JPH0544639B2 - - Google Patents
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- JPH0544639B2 JPH0544639B2 JP58198146A JP19814683A JPH0544639B2 JP H0544639 B2 JPH0544639 B2 JP H0544639B2 JP 58198146 A JP58198146 A JP 58198146A JP 19814683 A JP19814683 A JP 19814683A JP H0544639 B2 JPH0544639 B2 JP H0544639B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/065—Presses for the formation of diamonds or boronitrides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Pressure Vessels And Lids Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、放射性クリプトンガス等を固定化
処理する高温高圧容器に関するものである。
処理する高温高圧容器に関するものである。
使用済核燃料の再処理工場および原子力発電所
から排出される排ガス中には半減期が長い(半減
期10.3年)放射性クリプトンガス(クリプトン−
85)が含まれている。これは再処理工場の排ガス
中に数%含まれ、原子力発電所からは微量発生す
るものである。放射能の環境への放出低減化の観
点からこれを回収する技術の開発が進められてい
るが、回収したクリプトンガスを長期間貯蔵する
技術については未だ開発の途上である。
から排出される排ガス中には半減期が長い(半減
期10.3年)放射性クリプトンガス(クリプトン−
85)が含まれている。これは再処理工場の排ガス
中に数%含まれ、原子力発電所からは微量発生す
るものである。放射能の環境への放出低減化の観
点からこれを回収する技術の開発が進められてい
るが、回収したクリプトンガスを長期間貯蔵する
技術については未だ開発の途上である。
長期間貯蔵する技術として最も開発が進んでい
るといわれているゼオライト封入法は、高温、高
圧下でクリプトンガスをゼオライトが有する空洞
に閉じこめる方法である。この封入原理は、ゼオ
ライトが結晶中にケージ(空洞)を有することを
利用し、ゼオライトを高温に加熱することにより
ケージ内を満たしている結晶水を結晶中のポアを
介して外部に除去し、代りに放射性排ガスをケー
ジ内に封入しようとするものである。このポアは
常温では小さく、放射性排ガスであるクリプトン
の分子は通過することはできないが、高温に加熱
すると大きくなり、ポアを通つてケージ内に入る
ことができる。この状態で常温に戻すとポアは再
び小さくなり、ケージ内にクリプトンの分子が封
入される。この封入処理は、封入容量および安定
性の点から、一般に温度約500〜700℃、ガス圧力
約600〜1000Kgf/cm2の高温、高圧下に行なわれ
ている。この高温、高圧技術としてガス圧媒を用
いる熱間静水圧加圧装置(通常HIPと称される)
が採用されている。しかしながら、この設備は負
圧に管理されたホツトセルの中に設置される必要
があり、万一HIP容器の破壊事故が生じた場合に
は大量のガスが噴出し、セル内を負圧に維持する
ことは非常に困難である。また、容器の破壊時に
は蓄積されたガスエネルギーによる固形物体のミ
サイル効果による飛散も予測され、これに対応す
るためにセルの壁の板厚を厚くする必要がある。
るといわれているゼオライト封入法は、高温、高
圧下でクリプトンガスをゼオライトが有する空洞
に閉じこめる方法である。この封入原理は、ゼオ
ライトが結晶中にケージ(空洞)を有することを
利用し、ゼオライトを高温に加熱することにより
ケージ内を満たしている結晶水を結晶中のポアを
介して外部に除去し、代りに放射性排ガスをケー
ジ内に封入しようとするものである。このポアは
常温では小さく、放射性排ガスであるクリプトン
の分子は通過することはできないが、高温に加熱
すると大きくなり、ポアを通つてケージ内に入る
ことができる。この状態で常温に戻すとポアは再
び小さくなり、ケージ内にクリプトンの分子が封
入される。この封入処理は、封入容量および安定
性の点から、一般に温度約500〜700℃、ガス圧力
約600〜1000Kgf/cm2の高温、高圧下に行なわれ
ている。この高温、高圧技術としてガス圧媒を用
いる熱間静水圧加圧装置(通常HIPと称される)
