JPH0547123B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0547123B2 JPH0547123B2 JP15398687A JP15398687A JPH0547123B2 JP H0547123 B2 JPH0547123 B2 JP H0547123B2 JP 15398687 A JP15398687 A JP 15398687A JP 15398687 A JP15398687 A JP 15398687A JP H0547123 B2 JPH0547123 B2 JP H0547123B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- transistor
- feedback
- resistor
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 101100176188 Onchocerca volvulus gmr-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は初段のエミツタ接地トランジスタと次
段のコレクタ接地トランジスタで構成される帰還
型の増幅器の改良に関し、入力電流により帰還回
路の帰還量が大きくなり、増幅作用が不安定にな
るのを防止することを目的とし、初段エミツタ接
地トランジスタのコレクタ負荷に非線形抵抗回路
をまた次段トランジスタの出力電圧を初段トラン
ジスタの入力部へ帰還させる帰還部に非線形抵抗
回路を設けて構成する。
段のコレクタ接地トランジスタで構成される帰還
型の増幅器の改良に関し、入力電流により帰還回
路の帰還量が大きくなり、増幅作用が不安定にな
るのを防止することを目的とし、初段エミツタ接
地トランジスタのコレクタ負荷に非線形抵抗回路
をまた次段トランジスタの出力電圧を初段トラン
ジスタの入力部へ帰還させる帰還部に非線形抵抗
回路を設けて構成する。
本発明は初段のエミツタ接地トランジスタと次
段のコレクタ接地トランジスタで構成される帰還
型の増幅器の改良に関するものである。
段のコレクタ接地トランジスタで構成される帰還
型の増幅器の改良に関するものである。
増幅器、例えば光通信の光受信部に使用される
帰還型の前置増幅器は微弱な受光レベルにおいて
充分な利得をもつ様に設計される。しかし、受光
レベルは変動するものであるから前置増幅器は入
力の微弱レベルから大きい規定レベルまで、出力
レベルの飽和を生じることなく安定した増幅利得
をもつことが望ましい。
帰還型の前置増幅器は微弱な受光レベルにおいて
充分な利得をもつ様に設計される。しかし、受光
レベルは変動するものであるから前置増幅器は入
力の微弱レベルから大きい規定レベルまで、出力
レベルの飽和を生じることなく安定した増幅利得
をもつことが望ましい。
〔従来の技術〕
光受信部の前置増幅器として使用されている従
来の増幅器を第5図の回路図に示す。
来の増幅器を第5図の回路図に示す。
図において、光信号は受光素子1により電流の
信号に変換され、初段エミツタ接地トランジスタ
2のベースに入力し、コレクタの負荷抵抗4に出
力電圧として増幅され、次段コレクタ接地トラン
ジスタ3のエミツタと接地の間の抵抗6から、電
気信号の出力電圧として取り出される。
信号に変換され、初段エミツタ接地トランジスタ
2のベースに入力し、コレクタの負荷抵抗4に出
力電圧として増幅され、次段コレクタ接地トラン
ジスタ3のエミツタと接地の間の抵抗6から、電
気信号の出力電圧として取り出される。
初段エミツタ接地トランジスタ2はそのコレク
タの負荷抵抗4と、次段トランジスタ3のエミツ
タと接地の間の抵抗6からの出力電圧を自トラン
ジスタ2のベース入力部へ電圧帰還させる帰還抵
抗5とを備える。
タの負荷抵抗4と、次段トランジスタ3のエミツ
タと接地の間の抵抗6からの出力電圧を自トラン
ジスタ2のベース入力部へ電圧帰還させる帰還抵
抗5とを備える。
第5図回路の利得周波数特性は第6図に示す。
