystal silicon thin film. And a third step of forming a layer.

【0007】[0007]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

しかしながら、従来の非晶質および多結晶シリコン薄膜を用いた光弁装置の駆 動基板においては、シリコン薄膜は、直接ガラス板の上に形成されていたが、単 結晶シリコン薄膜を用いた光弁装置の駆動回路においては、上記ICウエハとガ ラス板を接着しなければならない(上記第2工程に対応、以下、接着工程と略記 する)。通常、接着には接着剤を使用する。 However, in the drive substrate of the conventional light valve device using amorphous and polycrystalline silicon thin films, the silicon thin film was formed directly on the glass plate, but the light valve using single crystal silicon thin film was used. In the drive circuit of the device, the IC wafer and the glass plate must be bonded (corresponding to the second step, hereinafter abbreviated as the bonding step). Usually, an adhesive is used for adhesion.

【0008】 接着剤を用いる接着工程においては、接着剤層は光を透過すること、接着剤層 に気泡が存在しないこと、接着剤層の厚みが均一であること、接着後に基板に反 りが生じないこと、十分な接着強度が確保されていること、後工程や使用環境に 対する耐性があること、等の品質に対する考慮が必要である。 ここで、接着工程において、接着剤を硬化させるのにともなう温度変化が大き いと、ICウエハとガラス板の熱膨張率が違うために、ICウエハとガラス板を 貼合わせて接着剤を硬化する前には反りは生じていないものが、接着剤硬化後に は、反りが発生してしまう。In the bonding step using an adhesive, the adhesive layer transmits light, there are no bubbles in the adhesive layer, the adhesive layer has a uniform thickness, and the substrate does not warp after bonding. It is necessary to consider quality such as not occurring, ensuring sufficient adhesive strength, and having resistance to post-process and usage environment. Before the adhesive is cured by bonding the IC wafer and the glass plate together, because the thermal expansion coefficient of the IC wafer and the glass plate will differ if the temperature change accompanying the curing of the adhesive is large in the bonding process. Although no warpage occurs in the, the warpage occurs after the adhesive is cured.

【0009】 図6、図7、図8は、接着剤に熱硬化型接着剤を用いたときの例を模式的に強 調して示したものである。図6において示すように、ICウエハ1の上に熱硬化 型接着剤(液体)7が塗布され、その上に石英板ガラス2が載っている光弁装置 の駆動基板は、熱硬化型接着剤(液体)7を硬化する前には反りは生じていない 。加熱時は、高温になるため図7に示すようにICウエハ1、石英ガラス板2と もに常温時に比べ膨張した状態で熱硬化型接着剤(硬化中)8が液体から固体に なっていく。接着剤硬化後に常温に戻るときには、ICウエハ1と石英ガラス板 2は収縮するが、このとき、石英ガラス板2の方がICウエハ1よりも熱膨張率 が大きいために、収縮量が大きくなる。従って常温に戻った後には、図8に示す ように光弁装置の駆動基板に反りが発生している。FIG. 6, FIG. 7, and FIG. 8 schematically show an example in which a thermosetting adhesive is used as an adhesive. As shown in FIG. 6, the drive substrate of the light valve device in which the thermosetting adhesive (liquid) 7 is applied on the IC wafer 1 and the quartz plate glass 2 is placed thereon is a thermosetting adhesive ( No warpage occurred before the liquid 7 was cured. Since the temperature becomes high during heating, as shown in FIG. 7, the thermosetting adhesive (during curing) 8 becomes more solid than the IC wafer 1 and the quartz glass plate 2 in the expanded state as compared with normal temperature. .. When the temperature returns to room temperature after the adhesive is cured, the IC wafer 1 and the quartz glass plate 2 shrink, but at this time, the quartz glass plate 2 has a larger coefficient of thermal expansion than the IC wafer 1, so the shrinkage amount becomes large. .. Therefore, after returning to normal temperature, the drive substrate of the light valve device is warped as shown in FIG.

【0010】 このように、光弁装置の駆動基板に反りが発生すると、光学特性の変化や、接 着工程の後工程での装置との平行取りが困難になることや、反りによる応力によ り表面に形成されている素子の破壊または破壊され易くなることによる信頼性の 低下等の問題点がある。仮に反りをなんらかの方法で矯正したとしても、矯正に よって発生した応力による素子の破壊および信頼性の低下や、矯正するための新 たな部品等が必要になることによる価格上昇、等の問題点がある。As described above, when the drive substrate of the light valve device is warped, the optical characteristics are changed, it is difficult to parallelize the device with the device in the post process of the bonding process, and the stress due to the warp is caused. However, there is a problem that reliability is lowered due to damage or susceptibility to damage of the element formed on the surface. Even if the warp is corrected by some method, there are problems such as damage to the element due to stress generated by the correction and deterioration of reliability, and price increase due to the need for new parts for correction. There is.

