JPH05502956A - アクセス又は侵入検出用の電子作動クレードル回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 アクセス又は侵入検出用の電子作動クレードル回路本発明は電子回路内に記憶さ れた情報の保護に関係し、特にハードウェアの泥棒またはノ＼ツカ−からの記憶 データの保護に関係する。

保護は電子作動のクレードル（クレードル）回路を用いて実行される。クレード ルは本明細書では「支持又は保護用の枠組」　（英語コリンズ・オーストラリア 辞書１９８１年版参照）として定義される。

背景技術 大規模コンピューター・メモリの発展と当該メモリ内に記憶されたデータの秘密 の必要性から、この「秘密」情報の盗難を防止する多数の方法か開発された。（ 云統的には、コンビニーター・ソフトウェアは暗号化及び復号化プログラムによ り保護される。又は、暗号化／１−トウエア要素を特定の電子ハンゲー／（二人 れて、ソフトウェア制価ＩＦでデータ保護を実行する。変更可能なメモリに含ま れる適切なアルゴリズムとキーの開発により、ソフトウェア手段によりデータに アクセスを試みる情報泥棒叉はバッカーう＼らデータを完全に保護する二とか可 能であった。

しかしなから、これらの既知の方法は、前記電子回路・＼の物理的アクセスによ り電子情報を人手する／Ｘ−）：ウエア・ハツカ−には殆んと安全性を提供しな い。電子情報又はデータの危険性は、データ及び／又はアドレス・バスをアクセ スするように電子回路の既存の外包を穴開けすることにより生しる。これらはＸ 線放射学及び／又は超音波技術により調査される。又は、熱、溶媒、酸、簡単な 機械的研削又は機械的破壊法を用いて変更可能なメモリと関連するデータ及び／ 又はアドレス・バスを露出させる。

前記変更可能なメモリはＥＰＲＯＭ、Ｅ２ＰＲＯＭ、ＲＡ　Ｎｉ、Ｄ　ＲＡ　Ｍ 及びＦＲＯＭを含む。しかしながらいくつかの素子は何らかの保護を存して、方 法の学習を可能とし、泥棒かある素子から盗み、次を知ることを可能とする。し かしながら、ハードウェア・ハ・７カーは暗号化や認証処理のようなソフトウェ ア的方法により素子とは外部の切断情報チャネルからは何の情報も得られない。

情報泥棒又はハツカ−か認証処理の知識や必要なデータ・コートを一度得てしま うと、この情報を有効に利用できる。これらの型式の安全性問題は時間当り数百 万トルに及ぶ資金のコンピューター化転送を安全にするため安全装置を使用する 財政機関に特に適切である。財政機関の場合、情報泥棒又はバッカーか認証処理 と必要なデータ・コートを一度得ると、不法資金転送か生し、この転送は正当て 認められた取引のように見える。このような二とて、安全性への妥協は知能犯的 損失、−光性の損失、復元費用、悪評、信用の欠如等をこうむる財政機関とな米 国特許第一１．５９３．３８４号、第４．６９１．３５０号、第４．８０７．２ ８４号及び第４．８１１．２８８号は保護される。回路＋、−１・を物理的に取 囲む素子を用いて記憶データの安全を図る分野をカフ＜−シている。

４特許の安全素子は、以下を含む。

ｌ）　回路板を取囲む箱を形成する多数のセラミック部品。セラミックはその化 学的耐性から使用される。

２）　セラミック部品内には、侵入を試行する場合ノ＼ツカ−か貫通する多数の 電導エポキシ路と板かある。

３）　いくつかの実施例ては、これらの電導路は回路板を通過する薄い電線を介 して接続される。

４）　別な実施例では、薄いニッケル／金層かセラミック・ハウソングの内面に 落着される。これらの層は次いて二ノチンク゛されて平行な金の電導路（１０− ２５μｍ厚で同間隔）を形成する。

５）　電導路または電導板をショート又は破断させることにより、保護す・＼き メモリ上にＲＥＳＥＴをセットする低電圧を発生する。

６）　温度が一２５°Ｃ以下に降下した場合に低温センサ（不平衡回路）か又低 電圧を発生する。これは、安全素子をバイパスするために一９０°Ｃ以下にメモ リを凍結させる試みか行われた場合、メモリを破壊し保護する。

米国特許第４，７８３，８０１号は回路板を保護する安全素子のものである。こ の安全素子は、以下を含む。

１）　１個以上の検出器を配置するハウソング。これらの検出器は振動検出器、 温度計、マイクロフォン又は侵入時にショート又は破壊する電導路である。

２）　イアターフエース回路は検出器を短時間（すなわち各秒毎にＩ　０ｍ５） 才ノにするクロック装置を含み、電池の９９％以上を節約し、電池を定期的に交 換する必要性をなくすことを保証する。このインターフェースは又その検出器か らの大多数の情報を用いてメモリを破壊するかとうか決定する（すなわち５個の 内３個の検出器かイエスの時、インターフェースはメモリを破壊　する）。