縦軸は利得G、横軸は周波数fを示す。
帰還抵抗5がなく、負荷抵抗4のみの無帰還の
場合のオープン利得特性曲線はになる。これに
帰還抵抗5を接続すると、利得Gがの変わり、
全体の利得が下がることになり、増幅作用を安定
化させる。
場合のオープン利得特性曲線はになる。これに
帰還抵抗5を接続すると、利得Gがの変わり、
全体の利得が下がることになり、増幅作用を安定
化させる。
従来の増幅回路のオープン利得、即ち帰還量0
の場合の利得は負荷抵抗4の抵抗値によつて決定
され、固定した値になる。
の場合の利得は負荷抵抗4の抵抗値によつて決定
され、固定した値になる。
初段のトランジスタ2が、某のベースへ入力す
る信号電流Isにより、コレクタの負荷抵抗4に流
れるコレクタ電流が増加し、其の抵抗4から降下
電圧として出力される出力電圧が大きくなり、結
果として、次段トランジスタ3のエミツタ出力の
出力電圧が初段トランジスタ2のベースの入力部
へ帰還される帰還電圧の量が増加する回路構成を
もつ、第5図の如き、従来の帰還型の増幅器の場
合は、前記ベースへ入力する信号電流Isが無いIs
=0の時の電圧の帰還量に比べて、信号電流Isが
有るIs=規定値の時の帰還量が大きくなり、入出
力の利得の周波数特性も、第3図のの如くなつ
て、増幅器の増幅動作が不安定になるという欠点
があつた。
る信号電流Isにより、コレクタの負荷抵抗4に流
れるコレクタ電流が増加し、其の抵抗4から降下
電圧として出力される出力電圧が大きくなり、結
果として、次段トランジスタ3のエミツタ出力の
出力電圧が初段トランジスタ2のベースの入力部
へ帰還される帰還電圧の量が増加する回路構成を
もつ、第5図の如き、従来の帰還型の増幅器の場
合は、前記ベースへ入力する信号電流Isが無いIs
=0の時の電圧の帰還量に比べて、信号電流Isが
有るIs=規定値の時の帰還量が大きくなり、入出
力の利得の周波数特性も、第3図のの如くなつ
て、増幅器の増幅動作が不安定になるという欠点
があつた。
本発明によれば、第1図の原理図と第2図の実
施例の回路図とを参照して、初段のエミツタ接地
トランジスタ12と次段のコレクタ接地トランジ
スタ13から成り、次段トランジスタ13のエミ
ツタ出力を初段トランジスタ12のベース入力に
電圧帰還する帰還型の増幅器において、初段エミ
ツタ接地トランジスタ12のコレクタ負荷に、流
れる電流値により内部抵抗が変化する素子D27
と一定抵抗R24とを並列にした第1の非線形抵
抗回路14を設け、また次段トランジスタ13の
エミツタ出力が前記初段トランジスタのベース入
力へ帰還される帰還路に、両端の電位差で流れる
電流値が変り内部抵抗が変化する素子D28と一
定抵抗R25とを並列にした第2の非線形抵抗回
路15を設けて、初段トランジスタ12のベース
への入力電流Isによりコレクタ電流I1が増加した
時に該第1非線形抵抗回路14の前記流れる電流
で内部抵抗が変化する素子D27の内部抵抗と一
定抵抗R24との並列抵抗値である動作抵抗R1
と該第2非線形抵抗回路15の前記両端電圧で流
れる電流が変り内部抵抗が変化する素子D28の
内部抵抗と一定抵抗R25との並列抵抗値である
動作抵抗Rfとが共に減少して該動作抵抗の比R
1/Rfで定まる次段トランジスタ13の出力か
ら初段トランジスタ12の入力へ帰還される帰還
量が常に一定となるように構成する本発明の増幅
器により、前記の問題点を解決した。
施例の回路図とを参照して、初段のエミツタ接地
トランジスタ12と次段のコレクタ接地トランジ
スタ13から成り、次段トランジスタ13のエミ
ツタ出力を初段トランジスタ12のベース入力に
電圧帰還する帰還型の増幅器において、初段エミ
ツタ接地トランジスタ12のコレクタ負荷に、流
れる電流値により内部抵抗が変化する素子D27
と一定抵抗R24とを並列にした第1の非線形抵
抗回路14を設け、また次段トランジスタ13の
エミツタ出力が前記初段トランジスタのベース入
力へ帰還される帰還路に、両端の電位差で流れる
電流値が変り内部抵抗が変化する素子D28と一
定抵抗R25とを並列にした第2の非線形抵抗回
