KR100313429B1 - FT predistorter without insertion loss - Google Patents

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KR100313429B1
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오길록
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Abstract

본 발명은 사전 왜곡기에 관한 것이며, 특히, 삽입 손실을 제거하여 버퍼 증폭기와 같은 부가 증폭기나, 최종단 전력 증폭기의 이득을 증가시키는 부수 회로를 사용하기 않도록 하는 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기를 제공하는 데 그 목적이 있다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a predistorter and, in particular, provides an FET predistorter that does not have an insertion loss that eliminates insertion loss, thereby avoiding the use of additional amplifiers, such as buffer amplifiers, or ancillary circuitry that increases the gain of the final stage power amplifier. Its purpose is to.

본 발명에 따르면, 입력단에 연결되어 정합 기능을 제공하기 위한 제1 정합 수단; 상기 제 1 정합 수단으로부터 입력되는 신호를 사전 왜곡하고, 증폭하기 위한 증폭 수단; 상기 증폭 수단에 귀환 신호를 출력하여 상기 증폭 수단의 이득값을 조정하기 위한 귀환 수단; 및 상기 증폭 수단에 연결되어 외부에 연결되는 회로와 정합을 제공하기 위한 제2 정합 수단을 포함하여 이루어진 사전 왜곡기가 제공된다.According to the present invention, there is provided an apparatus, comprising: first matching means connected to an input terminal for providing a matching function; Amplifying means for predistorting and amplifying a signal input from said first matching means; Feedback means for outputting a feedback signal to the amplifying means to adjust a gain value of the amplifying means; And a second matching means for providing a match with a circuit connected to the amplification means and connected externally.

Description

삽입 손실을 갖지 않는 에프이티 사전 왜곡기FT predistorter with no insertion loss

본 발명은 사전 왜곡기에 관한 것이며, 특히, 삽입 손실을 제거하여 버퍼 증폭기와 같은 부가 증폭기나, 최종단 전력 증폭기의 이득을 증가시키는 부수 회로를 사용하기 않도록 하는 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to predistorters, and more particularly, to FET predistorters that do not have an insertion loss that eliminates insertion loss, thereby avoiding the use of additional amplifiers such as buffer amplifiers or ancillary circuitry that increases the gain of the final stage power amplifier. will be.

디지털 이동 통신시스템은 사용하는 변조 방식에 따라서 시스템 내에서 발생하는 비선형 특성이 다르다. 종래의 이동 통신시스템은 등포락선 변조 방식이나 선형 변조 방식을 사용한다.Digital mobile communication systems have different nonlinear characteristics that occur within the system depending on the modulation scheme used. The conventional mobile communication system uses an isoenvelope modulation scheme or a linear modulation scheme.

선형 변조 방식을 이용하는 코드 분할 다중 접속 방식(CDMA)은 상대적으로 큰 PEP(Peak-to-Envelop Power)비를 갖고 있으며, 이와 같은 신호의 특성에 의해서 전력 증폭기 내에서 발생하는 왜곡(상호 변조 왜곡) 신호는 등포락선 변조 방식을 이용하는 경우 보다 더 크다.Code Division Multiple Access (CDMA) using a linear modulation scheme has a relatively large peak-to-envelop power (PEP) ratio, and the distortion generated in the power amplifier due to the characteristics of such a signal (intermodulation distortion) The signal is larger than using an isoenvelop modulation scheme.

이동 통신 단말기는 저전력 소모와 높은 효율, 그리고 동일한 전력 소모와 효율을 갖는 경우에 보다 좋은 선형 특성을 갖는 전력 증폭기를 필요로 한다.The mobile communication terminal needs a power amplifier having a low linear power consumption and high efficiency, and better linear characteristics when the same power consumption and efficiency.