米国特許第４，８６０．３５１号は回路板の安全素子と関係する。安全素子は以 下を含む。

１）　非常に薄い絶縁ニクロム線を被保護回路のまわりに非常にきつくコイル状 に巻付ける。回路を取＠線を不透明な相互リンクの充填エポキシ内で加工する。

エポキシ中の充填剤はエポキシを加工しにくくするアルミナまたはシリカである 。

２）　侵入を試行すると、線かショートするか破断され、インターフェース回路 かこれを検出してメモリを破壊し、 ３）　線は何重にも巻かれてショートの感度を強化し、相互キャンセルによりＥ ＭＩ干渉を減少させる。巻線は又ＥＭＩシールドを形成する。

上記技術は前記危険性又は進入に対する保護を与えるよう提案されている。しか しながら、これらの方法は複雑で、被保護素子と一体化され、従って素子を修理 不能とする。全体的に、本発明は経済的な補修性、従って当該素子の再利用を可 能にしつつ、下記に示す前記メモリ素子を含むデータ装置への保護を提供する異 なった材料と方法を基にしている。

Ｘ線及び他の短波長輻射の透過を防止する又は失敗させる各種の方法が既知であ る。

ＡＵ第４１２４０／７８号は、Ｘ線シールド用にチタン酸バリウム、フン化バリ ウム、硫化鉛を有機ポリシロキサン樹脂へ添加することを教示している。

ＡＵ第１７３７７／８８号は、重晶石を焼せつこうに６０％重量まで加え、焼せ っこうを３５％重量、他の充填剤、打止剤、硬化剤か残りの５％重量を占めてい るものを教示している。これは病院の床、壁、天井シールド剤に鉛の経済的な代 替物として使用を工夫しである。

〜Ｖ０　８９１０９４７２号は、手袋、エプロン、ブー゛２ノ、上張りのような 外科衣の柔軟な保護材として使用するためポリエチレレに３０から８０％の重量 比でヒスマスの酸化物、水酸化物と塩を注入したものに関係している。

ＧＢ　１．５７’５，５２７号は、４０から９０％重量比の硫化バリウムを入れ たエラストマー（すなわちポリイソフ′チレン、ＰＶＣ及びＶＡとＶＣのコポリ マ）を用いたＸ線不透明な外科用スポンジを記載している。

これらの方法は本発明の素子を強化するめために使用可能である。

発明の開示 本発明の目的は、ハードウェア・バッキングの効果から保護するために必要なデ ータを含む電子回路を保護するカプセル又はハウジングと関連して使用される１ 個以上の変換器により上記の困難を実質的に克服又は改善することである。ある 種の２用例では、変換器とカプセル又はハウジングの両方を別々に使用して保護 を与えることか可能である。例えば、変換部品は適当な別の支持部を介して支持 される一方で、カプセルを用いてＸ線を減衰する機械的障壁を与え、侵入の試行 を阻止できる。

本発明の一面によると、中に含まれる情報の不法使用者及び／又は泥棒から保護 される電子回路又は素子において、前記回路と、電圧を発生可能な変換器と、前 記電圧を検出する検出装置と、前記回路、素子及び／又は情報を破壊及び／又は 変更し及び／又は前記電圧を記録するためこれに関連する保護装置とを含み、前 記変換器は、予め設定された限界を越えて前記変換器へ印加された圧力又は温度 の変更時に、前記電圧か前記検出装置により検出されて前記保護装置を作動させ るよう前記検出装置と関係するポリマ圧力／電圧及び／又は温度／電圧変換器で ある電子回路か開示されている。

他面では、本発明は回路又は素子の調査から生じる不法使用者及び／又は泥棒か ら電子回路又は素子又は中に記憶された情報を保護する方法において、前記回路 又は素子に隣接して電圧を発生可能なポリマ圧力／電圧及び７／又は温度／電圧 変換器を設け、前記変換器は前記電圧を検出するための検出装置と関係し、予め 設定した限界を越（て前記変換器・＼印加される圧力又は温度つ・変化する時、 前記電圧を前記検出装置により検出し、これにより保護装置を作動させて直配回 路、素子及び／又は情報を破壊及び／又は変更し、及び／又は前記電圧を記録す るよう保護装置か前記検出装置と関係している方法を提供する。