路15を設けて、初段トランジスタ12のベース
への入力電流Isによりコレクタ電流I1が増加した
時に該第1非線形抵抗回路14の前記流れる電流
で内部抵抗が変化する素子D27の内部抵抗と一
定抵抗R24との並列抵抗値である動作抵抗R1
と該第2非線形抵抗回路15の前記両端電圧で流
れる電流が変り内部抵抗が変化する素子D28の
内部抵抗と一定抵抗R25との並列抵抗値である
動作抵抗Rfとが共に減少して該動作抵抗の比R
1/Rfで定まる次段トランジスタ13の出力か
ら初段トランジスタ12の入力へ帰還される帰還
量が常に一定となるように構成する本発明の増幅
器により、前記の問題点を解決した。
本発明によれば、初段エミツタ接地トランジス
タ12のコレクタ負荷として設けた固定抵抗R2
4と可変抵抗素子D27から成る第1非線形抵抗
回路14の動作抵抗R1が、そのベースへ入力す
る信号電流Isにより流れたコレクタ電流I2によつ
て減少した時に、該動作抵抗R1上の電圧降下と
して次段コレクタ接地トランジスタ13のベース
へ送出される出力が減少し、この次段トランジス
タ13のエミツタ抵抗16から外部へ出力される
信号電圧Vが減る。この結果として初段トランジ
スタ12のベース入力への帰還路の固定抵抗R2
5と可変抵抗素子D28とから成る第2非線形抵
抗回路15の両端電圧が減り其の動作抵抗Rfが
減少して帰還量が増える。これは後の実施例の欄
で詳細に説明する如く、初段トランジスタ12の
コレクタ負荷である第1非線形抵抗回路14と次
段トランジスタ13の出力からの帰還路の第2非
線形抵抗回路15とは、入力電流Isの増加に対し
て一定の関係で減少するように第1非線形抵抗回
路14の固定抵抗24の値を選定する事で、第4
図のの利得周波数特性のように、入力電流Isが
無く帰還抵抗Rfが可変素子D28がオフで大き
い無帰還時で初段トランジスタ12のコレクタ負
荷R1の可変素子D27がオフの時のオープン利
得Gと、入力電流Isが規定値で可変素子D27,
D28がオンで一定の帰還量を持つ時の利得の周
波数特性が一定となり、増幅器は安定に動作す
る。
タ12のコレクタ負荷として設けた固定抵抗R2
4と可変抵抗素子D27から成る第1非線形抵抗
回路14の動作抵抗R1が、そのベースへ入力す
る信号電流Isにより流れたコレクタ電流I2によつ
て減少した時に、該動作抵抗R1上の電圧降下と
して次段コレクタ接地トランジスタ13のベース
へ送出される出力が減少し、この次段トランジス
タ13のエミツタ抵抗16から外部へ出力される
信号電圧Vが減る。この結果として初段トランジ
スタ12のベース入力への帰還路の固定抵抗R2
5と可変抵抗素子D28とから成る第2非線形抵
抗回路15の両端電圧が減り其の動作抵抗Rfが
減少して帰還量が増える。これは後の実施例の欄
で詳細に説明する如く、初段トランジスタ12の
コレクタ負荷である第1非線形抵抗回路14と次
段トランジスタ13の出力からの帰還路の第2非
線形抵抗回路15とは、入力電流Isの増加に対し
て一定の関係で減少するように第1非線形抵抗回
路14の固定抵抗24の値を選定する事で、第4
図のの利得周波数特性のように、入力電流Isが
無く帰還抵抗Rfが可変素子D28がオフで大き
い無帰還時で初段トランジスタ12のコレクタ負
荷R1の可変素子D27がオフの時のオープン利
得Gと、入力電流Isが規定値で可変素子D27,
D28がオンで一定の帰還量を持つ時の利得の周
波数特性が一定となり、増幅器は安定に動作す
る。
図示実施例を従い本発明を説明する。
第2図は本発明一実施例の前値増幅器の回路
図、第3図は、第4図は利得周波数特性図であ
る。
図、第3図は、第4図は利得周波数特性図であ
る。
初段エミツタ接地トランジスタ12のコレクタ
負荷の第1の非線性抵抗回路14は、高周波信号
に対しては抵抗R24とダイオードD27との並
列回路にて構成され(抵抗R2は直流バイアス用
で高周波的にはコンデンサC2で短絡される)、
その高周波の動作抵抗をR1とする。そしてベー
スへの入力電流Isが無いIs=0の時に、ダイオー
