JPH0544032A - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置

Info

Publication number
JPH0544032A
JPH0544032A JP20281291A JP20281291A JPH0544032A JP H0544032 A JPH0544032 A JP H0544032A JP 20281291 A JP20281291 A JP 20281291A JP 20281291 A JP20281291 A JP 20281291A JP H0544032 A JPH0544032 A JP H0544032A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shutter
film forming
viewing window
glass
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP20281291A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Fujii
俊夫 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP20281291A priority Critical patent/JPH0544032A/ja
Publication of JPH0544032A publication Critical patent/JPH0544032A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】MBE成長装置などのような成膜装置における
ガラス覗き窓のくもり防止装置に関し、ガラス覗き窓の
くもりを効率的に防止し、清掃の頻度を低減可能とする
ことを目的とする。 【構成】成膜室5の側壁にガラス覗き窓8を有している
成膜装置において、成膜室5と前記ガラス覗き窓8との
間のシャッター取付け筒7に、シャッター収納部18を有
しており、該シャッター収納部18中に、シャッター収納
部18の内径dよりも大きなシャッター12を1枚以上配設
することで、シャッター取付け筒7を閉止可能とし、成
膜室5の内部を覗くときに該シャッター12がシャッター
取付け筒7から退避するように駆動する駆動源13を外部
(大気中)に設け、前記シャッター12の駆動軸14と連結
した構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、MBE(Molecular Bea
m Epitaxial)成長装置などのような成膜装置におけるガ
ラス覗き窓のくもり防止装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、MBE結晶成長技術は非常に進展
し、高品質なヘテロ構造や超格子構造が再現性よく得ら
れるようになった。そして、この成長法により開発され
た代表的な素子の一つであるHEMTも、すでに商品化
され量産されている。
【0003】図4は従来のMBE装置の断面図である。
真空ポンプPに接続された真空容器1中において、ヒー
タ2で加熱される金属性ホルダー3にGaAsなどの基板4
が保持されている。また、成膜室5中には、分子線材料
を入れて加熱するるつぼや熱電対を有する分子線源6a、
6b、6c、6dが配設されている。各分子線源6a、6b、6c、
6dには、分子線材料としてそれぞれGa、As、Si、Alなど
が入れられており、付属のヒータで加熱蒸発し、基板4
に被着される。基板4は、基板搬送室のゲートバルブV
1、V2を開閉することで、搬入/搬出される。
【0004】このような装置において、内部の様子を観
察したり放射温度計により外部から基板温度を計測する
ために、円筒パイプ7を介して、ガラス覗き窓8が設け
られている。しかしながら、分子線源から発生する分子
や原子が付着してガラス覗き窓8がくもり、光の透過率
が次第に減少するので、これを防ぐために、シャッター
板をガラス覗き窓8の前面に設けている。
【0005】図5は従来のガラス覗き窓であり、円筒パ
イプ7中に、ガラス覗き窓8のくもり防止のためのシャ
ッター板9が内蔵されている。シャッター板9は円形を
しており、通常はシャッター板9が円筒パイプ7と直角
になることで、分子線源から発生した分子線が遮られ
て、ガラス覗き窓8に到達不能となり、ガラス覗き窓8
が分子線でくもるのを防止している。
【0006】成膜室内部を覗いたり、基板の温度測定な
どに際しては、外部の回転機構10でシャッター板9の駆
動軸11を回転し、シャッター板9を円筒パイプ7と平行
に向ける。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、最近活発に研
究開発が行われだしたガス原料を用いるガスソースMB
Eにおいては、従来のシャッター構造では、ガラス覗き
窓8が短時間にくもりだすという問題がある。すなわ
ち、原料ガスがシャッター板9と円筒パイプ7との間の
隙間から流れ込み、覗き窓ガラス面に到達し付着する。
【0008】金属原料を用いた通常のMBEでは、ガラ
ス覗き窓をくもらせる原因となる分子線は、一度装置の
壁(例えば、覗き窓を取りつけてあるパイプの内壁な
ど)に当たると、高い確率でその壁に付着した。これに
対し、例えばトリエチルガリウムなどのような有機金属
ガスを用いる場合は、原料ガスが壁に衝突したときの付
着確率が低いため、反射や熱による再蒸発を繰り返し、
シャッター板9をまわり込むように流れて、覗き窓ガラ
ス面に到達して付着し、ガラス覗き窓を急速にくもらせ
てしまう問題があった。
【0009】その結果、ガス原料を用いるMBE装置で
は、非常に早くガラス覗き窓がくもってしまい、MBE
成長室内部の観察や基板温度計測に支障が出てきた。こ