本発明により保護される回路又は素子は信号処理回路、暗号、／復号回路、変更 可能メモリ等を含む。本発明の回路又は素子は圧力／電圧変換器又は温度／′電 圧変換器である単一の変換器により保護される。圧力／電圧変換器と温度、／電 圧変換器の両方を使用するのつ）望ましい。

この組合せをアクセスしようとする全ての試みは変換器を通過することを必要と するように、変換器を配置して回路全体をカバーする又は取囲む。

検出装置は変換器内又はこれに隣接して配置され、回路と関係する少くとも２個 の電極を含むことか望ましい。

電極の一方はアースでよい。変換器を電磁輻射及び／又は音響による検査から隠 すため、電極は非金属性であることか望ましい。ある種の応用例では、検出装置 は、変換器内又はこれに隣接して配置される増幅器のような関連電子回路を含む 。

変換器は保護装置の不適切な作動を防止するため外部の又は一体化した切換装置 を含む。破壊可能な電導要素を変換器に隣接して設けて、電導要素の破壊の前の 保護装置の動作を防＋ｈするため電極を短絡させることが望ましい。一般に、保 護装置は検出装置の出力か予め設定した限界を越えた時にのみ作動される。

本発明の望ましい実施例では、変換器の能動出力を検出器・＼送信することを防 止するゲート回路又は素子への金属又は非金属電導体により、変換器出力は検出 装置の接続により減勢される。ゲート回路はブリッジ回路の金属又は非金属部品 の要素により制御可能である。ブリッジ回路の条件は１個以上のブリノン要素の 貫入による破断により変更される。

本発明の別な実施例では、検出装置の電極を金属又は非金属導体により接続させ ることにより変換器を減勢し、電荷の蓄積を防止し、普通の振動又は温度変動に よる余分な又は不要な電圧信号の発生を防止する。接続部は変換器・＼の貫入時 に破断するようにして影響される。接続の破断時に、変換器は直ちに付勢されて 、貫入による電圧を発生する。

溶媒、酸化剤及び／又は還元剤のような激しい化学剤の効果から回路又は素子を 保護することか望ましい場合、激しい化学剤との接触時に電圧を発生するよう変 換器を変更可能である。又は、別の化学検出／電圧変換器を回路又は素子の一部 として設けてもよい。このような別の変換器は、激しい化学剤と反応する群又は 基を中に含む電導ポリマ又は前記の激しい化学剤と反応する材料を塗布したピエ ゾ電気ポリマから構成可能である。

ある種の応用例では、音響又は電磁輻射耐性カプセル要素により回路又はその一 部の検査を防止／阻止するため回路又は変換器を電磁輻射又は音響により検査不 能とすることか望ましい。この要素は又激しい化学剤に耐性かあるよう系統化す る。カプセル要素は、含まれる部品に対して非腐食性かつ電気絶縁性の両方を存 しつつ、最大の電磁及び／又は音響及び／又は化学減衰を得るよう系統化される ことか望ましい。例えば、カプセル要素はエポキシ又はポリウレタンのような支 持材料中で８０％Ｗ　／　Ｗまで及びこれを越える量の大原子番号材により系統 化される。ある種の応用例では、カプセル要素は要素全体を通して配置された小 量の金属により系統化されて回路又は阻止又はその一部の構成をさらに隠す。カ プセル要素は叉セラミ７・り材料も含み、機械的進入及び／又は電気絶縁舊をさ らに防止／′阻止する。

当業者（こは、−データの保存を保証するため回路の一９０°Ｃ以下の温度＼し ）２速冷却の公知の低温法の恐れは、クレードル及び、・′又はその信号処理回 路と関連して動作する温度センサの包含により克服てきる。これらのセンサの閾 値は被保護素子の動作環境により決定される。加えて、ピエノ′電気検出Ｆ才料 中のビエブ電気効果の保存を保証するため、高温検出素子も信号処理回路の一部 として含ませる。

電子作動ポリマから作られた等画素子に加えて、シリコン集積回路、トランジス タ、抵抗、コンデンサのような従来の素子は回路として検出信号を受取り、所要 の信号処理を実行し、侵入又は調査に応答して所定の信号を被保護関連回路−入 出力する。

既存の従来電子素子と関連してポリマ・クレードル回路により標準的に実行され る信号処理は、増幅、比較、クリッピング、フィルタと共に既知の論理機能であ る。

信号処理はクレードル素子の一体部分として、又は被保護電子ポートにより別個 に実行可能である。必要なら電力は応用電子ポートから得るか、又は補助電源、 例えばリチウム電池から供給される。死んだ又は減少電力条件により回路始動（ 例えばフェイルセーフ）をするかどうかの決定はこの保護を受ける応用例にまか されている。