ドD27の両端電位V1、V2等しくV1=V2となる
ように、定電圧ダイオードD1、D2と抵抗R2と
で、電源からダイオードD27のアノードにバイ
アス電圧V1を与えて、V=VD1+VD2=V2=VBE1
VBE2とする。そしてベースへ入力電流Isが有つて
其れによりコレクタ電流I2が規定値とならない小
さい間(I2xR24<R27のオン電圧の0.7v程
度)は、ダイオードD27は不通で、コレクタ負
荷の第1の非線形抵抗回路14の動作抵抗R1
は、抵抗R24となる。そしてコレクタ電流I2が
規定値となつた時(I2xR24>D27のオン電
圧)は、ダイオードD27は導通し、第1非線形
抵抗回路14の動作抵抗R1は、D27の導通時
の内部抵抗と一定抵抗R24との並列抵抗の低抵
抗となる。また、次段トランジスタ13のエミツ
タの出力電圧を初段トランジスタ12のベース入
力へ電圧帰還させる帰還路の第2の非線形抵抗回
路15の動作抵抗である帰還抵抗Rfは、抵抗R
25とダイオードD28との並列回路にて構成さ
れ、該回路の両端の電位差が、ダイオードD28
のオン電圧以上になると、D28に電流が流れ低
い値となる内部抵抗と前記抵抗R25との並列抵
抗の帰還抵抗Rfが低抵抗となり、初段トランジ
スタ12のベース入力への帰還する帰還電圧量が
増加する。
負荷の第1の非線性抵抗回路14は、高周波信号
に対しては抵抗R24とダイオードD27との並
列回路にて構成され(抵抗R2は直流バイアス用
で高周波的にはコンデンサC2で短絡される)、
その高周波の動作抵抗をR1とする。そしてベー
スへの入力電流Isが無いIs=0の時に、ダイオー
ドD27の両端電位V1、V2等しくV1=V2となる
ように、定電圧ダイオードD1、D2と抵抗R2と
で、電源からダイオードD27のアノードにバイ
アス電圧V1を与えて、V=VD1+VD2=V2=VBE1
VBE2とする。そしてベースへ入力電流Isが有つて
其れによりコレクタ電流I2が規定値とならない小
さい間(I2xR24<R27のオン電圧の0.7v程
度)は、ダイオードD27は不通で、コレクタ負
荷の第1の非線形抵抗回路14の動作抵抗R1
は、抵抗R24となる。そしてコレクタ電流I2が
規定値となつた時(I2xR24>D27のオン電
圧)は、ダイオードD27は導通し、第1非線形
抵抗回路14の動作抵抗R1は、D27の導通時
の内部抵抗と一定抵抗R24との並列抵抗の低抵
抗となる。また、次段トランジスタ13のエミツ
タの出力電圧を初段トランジスタ12のベース入
力へ電圧帰還させる帰還路の第2の非線形抵抗回
路15の動作抵抗である帰還抵抗Rfは、抵抗R
25とダイオードD28との並列回路にて構成さ
れ、該回路の両端の電位差が、ダイオードD28
のオン電圧以上になると、D28に電流が流れ低
い値となる内部抵抗と前記抵抗R25との並列抵
抗の帰還抵抗Rfが低抵抗となり、初段トランジ
スタ12のベース入力への帰還する帰還電圧量が
増加する。
回路の動作は以下の通りである。
受光レベルが零レベルより増大すると、初段ト
ランジスタQ12のベースへ入力する信号電流Is
が流れる。先ず、其のベースへの入力信号電流Is
が規定値以下である場合は、其のコレクタ電流I2
も規定値以下であり、抵抗R24の電圧降下
I2xR24<D27のオン電圧(0.7v程度)であつ
て、ダイオードD27はオフ状態となり、そのコ
レクタ負荷の第1非線形抵抗回路14の動作抵抗
R1は、固定抵抗R24のみの高抵抗値を示す
が、出力が飽和しない様に抵抗R24が選ばれ
る。この時の第2非線形抵抗回路15の抵抗R2
4とダイオードD28との並列接触の動作抵抗
Rfは、抵抗R25のみで決まる大きな値となり、
次段トランジスタQ13のエミツタの出力抵抗R
16から初段トランジスタQ12のベース入力へ
の帰還量は小さく、次段トランジスタQ13のエ
ミツタからの信号出力Vは大電圧となる。次に、
初段トランジスタQ12のベースへの入力信号電
流Isが規定値に達した時は、其のコレクタ電流I2
も規定値となり、抵抗R24の電圧降下I2xR2
