JPH0547468A - 誘導式マイクロ波照射装置 - Google Patents
誘導式マイクロ波照射装置Info
- Publication number
- JPH0547468A JPH0547468A JP3207893A JP20789391A JPH0547468A JP H0547468 A JPH0547468 A JP H0547468A JP 3207893 A JP3207893 A JP 3207893A JP 20789391 A JP20789391 A JP 20789391A JP H0547468 A JPH0547468 A JP H0547468A
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- Japan
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- microwave
- microwave irradiation
- irradiation device
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- Plasma Technology (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘導式マイクロ波照射装置のマイクロ波の分
布を均一にする改良に関し、簡単且つ容易にマイクロ波
の分布を均一にすることが可能となる誘導式マイクロ波
照射装置の提供を目的とする。 【構成】 マグネトロン１から出されたマイクロ波を、
反射波を吸収するアイソレータ２を通し、スタブチュー
ナ３で出力を調整し、Ｈコーナ４で方向を変換して負荷
ボックス６内に導入する誘導式マイクロ波照射装置にお
いて、この負荷ボックス６の壁面からの突出長さによっ
てマイクロ波の調整を行うことが可能な導電性材料から
なる突起７を具備するように構成する。
布を均一にする改良に関し、簡単且つ容易にマイクロ波
の分布を均一にすることが可能となる誘導式マイクロ波
照射装置の提供を目的とする。 【構成】 マグネトロン１から出されたマイクロ波を、
反射波を吸収するアイソレータ２を通し、スタブチュー
ナ３で出力を調整し、Ｈコーナ４で方向を変換して負荷
ボックス６内に導入する誘導式マイクロ波照射装置にお
いて、この負荷ボックス６の壁面からの突出長さによっ
てマイクロ波の調整を行うことが可能な導電性材料から
なる突起７を具備するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘導式マイクロ波照射
装置のマイクロ波の分布を均一にする改良に関するもの
である。
装置のマイクロ波の分布を均一にする改良に関するもの
である。
【０００２】マイクロ波は半導体ウエーハの加熱やプラ
ズマの発生等に用いられているが、マイクロ波を用いる
場合には負荷ボックス内におけるマイクロ波の分布を均
一にすることが必要である。
ズマの発生等に用いられているが、マイクロ波を用いる
場合には負荷ボックス内におけるマイクロ波の分布を均
一にすることが必要である。
【０００３】以上のような状況から、負荷ボックス内に
おけるマイクロ波の分布を均一にすることが可能な誘導
式マイクロ波照射装置が要望されている。
おけるマイクロ波の分布を均一にすることが可能な誘導
式マイクロ波照射装置が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の被処理物を加熱するのに用いる誘
導式マイクロ波照射装置について図４により詳細に説明
する。
導式マイクロ波照射装置について図４により詳細に説明
する。
【０００５】図４は従来の被処理物を加熱するのに用い
る誘導式マイクロ波照射装置を示す図である。図に示す
ように、マグネトロン31から出されたマイクロ波は、処
理室36の方から反射してくる反射波を吸収するアイソレ
ータ32を通り、スタブチューナ33のスタブ33a の挿入状
態により出力を調整され、Ｈコーナ34で方向を変換して
処理室36内に導入される。
る誘導式マイクロ波照射装置を示す図である。図に示す
ように、マグネトロン31から出されたマイクロ波は、処
理室36の方から反射してくる反射波を吸収するアイソレ
ータ32を通り、スタブチューナ33のスタブ33a の挿入状
態により出力を調整され、Ｈコーナ34で方向を変換して
処理室36内に導入される。
【０００６】処理室36の下部には石英ガラスからなるウ
エーハ支持部36a が設けられて半導体ウエーハ等の被処
理物９を支持しており、処理室36の下部の壁面には処理
室36内の空気を排気する排気口36bが設けられている。
エーハ支持部36a が設けられて半導体ウエーハ等の被処
理物９を支持しており、処理室36の下部の壁面には処理
室36内の空気を排気する排気口36bが設けられている。
【０００７】ウエーハ支持部36a に支持されている被処
理物９にマイクロ波を照射し、図示しない温度センサに