圧力／電圧及び温度／を圧変換器への処理に適するポリマは一般に市販されてい るハロゲンを含むポリマである。ポリ（フッ化ビニリデン）、ポリ　（フン化− ３フン化エチレン・ヒニリデン）、ポリテトラフルオロエチレン、塩化ポリビニ ル、フン化ポリビニル又はそのコポリマか利用可能なポリマの例である。高ピエ グ電気及びパイロ電気作動性を得るため、これらのポリマは引伸され偏極される 。ポリマの引伸に続いて、昇温下の強力電場での偏極化はフィルム内のダイポー ル・モーメントを整列させ、所要のピエゾ電気及びパイロ電気効果を発生する。

二ｔ１らのポリマを偏極させ（走用するため、電導電極を材料の両面に貼り、導 体を接続する。ある種の応用例では、−面に別個の電極を形成することにより得 られるｍ面電極接続を利用することか有効である。

１１前記ビニ／電気及びパイロ電気ポリマは強しん、軽量、柔軟で、任會の応用 例に適合する複雑な形状に形成できる。

銀、アルミニウム又は炭素のような電導粒子のポリマ・＼の添加により作成され る半導体ポリマ複合物又は部品には十分確立した使用法かある。しかしながら、 これらの材料は多くの応用例に十分な高電導度を有するよう作れない。今や実験 室で合成可能な広範囲の比較０新しい真性電導体、半導体及びピエゾ電気ポリマ か利用可能で、その内のいくつかは市販されている。ポリアセチレン、ボリルフ ェニリン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリキノリン、ポリピロールは電子 素子と回路の加工用に選択可能な多くの真性電導及び半導体ポリマのいくつか、 である。広範囲の特定層導度か電導ポリマ／複合材を用いて可能なものより得ら れる。これらの新たな電子作動ポリマは又電子変換器の製造により適している。

例えば、ポリピロールは電解液に溶解したトープ剤として異なる濃度の硫化ナト リウム・ｐ−１−ルエンを用いて水又は有機電子化学により広範囲の電導度を有 するよう合成可能である。ポリピロールの蒸着膜は３次元枠組を作成するよう形 成された陽極の幾何形状を変更することにより形状を変更可能である。電導及び 半導体ポリマを用いて、広範囲のポリマｐｎ接合、トランジスタ、化学センサ及 び電池か研究できる。

図面の簡単な説明 第１図は本発明を実施する素子の平面図である。

第２図は被保護素子をクレードルかいかに取囲んでいるかの例の切断図である。

第３図はクレードルをいかに形成するかの例の平面図である。

第４図は信号処理回路の概略の例である。

発明の最良の実施態様 本発明の望ましい実施例を、本発明を図解する図面を参照して以下に説明する。

本発明に従って保護される電子素子の例は、前述したように変更可能メモリ■で ある。一般に可変メモリ１には、他の素子（図示せず）との通信を与えるデータ 接続部３と可変メモリ１をインターフェースするデータ暗号化／復号化回路又は 応用例開存のデータ処理素子２が関係している。応用例固有の処理素子はハード 又はソフトウェア形式のとちらで存在してもよいことに注意されたい。ここで説 明されるような前記素子の例は、銀行や他の財政機関により操作される自動支払 機（ＡＴＭ）や電子資金転送ＰＯ３（ＥＦＴＰＯ３）機に使用される個人可変メ モリ１は個人識別番号暗号化取引で標準的に実行される暗号化過程に必要なキー 又は一連のキーを含む。

可変メモリｌ内に含まれるキーへのアクセスは情報泥棒がシステムの一体性に危 険を与えることを可能とする。

可変メモリ１とデータ暗号化／復号回路又は応用例開存素子２の回路組合せは電 子作動ポリマ・クレードル４（第１．２．３図参照）内に取囲まれている。電子 作動ポリマ・クレードル４は金属又は非金属電導体７を用いて信号処理回路６を 介して回路組合せ１．２にインターフェースされる。信号処理回路６（第４図参 照）は基本的にはその出力９て飽和可能な低電力増幅器で、ディンタル条件を繰 返し、アナログ・クレードル出力により駆動される。電子作動ポリマ・クレード ル４は、データ接続部３かクレードル４の外側から回路組合せ１．２．６゜７内 への唯一の物理的接続部であるように回路組合せ１゜２．６．７の全３次元をカ バーする（第１図及び第２図参照）。ポリマ・クレードル４も又カプセル又はハ ウノシグ５内で取囲まれる。データ接続部３は接続ピン又はケーブル又はり−ト 線（図示せず）の形式でカプセル又はハウジング５を出るよう配置される。