4>D27のオン電圧となつて、ダイオードD2
7はオン状態となり低抵抗値を示す。そしてコレ
クタ負荷の第1非線形抵抗回路14の動作抵抗R
1は、D27の低い値の内部抵抗と固定抵抗R2
4との並列の低抵抗値となる。従つて次段トラン
ジスタQ13のベースへ送出される信号出力は低
い電圧となり飽和もせず、次段のコレクタ接地ト
ランシスタQ13のエミツタ抵抗R16から外部
へ出力される信号電圧Vも小さくなる。この時の
第2非線形抵抗回路15の動作抵抗Rfは、D2
8のオン抵抗と抵抗R25の並列接続の低抵抗値
となり、次段トランジスタQ13のエミツタ出力
から初段トランジスタQ12のベース入力への帰
還量を増大させるが、その出力はダイオードD2
8の順方向の電圧降下以上にはならないので、初
段トランジスタQ12は、飽和せず、又次段トラ
ンジスタQ13の電流も確保されて、実施例の帰
還型の増幅器の回路は正常に動作する。
ランジスタQ12のベースへ入力する信号電流Is
が流れる。先ず、其のベースへの入力信号電流Is
が規定値以下である場合は、其のコレクタ電流I2
も規定値以下であり、抵抗R24の電圧降下
I2xR24<D27のオン電圧(0.7v程度)であつ
て、ダイオードD27はオフ状態となり、そのコ
レクタ負荷の第1非線形抵抗回路14の動作抵抗
R1は、固定抵抗R24のみの高抵抗値を示す
が、出力が飽和しない様に抵抗R24が選ばれ
る。この時の第2非線形抵抗回路15の抵抗R2
4とダイオードD28との並列接触の動作抵抗
Rfは、抵抗R25のみで決まる大きな値となり、
次段トランジスタQ13のエミツタの出力抵抗R
16から初段トランジスタQ12のベース入力へ
の帰還量は小さく、次段トランジスタQ13のエ
ミツタからの信号出力Vは大電圧となる。次に、
初段トランジスタQ12のベースへの入力信号電
流Isが規定値に達した時は、其のコレクタ電流I2
も規定値となり、抵抗R24の電圧降下I2xR2
4>D27のオン電圧となつて、ダイオードD2
7はオン状態となり低抵抗値を示す。そしてコレ
クタ負荷の第1非線形抵抗回路14の動作抵抗R
1は、D27の低い値の内部抵抗と固定抵抗R2
4との並列の低抵抗値となる。従つて次段トラン
ジスタQ13のベースへ送出される信号出力は低
い電圧となり飽和もせず、次段のコレクタ接地ト
ランシスタQ13のエミツタ抵抗R16から外部
へ出力される信号電圧Vも小さくなる。この時の
第2非線形抵抗回路15の動作抵抗Rfは、D2
8のオン抵抗と抵抗R25の並列接続の低抵抗値
となり、次段トランジスタQ13のエミツタ出力
から初段トランジスタQ12のベース入力への帰
還量を増大させるが、その出力はダイオードD2
8の順方向の電圧降下以上にはならないので、初
段トランジスタQ12は、飽和せず、又次段トラ
ンジスタQ13の電流も確保されて、実施例の帰
還型の増幅器の回路は正常に動作する。
第3図と特性図において、は初段トランジス
タQ12のコレクタ負荷の第1非線形抵抗回路1
4の動作抵抗R1が抵抗R24のみの場合のオー
プン利得周波数特性で、の点数の曲線は次段ト
ランジスタQ13のエミツタ出力から初段トラン
ジスタ12のベース入力への帰還路の第2非線形
抵抗回路15の帰還抵抗Rfが抵抗R25を備え
たときの利得周波数特性で、は帰還抵抗25に
帰還ダイオード28を並列に接続し、帰還量の増
大によつてダイオード28が導通した状態の利得
周波数特性である。
タQ12のコレクタ負荷の第1非線形抵抗回路1
4の動作抵抗R1が抵抗R24のみの場合のオー
プン利得周波数特性で、の点数の曲線は次段ト
ランジスタQ13のエミツタ出力から初段トラン
ジスタ12のベース入力への帰還路の第2非線形
抵抗回路15の帰還抵抗Rfが抵抗R25を備え
たときの利得周波数特性で、は帰還抵抗25に
帰還ダイオード28を並列に接続し、帰還量の増
大によつてダイオード28が導通した状態の利得
周波数特性である。
そのの場合は、帰還ダイオード28の導通に
より、光信号のレベル増大に対し、利得を充分低
下させ、トランジスタの飽和を防止するが、帰還