が採用されている。しかしながら、この設備は負
圧に管理されたホツトセルの中に設置される必要
があり、万一HIP容器の破壊事故が生じた場合に
は大量のガスが噴出し、セル内を負圧に維持する
ことは非常に困難である。また、容器の破壊時に
は蓄積されたガスエネルギーによる固形物体のミ
サイル効果による飛散も予測され、これに対応す
るためにセルの壁の板厚を厚くする必要がある。
一方、圧媒ガスを使用しない方法として、容器
本体を高温に加熱するとともに内部に被処理ガス
(クリプトンガス)を導入する、いわゆる外熱式
容器が考えられる。この外熱式容器においては取
扱うガスとしては被処理ガスのみであり、ガス量
としては最小量であるが、容器本体を高温に加熱
することから、使用する材料の選定が難しく、ま
た高温下でのシール技術は必ずしも確立している
とはいえない。
本体を高温に加熱するとともに内部に被処理ガス
(クリプトンガス)を導入する、いわゆる外熱式
容器が考えられる。この外熱式容器においては取
扱うガスとしては被処理ガスのみであり、ガス量
としては最小量であるが、容器本体を高温に加熱
することから、使用する材料の選定が難しく、ま
た高温下でのシール技術は必ずしも確立している
とはいえない。
この発明はこのような技術的背景のもとになさ
れたものであり、圧媒ガス使用せずかつ高温高圧
容器本体に高温がかからない装置を提供するもの
である。
れたものであり、圧媒ガス使用せずかつ高温高圧
容器本体に高温がかからない装置を提供するもの
である。
すなわち、この発明は、両端部に着脱可能な蓋
を有する筒状の耐圧容器と、この耐圧容器中に配
置されて内部にゼオライトが充填されたカプセル
と、このカプセルの側面全体に接する耐熱金属製
の第1壁と、第1壁の外面に接するとともに耐圧
容器の内面に接する断熱材製の第2壁と、第2壁
中に埋設されたヒータと、上記カプセルの上、下
面のいずれか一方に接する耐熱金属製の第3壁
と、第3壁の外面に接する断熱材製の第4壁と、
上記カプセルに接続されて第3壁、第4壁および
耐圧容器の蓋を貫通して外部に導出されている導
管と、上記カプセルの他方の面に接する耐熱金属
製の第5壁と、第5壁の外面に接する断熱材製の
第6壁と、耐圧容器の蓋を貫通して第6壁の外面
を押圧する進退可能な押棒とを有するものであ
る。
を有する筒状の耐圧容器と、この耐圧容器中に配
置されて内部にゼオライトが充填されたカプセル
と、このカプセルの側面全体に接する耐熱金属製
の第1壁と、第1壁の外面に接するとともに耐圧
容器の内面に接する断熱材製の第2壁と、第2壁
中に埋設されたヒータと、上記カプセルの上、下
面のいずれか一方に接する耐熱金属製の第3壁
と、第3壁の外面に接する断熱材製の第4壁と、
上記カプセルに接続されて第3壁、第4壁および
耐圧容器の蓋を貫通して外部に導出されている導
管と、上記カプセルの他方の面に接する耐熱金属
製の第5壁と、第5壁の外面に接する断熱材製の
第6壁と、耐圧容器の蓋を貫通して第6壁の外面
を押圧する進退可能な押棒とを有するものであ
る。
以下、この発明の実施例を図面によつて説明す
る。第1図において、容器本体1は筒状に形成さ
れ、その両端部には蓋11および12がボルトに
より取付けられている。この容器の内部にはカプ
セル4と耐熱鋼製の第1壁3と断熱材製の第2壁
2とが配置されている。第1壁3の内面はカプセ
ル4の側面全体に接し、第1壁3の外面には第2
壁2の内面が接し、第2壁2の外面は容器本体1
の内面が接している。第2壁2は外側部材21と
内側部材22とからなり、内側部材22中にはヒ
ータ8が埋設されている。内側部材22としては
ボロンナイトライドを用いることが好ましい。ボ
ロンナイトライドは電気的には絶縁体であるが、
ステンレス鋼と同程度の熱の良導体であり、ヒー
タで発生した熱を内側の耐熱金属へ伝えやすく、
かつヒータ自体は放熱され、熱の蓄積がないので
電流を多く流すことができる。すなわち、蓄熱に
よるヒータの溶融断線のおそれを防止することが
できる。
る。第1図において、容器本体1は筒状に形成さ
れ、その両端部には蓋11および12がボルトに
より取付けられている。この容器の内部にはカプ
セル4と耐熱鋼製の第1壁3と断熱材製の第2壁
2とが配置されている。第1壁3の内面はカプセ
ル4の側面全体に接し、第1壁3の外面には第2
壁2の内面が接し、第2壁2の外面は容器本体1
の内面が接している。第2壁2は外側部材21と
内側部材22とからなり、内側部材22中にはヒ
ータ8が埋設されている。内側部材22としては
ボロンナイトライドを用いることが好ましい。ボ
ロンナイトライドは電気的には絶縁体であるが、
ステンレス鋼と同程度の熱の良導体であり、ヒー