그 이유는 이동 통신 단말기의 경우 전원 소모의 대부분을 차지하는 소자가 전력 증폭기이기 때문이며, 전력 증폭기의 효율과 선형성은 단말기의 사용 시간과 인접 채널 간섭 및 신호의 신호대 잡음비(S/N : signal/noise)비와 직접적인 관계가 있다.The reason for this is that in the case of the mobile communication terminal, the power amplifier is the device that accounts for most of the power consumption, and the efficiency and linearity of the power amplifier is the usage time of the terminal, the adjacent channel interference, and the signal-to-noise ratio of the signal (S / N). There is a direct relationship with rain.

이동 통신 단말기에 사용되는 전력 증폭기의 선형성을 높이는 방법으로는 주로 사전왜곡(Predistortion) 방식을 사용하고 있다. 그러나, 종래의 사전왜곡 방식은 삽입손실을 갖고 있기 때문에 사전 왜곡기 후단에 삽입손실을 보상하는 버퍼 증폭기를 필요로 한다.As a method of increasing the linearity of a power amplifier used in a mobile communication terminal, a predistortion method is mainly used. However, since the conventional predistortion method has an insertion loss, a buffer amplifier is required to compensate the insertion loss after the predistorter.

도 1은 사전왜곡기를 이용하여 선형화된 전력 증폭기의 구성도이다.1 is a block diagram of a linearized power amplifier using a predistorter.

도면에 도시된 바와 같이, 사전 왜곡기를 이용하여 선형화된 전력 증폭기는, 사전 왜곡기(101) 및 전력 증폭기(102)로 구성된다.As shown in the figure, a power amplifier linearized using a predistorter consists of a predistorter 101 and a power amplifier 102.

상기 사전 왜곡기(101)는 전력 증폭기(102)에서 발생하는 왜곡 특성을 보상하는 특성을 갖어야 한다. 왜냐하면, 상기 전력 증폭기(102)는 어느 범위 이상의 입력 전력에서는 이득 특성이 포화(이득 압축)되는 특성을 갖기 때문이다.The predistorter 101 should have a characteristic that compensates for the distortion characteristic generated by the power amplifier 102. This is because the power amplifier 102 has a characteristic that a gain characteristic is saturated (gain compression) at an input power of a certain range or more.

이와 같은 이득 압축 특성은 전력 증폭기(102) 전단에 위치하는 사전 왜곡기(102)가 이득을 확장시키는 특성을 갖고 있다면 전력 증폭기(102)의 이득 압축 특성을 개선 할 수 있다. 전력 증폭기(102)의 이득 압축 개선은 전력 증폭기(102)의 선형성을 개선한 것이 된다.This gain compression characteristic can improve the gain compression characteristic of the power amplifier 102 if the predistorter 102 located in front of the power amplifier 102 has a characteristic of extending the gain. The gain compression improvement of the power amplifier 102 is to improve the linearity of the power amplifier 102.

상기 사전 왜곡기(101)를 구성하는 소자로는 FET 또는 다이오드를 주로 이용하며, 이들 소자를 이용한 사전 왜곡기(101)는 전력 증폭기(102)가 가지고 있는 AM-AM 특성과 AM-PM 특성을 역으로 보상하는 작용을 한다.The constituent elements of the predistorter 101 are mainly used FETs or diodes, and the predistorter 101 using these elements has an AM-AM characteristic and an AM-PM characteristic of the power amplifier 102. It works by compensating in reverse.

도면에서, 도 2a는 종래 기술에 따른 FET와 인덕터를 이용한 사전 왜곡기의 구성도이고, 도 2b는 종래 기술에 따른 FET와 커패시터를 이용한 사전 왜곡기의 구성도이며, 도 2c는 종래 기술에 따른 병렬 다이오드와 커패시터를 이용한 사전 왜곡기의 구성도이다.2A is a configuration diagram of a predistorter using a FET and an inductor according to the prior art, FIG. 2B is a configuration diagram of a predistorter using a FET and a capacitor according to the prior art, and FIG. A schematic diagram of a predistorter using parallel diodes and capacitors.

그러나, 상기 종래 기술에 따른 사전 왜곡기(101)들은 입력 신호를 사전 왜곡 시킴과 동시에 삽입 손실을 갖기 때문에 사전 왜곡기(101)가 사용되기 이전의 이득을 갖기 위해서는 버퍼 증폭기나 전력 증폭기 자체의 이득이 사전 왜곡기(101)를 장착하기 이전 보다 높아야 하는 단점을 갖고 있다.However, since the predistorters 101 according to the related art have an insertion loss at the same time as predistorting the input signal, in order to have a gain before the predistorter 101 is used, the gain of the buffer amplifier or the power amplifier itself is used. It has a disadvantage that it must be higher than before the predistorter 101 is mounted.

본 발명은 앞서 설명한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 종래의 사전 왜곡기들이 갖고 있는 삽입 손실을 제거 함으로서 버퍼 증폭기와 같은 부가 증폭기나, 최종단 전력 증폭기의 이득을 증가 시키는 부수 회로를 사용하지 않아도 되며, 전력 증폭기 자체를 설계 할 때 사전 왜곡기를 직접 사용하여 원하는 이득을 얻을 수 있도록 하는 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기를 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and by increasing the gain of an additional amplifier, such as a buffer amplifier, or the final stage power amplifier by eliminating the insertion loss of the conventional predistorter The goal is to provide a FET predistorter that eliminates the need for circuitry and does not have an insertion loss that allows the design of the power amplifier itself to use the predistorter directly to achieve the desired gain.

도 1은 사전왜곡기를 이용하여 선형화된 전력 증폭기의 구성도이고,1 is a block diagram of a power amplifier linearized using a predistorter,

도 2a는 종래 기술에 따른 FET와 인덕터를 이용한 사전 왜곡기의 구성도이고,2a is a block diagram of a predistorter using a FET and an inductor according to the prior art,

도 2b는 종래 기술에 따른 FET와 커패시터를 이용한 사전 왜곡기의 구성도이고,Figure 2b is a block diagram of a predistorter using a FET and a capacitor according to the prior art,

도 2c는 종래 기술에 따른 병렬 다이오드와 커패시터를 이용한 사전 왜곡기의 구성도이고,Figure 2c is a block diagram of a predistorter using a parallel diode and a capacitor according to the prior art,

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기의 회로도이고,3 is a circuit diagram of an FET predistorter having no insertion loss in accordance with one embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 사전 왜곡기를 이용하여 선형화된 전력 증폭기의 구성도이고,4 is a block diagram of a power amplifier linearized using a predistorter of the present invention,

도 5는 본 발명의 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기에 대한 가변 저항의 변화에 따른 모의 실험 결과 그래프이고,5 is a graph of simulation results according to the change of the variable resistance for the FET predistorter having no insertion loss of the present invention.

도 6은 본 발명의 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기에 대한 기준 전압의 변화에 따른 모의 실험 결과 그래프.Fig. 6 is a graph of simulation results according to the change of reference voltage for the FET predistorter without insertion loss of the present invention.

♠ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ♠♠ Explanation of symbols on the main parts of the drawing ♠

310, 320, 402, 404 : 정합 회로310, 320, 402, 404: matching circuit

311, 321, 351 : 커패시터 312, 322 : 인덕터311, 321, 351: capacitors 312, 322: inductors

330 : 기준 전압 340 : FET330: reference voltage 340: FET

350 : 귀환 회로 352 : 가변 저항350: feedback circuit 352: variable resistor

401 : 사전 왜곡기 403 : 전력 증폭기401 predistorter 403 power amplifier

앞서 설명한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 입력단에 연결되어 정합 기능을 제공하기 위한 제1 정합 수단; 상기 제 1 정합 수단으로부터 입력되는 신호를 사전 왜곡하고, 증폭하기 위한 증폭 수단; 상기 증폭 수단에 귀환 신호를 출력하여 상기 증폭 수단의 이득값을 조정하기 위한 귀환 수단; 및 상기 증폭 수단에 연결되어 외부에 연결되는 회로와 정합을 제공하기 위한 제2 정합 수단을 포함하여 이루어진 사전 왜곡기가 제공된다.According to the present invention for achieving the object as described above, the first matching means is connected to the input terminal for providing a matching function; Amplifying means for predistorting and amplifying a signal input from said first matching means; Feedback means for outputting a feedback signal to the amplifying means to adjust a gain value of the amplifying means; And a second matching means for providing a match with a circuit connected to the amplification means and connected externally.

아래에서, 본 발명에 따른 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기의 양호한 실시예를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명하겠다.In the following, a preferred embodiment of a FET predistorter having no insertion loss according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도면에서,도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기의 회로도이다.In the drawings, FIG. 3 is a circuit diagram of a FET predistorter having no insertion loss in accordance with one embodiment of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기는, 무선 주파수로부터 입력되는 직류를 차단하고 교류 신호에 대한 정합을 제공하기 위한 정합 회로(310), 상기 정합 회로(310)로부터 입력되는 신호를 증폭하여 출력하기 위한 FET(340), 상기 FET(340)의 소오스에 연결되어,상기 FET(340)에 귀환 전류를 제공함으로써 상기 FET(340)의 출력값이 일정값 이상에서 증가하여 입력된 신호에 대한 사전 왜곡기능을 제공할 수 있도록 하는 귀환 회로(350), 상기 FET(340)의 드레인에 연결되어 연결되는 외부 회로와 정합 기능을 제공하기 위한 정합 회로(320) 및 상기 FET(340)의 드레인에 연결되어 기준 전압을 제공하기 위한 기준 전압(330)을 구비하고 있다.As shown in the figure, a FET predistorter having no insertion loss in accordance with an embodiment of the present invention includes a matching circuit 310 for blocking direct current input from radio frequency and providing matching for an AC signal. FET 340 for amplifying and outputting a signal input from the matching circuit 310, and is connected to a source of the FET 340, thereby providing a return current to the FET 340, thereby outputting the output value of the FET 340. A feedback circuit 350 for increasing a predetermined value or more to provide a pre-distortion function for the input signal, a matching circuit for providing a matching function with an external circuit connected to and connected to the drain of the FET 340 ( And a reference voltage 330 connected to the drain of the FET 340 to provide a reference voltage.

그리고, 상기 정합 회로(310)는 한 끝단이 입력단에 연결되어 있는 커패시터 C1(311), 한 끝단이 접지되어 있고, 다른 끝단이 커패시터 C1(311)에 연결되어 있는 인덕터L1(312)을 구비하고 있다.The matching circuit 310 includes a capacitor C1 311 having one end connected to an input terminal and an inductor L1 312 having one end connected to a ground and the other end connected to the capacitor C1 311. have.

또한, 상기 정합 회로(320)는 한 끝단이 출력단에 연결되어 있는 커패시터 C2(321), 한 쪽 끝단이 기준 전압(330)에 연결되어 있고, 다른 끝단은 커패시터 C2(321)에 연결되어 있는 인덕터 L2(322)를 구비하고 있다.In addition, the matching circuit 320 is an inductor having one end connected to the capacitor C2 321 connected to the output terminal, one end connected to the reference voltage 330, and the other end connected to the capacitor C2 321. L2 (322) is provided.

그리고, 상기 귀환 회로(350)는 한 쪽 끝단이 전계 효과 트랜지스터(340)의 소오스에 연결되어 있고, 다른 쪽 끝단이 접지에 연결되어 있는 커패시터 C3(351) 및 한 쪽 끝단이 전계 효과 트랜지스터(340)의 소오스에 연결되어 있고, 다른 쪽 끝단이 접지되어 있는 가변 저항 R1(352)를 구비하고 있다.In addition, the feedback circuit 350 has a capacitor C3 351 having one end connected to a source of the field effect transistor 340 and the other end connected to ground, and a field effect transistor 340 having one end thereof. A variable resistor R1 352 connected to the source and grounded at the other end thereof.

이제, 본 발명의 일실시예에 따른 삽입 손실을 갖지 않은 FET 사전 왜곡기의 동작을 상세히 살펴보면 다음과 같다.Now, the operation of the FET predistorter having no insertion loss according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

먼저, 귀환 회로(350)에 의해 FET(340)의 출력은 일정값 이상에서는 증가하는 사전 왜곡된 신호를 출력한다.First, the output of the FET 340 by the feedback circuit 350 outputs a pre-distorted signal that increases above a certain value.

그리고, 상기 귀환 회로(350)의 가변 저항(352)를 조정함으로써 상기 FET(340)의 출력 이득값을 0㏈이상을 가지게 함으로써 사전 왜곡기 후단에 버퍼 증폭기등의 새로운 증폭기의 부가를 필요로 하지 않게 한다.In addition, by adjusting the variable resistor 352 of the feedback circuit 350 to make the output gain value of the FET 340 more than 0 dB, it is not necessary to add a new amplifier such as a buffer amplifier after the predistorter. Do not

또한, 기준 전압(330)의 전압을 조정함으로써 동작점을 이동시킴으로 상기 가변 저항(352)을 조정함으로써 얻어지는 0㏈이상의 값을 얻을 수가 있게 된다.In addition, by adjusting the voltage of the reference voltage 330, the operating point is moved to obtain a value of 0 dB or more obtained by adjusting the variable resistor 352.

도면에서, 도 4는 본 발명의 사전 왜곡기를 이용하여 선형화된 전력 증폭기의 구성도이다.4 is a schematic diagram of a power amplifier linearized using the predistorter of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 사전 왜곡기를 이용하여 선형화된 전력 증폭기는, 외부로부터 입력되는 무선 주파수를 사전 왜곡하고, 증폭하여 출력하기 위한 사전 왜곡기(401), 사전 왜곡기(401)에 연결되어 정합 기능을 제공하는 정합 회로(402), 정합 회로(402)에 연결되어 입력되는 신호를 증폭하여 출력하기 위한 전력 증폭기(403) 및 외부에 연결되는 신호와 정합을 제공하기 위한 정합 회로(404)를 구비하고 있다.As shown in the figure, the power amplifier linearized using the predistorter of the present invention includes a predistorter 401 and a predistorter 401 for predistorting, amplifying and outputting a radio frequency input from the outside. A matching circuit 402 connected to the matching circuit 402 to provide a matching function, a power amplifier 403 connected to the matching circuit 402 for amplifying and outputting an input signal, and a matching circuit for providing a matching signal to an external device. 404 is provided.

도면에서, 도 5는 본 발명의 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기에 대한 가변 저항의 변화에 따른 모의 실험 결과 그래프이다.5 is a graph of simulation results according to the change of the variable resistance for the FET predistorter having no insertion loss of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기에 대한 가변 저항의 변화에 따른 모의 실험 결과 그래프는, 가변 저항을 일정값이상으로 증가시킴에 따라 이득이 0㏈ 이상의 값을 갖는 것을 보여주고 있으며, 입력 신호에 대한 사전 왜곡 기능을 보여주고 있다.As shown in the figure, the simulation result graph according to the change of the variable resistance for the FET predistorter having no insertion loss according to the present invention shows that the gain increases by more than a certain value as the variable resistance is increased above a certain value. It shows what it has, and shows the pre-distortion of the input signal.

모의 실험에서 이용한 FET는 NEC900175(Nippon Electronic Company)를 이용하였다. 모의 실험 결과에서 AM-AM 특성은 기존의 사전 왜곡기와는 달리 이득을 가지면서 특정 입력 신호 이상에서 사전 왜곡 됨을 보여 준다. 또한 위상 특성 역시 특정 입력 신호 이상에서 전력 증폭기의 AM-PM 특성을 역으로 보상하는 특성을 갖음을 보여 준다.The FET used in the simulation was NEC900175 (Nippon Electronic Company). Simulation results show that the AM-AM characteristics are pre-distorted over a specific input signal with gain, unlike the conventional pre-distorter. In addition, the phase characteristic also shows that the AM-PM characteristic of the power amplifier is reversely compensated for above a certain input signal.

모의 실험 결과는 도 3의 가변 저항R1을 50~ 90ohms 까지 5ohms 간격으로 가변하여 얻을 결과이다. 이때 도 3의 Vcc는 Vcc = 2.35V 이고 C3 는 100pF 이다.The simulation results are obtained by varying the variable resistor R1 of FIG. 3 at intervals of 5 ohms to 50 to 90 ohms. At this time, Vcc of Figure 3 is Vcc = 2.35V and C3 is 100pF.

도 6은 본 발명의 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기에 대한 기준 전압의 변화에 따른 모의 실험 결과 그래프이다.6 is a graph of simulation results according to the change of the reference voltage for the FET predistorter having no insertion loss of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기에 대한 기준 전압의 변화에 따른 모의 실험 결과 그래프는, 기준 전압을 일정값이상으로 증가시킴에 따라 이득이 0㏈ 이상의 값을 갖는 것을 보여주고 있으며, 입력 신호에 대한 사전 왜곡 기능을 보여주고 있다.As shown in the figure, the simulation result graph according to the change of the reference voltage for the FET predistorter having no insertion loss according to the present invention shows that the gain increases as the reference voltage is higher than a predetermined value. It shows what it has, and shows the pre-distortion of the input signal.

모의 실험에서 이용한 FET는 NEC900175(Nippon Electronic Company)를 이용하였다. 모의 실험 결과에서 AM-AM 특성은 기존의 사전 왜곡기와는 달리 이득을 가지면서 특정 입력 신호 이상에서 사전 왜곡 됨을 보여 준다. 또한 위상 특성 역시 특정 입력 신호 이상에서 전력 증폭기의 AM-PM 특성을 역으로 보상하는 특성을 갖음을 보여 준다.The FET used in the simulation was NEC900175 (Nippon Electronic Company). Simulation results show that the AM-AM characteristics are pre-distorted over a specific input signal with gain, unlike the conventional pre-distorter. In addition, the phase characteristic also shows that the AM-PM characteristic of the power amplifier is reversely compensated for above a certain input signal.

도 6의 모의 실험 결과는 도 3의 Vcc를 2.1~2.35V 까지 0.05V 간격으로 가변하여 얻은 결과 이다. 이때 도 3의 가변 저항R1 은 50ohms 이고, C3는 100pF 이다.The simulation result of FIG. 6 is a result obtained by varying the Vcc of FIG. 3 at a distance of 0.05V from 2.1 to 2.25V. In this case, the variable resistor R1 of FIG. 3 is 50 ohms, and C3 is 100 pF.

도 5와 도 6를 통하여 사전 왜곡기가 전력 증폭기의 선형성을 증가 시키는 효과를 얻기 위한 수단으로는 소스 단자에 위치한 저항(도 3의 R1) 또는 드레인 단자에 인가 하는 바이어스 전압(도 3의 Vcc)을 변화 시킴에 따라서 AM-AM 특성 과 AM-PM 특성을 변화 시킬 수 있음을 보여 준다.As a means for obtaining the effect of the pre-distorter to increase the linearity of the power amplifier through FIGS. 5 and 6, a resistor (R1 of FIG. 3) located at the source terminal or a bias voltage (Vcc of FIG. 3) applied to the drain terminal may be used. It is shown that the AM-AM and AM-PM characteristics can be changed by changing.

앞서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명의 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기는 종래의 사전 왜곡기들이 갖고 있는 삽입 손실을 제거 함으로서 버퍼 증폭기와 같은 부가 증폭기나, 최종단 전력 증폭기의 이득을 증가 시키는 부수 회로를 사용하지 않아도 되며, 전력증폭기 자체를 설계 할 때 사전 왜곡기를 직접 사용하여 원하는 이득을 얻을 수 있게 되는 효과가 있다.As described in detail above, the FET predistorter having no insertion loss of the present invention eliminates the insertion loss of conventional predistorters, thereby eliminating an additional amplifier such as a buffer amplifier or an auxiliary circuit that increases the gain of the final stage power amplifier. There is no need to use it, and the design of the power amplifier itself has the effect of using the predistorter directly to get the desired gain.

이상에서 본 발명의 삽입 손실을 갖지 않는 FET 사전 왜곡기에 대한 기술사상을 첨부도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 가장 양호한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자이면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.The technical idea of the FET predistorter having no insertion loss of the present invention has been described above with the accompanying drawings, but this is by way of example and not by way of limitation. In addition, it is obvious that any person skilled in the art can make various modifications and imitations without departing from the scope of the technical idea of the present invention.

Claims (2)

입력단에 연결되어 정합 기능을 제공하기 위한 제1 정합 수단;First matching means connected to an input for providing a matching function; 게이트가 상기 제 1 정합 수단에 연결되고, 드에인이 제2 정합 수단에 연결되어 있으며, 소오스가 귀환 수단에 연결되어, 상기 제 1 정합 수단으로부터의 출력신호를 게이트로 입력받아 사전왜곡 및 증폭하기 위한 전계효과 트랜지스터;A gate is connected to the first matching means, a drain is connected to a second matching means, a source is connected to a feedback means, and the output signal from the first matching means is input to the gate to predistorte and amplify Field effect transistors; 상기 전계효과 트랜지스터의 귀환 신호를 출력하여 상기 전계효과 트랜지스터의 이득과 위상 및 이득과 위상의 기울기를 조정하기 위한 귀환 수단;Feedback means for outputting a feedback signal of the field effect transistor to adjust the gain and phase and the slope of the gain and phase of the field effect transistor; 상기 전계효과 트랜지스터에 바이어스 전압을 제공하여 바이어스 전압의 변화에 따라 상기 전계효과 트랜지스터의 이득과 위상 및 이득과 위상의 기울기를 조정하기 위한 지준 전압원; 및A reference voltage source for providing a bias voltage to the field effect transistor to adjust the gain and phase of the field effect transistor and the slope of the gain and phase according to a change in the bias voltage; And 상기 전계효과 트랜지스터의 드레인에 연결되어 외부에 연결되는 회로와의 정합을 제공하기 위한 제 2 정합 수단을 구비하고,Second matching means for providing a match with a circuit connected to the drain connected to the drain of the field effect transistor; 상기 귀환 수단은,The return means, 한 쪽 끝단이 상기 전계효과 트랜지스터의 소오스에 연결되어 있고, 다른 쪽 끝단이 접지에 연결되어 있는 제1 커패시터; 및A first capacitor having one end connected to a source of the field effect transistor and the other end connected to ground; And 한 쪽 끝단이 상기 전계 효과 트랜지스터의 소오스에 연결되어 있고, 다음 쪽 끝단이 접지되어 있어, 저항값의 변화에 따라 상기 전게효과 트랜지스터에 귀환 되는 신호를 조정하여 상기 전계 효과 트랜지스터의 이득을 변화시키기 위한 가변 저항을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 사전 왜곡기.One end is connected to the source of the field effect transistor, and the next end is grounded, so that the gain of the field effect transistor can be changed by adjusting a signal fed back to the field effect transistor according to a change in resistance value. A predistorter comprising a variable resistor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 정합 수단은,The first matching means, 한 끝단이 입력단에 연결되어 있는 제2 커패시터; 및A second capacitor having one end connected to the input end; And 한 끝단이 접지되어 있고, 다른 끝단이 제2 커패시터에 연결되어 있는 제1 인덕터를 포함하며,A first inductor having one end grounded and the other end connected to a second capacitor, 상기 제2 정합 수단은,The second matching means, 한 끝단이 출력단에 연결되어 있는 제3 커패시터; 및A third capacitor having one end connected to the output end; And 한 쪽 끝단이 상기 기준 전압원에 연결되어 있고, 다른 끝단은 제3 커패시터 에 연결되어 있는 제2 인덕터를 포함하여 이루어진 사전 왜곡기.And a second inductor having one end connected to the reference voltage source and the other end connected to a third capacitor.
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