量が増大すると高周波で、特性曲線に山を生じ、
発振を起こし易い。
より、光信号のレベル増大に対し、利得を充分低
下させ、トランジスタの飽和を防止するが、帰還
量が増大すると高周波で、特性曲線に山を生じ、
発振を起こし易い。
しかし、負荷抵抗24にダイオード27を並列
接続すれば、光入力信号レベルが小さいときはダ
イオード27はオフ状態であり、そのオフ状態の
利得のオープン利得は、初段トランジスタQ12
のコレクタの負荷抵抗R1が抵抗R24の値のみ
で決定され、その時の利得周波数特性は第4図の
の点線の如くなる。次に、光入力信号レベルが
大きくなつた時は、初段トランジスタQ12のコ
レクタ負荷のダイオードD27がオンし、そのダ
イオードD27と固定抵抗R24との並列負荷抵
抗R1は低くなり、その時の入出力の利得Gは低
くなつて、第4図のに示す如く、利得周波数特
性は平坦となり、安定な帰還増幅が行われる。さ
らに、帰還路のダイオードD28のオンにより、
帰還抵抗Rfが低い値となつて帰還量が増大し、
に示す如く、利得Gは減少するが利得周波数特
性は更に高周波まで平坦な特性を得られる。
接続すれば、光入力信号レベルが小さいときはダ
イオード27はオフ状態であり、そのオフ状態の
利得のオープン利得は、初段トランジスタQ12
のコレクタの負荷抵抗R1が抵抗R24の値のみ
で決定され、その時の利得周波数特性は第4図の
の点線の如くなる。次に、光入力信号レベルが
大きくなつた時は、初段トランジスタQ12のコ
レクタ負荷のダイオードD27がオンし、そのダ
イオードD27と固定抵抗R24との並列負荷抵
抗R1は低くなり、その時の入出力の利得Gは低
くなつて、第4図のに示す如く、利得周波数特
性は平坦となり、安定な帰還増幅が行われる。さ
らに、帰還路のダイオードD28のオンにより、
帰還抵抗Rfが低い値となつて帰還量が増大し、
に示す如く、利得Gは減少するが利得周波数特
性は更に高周波まで平坦な特性を得られる。
なお、初段のエミツタ接地トランジスタと次段
のコレクタ接地トランジスタから成る帰還型の増
幅回路の3デジベル降下の高域遮断周波数f3db
は、 f3db=〔1+(1/gmR1) +(Rf/β0R1)〕・(R1/Rf)・fT にて示される。ここでR1は初段トンジスタQ1
2のコレクタの負荷抵抗、Rfは次段トランジス
タQ13のエミツタ出力から初段トランジスタQ
12のベース入力へ電圧帰還する帰還路の帰還抵
抗である。
のコレクタ接地トランジスタから成る帰還型の増
幅回路の3デジベル降下の高域遮断周波数f3db
は、 f3db=〔1+(1/gmR1) +(Rf/β0R1)〕・(R1/Rf)・fT にて示される。ここでR1は初段トンジスタQ1
2のコレクタの負荷抵抗、Rfは次段トランジス
タQ13のエミツタ出力から初段トランジスタQ
12のベース入力へ電圧帰還する帰還路の帰還抵
抗である。
中括弧内は普通1に近く、f3dbの値はR1と
Rfの比で定まる。従つて、本発明の実施例の帰
還型増幅器では、初段トランジスタQ12のコレ
クタ負荷抵抗R1と次段トランジスタQ13から
の帰還抵抗Rfとが、入力信号電流Isの増加に対し
一定の関係で減少するため、即ち入力電流Isが少
なく帰還抵抗Rfが其のダイオードD28がオフ
で抵抗25のみの大きい値の無帰還時で、初段ト
ランジスタQ12のコレクタ負荷R1はダイオー
ドD27がオフで抵抗24のみの時の所謂オープ
ン利得と、入力電流Isが規定値となり帰還抵抗Rf
が其のダイオードD28がオンで抵抗25との並
列の小さな値で一定の帰還量を持つ時で、初段ト
ランジスタQ12のコレクタ負荷R1が其のダイ
オードD27がオンで抵抗24との並列接続の低
い値の時の利得とが、共に一定となるため、入力
電流と出力電圧との比の変換利得Gの周波数特性
が入力電流Isの有無に無関係に一定となり、増幅
器の動作が安定となる。
Rfの比で定まる。従つて、本発明の実施例の帰
還型増幅器では、初段トランジスタQ12のコレ
クタ負荷抵抗R1と次段トランジスタQ13から
の帰還抵抗Rfとが、入力信号電流Isの増加に対し