【0011】 以上のように従来の光弁装置の駆動基板においては多くの欠点があった。 そこで本考案は、このような欠点を解決するため、反りを極力抑えた光弁装置 の駆動基板を得ることを目的としている。As described above, the drive substrate of the conventional light valve device has many drawbacks. Therefore, in order to solve such a drawback, the present invention aims to obtain a drive substrate of a light valve device in which warpage is suppressed as much as possible.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

上記の課題を解決するために本考案では、担体層と駆動電極と所定の信号に応 じて前記駆動電極を励起するための駆動回路とが集積的に形成された半導体単結 晶薄膜層と、前記担体層と前記半導体単結晶薄膜層との間に介在する接着剤層と からなる光弁装置の駆動基板において、前記接着剤層に常温域で硬化する接着剤 を用いることにより、接着工程での接着剤硬化に伴う温度変化を少なくし、反り 発生を最小限に抑えるようにした。 In order to solve the above problems, the present invention provides a semiconductor single crystal thin film layer in which a carrier layer, a drive electrode, and a drive circuit for exciting the drive electrode in response to a predetermined signal are integrally formed. In a drive substrate of a light valve device comprising an adhesive layer interposed between the carrier layer and the semiconductor single crystal thin film layer, the adhesive step is performed by using an adhesive that cures at room temperature. The change in temperature due to the curing of the adhesive at 2 is reduced, and the occurrence of warpage is minimized.

【0013】[0013]

【作用】[Action]

上記の様な構成によれば、接着工程での接着剤硬化は、常温域で行われるので 接着剤硬化時の温度変化が熱硬化型の接着剤を利用したときに比べて非常に少な くなる。従って温度変化にともなうICウエハ及びガラス板の伸縮量も少なくな る。よってICウエハとガラス板の熱膨張率の違いによる接着剤硬化前後での光 弁装置の駆動基板の反りの発生を最小限に防ぐことができる。反りが抑えられる ことによって、反りによる光学特性の変化は抑えられ、後工程での装置との平行 も取れ、反りによる応力の発生も抑えられるので、素子の信頼性の低下も防止さ れ、反りの矯正の必要もなくなるのでよけいな部品等による価格の上昇も抑えら れる、等のことが可能となる。 According to the above configuration, since the adhesive curing in the bonding step is performed in the normal temperature range, the temperature change during the curing of the adhesive is much smaller than that when the thermosetting adhesive is used. .. Therefore, the amount of expansion and contraction of the IC wafer and glass plate due to the temperature change also decreases. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of warpage of the drive substrate of the light valve device before and after the adhesive is cured due to the difference in thermal expansion coefficient between the IC wafer and the glass plate. By suppressing the warp, changes in optical characteristics due to the warp are suppressed, parallelism with the device in the subsequent process can be maintained, and stress generation due to the warp is also suppressed. Since it is not necessary to correct the price, it is possible to suppress the price increase due to extra parts and so on.

【0014】[0014]

【実施例】【Example】

以下に、この考案の実施例を図面に基づいて説明する。 図1及び図2はそれぞれ、本考案における光弁装置の駆動基板の実施例1、す なわち紫外線硬化型接着剤を用いた場合の接着剤硬化前と接着剤硬化後の縦断面 図である。図1においてICウエハ1の表面には、液晶パネルを駆動するための 素子が形成されている。ICウエハ1の素子の形成されている側には紫外線硬化 型接着剤(液体)3が塗布されている。紫外線硬化型接着剤(液体)3の上には ICウエハ1と同じ形状の担体層である石英ガラス板2が載っている。図2は図 1の光弁装置の駆動基板に石英ガラス板2の側から紫外線を照射して紫外線硬化 型接着剤(液体)3が紫外線硬化型接着剤(固体)4になったものを示している 。ここで、硬化時の温度変化が少ないので、熱硬化型接着剤を用いた場合の硬化 後の様に光弁装置の駆動基板に反りは生じていない。また、接着剤硬化時間は、 紫外線を照射する時間のみなので、短時間で済む。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 and FIG. 2 are vertical cross-sectional views of a drive substrate of a light valve device according to a first embodiment of the present invention, that is, before and after curing an adhesive when an ultraviolet curable adhesive is used. .. In FIG. 1, an element for driving a liquid crystal panel is formed on the surface of an IC wafer 1. An ultraviolet curable adhesive (liquid) 3 is applied to the side of the IC wafer 1 on which the elements are formed. A quartz glass plate 2 which is a carrier layer having the same shape as the IC wafer 1 is placed on the ultraviolet curable adhesive (liquid) 3. FIG. 2 shows that the drive substrate of the light valve device of FIG. 1 is irradiated with ultraviolet rays from the quartz glass plate 2 side so that the ultraviolet curable adhesive (liquid) 3 becomes the ultraviolet curable adhesive (solid) 4. ing . Here, since the temperature change during curing is small, the drive substrate of the light valve device does not warp as after curing when using a thermosetting adhesive. Also, the adhesive curing time is short because it is only the time of irradiating with ultraviolet rays.