よりこの被処理物９の温度分布を求め、この温度分布に
基づいてスタブ33a のスタブチューナ33内への突出長さ
を調整してマイクロ波の分布を均一になるようにしてい
る。
理物９にマイクロ波を照射し、図示しない温度センサに
よりこの被処理物９の温度分布を求め、この温度分布に
基づいてスタブ33a のスタブチューナ33内への突出長さ
を調整してマイクロ波の分布を均一になるようにしてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の誘
導式マイクロ波照射装置においては、マイクロ波の出力
や分布の調整をスタブチューナのスタブの調整により行
っているが、被処理物との間に距離があり、高精度でマ
イクロ波の分布を制御することが不可能になるという問
題点があった。
導式マイクロ波照射装置においては、マイクロ波の出力
や分布の調整をスタブチューナのスタブの調整により行
っているが、被処理物との間に距離があり、高精度でマ
イクロ波の分布を制御することが不可能になるという問
題点があった。
【０００９】本発明は以上のような状況から簡単且つ容
易にマイクロ波の分布を均一にすることが可能となる誘
導式マイクロ波照射装置の提供を目的としたものであ
る。
易にマイクロ波の分布を均一にすることが可能となる誘
導式マイクロ波照射装置の提供を目的としたものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の誘導式マイクロ
波照射装置は、図１に示すようなマグネトロン１から出
されたマイクロ波を、反射波を吸収するアイソレータ２
を通し、スタブチューナ３で出力を調整し、Ｈコーナ４
で方向を変換して負荷ボックス６内に導入する誘導式マ
イクロ波照射装置において、この負荷ボックス６の壁面
からの突出長さによってマイクロ波の調整を行うことが
可能な導電性材料からなる突起７を具備するように構成
する。
波照射装置は、図１に示すようなマグネトロン１から出
されたマイクロ波を、反射波を吸収するアイソレータ２
を通し、スタブチューナ３で出力を調整し、Ｈコーナ４
で方向を変換して負荷ボックス６内に導入する誘導式マ
イクロ波照射装置において、この負荷ボックス６の壁面
からの突出長さによってマイクロ波の調整を行うことが
可能な導電性材料からなる突起７を具備するように構成
する。
【００１１】
【作用】即ち本発明においては負荷ボックスの壁面に突
起を設け、この突起の壁面からの突出長さの調整により
マイクロ波の分布を調整することが可能となるので、従
来のスタブによるマイクロ波の出力や分布の調整に比し
て容易に高精度の調整を行うことが可能となる。
起を設け、この突起の壁面からの突出長さの調整により
マイクロ波の分布を調整することが可能となるので、従
来のスタブによるマイクロ波の出力や分布の調整に比し
て容易に高精度の調整を行うことが可能となる。
【００１２】
【実施例】以下図２により本発明の第１の実施例、図３
により本発明の第２の実施例について詳細に説明する。
により本発明の第２の実施例について詳細に説明する。
【００１３】図２は本発明による第１の実施例の被処理
物を加熱するのに用いる誘導式マイクロ波照射装置を示
す図である。図２に示す誘導式マイクロ波照射装置は誘
導加熱により被処理物９を加熱する誘導式マイクロ波照
射装置であり、図に示すようにマグネトロン11から出さ
れたマイクロ波は、処理室16の方から反射してくる反射
波を吸収するアイソレータ12を通り、スタブチューナ13
のスタブ13a の挿入状態により出力を調整され、Ｈコー
ナ14で方向を変換して処理室16内に導入される。
物を加熱するのに用いる誘導式マイクロ波照射装置を示
す図である。図２に示す誘導式マイクロ波照射装置は誘
導加熱により被処理物９を加熱する誘導式マイクロ波照
射装置であり、図に示すようにマグネトロン11から出さ
れたマイクロ波は、処理室16の方から反射してくる反射
波を吸収するアイソレータ12を通り、スタブチューナ13
のスタブ13a の挿入状態により出力を調整され、Ｈコー
ナ14で方向を変換して処理室16内に導入される。
【００１４】処理室16の下部には石英ガラスからなるウ
エーハ支持部16a が設けられて半導体ウエーハ等の被処
理物９を支持しており、処理室16の下部の壁面には処理
室16内の空気を排気する排気口16bが設けられている。
エーハ支持部16a が設けられて半導体ウエーハ等の被処
理物９を支持しており、処理室16の下部の壁面には処理
室16内の空気を排気する排気口16bが設けられている。
【００１５】ウエーハ支持部16aと下部の壁面との間に
は調整ねじ17が螺合する仕切り壁16cが設けられてい
る。この調整ねじ17のこの仕切り壁16c からの突出長さ
によりマイクロ波の分布を調整することが可能であり、
調整ねじ17はロックナット18によりこの仕切り壁16c に
固定されるようになっている。
は調整ねじ17が螺合する仕切り壁16cが設けられてい
る。この調整ねじ17のこの仕切り壁16c からの突出長さ