ラフ１〜ウエア技術を介してアクセスすることにより情報を得る情報泥棒は、暗 号化／復号回路又は応用例固有の処理素子２及び／又はその中の一方向機能（Ｏ Ｗ　Ｆ　）により十分対抗できることは当業者には理解できる。従って、可変メ モリｌは当該技術で公知のようにソフトウェア介入からは安全である。

電子作動ポリマ・クレードル４は電子作動ポリマ回路を含む。クレードル回路は 回路組合せ１．　２．　６．　７全体をカバーする（２Ｄ）か又は取囲（３Ｄ） み、従ってハードウェア的に組合せｌ、２，６．７をアクセスする試みは電子作 動ポリマ・クレードル４を通過する必要がある。

電子作動ポリマ・クレードルはポリマ又は金属電導材によりリンクした各種のポ リマ素子を含む。これらのポリマ素子のいくつかは検出素子、化学センサ、ピエ ゾ電気変換器、熱検出素子である。これらのセン、すはクレードル内に配置され た他の素子へ刺激を与えるための物理的及び／又は化学的進入を検出する。又、 音響波、電磁輻射、粒子線による調査に対してセンサを感じさせることも可能で ある。クレードルの進入又は破壊調査により一旦作動されると、電子作動ポリマ 回路は事象を記録するため、又は変更、破壊及び／又は可変メモリｌ内に記憶さ れた情報の破壊を開始するため信号を放射する。これと同じ方法を適用して、暗 号化／復号又は応用例固有素子２内の暗号化／復号又は応用例固有アルゴリズム により記憶される又は使用されるデータの変更、廃棄又は破壊を開始する。

クレードル出力は通常不作動である。上述のハードウェア・バッキングの方法の 内の１つの結果として作動か生し、犯罪的学習過程を取消す。ある種の応用例で は、クレードルのみか破壊的貫入又は受けている攻撃に反応し、被保護回路及び 素子の型式の日常使用で発生する外部的な衝撃又は振動には反応しないよう提案 されている。

電子作動ポリマ・クレードル４は、貫入試行か生しるまで「スイ、チ・オフ」の モートにととまる。電子作動ポリマ・クレードル４をスイッチ・オフ（こするた め、電子作動ポリマ・クレードル４の電極８（第３図及び第４図参照）は、出力 か生しないように形成される。第３図は、電気路を形成するため平面電極材を電 子作動ポリマ・クレードル４から除去した例を図示しである。電子作動ポリマ・ クレードル４の貫入時に、電極８条件は変更されてクレードル出力を作動させる 。

又は、電子作動ポリマ・クレードル４の電極は、電子作動ポリマ・クレードル４ がその出力を信号処理回路へ送ることを通常防止しているゲート回路へ金属又は 非金属電導体７により接続される。電導体は例えば、前述のゲート回路を制御す るブリッジ回路の要素を形成する。

これらの導体は、電子作動ポリマ・クレードル４への貫入はこれらの導体を変更 しゲート回路に影響を与えるよう影響される。

カプセル又はハウジング５は電子作動ポリマ・クレードル回路４を囲み、その目 的は以下の３つである。

イ）　電子作動ポリマ・クレードル回路４と被保護素子又は回路を機械的に支持 し含む。

口）　Ｘ線法及び／又は音響による電子作動ポリマ・クレードル回路４と囲まれ た電子素子の金属ノくス、端子及び電導路の位置に関する検査を防止／無効にさ せる。

ハ）　一般の溶媒での溶解又はふくらましを防止／無効にする。

カプセル又はハウジング５は、含まれる部品に対する非腐食性と電気絶縁性を保 持しつつ最大可能なＸ線減衰を得るよう系統化される。８０％Ｗ　／　Ｗまで及 びこれ以上にエポキシ又はポリウレタン・ポリマのような支持材料・＼高原子番 号金属塩や酸化物、例えバリウム及び／又は鉛塩（例えばパライト及びリサージ ）を添加する。小量の金属をカプセル又はハウシング５全体に配置して、含まれ るポリマ・クレードル回路と被保護素子又は回路の実際の位置を隠すことが可能 である。

ある種の応用例の強化案として、充填材及び／又は硬化剤をカプセル又はハウジ ング５に含ませて機械的進入をさらに防止／無効とさせる。ある種の応用例では 、金属又は非金属の電導材をカプセル又はノ１ウンング５に含めて、放射線減衰 用に使用可能な電磁輻射シールドを提供する。必要なら、電気絶縁層もカプセル 又はハウジング５に追加できる。

工業応用性 本発明は、開示すべきてない情報を含む任意の型式の計算装置、マイクロプロセ ッサ、電子素子、記憶素子及び論理素子に一般的に適用可能である。又、本発明 は力、処置又はてっばりを構成する物質を受けた時、所要の又は所定の方法で動 作する又は動作しない必要がある任意の回路又は同様の素子で使用可能である。