れを防止するには、ガラス覗き窓を頻繁に清掃しなけれ
ばならないが、ガラス覗き窓を清掃するには、その都度
MBE成長を中断するとともに、成膜室を大気に開放す
る必要がある。そして、清掃後は、成膜室内が所定の真
空度となるまで、排気しなければならず、MBE成長が
再開可能となるまで2〜3週間も必要となり、装置の稼
動率が悪く、生産効率が低下する。
【0010】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、MBE装置などのような成膜装置におけるガラ
ス覗き窓のくもりを効率的に防止し、清掃の頻度を低減
可能とすることにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】図1は本発明による成膜
室のガラス覗き窓のくもり防止装置の基本原理を説明す
る断面図である。成膜室5の側壁にガラス覗き窓8を有
している成膜装置において、成膜室5と前記ガラス覗き
窓8との間のシャッター取付け筒7に、シャッター収納
部18を設け、該シャッター収納部18の内径dよりも大き
なシャッター12が1枚以上配設されている。
【0012】すなわち、シャッター12を閉じたときに、
シャッター12の外周部がシャッター収納部18に収納され
る。このシャッター12によって、通常はシャッター取付
け筒7が閉じられているが、成膜室5の内部を覗くとき
は、該シャッター12がシャッター収納部18から退避する
ように駆動される。この駆動源13は、外部(大気中)に
配設され、前記シャッター12の駆動軸14と連結されてい
る。
【0013】請求項2の発明は、前記のシャッター12を
閉じたときに、シャッター収納部18の両側壁16、17と、
シャッター12との間に、隙間Gが生じるように、両側壁
16、17間の寸法Wを設定するものである。
【0014】
【作用】シャッター取付け筒7は、通常はシャッター収
納部18中のシャッター12によって閉じられているが、成
膜室5の内部を覗いたり、温度測定などを行なう場合
は、駆動源13によって駆動軸14を矢印a1で示すように駆
動源13側に移動させると、シャッター12はシャッター収
納部18から退避室15中に退避する。
【0015】図示のように、シャッター12がシャッター
収納部18に進出し、シャッター取付け筒7を閉じた状態
では、飛来して来たガス原料がガラス覗き窓8に到達す
るまでに、ガス原料の分子は、シャッター12とシャッタ
ー収納部18の片側の側壁16との間を外周方向(矢印a2
向)に移動した後、シャッター12の外周を回り込んで、
シャッター12とシャッター収納部18の他方の側壁17との
間を、シャッター12の中心方向(矢印a3方向)に移動す
る。このように、ガス原料がシャッター12とシャッター
収納部18の側壁16、17間を矢印a2、a3方向に移動する間
に、ガス原料はシャッター12やシャッター収納部側壁1
6、17に多数回衝突する。
【0016】このようにガス原料がシャッター12やシャ
ッター収納部側壁16、17に多数回衝突するため、その間
に殆どのガス原料がシャッター12やシャッター収納部側
壁16、17に付着し、最終的にガラス覗き窓8に到達する
ガス原料は極めて少なく、ガラス覗き窓8のくもりを抑
制でき、ガラス覗き窓8がくもってゆく度合いが緩慢と
なる。
【0017】請求項2に記載のように、前記のシャッタ
ー12を閉じたときに、シャッター収納部18の両側壁16、
17と、シャッター12との間に、隙間Gが生じるようにす
ることによって、シャッター12は何物とも接触すること
なしに開閉できるため、塵埃が発生することはない。ま
た、隙間Gを介して、シャッター退避室15およびガラス
覗き窓8の内側も、成膜室5を介して真空ポンプPと接
続されているため、シャッター退避室15やガラス覗き窓
8の内側の壁部から発生するガスが確実に排気され、常
に清浄に維持される。
【0018】
【実施例】次に本発明による成膜室のガラス覗き窓のく
もり防止装置が実際上どのように具体化されるかを実施
例で説明する。図2は本発明による成膜室のガラス覗き
窓のくもり防止装置の実施例を示す部分断面/斜視図で
ある。成膜室5の側壁に設けられたシャッター取付け筒
7には、そのフランジ部19を介して、直方体状のシャッ
ター収納箱18aの片方の側壁16がネジ止めされ、該側壁
16の円形孔20がシャッター取付け筒7と連通している。
そして、このシャッター収納箱18aの他方の側壁17に、
ガラス覗き窓8のフランジ部21がネジ止めされ、該側壁
17の円形孔22がガラス覗き窓8と連通する。
【0019】シャッター駆動軸14は、ベローズ23を介し
て、シャッター収納箱18aと一体のシャッター退避箱15
aの天井部に気密支持されている。駆動軸14に固定され
たコ字状の取付けアーム24の両端に、シャッター12a、
12bが取付けられている。そして、片方のシャッター12
aと前記の片方の側壁16との間に隙間Gが生じ、また他
方のシャッター12aと前記の他方の側壁17との間に隙間
Gが生じるように、両シャッター12a、12bの間隔ωお
よび両側壁16、17の間隔Wが設定されている。
【0020】シャッター退避室15の天井部には、支持フ
レーム25を介して、駆動源が取付けられている。この駆
動源は、例えば空気圧シリンダ26であり、そのピストン
ロッド27に、前記の駆動軸14が連結されている。
【0021】この実施例装置において、空気圧シリンダ
26のピストンロッド27が進出すると、図示のように両シ
ャッター12a、12bが、シャッター収納部18の両側壁1
6、17の間に入り込んで収納され、シャッター12aでシ
ャッター取付け筒7が閉鎖され、シャッター12bでガラ
ス覗き窓8の内側が閉鎖される。
【0022】その結果、右側のシャッター12aと右側の
側壁16間に隙間Gができ、左側のシャッター12bと左側