【0015】 従って量産性に優れ、納期短縮も図れる。なお本実施例では、ガラス板に石英 ガラスを用いた場合について述べたが、特にこれに限定するというのではなく、 その他の各種ガラスを用いた場合にも同様であることはいうまでもない。図3は 、図2のICウエハ1の裏面を除去して半導体素子が形成されている単結晶シリ コン薄膜層10のみを残して、光弁装置の駆動基板が完成した物である。これに より、基板に光が透過できるようになる。Therefore, the mass productivity is excellent and the delivery time can be shortened. In this embodiment, the case where quartz glass is used as the glass plate has been described, but it is needless to say that the present invention is not limited to this, and the same applies when various other glasses are used. FIG. 3 shows a completed drive substrate of the light valve device by removing the back surface of the IC wafer 1 of FIG. 2 and leaving only the single crystal silicon thin film layer 10 on which the semiconductor elements are formed. This allows light to pass through the substrate.

【0016】 図4及び図5はそれぞれ、本考案における光弁装置の駆動基板の実施例2、す なわちエポキシ樹脂系常温硬化型接着剤を用いた場合の接着剤硬化前と接着剤硬 化後の縦断面図である。図4においては、ICウエハ1の上には、エポキシ樹脂 系常温硬化型接着剤(液体)5が塗布され、その上には、ICウエハ1と同じ形 状の石英ガラス板2が載っている。図5は、図4の光弁装置の駆動基板が所定の 接着剤硬化時間を経過し、エポキシ樹脂系常温硬化型接着剤(液体)5がエポキ シ樹脂系常温硬化型接着剤(固体)6になったものである。ここでは、接着剤硬 化は、常温で行われるので硬化時の温度変化は、基本的には全くない。従って、 ICウエハ1と石英ガラス板2の熱膨張率の違いによる光弁装置の駆動基板の反 りは生じていない。また、接着剤を硬化するために、加熱槽や、照射装置等が不 要なので、簡便に接着を行うことができ、設備投資も少なくてすむ。FIG. 4 and FIG. 5 are respectively a second embodiment of the drive substrate of the light valve device according to the present invention, that is, before the adhesive curing and when the epoxy resin-based room temperature curing adhesive is used. FIG. In FIG. 4, an epoxy resin-based room temperature curing adhesive (liquid) 5 is applied on the IC wafer 1, and a quartz glass plate 2 having the same shape as the IC wafer 1 is placed on it. .. In FIG. 5, the driving substrate of the light valve device of FIG. 4 has passed a predetermined adhesive curing time, and the epoxy resin room temperature curing adhesive (liquid) 5 is replaced with the epoxy resin room temperature curing adhesive (solid) 6 It has become. Here, since the adhesive is hardened at room temperature, there is basically no change in temperature during hardening. Therefore, the warp of the drive substrate of the light valve device due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the IC wafer 1 and the quartz glass plate 2 does not occur. Further, since the heating tank, the irradiation device, etc. are not required to cure the adhesive, the bonding can be performed easily and the capital investment can be reduced.

【0017】[0017]

【考案の効果】[Effect of the device]

この考案は、以上説明したように、光弁装置の駆動基板の接着剤に常温域で硬 化する接着剤を用いることにより、反りの発生が抑制でき、このことにより、接 着工程の後工程が容易で、かつ応力による素子へのダメージが少ない光弁装置の 駆動基板が得られることにより、より高品質な光弁装置を得ることができるとい う効果がある。 As described above, the present invention can suppress warpage by using an adhesive that hardens at room temperature as an adhesive for the drive substrate of the light valve device. By providing a drive substrate for the light valve device that is easy to perform and has less damage to the element due to stress, there is an effect that a higher quality light valve device can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案にかかる光弁装置の駆動基板の実施例1
の接着剤硬化前の模式的縦断面図である。
FIG. 1 is a first embodiment of a drive substrate of a light valve device according to the present invention.
FIG. 3 is a schematic vertical sectional view of the adhesive before being cured.

【図2】本考案にかかる光弁装置の駆動基板の実施例1
の接着剤硬化後の模式的縦断面図である。
FIG. 2 is a first embodiment of a drive substrate of a light valve device according to the present invention.
FIG. 3 is a schematic vertical cross-sectional view after the adhesive is cured.

【図3】本考案にかかる光弁装置の駆動基板の実施例1
の裏面除去後の後の模式的縦断面図である。
FIG. 3 is a first embodiment of a drive substrate of a light valve device according to the present invention.
FIG. 6 is a schematic vertical cross-sectional view after the back surface is removed.