個人識別番号（ＰＩＮ）パッド、電子資金転送ＰＯＳ（ＥＦＴＰＯ３）での資金 転送に用いるキーの保護の上記例や一般的な情報の安全性は財政業界と共に電子 的記憶情報に関係するより広い使用に適用可能である。

本発明は又防衛、通信、電子、計算業界に十分認められた応用例を有する。応用 例の可能な分野の例は暗号化／復号過程及び素子、スマート・カート周辺装置及 び磁気ストライブ・リーダ（ＭＳＲ）である。

別の応用例は爆薬と兵器の機能及び武装を制御する素子の保護である。

本発明は電子記憶情報のユーザに泥棒の可能性なしに情報を安全に記憶させる手 段を提供する。このように、本発明に従って保護される素子は財政や防衛と共に 一般の計算／を手業界を通して応用例を有する。

以上は単に本発明の１実施例を記述したのみて、当業者には明らかな別の実施例 も本発明の範囲から逸脱することな４作ることかできる。

国際調査報告 幇外ｇ隻茎Ｄｍス階ｔＴＩＧＩ厄王鳩１ルＫｒａｖ開ワ凧貫ａ記、Ｍ酊ｃｐｓｘ ｃｎ　世＝に乃Ｊ工匹区囚ＩＥ　４８６０３５１　Ｆ：Ｐ２６８１４２　ＪＰ　 ６３１２４１５５５．１８８／２７３／１

Claims (62)