の側壁17との間に隙間Gができるため、ガス原料がガラ
ス覗き窓8に到達するまでには、二つの隙間G、Gにお
いて反射を繰り返しながら、通過しなければならず、多
数回反射を繰り返している間に、殆どのガス原料がシャ
ッター12a、12bや両側壁16、17に付着し、ガラス覗き
窓8まで到達するガス原料は極めて少ない。
【0023】したがって、従来の回転式のシャッター板
9を用いる構造に比べると、ガラス覗き窓8のくもり方
が緩慢となり、成膜室5を大気開放してガラス覗き窓8
を清掃する頻度が大幅に減少するため、生産効率が格段
と向上する。
【0024】また、成膜室5と連通している室の内壁へ
の付着物などから発生するガスを確実に排気して、成膜
室5中のガス雰囲気を一定に維持する必要があるが、本
発明のように、シャッター12a、12bと両側壁16、17と
の間に、隙間Gが生じるように間隔をおいて配設した構
造としたことにより、シャッター退避室15やガラス覗き
窓8とシャッター12b間など、すべての空間が、隙間
G、Gによって成膜室5を介して真空ポンプと連通して
いるので、内壁から発生するガスを確実に排気でき、成
膜室5内を常に一定条件のガス雰囲気に維持できる。
【0025】さらに、隙間G、Gがあるため、シャッタ
ー12a、12bを開閉する際に、シャッター12a、12bが
両側壁16、17などに接触して塵埃を発するような恐れも
ない。
【0026】図示状態において、空気圧シリンダ26のピ
ストンロッド27が引っ込むと、駆動軸14がベローズ23を
圧縮しながら上昇し、シャッター12a、12bを引き上げ
ることで、シャッター取付け筒7とガラス覗き窓8との
間が開かれる。これによって、成膜室5の内部をガラス
覗き窓8から覗いて内部を点検したり、温度測定でき
る。温度測定する場合は、図3に示すように、ガラス覗
き窓8の外側にパイロメータ28などを取付け、赤外線を
利用し、ガラス覗き窓8を通して基板の表面温度を測定
する。
【0027】従来の装置では、シャッター板を回転させ
ることでガラス覗き窓8を開くため、シャッターを開い
た状態においても、円筒パイプ7の中央にシャッター板
9が存在することになり、内部観察や温度測定の邪魔に
なるが、本発明は、シャッター12a、12bを直線移動さ
せてシャッター取付け筒7から退避させるため、シャッ
ターを完全に開くことができ、内部観察や温度測定が簡
便となる。
【0028】図示のように2枚のシャッター12a、12b
を用いた構造では、ガラス覗き窓がくもってゆく度合い
は、従来のものに比べて、数分の一から十分の一とな
り、成膜品の量産化に大きく貢献できる。なお、シャッ
ターは図1に示すように1枚だけでもよいが、図2にお
ける2枚のシャッター12a、12bの間に、さらに1〜数
枚のシャッターを平行に配設することで、ガス原料がガ
ラス覗き窓8に到達する量をより有効に低減できる。
【0029】なお、本発明装置は、ガス原料を用いる成
膜装置に限定されないことは言うまでもない。
【0030】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、シャッタ
ー取付け筒7とガラス覗き窓8との間において、シャッ
ター収納部18を設けて、シャッター取付け筒7に対し直
角方向に開閉するシャッター12、12a、12bを収納し、
シャッターとシャッター収納部18の側壁16、17との間に
隙間Gができるような構成になっている。
【0031】そのため、ガス原料は、ガラス覗き窓8に
到達する間に、シャッター12、12a、12bと側壁16、17
との間の隙間で、シャッター12、12a、12bや側壁16、
17に多数回衝突して付着するため、ガス原料の付着によ
るガラス覗き窓8のくもりの進行が緩慢となり、ガラス
覗き窓8の清掃の頻度が低減され、成膜作業効率が格段
と向上し、しかもガスソースMBE成長などを長期間に
わたり安定して運転させることが可能になった。
【0032】さらに、隙間Gがあるため、シャッター退
避室15などもすべて確実に成膜室5を介して真空ポンプ
に接続され、内壁部からのガス抜きを確実に行なうこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による成膜室のガラス覗き窓のくもり防
止装置の基本原理を説明する断面図である。
【図2】本発明による成膜室のガラス覗き窓のくもり防
止装置の実施例を示す部分断面/斜視図である。
【図3】本発明の実施例装置に、成膜室内部の温度測定
器を取付けた状態を示す要部側面図である。
【図4】従来のMBE装置の断面図である。
【図5】従来の成膜室のガラス覗き窓のくもり防止装置
を示す断面図である。
【符号の説明】
P 真空ポンプ 1 真空容器 4 基板 5 成膜室 6a,6b,6c,6d 分子線源 7 円筒パイプ(シャッター取付け筒) 8 ガラス覗き窓 9 シャッター板 10 回転機構 11 駆動軸 12,12a,12b シャッター 13 駆動源 14 駆動軸 15 シャッター退避室 15a シャッター退避箱 16,17 側壁 18 シャッター収納部 18a シャッター収納箱 20,22 孔 23 ベローズ 26 空気圧シリンダ 27 ピストンロッド 28 パイロメータ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 成膜室(5) の側壁にガラス覗き窓(8) を
    有している成膜装置において、 成膜室(5) と前記ガラス覗き窓(8) との間のシャッター
    取付け筒(7) に、シャッター収納部(18)を有しており、 該シャッター収納部(18)中に、シャッター収納部(18)の
    内径(d) よりも大きなシャッター(12)を1枚以上配設す
    ることで、シャッター取付け筒(7) を閉止可能とし、 成膜室(5) の内部を覗くときに該シャッター(12)がシャ
