JPH0541615A - Amplifier circuit - Google Patents

Amplifier circuit

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Publication number
JPH0541615A
JPH0541615A JP19516991A JP19516991A JPH0541615A JP H0541615 A JPH0541615 A JP H0541615A JP 19516991 A JP19516991 A JP 19516991A JP 19516991 A JP19516991 A JP 19516991A JP H0541615 A JPH0541615 A JP H0541615A
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JP
Japan
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amplifier
circuit
fet
input signal
input
Prior art date
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Pending
Application number
JP19516991A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hikari Ikeda
光 池田
Toshio Ishizaki
俊雄 石崎
Hiroaki Kosugi
裕昭 小杉
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Priority to US07/924,937 priority patent/US5371477A/en
Publication of JPH0541615A publication Critical patent/JPH0541615A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide an amplifier circuit provided with a circuit which detects a steep phase change in a FET amplifier and controls an input signal level so as to prevent a spread spectrum at an output terminal from affecting the adjacent channel when a multi-valued PSK modulation wave is amplified. CONSTITUTION:The circuit is provided with a field effect transistor (FET) amplifier 2, a gate current detection circuit 6 provided on the gate terminal 5 of the FET amplifier 2 and an input signal level control circuit 7 controlling the input signal level of the FET amplifier 2 to avoid a steep phase change by the FET amplifier 2, thereby reducing the influence on the adjacent channel.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はディジタル通信機器にお
いて、変調波を位相歪みなく増幅する増幅回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an amplifier circuit for amplifying a modulated wave in a digital communication device without phase distortion.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯電話機器などディジタル方式
無線通信機器において、送信増幅器は高出力高効率で低
位相歪が要求されており、特に位相歪が問題視されてい
る。以下従来の増幅回路について図面を参照しながら説
明する。
2. Description of the Related Art In recent years, in digital radio communication equipment such as portable telephone equipment, transmission amplifiers are required to have high output and high efficiency and low phase distortion, and especially phase distortion is regarded as a problem. A conventional amplifier circuit will be described below with reference to the drawings.

【0003】図4に示すように、入力信号は入力端子2
1から入力し電界効果トランジスタ(以下、FETと略
す)増幅器22で増幅されたのち、出力端子23から出
力する。ここで、FET増幅器22には直流電源の入出
力のためのドレイン端子24とゲート端子25を有して
いる。
As shown in FIG. 4, the input signal is the input terminal 2
The signal is input from 1 and amplified by a field effect transistor (hereinafter abbreviated as FET) amplifier 22 and then output from an output terminal 23. Here, the FET amplifier 22 has a drain terminal 24 and a gate terminal 25 for inputting and outputting a DC power source.

【0004】以上のように構成されたFETを用いた増
幅回路について、以下その動作について説明する。
The operation of the amplifier circuit using the FET configured as described above will be described below.

【0005】まず、一般に、FET増幅器22はドレイ
ン端子24の電圧が低くても十分動作し、出力電力に対
する増幅器の直流消費電力効率が良好であり、歪特性が
優れているため携帯電話機器などに頻繁に用いられてい
る。FET増幅器22を効率よく使用するためには、F
ETのゲート端子25の電圧すなわち動作電圧はピンチ
オフ電圧付近(AB級またはB級)で使用している。さ
らに必要に応じて振幅特性においては線形補償回路(た
とえば、特公平2−206906号公報参照)を行うこ
とにより線形増幅器としても使用している。
First, the FET amplifier 22 generally operates sufficiently even if the voltage of the drain terminal 24 is low, the DC power consumption efficiency of the amplifier with respect to the output power is good, and the distortion characteristic is excellent, so that the FET amplifier 22 is suitable for portable telephone devices and the like. It is used frequently. In order to use the FET amplifier 22 efficiently, F
The voltage of the gate terminal 25 of ET, that is, the operating voltage is used near the pinch-off voltage (class AB or class B). Further, in the amplitude characteristic, a linear compensating circuit (for example, see Japanese Patent Publication No. 2-206906) is used as a linear amplifier.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、FET増幅器の入力端子に過大な多値PS
K変調信号が入力したような場合、FET増幅器での振
幅と位相が非線形になり、出力端子におけるスペクトラ
ムが広がり、隣接チャンネルへ妨害を与えるという問題
点を有していた。
However, in the above-mentioned conventional configuration, an excessive multi-value PS is input to the input terminal of the FET amplifier.
When a K-modulated signal is input, the amplitude and phase of the FET amplifier become non-linear, the spectrum at the output terminal spreads, and there is a problem in that it interferes with an adjacent channel.

【0007】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、多値PSK変調波を増幅する場合FET増幅器の急
峻な位相変化を検出し、出力端子におけるスペクトラム
の広がりが隣接チャンネルに影響しないように入力信号
レベルを制御する回路を具備する増幅回路を提供するこ
とを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems. When amplifying a multilevel PSK modulated wave, a steep phase change of the FET amplifier is detected so that the spread of the spectrum at the output terminal does not affect the adjacent channel. It is an object of the present invention to provide an amplifier circuit including a circuit for controlling the input signal level.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の増幅回路は、FET増幅器のゲート電流を検
出する回路と、FET増幅器のゲート電流の値に応じ
て、FET増幅器の入力信号レベルを制御するような構
成を有している。
In order to achieve the above object, an amplifier circuit of the present invention comprises a circuit for detecting a gate current of an FET amplifier and an input signal of the FET amplifier according to the value of the gate current of the FET amplifier. It has a structure for controlling the level.

【0009】[0009]

【作用】上記構成において、多値PSK変調波を増幅す
る場合FET増幅器の急峻な位相変化を検出し、FET
増幅器の入力信号レベルを制御することにより出力端子
におけるスペクトラムの広がりが隣接チャンネルへの妨
害を防ぐこととなる。
In the above structure, when amplifying a multilevel PSK modulated wave, a steep phase change of the FET amplifier is detected,
By controlling the input signal level of the amplifier, the spread of the spectrum at the output terminal prevents interference with the adjacent channel.

【0010】[0010]

【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0011】図1において、入力信号は入力端子1から
入力しFET増幅器2で増幅されたのち出力端子3から
出力する。ここで、FET増幅器2直流電源の入出力の
ためのドレイン端子4とゲート端子5とを有している。
FET増幅器2のゲート端子5には、直流ゲート電流を
検出するためのゲート電流検出回路6を設けている。ま
た、ゲート電流検出回路6で得た電流値によりFET増
幅器2の入力信号レベルを制御するために入力信号レベ
ル制御回路7を設けている。
In FIG. 1, an input signal is input from the input terminal 1, amplified by the FET amplifier 2, and then output from the output terminal 3. Here, the FET amplifier 2 has a drain terminal 4 and a gate terminal 5 for inputting and outputting a DC power source.
The gate terminal 5 of the FET amplifier 2 is provided with a gate current detection circuit 6 for detecting a DC gate current. Further, an input signal level control circuit 7 is provided to control the input signal level of the FET amplifier 2 according to the current value obtained by the gate current detection circuit 6.

【0012】以上のように構成された増幅回路につい
て、以下図1,図2および図3を用いてその動作を説明
する。
The operation of the amplifier circuit configured as described above will be described below with reference to FIGS. 1, 2 and 3.

【0013】図1に示すように、入力端子1から入力し
た入力信号は入力信号レベル制御回路7で利得が制御さ
れて交流の信号分は、FET増幅器2の入力側から入力
し、増幅したのち出力側の出力端子3から出力する。こ
こでFET増幅器2の動作のための直流電源はドレイン
端子4とゲート端子5に加えられている。
As shown in FIG. 1, the input signal input from the input terminal 1 is controlled in gain by the input signal level control circuit 7, and the AC signal is input from the input side of the FET amplifier 2 and amplified. Output from the output terminal 3 on the output side. Here, a DC power supply for operating the FET amplifier 2 is added to the drain terminal 4 and the gate terminal 5.

【0014】つぎに、図2はFET増幅器の入出力特性
であり、入力電力に対する出力電力,ゲート電流,位相
変化を示している。FET増幅器2の入力電力を増加さ
せると横軸の(a)点付近から負性のゲート電流が多く
流れ始め、(b)点でFETのゲート電流の負電流が最
大となる。(b)点より更に入力電力を増加した(c)
点では位相が急峻に変化していることがわかる。
Next, FIG. 2 shows the input / output characteristics of the FET amplifier, showing the output power, the gate current, and the phase change with respect to the input power. When the input power of the FET amplifier 2 is increased, a large amount of negative gate current starts to flow near the point (a) on the horizontal axis, and the negative gate current of the FET becomes maximum at the point (b). Input power was further increased from point (b) (c)
It can be seen that at the points, the phase changes sharply.

【0015】つぎに、図3はFET増幅器の入力電力と
ゲート電流の関係を示すものであり、実線で示される入
力電力(図2の(a)点付近)におけるゲート電流はド
レイン・ゲート間電圧による負電流であるが、破線で示
される入力信号の場合(図2の(c)点付近)にはゲー
トソース間電圧が一瞬であるが(d)点で正の方向にか
かり、大きな正電流が流れることがわかる。この現象に
一致して位相が大きく変化している。
Next, FIG. 3 shows the relationship between the input power of the FET amplifier and the gate current. The gate current at the input power (near point (a) in FIG. 2) shown by the solid line is the drain-gate voltage. However, in the case of the input signal indicated by the broken line (near point (c) in FIG. 2), the gate-source voltage is momentary, but it is applied in the positive direction at point (d), resulting in a large positive current. You can see that is flowing. The phase changes greatly in accordance with this phenomenon.

【0016】以上のように本実施例によれば、FET増
幅器2のゲート電流を電流検出回路6で検出し、ゲート
電流値によりFET増幅器の入力信号レベルを制御する
制御回路7を設けることにより、FET増幅器の急峻な
位相変化を免れることができる。
As described above, according to the present embodiment, by providing the control circuit 7 for detecting the gate current of the FET amplifier 2 by the current detection circuit 6 and controlling the input signal level of the FET amplifier according to the gate current value, It is possible to avoid the steep phase change of the FET amplifier.

【0017】なお、FET増幅回路2のゲート側に大き
な正電流が流れて位相が大きく変化することを避けるた
めに、ゲート電流検出回路6にピーク電流検出機能をも
たせることも有効な方法である。
In order to prevent a large positive current from flowing to the gate side of the FET amplifier circuit 2 and causing a large phase change, it is an effective method to make the gate current detecting circuit 6 have a peak current detecting function.

【0018】また、ゲート電流値によりFET増幅器2
の入力信号レベルを制御する代わりに、入力信号レベル
を制御するための利得可変回路を設けることとか、また
別に、FET増幅器2の入力側に入力するベースバンド
信号のレベルを制御するためのレベル可変回路を設ける
ようにしてもよい。
Further, depending on the gate current value, the FET amplifier 2
Instead of controlling the input signal level of the FET amplifier 2, a gain varying circuit for controlling the input signal level is provided, or separately, a level varying circuit for controlling the level of the baseband signal input to the input side of the FET amplifier 2 is provided. A circuit may be provided.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上の実施例の説明より明らかなよう
に、本発明は多値PSK変調波を増幅する場合のFET
増幅器2のゲート電流をゲート電流検出回路で検出し、
ゲート電流値によりFET増幅器の入力信号レベルを制
御する制御回路を設けることにより、FET増幅器の急
峻な位相変化を免れ隣接チャンネルへおよぼす影響を小
さくすることができる優れた増幅回路を実現できる。
As is apparent from the above description of the embodiments, the present invention is an FET for amplifying a multilevel PSK modulated wave.
The gate current of the amplifier 2 is detected by the gate current detection circuit,
By providing the control circuit for controlling the input signal level of the FET amplifier by the gate current value, it is possible to realize an excellent amplifier circuit that can avoid the steep phase change of the FET amplifier and reduce the influence on the adjacent channel.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例における増幅回路のブロ
ック図
FIG. 1 is a block diagram of an amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同実施例のFET増幅器の入出力特性図FIG. 2 is an input / output characteristic diagram of the FET amplifier of the same embodiment.

【図3】同実施例のFET増幅器のゲート電流特性図FIG. 3 is a gate current characteristic diagram of the FET amplifier of the same embodiment.

【図4】従来の増幅回路のブロック図FIG. 4 is a block diagram of a conventional amplifier circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 FET増幅器 4 ドレイン端子 5 ゲート端子 6 ゲート電流検出回路 7 入力信号レベル制御回路 2 FET amplifier 4 Drain terminal 5 Gate terminal 6 Gate current detection circuit 7 Input signal level control circuit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電界効果トランジスタ増幅器と、前記電界
効果トランジスタ増幅器の直流ゲート電流を検出する電
流検出回路を具備し、直流ゲート電流値に応じて前記電
界効果トランジスタ増幅器に入力する入力信号レベルを
制御するように配してなる増幅回路。
1. A field effect transistor amplifier, and a current detection circuit for detecting a DC gate current of the field effect transistor amplifier. The input signal level input to the field effect transistor amplifier is controlled according to a DC gate current value. An amplifier circuit that is arranged to do so.
【請求項2】直流ゲート電流を検出する電流検出回路は
ピーク電流検出機能を有する請求項1記載の増幅回路。
2. The amplifier circuit according to claim 1, wherein the current detection circuit for detecting the DC gate current has a peak current detection function.
【請求項3】電界効果トランジスタの信号入力側に入力
信号レベルを制御する利得可変回路を備えた請求項1記
載の増幅回路。
3. The amplifier circuit according to claim 1, further comprising a gain variable circuit for controlling an input signal level on the signal input side of the field effect transistor.
【請求項4】電界効果トランジスタに入力するベースバ
ンド信号のレベルを制御するレベル可変回路を備えた請
求項1記載の増幅回路。
4. The amplifier circuit according to claim 1, further comprising a level variable circuit for controlling the level of a baseband signal input to the field effect transistor.
JP19516991A 1991-08-05 1991-08-05 Amplifier circuit Pending JPH0541615A (en)

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