【特許請求の範囲】
1. １．中に含まれる情報の不法使用者及び／又は泥棒から保護される電子回路又は 素子において、前記回路と、電圧を発生可能な変換器と、前記電圧を検出する検 出装置と、前記回路、素子及び／又は情報を破壊及び／又は変更し及び／又は前 記電圧を記録するためこれに関連する保護装置と、を含み、前記変換器は、予め 設定された限界を越えて前記変換器へ印加された圧力又は温度の変更時に、前記 電圧か前記検出装置により検出されて前記保護装置を作動させるよう前記検出装 置と関係するポリマ圧力／電圧及び／又は温度／電圧変換器である不法使用者及 び／又は泥棒から保護される電子回路又は素子。
2. ２．第１項記載の回路又は素子において、電子回路又は素子は信号処理回路、暗 号化／復号回路又は可変メモリを含む回路又は素子。
3. ３．第１項又は第２項記載の回路又は素子において、前記変換器は圧力／電圧変 換器である回路又は素子。
4. ４．第１項から第３項までのいずれか１つに記載の回路又は素子において、変換 器は温度／電圧変換器である回路又は素子。
5. ５．第１項から第４項までのいずれか１つに記載の回路又は素子において、変換 器はハロゲンを含むポリマを含む回路又は素子。
6. ６．第５項記載の回路又は素子において、ハロゲンを含むポリ（フッ化ビニリデ ン）、ポリ（フッ化３−フッ化エチレン・ビニリデン）、ポリテトラフルオロエ チレン、塩化ポリビニル、フッ化ポリビニル又はそのコポリマである回路又は素 子。
7. ７．第６項記載の回路又は素子において、前記ポリマはポリ（フッ化ビニリデン ）、又はポリ（フッ化３−フッ化エチレン・ビニリデン）である回路又は素子。
8. ８．第５項から第７項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、ポリ マは引伸され及び／又は偏極されている回路又は素子。
9. ９．第１項から第８項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、組合 せをアクセスしょうとする試みは変換器を通過することを必要とするよう変換器 は回路全体をカバーする又は取囲むよう配置されている回路又は素子。
10. １０．第１項から第９項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、、 検出装置は前記回路と関係する少くとも２個の電極を含む回路又は素子。
11. １１．第１０項記載の回路又は素子において、前記電極が非金属である回路又は 素子。
12. １２．第１項から第１１項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、 前記検出装置は増幅器をさらに含む回路又は素子。
13. １３．第１項から第１２項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、 前記変換器は前記保護装置の不適切な作動を防止するため外部の又は一体化した スイッチング装置を含む回路又は素子。
14. １４．第１項から第１２項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、 前記変換器に隣接して破壊可能な電導要素を含み、前記電極を短絡して前記電導 要素の破壊の前の前記保護装置の作動を防止する回路又は素子。
15. １５．第１項から第１２項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、 前記保護装置は前記検出装置の出力が予め設定した限界を越えた時のみ作動され るようにしてある回路又は素子。
16. １６．第１項から第１２項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、 変換器出力は、変換器の作動出力が検出器へ送られることを防止するゲート回路 又は素子への金属又は非金属電導体により検出装置の接続により減勢され、前記 ゲート回路はブリッジ回路の金属又は非金属部分の要素により制御され、前記ブ リッジ回路条件は１個以上のブリッジ要素の貫入による破断により変更される回 路又は素子。
17. １７．第１項から第１２項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、 金属又は非金属導体により、検出装置を接続させることにより変換器は減勢され 、従って電荷の蓄積を防止し、変換器への貫入時に破断されるよう接続部は影響 を受け、接続部の破断時に変換器は直ちに付勢されて貫入試行による電圧を発生 する回路又は素子。
18. １８．第１項から第１６項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、 激しい化学剤との接触時に電圧を発生するよう変換器を変更した回路又は素子。
19. １９．第１８項記載の回路又は素子において、前記激しい化学剤は溶媒、酸化剤 、還元剤である回路又は素子。
20. ２０．第１項から第１６項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、 化学検出／電圧変換器をさらに含む回路又は素子。
21. ２１．第２０項記載の回路又は素子において、前記さらなる変換器は前記敵しい 化学剤と反応する及び／又は検出する群又は基を中に含む電導ポリマである回路 又は素子。
22. ２２．第２０項記載の回路又は素子において、前記さらなる変換器は前記激しい 化学剤と反応する及び／又は検出する材料を塗布したピエゾ電気ポリマである回 路又は素子。
23. ２３．第１から第２２項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、前 記回路又は変換器は電磁輻射又は音響及び／又は激しい化学剤に耐性を有し、回 路又はその一部の検査を防止／無効とする回路又は素子。
24. ２４．第１から第２２項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、前 記回路又は変換器は電磁輻射又は音響に対して透明又は不透明で素子又はその一 部の調査を防止／無効とする回路又は素子。
25. ２５．第１項から第２２項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において、 化学、音響又は電磁輻射耐性カプセル要素をさらに含み、素子又はその一部の調 査を防止／無効とする回路又は素子。
26. ２６．第２５項記載の回路又は素子において、カプセル要素を系統化して最大の 化学及び／又は電磁及び／又は音響減衰を達成し、かつ内部部品への非腐食性と 電気絶縁性の両方を残した回路又は素子。
27. ２７．第２５項から第２６項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において 、カプセル要素を系統化して支持材料中の高原子番号材を８０％ｗ／ｗまでかつ これを越える量とした回路又は素子。
28. ２８．第２７項記載の回路又は素子において、支持材料はエポキシ又はポリウレ タンである回路又は素子。