によりマイクロ波の分布を調整することが可能であり、
調整ねじ17はロックナット18によりこの仕切り壁16c に
固定されるようになっている。
【００１６】この調整ねじ17はステンレススチールから
なる３mmのねじで、10mmピッチで設けられている。ウエ
ーハ支持部16a に支持されている被処理物９にマイクロ
波を照射し、図示しない温度センサによりこの被処理物
９の温度分布を求め、この温度分布に基づき調整ねじ17
の仕切り壁16c からの突出長さを調整してマイクロ波の
分布を均一にすることが可能となる。
なる３mmのねじで、10mmピッチで設けられている。ウエ
ーハ支持部16a に支持されている被処理物９にマイクロ
波を照射し、図示しない温度センサによりこの被処理物
９の温度分布を求め、この温度分布に基づき調整ねじ17
の仕切り壁16c からの突出長さを調整してマイクロ波の
分布を均一にすることが可能となる。
【００１７】図３は本発明による第２の実施例のプラズ
マにより被処理物を処理する誘導式マイクロ波照射装置
を示す図である。図３に示す誘導式マイクロ波照射装置
はマイクロ波によりプラズマを発生させて被処理物９を
処理する誘導式マイクロ波照射装置であり、図に示すよ
うにマグネトロン21から出されたマイクロ波は、プラズ
マ発生室25の方から反射してくる反射波を吸収するアイ
ソレータ22を通り、スタブチューナ23のスタブ23a の挿
入状態により出力を調整され、Ｈコーナ24で方向を変換
してプラズマ発生室25内に導入される。
マにより被処理物を処理する誘導式マイクロ波照射装置
を示す図である。図３に示す誘導式マイクロ波照射装置
はマイクロ波によりプラズマを発生させて被処理物９を
処理する誘導式マイクロ波照射装置であり、図に示すよ
うにマグネトロン21から出されたマイクロ波は、プラズ
マ発生室25の方から反射してくる反射波を吸収するアイ
ソレータ22を通り、スタブチューナ23のスタブ23a の挿
入状態により出力を調整され、Ｈコーナ24で方向を変換
してプラズマ発生室25内に導入される。
【００１８】プラズマ発生室25の下部の処理室26には石
英ガラスからなるウエーハ支持部26a が設けられて半導
体ウエーハ等の被処理物９を支持しており、処理室26の
下部の壁面には処理室26内の空気を排気する排気口26b
が設けられている。
英ガラスからなるウエーハ支持部26a が設けられて半導
体ウエーハ等の被処理物９を支持しており、処理室26の
下部の壁面には処理室26内の空気を排気する排気口26b
が設けられている。
【００１９】プラズマ発生室25の上面及び側面の壁面に
は、これらの壁面に螺合する調整ねじ27が設けられてい
る。この調整ねじ27のこの壁面からの突出長さによりマ
イクロ波の分布を調整することが可能であり、調整ねじ
27はロックナット28により壁面に固定されるようになっ
ている。
は、これらの壁面に螺合する調整ねじ27が設けられてい
る。この調整ねじ27のこの壁面からの突出長さによりマ
イクロ波の分布を調整することが可能であり、調整ねじ
27はロックナット28により壁面に固定されるようになっ
ている。
【００２０】この調整ねじ27は第１の実施例の調整ねじ
17と同様のものである。プラズマ発生室25内にマイクロ
波を照射し、このプラズマ発生室25に導入された反応ガ
スのプラズマ密度分布を求め、この反応ガスのプラズマ
密度分布に基づき調整ねじ27の壁面からの突出長さを調
整してマイクロ波の分布を均一にすることが可能とな
り、処理室26のウエーハ支持部26a に支持されている被
処理物９をこのプラズマにより処理する。
17と同様のものである。プラズマ発生室25内にマイクロ
波を照射し、このプラズマ発生室25に導入された反応ガ
スのプラズマ密度分布を求め、この反応ガスのプラズマ
密度分布に基づき調整ねじ27の壁面からの突出長さを調
整してマイクロ波の分布を均一にすることが可能とな
り、処理室26のウエーハ支持部26a に支持されている被
処理物９をこのプラズマにより処理する。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構造の変更により、マイクロ波の
照射分布を均一にすることが可能となる利点があり、著
しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる誘導式
マイクロ波照射装置の提供が可能である。
によれば極めて簡単な構造の変更により、マイクロ波の
照射分布を均一にすることが可能となる利点があり、著
しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる誘導式
マイクロ波照射装置の提供が可能である。
【図１】 本発明の原理図、
【図２】 本発明による第１の実施例の被処理物を加熱
するのに用いる誘導式マイクロ波照射装置を示す図、
するのに用いる誘導式マイクロ波照射装置を示す図、
【図３】 本発明による第２の実施例のプラズマにより