【図4】本考案にかかる光弁装置の駆動基板の実施例2
の接着剤硬化前の模式的縦断面図である。
FIG. 4 is a second embodiment of the drive substrate of the light valve device according to the present invention.
FIG. 3 is a schematic vertical sectional view of the adhesive before being cured.

【図5】本考案にかかる光弁装置の駆動基板の実施例2
の接着剤硬化後の模式的縦断面図である。
FIG. 5 is a second embodiment of the drive substrate of the light valve device according to the present invention.
FIG. 3 is a schematic vertical cross-sectional view after the adhesive is cured.

【図6】従来の光弁装置の駆動基板の接着剤硬化前の模
式的縦断面図である。
FIG. 6 is a schematic vertical cross-sectional view before hardening of an adhesive on a drive substrate of a conventional light valve device.

【図7】従来の光弁装置の駆動基板の接着剤硬化中(加
熱時)の模式的縦断面図である。
FIG. 7 is a schematic vertical cross-sectional view of the drive substrate of the conventional light valve device during curing of the adhesive (when heated).

【図8】従来の光弁装置の駆動基板の接着剤硬化後の模
式的縦断面図である。
FIG. 8 is a schematic vertical cross-sectional view after the adhesive is cured on the drive substrate of the conventional light valve device.

【図9】アクティブマトリックス型光弁装置の接式的縦
断面図である。
FIG. 9 is a tangential vertical sectional view of an active matrix type light valve device.

【図10】アクティブマトリックス型光弁装置の駆動基
板部分の接式的拡大断面図である。
FIG. 10 is a contact type enlarged sectional view of a drive substrate portion of the active matrix type light valve device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ICウエハ 2 石英ガラス板 3 紫外線硬化型接着剤(液体) 4 紫外線硬化型接着剤(固体) 5 エポキシ樹脂系常温硬化型接着剤(液体) 6 エポキシ樹脂系常温硬化型接着剤(固体) 7 熱硬化型接着剤(液体) 8 熱硬化型接着剤(硬化中) 9 熱硬化型接着剤(固体) 10 単結晶シリコン薄膜層 11 対向基板 12 液晶層 13 配向膜 14 駆動基板 15 接着剤 1 IC Wafer 2 Quartz Glass Plate 3 Ultraviolet Curing Adhesive (Liquid) 4 Ultraviolet Curing Adhesive (Solid) 5 Epoxy Resin Room Temperature Curing Adhesive (Liquid) 6 Epoxy Resin Room Temperature Curing Adhesive (Solid) 7 Thermosetting adhesive (liquid) 8 Thermosetting adhesive (during curing) 9 Thermosetting adhesive (solid) 10 Single crystal silicon thin film layer 11 Counter substrate 12 Liquid crystal layer 13 Alignment film 14 Drive substrate 15 Adhesive

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 駆動電極と所定の信号に応じて前記駆動
電極を励起するための駆動回路とが形成された駆動基板
と、前記駆動基板に対向配置された対向基板と、前記駆
動基板と前記対向基板の間に配置された電気光学物質層
とを主な構成要素とする光弁装置の前記駆動基板におい
て、 前記駆動基板は、担体層と、前記駆動電極と前記駆動回
路とが集積的に形成された半導体単結晶薄膜層と、前記
担体層と前記半導体単結晶薄膜層との間に介在する接着
剤層とからなる三層構造であり、該接着剤は常温域で硬
化するタイプを使用し、駆動基板の接着後の反りを防止
したことを特徴とする光弁装置の駆動基板。
1. A drive substrate on which a drive electrode and a drive circuit for exciting the drive electrode in response to a predetermined signal are formed, a counter substrate arranged to face the drive substrate, the drive substrate, and the drive substrate. In the drive substrate of a light valve device having an electro-optic material layer disposed between opposing substrates as a main component, the drive substrate is a carrier layer, the drive electrode and the drive circuit are integrated. The semiconductor single crystal thin film layer is formed, and a three-layer structure comprising an adhesive layer interposed between the carrier layer and the semiconductor single crystal thin film layer, the adhesive is of a type that cures at room temperature. The drive substrate of the light valve device is characterized in that the drive substrate is prevented from warping after being adhered.
【請求項2】 前記接着剤層は、紫外線硬化型接着剤に
より形成されていることを特徴とする請求項1記載の光
弁装置の駆動基板。
2. The drive substrate for the light valve device according to claim 1, wherein the adhesive layer is formed of an ultraviolet curable adhesive.
JP10003091U 1991-12-04 1991-12-04 Drive board for light valve device Pending JPH0550429U (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017209918A (en) * 2016-05-27 2017-11-30 三菱ケミカル株式会社 Method for producing glass laminate

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