29. ２９．第２５項から第２８項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において 、要素中に配置した小量の金属によりカプセル要素を系統化し、回路又は素子又 はその一部の構成を隠した回路又は素子。
30. ３０．第２５項から第２９項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において 、カプセル要素はセラミック材を含んで、機械的進入をさらに防止／無効とする 回路又は素子。
31. ３１．第２５項から第３０項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において 、カプセル要素は電気絶縁層を含む回路又は素子。
32. ３２．回路又は素子の調査から生じる不法使用者及び／又は泥棒から電子回路又 は素子又は中に記憶された情報を保護する方法において、前記回路又は素子に隣 接して電圧を発生可能なポリマ圧力／電圧及び／又は温度／電圧変換器を設け、 前記変換器は前記電圧を検出するための検出装置と関係し、予め設定した限界を 越えて前記変換器へ印加される圧力又は温度が変化する時、前記電圧を前記検出 装置により検出し、これにより保護装置を作動させて前記回路、素子及び／又は 情報を破壊及び／又は変更し、及び／又は前記電圧を記録するよう前記保護装置 が前記検出装置と関係している電子回路又は素子又は中に記憶された情報を保護 する方法。
33. ３３．第３２項記載の方法において、電子回路又は素子は信号処理回路、暗号化 ／復号回路又は可変メモリを含む方法。
34. ３４．第３２項又は第３３項記載の方法において、前記変換器は圧力／電圧変換 器である方法。
35. ３５．第３２項から第３４項までのいずれか１つの記載の方法において、変換器 は温度／電圧変換器である方法。
36. ３６．第３２項から第３５項までのいずれか１つの記載の方法において、変換器 はハロゲンを含むポリマを含む方法。
37. ３７．第３６項記載の方法において、ハロゲンを含むポリマはポリ（フッ化ビニ リデン）、．ポリ（フッ化−３フッ化エチレン・ビニリデン）、ポリテトラフル オロエチレン、塩化ポリビニル、フッ化ポリビニル又はそのコポリマである方法 。
38. ３８．第３７項記載の方法において、前記ポリマはポリ（フッ化ビニリデン）、 又はポリ（フッ化３−フッ化エチレン・ビニリデン）である方法。
39. ３９．第３６項から第３８項までのいずれか１つの記載の方法において、ポリマ は引伸され及び／又は偏極されている方法。
40. ４０．第３２項から第３９項までのいずれか１つの記載の方法において、組合せ をアクセスしょうとする試みは変換器を通過することを必要とするよう変換器は 回路全体をカバーする又は取囲むよう配置されている方法。
41. ４１．第３２項から第４０項までのいずれか１つの記載の方法において、検出装 置は前記回路と関係する少くとも２個の電極を含む方法。
42. ４２．第４１項記載の方法において、前記電極が非金属である方法。
43. ４３．第３２項から第４２項までのいずれか１つの記載の方法において、前記検 出装置は増幅器をさらに含む方法。
44. ４４．第３２項から第４３項までのいずれか１つの記載の方法において、前記交 換器は前記保護装置の不適切な作動を防止するため外部の又は一体化したスイッ チング装置を含む方法。
45. ４５．第３２項から第４４項までのいずれか１つの記載の方法において、前記変 換器に隣接して破壊可能な電導要素を含み、前記電極を短絡して前記電導要素の 破壊の前の前記保護装置の作動を防止する方法。
46. ４６．第３２項から第４５項までのいずれか１つの記載の方法において、前記保 護装置は前記検出装置の出力が予め設定した限界を越えた時のみ作動されるよう にしてある方法。
47. ４７．第３２項から第４３項までのいずれか１つの記載の方法において、変換器 出力は、変換器の作動出力が検出器へ送られることを防止するゲート回路又は素 子への金属又は非金属電導体により検出装置の接続により減勢され、前記ゲート 回路はブリッジ回路の金属又は非金属部分の要素により制御され、前記ブリッジ 回路条件は１個以上のブリッジ要素の貫入による破断により変更される方法。
48. ４８．第３２項から第４３項までのいずれか１つの記載の方法において、金属又 は非金属導体により、検出装置を接続させることにより変換器は減勢され、従っ て電荷の蓄積を防止し、変換器への貫入時に破断されるよう接続部は影響を受け 、接続部の破断時に変換器は直ちに付勢されて貫入試行による電圧を発生する方 法。
49. ４９．第３２項から第４８項までのいずれか１つの記載の方法において、激しい 化学剤との接触時に電圧を発生するよう変換器を変更した方法。
50. ５０．第４９項記載の方法において、前記激しい化学剤は溶媒、酸化剤、還元剤 である方法。
51. ５１．第３２項から第４７項までのいずれか１つの記載の方法において、前記圧 力／電圧変換器及び／又は温度／電圧変換器と関連して化学検出／電圧変換器が 設けられる方法。
52. ５２．第５１項記載の方法において、前記化学検出／電圧変換器は前記激しい化 学剤と反応する及び／又は検出する群又は基を中に含む電導ポリマである方法。
53. ５３．第５１項記載の方法において、前記化学検出／電圧変換器は前記激しい化 学剤と反応する及び／又は検出する材料を塗布したピエゾ電気ポリマである方法 。
54. ５４．第３２項から第５３項までのいずれか１つの記載の方法において、前記回 路又は変換器は電磁輻射又は音響及び／又は激しい化学剤に耐性を有し、回路又 はその一部の検査を防止／無効とする方法。
55. ５５．第３２項から第５３項までのいずれか１つの記載の方法において、前記回 路又は変換器は電磁輻射又は音響に対して透明又は不透明で素子又はその一部の 調査を防止／無効とする方法。
56. ５６．第３２項から第５３項までのいずれか１つの記載の方法において、化学、 音響又は電磁輻射耐性カプセル要素をさらに含み、素子又はその一部の調査を防 止／無効とする方法。
57. ５７．第５６項記載の方法において、カプセル要素を系統化して最大の化学及び ／又は電磁及び／又は音響減衰を達成し、かつ内部部品への非腐食性と電気絶縁 性の両方を残した方法。
58. ５８．第５６項から第５７項までのいずれか１つの記載の方法において、カプセ ル要素を系統化して支持材料中の高原子番号材を８０％ｗ／ｗまでかつこれを越 える量とした方法。
59. ５９．第５８項記載の方法において、支持材料はエポキシ又はポリウレタンであ る方法。
60. ６０．第５６項から第５９項までのいずれか１つの記載の方法において、要素中 に配置した小量の金属によりカプセル要素を系統化し、回路又は素子又はその一 部の構成を隠した方法。
61. ６１．第５６項から第６０項までのいずれか１つの記載の方法において、カプセ ル要素はセラミック材を含んで、機械的進入をさらに防止／無効とする方法。
62. ６２．第５６項から第６１項までのいずれか１つの記載の回路又は素子において 、カプセル要素は電気絶縁層を含む方法。