    ッター取付け筒(7) から退避するように駆動する駆動源
    (13)を外部(大気中)に設け、前記シャッター(12)の駆
    動軸(14)と連結したことを特徴とする成膜装置。
  2. 【請求項2】 前記シャッター収納部(18)のシャッター
    (12)と対向する両側壁(16,17) の間隔(W) が、 前記のシャッター(12)を閉じたときに、前記両側壁(16,
    17) とシャッター(12)との間に、隙間(G) が生じるよう
    な寸法となっていることを特徴とする請求項1記載の成
    膜装置。
JP20281291A 1991-08-13 1991-08-13 成膜装置 Withdrawn JPH0544032A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20281291A JPH0544032A (ja) 1991-08-13 1991-08-13 成膜装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20281291A JPH0544032A (ja) 1991-08-13 1991-08-13 成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0544032A true JPH0544032A (ja) 1993-02-23

Family

ID=16463613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20281291A Withdrawn JPH0544032A (ja) 1991-08-13 1991-08-13 成膜装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0544032A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5413688A (en) * 1994-02-08 1995-05-09 Viratec Thin Films, Inc. Shutter apparatus for a coating chamber viewport
US6413691B2 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic toner, process for producing the same, electrophotographic developer, and process for forming image
US7262262B2 (en) 2001-04-11 2007-08-28 Sekisui Chemical Co., Ltd. Resin composition for toner and toner
KR100843957B1 (ko) * 2003-10-30 2008-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 플라즈마 처리장치
US7485401B2 (en) 2002-07-30 2009-02-03 Mitsui Chemicals, Inc. Resin composition for toner, and toners
JP2010036263A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Fujitsu Ltd 集塵機構および基板切断装置
CN102140683A (zh) * 2010-02-03 2011-08-03 中国科学院福建物质结构研究所 一种多晶硅冶炼炉用观察窗系统
WO2014026907A1 (de) * 2012-08-14 2014-02-20 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Schutzfenstervorrichtung für eine beschichtungsanlage
CN103695860A (zh) * 2013-12-31 2014-04-02 合肥京东方光电科技有限公司 真空反应腔以及真空加工设备
DE102015105844A1 (de) * 2015-04-16 2016-10-20 Von Ardenne Gmbh Verschlusseinrichtung, Pyrometer-Anordnung und Vakuum-Substratbehandlungsanlage
CN107012441A (zh) * 2017-05-19 2017-08-04 华东师范大学 一种用于热蒸发镀膜仪的防污染窗口
KR20200142895A (ko) * 2019-06-14 2020-12-23 (주)대호테크 챔버벽 단열 구조를 가지는 성형 장치

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5413688A (en) * 1994-02-08 1995-05-09 Viratec Thin Films, Inc. Shutter apparatus for a coating chamber viewport
US6413691B2 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic toner, process for producing the same, electrophotographic developer, and process for forming image
US7262262B2 (en) 2001-04-11 2007-08-28 Sekisui Chemical Co., Ltd. Resin composition for toner and toner