一定の関係で減少するため、即ち入力電流Isが少
なく帰還抵抗Rfが其のダイオードD28がオフ
で抵抗25のみの大きい値の無帰還時で、初段ト
ランジスタQ12のコレクタ負荷R1はダイオー
ドD27がオフで抵抗24のみの時の所謂オープ
ン利得と、入力電流Isが規定値となり帰還抵抗Rf
が其のダイオードD28がオンで抵抗25との並
列の小さな値で一定の帰還量を持つ時で、初段ト
ランジスタQ12のコレクタ負荷R1が其のダイ
オードD27がオンで抵抗24との並列接続の低
い値の時の利得とが、共に一定となるため、入力
電流と出力電圧との比の変換利得Gの周波数特性
が入力電流Isの有無に無関係に一定となり、増幅
器の動作が安定となる。
上記の様に本発明によれば、入力信号レベルの
変化に対し利得周波数特性の安定した増幅器を提
供することが可能となり、その作用効果は極めて
大きい。
変化に対し利得周波数特性の安定した増幅器を提
供することが可能となり、その作用効果は極めて
大きい。
第1図は本発明の原理図、第2図は本発明の一
実施例の前置増幅器の回路図、第3図、第4図は
第2図回路の利得周波数特性図、第5図は従来の
前置増幅器の回路図、第6図は第5図回路の利得
周波数特性図である。 図において、1,11は受光素子、2,3,1
2,13はトランジスタ、4,24は負荷抵抗、
5,25は帰還抵抗、6,16は出力抵抗、1
4,15は非直線抵抗回路、27,28はダイオ
ードである。
実施例の前置増幅器の回路図、第3図、第4図は
第2図回路の利得周波数特性図、第5図は従来の
前置増幅器の回路図、第6図は第5図回路の利得
周波数特性図である。 図において、1,11は受光素子、2,3,1
2,13はトランジスタ、4,24は負荷抵抗、
5,25は帰還抵抗、6,16は出力抵抗、1
4,15は非直線抵抗回路、27,28はダイオ
ードである。
Claims (1)
- 1 初段のエミツタ接地トランジスタ12と次段
のコレクタ接地トランジスタ13とから成り、次
段トランジスタ13のエミツタからの出力電圧を
初段トランジスタ12のベースへ入力し電圧帰還
する帰還型の増幅器において、初段トランジスタ
12のコレクタ負荷として、流れるコレクタ電流
I2の値により内部抵抗が変化する素子D27と一
定抵抗R24とを並列にした第1非線形抵抗回路
14を、また次段トランジスタ13のエミツタか
らの出力電圧Vを初段トランジスタ12のベース
入力へ帰還する帰還路に、両端電圧で流れる電流
が変り内部抵抗が変化する素子D28と一定抵抗
R25とを並列にした第2非線形抵抗回路15を
設け、該初段トランジスタ12のベース入力の信
号電流Isが増加した時、そのコレクタ電流I2が増
加し前記第1非線形回路14の素子D27の変化
する内部抵抗と一定抵抗R24との並列抵抗値で
ある動作抵抗R1と、前記帰還路の第2非線形抵
抗回路15の両端電圧で電流が変り内部抵抗が変
化する素子D28の内部抵抗と一定抵抗R25と
の並列抵抗値である動作抵抗Rfとが共に前記入
力電流Isの増加に対し一定の関係で減少し該二つ
の動作抵抗の比R1/Rfで定まる入力電流Isに対
する出力電圧Vの利得の周波数特性が該入力電流
Isの値に無関係に一定に保たれることを特徴とす
る増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15398687A JPS63316907A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15398687A JPS63316907A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63316907A JPS63316907A (ja) | 1988-12-26 |
JPH0547123B2 true JPH0547123B2 (ja) | 1993-07-15 |
Family