タで発生した熱を内側の耐熱金属へ伝えやすく、
かつヒータ自体は放熱され、熱の蓄積がないので
電流を多く流すことができる。すなわち、蓄熱に
よるヒータの溶融断線のおそれを防止することが
できる。
カプセル4の上側には耐熱金属製の第3壁31
がカプセル4に接して配置され、第3壁31の外
側には断熱材製の第4壁23が配置され、さらに
その外側には受金32が配置され、この受金32
が蓋11に螺着された中心部材13により断熱材
26を介して押圧されている。そして、カプセル
4に接続された導管40が上記第3壁31、第4
壁23、受金32および中心部材13を貫通して
外部に導出されている。また、第1壁3および第
2壁2の上面と蓋11との間には断熱材27が介
在している。
がカプセル4に接して配置され、第3壁31の外
側には断熱材製の第4壁23が配置され、さらに
その外側には受金32が配置され、この受金32
が蓋11に螺着された中心部材13により断熱材
26を介して押圧されている。そして、カプセル
4に接続された導管40が上記第3壁31、第4
壁23、受金32および中心部材13を貫通して
外部に導出されている。また、第1壁3および第
2壁2の上面と蓋11との間には断熱材27が介
在している。
また、カプセル4の下側には耐熱金属製の第5
壁33が配置され、その下側には断熱材製の第6
壁25が配置され、この第6壁25を押棒5の頭
部50が押圧している。蓋12の中心部材14は
その一部が本体1内に嵌入されその上面で断熱材
28を介して第1壁3および第2壁2を押圧して
いる。押棒5は中心部材14およびその上面に配
置した断熱材26を貫通して外部に導出され、そ
の軸方向に往復動可能に構成されている。また本
体1の外面には冷却水通路16を有するジヤケツ
ト15が取付けられている。
壁33が配置され、その下側には断熱材製の第6
壁25が配置され、この第6壁25を押棒5の頭
部50が押圧している。蓋12の中心部材14は
その一部が本体1内に嵌入されその上面で断熱材
28を介して第1壁3および第2壁2を押圧して
いる。押棒5は中心部材14およびその上面に配
置した断熱材26を貫通して外部に導出され、そ
の軸方向に往復動可能に構成されている。また本
体1の外面には冷却水通路16を有するジヤケツ
ト15が取付けられている。
カプセル4は、例えば2mm程度の薄肉のステン
レス鋼で形成され、その周囲全面を耐熱性の壁が
接触しているため、カプセル4の膨張力はそれら
の壁を介して本体1および押棒によつて受けられ
る。また、カプセル4を内包する上記構成の容器
は、直径方向に分割可能に構成されている。
レス鋼で形成され、その周囲全面を耐熱性の壁が
接触しているため、カプセル4の膨張力はそれら
の壁を介して本体1および押棒によつて受けられ
る。また、カプセル4を内包する上記構成の容器
は、直径方向に分割可能に構成されている。
第2図は別の実施例を示し、基本的構成はほぼ
同様であるが、上下関係が逆となつて上方から蓋
12の貫通穴19を通して押棒51を嵌入させ、
導管40を下方に導出している点が異なつてい
る。また、下方の蓋17をその中心部で貫通する
受金33により全体の荷重を受けるとともに第4
壁23および第3壁31を介してカプセル4を押
圧している。導管40にはクイツクジヨイント4
2およびストツプバルブ43を設けている。
同様であるが、上下関係が逆となつて上方から蓋
12の貫通穴19を通して押棒51を嵌入させ、
導管40を下方に導出している点が異なつてい
る。また、下方の蓋17をその中心部で貫通する
受金33により全体の荷重を受けるとともに第4
壁23および第3壁31を介してカプセル4を押
圧している。導管40にはクイツクジヨイント4
2およびストツプバルブ43を設けている。
上記装置におて、カプセル4中にクリプトンガ
スを導管40に通し導入し圧縮機で加圧するとと
もにヒータ8で加熱し、カプセル中を昇圧するこ
とにより処理を行なう。また圧縮機で加圧する代
りに、ゼオライトの吸着作用を利用することもで
きる。すなわち、第3図に示すようにプレスの下
板91上にゼオライトを封入したカプセル4をセ
ツトし、液体窒素容器99で囲んでカプセル4中
にクリプトンガスを導入するとともに液体窒素に
より冷却する。ゼオライトは冷却により吸着作用
を増加するために圧縮機なしでカプセル4内にク
リプトンガスを導入することができる。なお、図
示は省略しているが、カプセル用の導管40は下
板91を通してその下側に導出している。また第
2図に示す容器Aはクロスヘツド90に保持され
て上方に待機させている。
スを導管40に通し導入し圧縮機で加圧するとと
もにヒータ8で加熱し、カプセル中を昇圧するこ
とにより処理を行なう。また圧縮機で加圧する代