US7485401B2 (en) 2002-07-30 2009-02-03 Mitsui Chemicals, Inc. Resin composition for toner, and toners
KR100843957B1 (ko) * 2003-10-30 2008-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 플라즈마 처리장치
JP2010036263A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Fujitsu Ltd 集塵機構および基板切断装置
CN102140683A (zh) * 2010-02-03 2011-08-03 中国科学院福建物质结构研究所 一种多晶硅冶炼炉用观察窗系统
WO2014026907A1 (de) * 2012-08-14 2014-02-20 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Schutzfenstervorrichtung für eine beschichtungsanlage
CN103695860A (zh) * 2013-12-31 2014-04-02 合肥京东方光电科技有限公司 真空反应腔以及真空加工设备
DE102015105844A1 (de) * 2015-04-16 2016-10-20 Von Ardenne Gmbh Verschlusseinrichtung, Pyrometer-Anordnung und Vakuum-Substratbehandlungsanlage
DE102015105844B4 (de) * 2015-04-16 2019-08-14 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verschlusseinrichtung, Pyrometer-Anordnung und Vakuum-Substratbehandlungsanlage
CN107012441A (zh) * 2017-05-19 2017-08-04 华东师范大学 一种用于热蒸发镀膜仪的防污染窗口
KR20200142895A (ko) * 2019-06-14 2020-12-23 (주)대호테크 챔버벽 단열 구조를 가지는 성형 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0544032A (ja) 成膜装置
US4945254A (en) Method and apparatus for monitoring surface layer growth
US7578616B2 (en) Apparatus for determining a temperature of a substrate and methods therefor
US5366559A (en) Method for protecting a substrate surface from contamination using the photophoretic effect
US20010043668A1 (en) Method and apparatus for measuring thin film, and thin film deposition system
KR19980701759A (ko) 반도체장치의 제조방법 및 반도체 제조장치
US20220254665A1 (en) Miniaturized semiconductor manufacturing system
US5232507A (en) Apparatus for forming deposited films with microwave plasma CVD method
JP2001153793A (ja) 吸収分光器の光学部材への沈積を防ぐための方法並びに装置
JP5244725B2 (ja) 成膜装置
CN112041977B (zh) 内联式腔室计量
EP0319347A2 (en) Vacuum depositing apparatus
US5746835A (en) Retractable probe system with in situ fabrication environment process parameter sensing
TWI788035B (zh) 用以感測遮蔽機構開合的薄膜沉積機台
JPH1085969A (ja) レーザービームのエネルギー及び/又はエネルギー密度の監視装置
US7557926B2 (en) Apparatus for measuring semiconductor physical characteristics
JP4079206B2 (ja) 基板検査装置および基板検査方法ならびに基板検査装置を備えた液処理装置
US4664063A (en) Molecular beam epitaxial growth apparatus
KR930006525B1 (ko) 드라이 에칭(dry etching)장치
JP4294609B2 (ja) 基板加熱装置
JPH1019689A (ja) 基板温度測定ユニット
JP2004166970A (ja) 付着物除去装置及び製膜装置
US20220154339A1 (en) Thin film deposition apparatus mountable with analysis system
JP3816424B2 (ja) 物理的蒸着成膜装置
JP4989406B2 (ja) パーティクル付着防止カバー、このパーティクル付着防止カバーを設けた蒸着装置及び蒸着方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19981112