ID=15574411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15398687A Granted JPS63316907A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63316907A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0666814B2 (ja) * | 1989-02-16 | 1994-08-24 | 住友電気工業株式会社 | 光受信回路 |
-
1987
- 1987-06-19 JP JP15398687A patent/JPS63316907A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63316907A (ja) | 1988-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4327319A (en) | Active power supply ripple filter | |
US6111466A (en) | Amplifier with feedback to provide bias adjustment | |
JP2853763B2 (ja) | 増幅回路 | |
US3828266A (en) | Signal control circuit | |
US4956615A (en) | Input circuit for high-frequency amplifiers | |
US4088963A (en) | Gain control circuit | |
US5406222A (en) | High gain transistor amplifier | |
US4357578A (en) | Complementary differential amplifier | |
KR100617294B1 (ko) | 자동 이득 조절 귀환 증폭기 | |
US5936470A (en) | Audio amplifier having linear gain control | |
US7345556B2 (en) | Variable attenuation circuit having large attenuation amount with small circuit size | |
US5327097A (en) | Gain control circuit | |
JPH0547123B2 (ja) | ||
US6218906B1 (en) | Amplifier circuit | |
US4593252A (en) | Enhanced transconductance amplifier | |
US5376900A (en) | Push-pull output stage for amplifier in integrated circuit form | |
US4555676A (en) | Dual-section amplifier arrangement having a protection circuit | |
US4305044A (en) | Amplifier circuit having controllable gain | |
JPS634961B2 (ja) | ||
US3873932A (en) | Gain control circuit having variable impedance to determine circuit gain and to control minimum gain | |
US6246290B1 (en) | High gain, current driven, high frequency amplifier | |
JP2765257B2 (ja) | 増幅回路 | |
JP3291736B2 (ja) | 高周波増幅装置 | |
JPH0230202B2 (ja) | Ritokukahenzofukukairo | |
JPH03228409A (ja) | 高周波電力増幅器 |