りに、ゼオライトの吸着作用を利用することもで
きる。すなわち、第3図に示すようにプレスの下
板91上にゼオライトを封入したカプセル4をセ
ツトし、液体窒素容器99で囲んでカプセル4中
にクリプトンガスを導入するとともに液体窒素に
より冷却する。ゼオライトは冷却により吸着作用
を増加するために圧縮機なしでカプセル4内にク
リプトンガスを導入することができる。なお、図
示は省略しているが、カプセル用の導管40は下
板91を通してその下側に導出している。また第
2図に示す容器Aはクロスヘツド90に保持され
て上方に待機させている。
その後ストツプバルブ43を閉じ、液体窒素容
器99を取外すとともにクロスヘツド90を下降
させて容器A中にカプセル4をセツトし、押棒5
1によりカプセル4を押圧する。第4図では容器
Aは外形線のみを示しているが、その構成は第2
図に示す通りである。ついで加圧用シリンダ94
を有する移動上板92を、回転機構96でネジ柱
97を回転させることにより第5図に示すように
下降させ、押棒51によりカプセル4を押圧す
る。この状態でヒータ8に通電してカプセル4を
加熱しカプセル4内を昇圧する。この加熱により
カプセル4は500℃程度に加熱され、カプセル4
の内圧は1000Kg/cm2程度に昇圧する。また容器本
体1は50℃程度にしか加熱されない。これによつ
て高温高圧となつてクリプトンガスがゼオライト
のケージ(空洞)へ入る。また押棒により押圧さ
れた状態で加熱されることにより、粒状のゼオラ
イトが一体焼結される。この際、カプセル4の壁
は波状に変形するが、高温下で材料が軟化してい
るために破損することはない。この変形されたカ
プセルによつて保護された状態のゼオライト中に
クリプトンガスが封入される。所定時間保持後ス
トツプバルブ43を開いて余剰クリプトンガスを
回収する。なお、この際この装置がもう1つあれ
ばそれに余剰クリプトンガスを移すようにすれば
よい。
器99を取外すとともにクロスヘツド90を下降
させて容器A中にカプセル4をセツトし、押棒5
1によりカプセル4を押圧する。第4図では容器
Aは外形線のみを示しているが、その構成は第2
図に示す通りである。ついで加圧用シリンダ94
を有する移動上板92を、回転機構96でネジ柱
97を回転させることにより第5図に示すように
下降させ、押棒51によりカプセル4を押圧す
る。この状態でヒータ8に通電してカプセル4を
加熱しカプセル4内を昇圧する。この加熱により
カプセル4は500℃程度に加熱され、カプセル4
の内圧は1000Kg/cm2程度に昇圧する。また容器本
体1は50℃程度にしか加熱されない。これによつ
て高温高圧となつてクリプトンガスがゼオライト
のケージ(空洞)へ入る。また押棒により押圧さ
れた状態で加熱されることにより、粒状のゼオラ
イトが一体焼結される。この際、カプセル4の壁
は波状に変形するが、高温下で材料が軟化してい
るために破損することはない。この変形されたカ
プセルによつて保護された状態のゼオライト中に
クリプトンガスが封入される。所定時間保持後ス
トツプバルブ43を開いて余剰クリプトンガスを
回収する。なお、この際この装置がもう1つあれ
ばそれに余剰クリプトンガスを移すようにすれば
よい。
つぎに押棒51でカプセル4を押圧したまま移
動上板92を上昇させるとともにクロスヘツド9
0を上昇させ、容器Aを取外した後押棒51によ
る押圧を解除してカプセル4を取り出す。カプセ
ル4の導管40は加熱して圧着した後切断する。
以上の操作でカプセル4内のゼオライトは焼結に
よつて減容するとともに安定化する。なお、焼結
時にカプセル4が容器Aに挿入された状態で押棒
51により圧縮して減容化してもよい。
動上板92を上昇させるとともにクロスヘツド9
0を上昇させ、容器Aを取外した後押棒51によ
る押圧を解除してカプセル4を取り出す。カプセ
ル4の導管40は加熱して圧着した後切断する。
以上の操作でカプセル4内のゼオライトは焼結に
よつて減容するとともに安定化する。なお、焼結
時にカプセル4が容器Aに挿入された状態で押棒
51により圧縮して減容化してもよい。
上記装置によれば、容器本体に加えられる圧力
は低減化され、このため容器本体の板厚を薄くす
ることができ、また容器内にヒータを内蔵させな
がら本体の温度を低く保つことができる。絶縁材
2は本体の温度を低く保つ作用を果し、また内側
部材をボロンナイトライドで構成するとカプセル
側へ良好に熱を伝えるとともに蓄熱によるヒータ
の断線を防止することができる。さらに上記装置
ではガス等の加圧媒体を使用しないために安全性
が高く、万一本体が破壊した場合でもカプセル内
の少量のガスがセル内に出るだけであるから、セ
ル内を負圧に保つことが可能である。またカプセ
ル内に水分を混入させることも可能であり、水分
が混在するとゼオライトは高温でアモルフアス化
し、より安定な状態となる。
は低減化され、このため容器本体の板厚を薄くす
ることができ、また容器内にヒータを内蔵させな
がら本体の温度を低く保つことができる。絶縁材
2は本体の温度を低く保つ作用を果し、また内側
部材をボロンナイトライドで構成するとカプセル
側へ良好に熱を伝えるとともに蓄熱によるヒータ
の断線を防止することができる。さらに上記装置
ではガス等の加圧媒体を使用しないために安全性
が高く、万一本体が破壊した場合でもカプセル内
の少量のガスがセル内に出るだけであるから、セ
ル内を負圧に保つことが可能である。またカプセ
ル内に水分を混入させることも可能であり、水分
が混在するとゼオライトは高温でアモルフアス化
し、より安定な状態となる。
以上説明したように、この発明はカプセルの外
周面を耐熱金属製の壁と断熱材製の壁と本体とで
圧力を受けるように保持し、かつ加熱手段を内蔵
させて高温高圧でカプセル内に導入した処理ガス
を処理するようにしたものであり、安全性が高
く、確実な処理を行なうことができるものであ
る。従つて、放射性クリプトンガスの処理として
非常に勝れているが、それのみに限らず一般の高
温高圧ガス雰囲気を発生させる装置としても利用
できることは勿論である。このような利用方法と
して、例えば以下のような用途が考えられる。
周面を耐熱金属製の壁と断熱材製の壁と本体とで
圧力を受けるように保持し、かつ加熱手段を内蔵
させて高温高圧でカプセル内に導入した処理ガス
を処理するようにしたものであり、安全性が高
く、確実な処理を行なうことができるものであ
る。従つて、放射性クリプトンガスの処理として
非常に勝れているが、それのみに限らず一般の高
温高圧ガス雰囲気を発生させる装置としても利用
できることは勿論である。このような利用方法と
して、例えば以下のような用途が考えられる。
(a) 水素吸蔵合金の代替または対抗の技術として
ゼオライトに水素を吸蔵させる。
ゼオライトに水素を吸蔵させる。
(b) LNGの遠隔地への輸送手段として利用する。
すなわち、LNGの輸送は冷却装置を備えた専
用のタンクローリーを用いて行なつており、ま
た作業者は二人以上必要であり、さらに輸送時
間も規制されているため、人件費、エネルギー
費などコスト面で問題が多い。これに対し、ゼ
オライトにLNGを吸蔵させて輸送するように
すれば、上記問題が解消される。
すなわち、LNGの輸送は冷却装置を備えた専
用のタンクローリーを用いて行なつており、ま
た作業者は二人以上必要であり、さらに輸送時
間も規制されているため、人件費、エネルギー
費などコスト面で問題が多い。これに対し、ゼ
オライトにLNGを吸蔵させて輸送するように
すれば、上記問題が解消される。
(c) LNGを自動車燃料として利用する。すなわ
ち、LNGをゼオライトに吸蔵させて自動車に
搭載すれば、固体状態で保持することになるの
で、従来のガスボンベで保持するものに比べて
安全性が高い。
ち、LNGをゼオライトに吸蔵させて自動車に
搭載すれば、固体状態で保持することになるの
で、従来のガスボンベで保持するものに比べて
安全性が高い。
第1図はこの発明の実施例を示す容器の断面
図、第2図は別の実施例を示す断面図、第3図〜
第5図は第2図の容器をプレスに取付けて処理す
る工程を示す正面説明図である。 1……容器本体、2……第2壁(断熱材)、3
……第1壁(耐熱金属)、4……カプセル、5,
51……押棒、8……ヒータ、23……第4壁、
25……第6壁、31……第3壁、33……第5
壁、40……導管。
図、第2図は別の実施例を示す断面図、第3図〜
第5図は第2図の容器をプレスに取付けて処理す
る工程を示す正面説明図である。 1……容器本体、2……第2壁(断熱材)、3
……第1壁(耐熱金属)、4……カプセル、5,
51……押棒、8……ヒータ、23……第4壁、
25……第6壁、31……第3壁、33……第5
壁、40……導管。
Claims (1)
- 1 両端部に着脱可能な蓋を有する筒状の耐圧容
器と、この耐圧容器中に配置されて内部にゼオラ
イトが充填されたカプセルと、このカプセルの側
面全体に接する耐熱金属製の第1壁と、第1壁の
外面に接するとともに耐圧容器の内面に接する断
熱材製の第2壁と、第2壁中に埋設されたヒータ
と、上記カプセルの上、下面のいずれか一方に接
する耐熱金属製の第3壁と、第3壁の外面に接す
る断熱材製の第4壁と、上記カプセルに接続され
て第3壁、第4壁および耐圧容器の蓋を貫通して
外部に導出されている導管と、上記カプセルの他
方の面に接する耐熱金属製の第5壁と、第5壁の
外面に接する断熱材製の第6壁と、耐圧容器の蓋
を貫通して第6壁の外面を押圧する進退可能な押
棒とを有することを特徴とする高温高圧容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19814683A JPS6091062A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 高温高圧容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19814683A JPS6091062A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 高温高圧容器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6091062A JPS6091062A (ja) | 1985-05-22 |
JPH0544639B2 true JPH0544639B2 (ja) | 1993-07-06 |
Family
ID=16386223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19814683A Granted JPS6091062A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 高温高圧容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6091062A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030140845A1 (en) * | 2002-01-31 | 2003-07-31 | General Electric Company | Pressure vessel |
US7125453B2 (en) | 2002-01-31 | 2006-10-24 | General Electric Company | High temperature high pressure capsule for processing materials in supercritical fluids |
US7063741B2 (en) | 2002-03-27 | 2006-06-20 | General Electric Company | High pressure high temperature growth of crystalline group III metal nitrides |
US7704324B2 (en) | 2005-01-25 | 2010-04-27 | General Electric Company | Apparatus for processing materials in supercritical fluids and methods thereof |
US7942970B2 (en) | 2005-12-20 | 2011-05-17 | Momentive Performance Materials Inc. | Apparatus for making crystalline composition |
CN109689350B (zh) * | 2016-07-08 | 2022-02-08 | 拉金德拉·佩尔绍德 | 核用热等静压机 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51133699A (en) * | 1975-05-15 | 1976-11-19 | Nippon Atom Ind Group Co Ltd | Process for storing the radioactive rare gas |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19814683A patent/JPS6091062A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51133699A (en) * | 1975-05-15 | 1976-11-19 | Nippon Atom Ind Group Co Ltd | Process for storing the radioactive rare gas |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6091062A (ja) | 1985-05-22 |
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