被処理物を処理する誘導式マイクロ波照射装置を示す
図、
被処理物を処理する誘導式マイクロ波照射装置を示す
図、
【図４】 従来の被処理物を加熱するのに用いる誘導式
マイクロ波照射装置を示す図、
マイクロ波照射装置を示す図、
1,11,21はマグネトロン、 2,12,22はアイソレータ、 3,13,23はスタブチューナ、 4,14,24はＨコーナ、 25はプラズマ発生室、 ６は負荷ボックス、 16,26は処理室、 16a,26a はウエーハ支持部、 16b,26b は排気口、 ７は突起、 17,27は調整ねじ、 18,28はロックナット、 ９は被処理物、
Claims (3)
- 【請求項１】 マグネトロン(1) から出されたマイクロ
波を、反射波を吸収するアイソレータ(2)を通し、スタ
ブチューナ(3)で出力を調整し、Ｈコーナ(4)で方向を変
換して負荷ボックス(6) 内に導入する誘導式マイクロ波
照射装置において、 前記負荷ボックス(6) の壁面からの突出長さによってマ
イクロ波の調整を行うことが可能な導電性材料からなる
突起(7) を具備することを特徴とする誘導式マイクロ波
照射装置。 - 【請求項２】 マグネトロン(11)から出されたマイクロ
波を反射波を吸収するアイソレータ(12)を通し、スタブ
チューナ(13)で出力を調整し、Ｈコーナ(14)で方向を変
換して処理室(16)内に導入する誘導式マイクロ波照射装
置において、 前記処理室(16)の壁面に螺合する、ロックナット(18)を
備えた導電性材料からなる調整ねじ(17)を具備すること
を特徴とする請求項１記載の誘導式マイクロ波照射装
置。 - 【請求項３】 マグネトロン(21)から出されたマイクロ
波を反射波を吸収するアイソレータ(22)を通し、スタブ
チューナ(23)で出力を調整し、Ｈコーナ(24)で方向を変
換してプラズマ発生室(25)内に導入し、該プラズマ発生
室(25)で発生させたプラズマで該プラズマ発生室(25)の
下部に設けた処理室(26)内の被処理物(9)を処理する誘
導式マイクロ波照射装置において、 前記プラズマ発生室(25)の壁面に螺合する、ロックナッ
ト(28)を備えた調整ねじ(27)を具備することを特徴とす
る請求項１記載の誘導式マイクロ波照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207893A JPH0547468A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 誘導式マイクロ波照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3207893A JPH0547468A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 誘導式マイクロ波照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547468A true JPH0547468A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16547318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3207893A Withdrawn JPH0547468A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 誘導式マイクロ波照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100727314B1 (ko) * | 2006-05-26 | 2007-06-12 | 박승호 | 마이크로파를 이용한 해동장치 |
| JP2012124456A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP3207893A patent/JPH0547468A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100727314B1 (ko) * | 2006-05-26 | 2007-06-12 | 박승호 | 마이크로파를 이용한 해동장치 |
| JP2012124456A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8987645B2 (en) | 2010-11-19 | 2015-03-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus having rotatable slot-type antenna and method of manufacturing semiconductor device using the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |