JPH0541562Y2 - - Google Patents

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JPH0541562Y2
JPH0541562Y2 JP5451787U JP5451787U JPH0541562Y2 JP H0541562 Y2 JPH0541562 Y2 JP H0541562Y2 JP 5451787 U JP5451787 U JP 5451787U JP 5451787 U JP5451787 U JP 5451787U JP H0541562 Y2 JPH0541562 Y2 JP H0541562Y2
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cooling body
gto thyristor
snubber
snubber diode
thyristor
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【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、電力用半導体素子用冷却体に関する
ものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a cooling body for power semiconductor devices.

〔従来の技術とその問題点〕[Conventional technology and its problems]

ゲートターンオフサイリスタ(以下GTOサイ
リスタと称す)のスナバ回路は、第5図に示すよ
うにスナバダイオード2とスナバコンデンサ3の
直列回路をGTOサイリスタ1と並列接続し、さ
らにスナバコンデンサ3の放電抵抗としてスナバ
ダイオード2と並列にスナバ抵抗4を接続して形
成される。このような回路で、インダクタンスls
は、GTOサイリスタ1、スナバダイオード2お
よびスナバコンデンサ3の直列回路の配線インダ
クタンスである。
The snubber circuit of a gate turn-off thyristor (hereinafter referred to as a GTO thyristor) consists of a series circuit of a snubber diode 2 and a snubber capacitor 3 connected in parallel with the GTO thyristor 1, as shown in Fig. 5, and a snubber circuit as a discharge resistance of the snubber capacitor 3. It is formed by connecting a snubber resistor 4 in parallel with the diode 2. In such a circuit, the inductance ls
is the wiring inductance of the series circuit of GTO thyristor 1, snubber diode 2, and snubber capacitor 3.

GTOサイリスタ1をゲートターンオフさせる
と、前記配線インダクタンスlsにスパイク状の電
圧が発生し、この電圧がGTOサイリスタ1のア
ノード、カソード間に印加される。かかるスパイ
ク状の電圧が大きいとGTOサイリスタ1を破損
させてしまうので、配線インダクタンスlsは極力
小さく(例0.4μH以下)する必要がある。
When the gate of the GTO thyristor 1 is turned off, a spike voltage is generated in the wiring inductance ls, and this voltage is applied between the anode and cathode of the GTO thyristor 1. If such a spike voltage is large, it will damage the GTO thyristor 1, so the wiring inductance ls needs to be as small as possible (for example, 0.4 μH or less).

一方、GTOサイリスタ1とスナバダイオード
2はそれぞれ冷却体を必要とするが、大容量
(2.5KV1KA以上)のGTOサイリスタは通常平形
であり、そのスナバダイオード2はスタツド形で
あるので、従来はそれぞれ別々の風冷式冷却フイ
ンによつて冷却を行つていた。
On the other hand, GTO thyristor 1 and snubber diode 2 each require a cooling body, but since large-capacity (2.5 KV 1 KA or more) GTO thyristors are usually flat and snubber diode 2 is stud-shaped, conventionally they have been separated separately. Cooling was performed using air-cooled cooling fins.

このようにGTOサイリスタ1とスナバダイオ
ード2とに別々に冷却フインを設けているので
は、装置全体がスペースを占めるものとなる。ま
た、特にGTOサイリスタの場合は、前記のごと
くサイリスタとその他の素子とが離れると回路上
の配線インダクタンスが大きくなつて好しくな
い。
If cooling fins are provided separately for the GTO thyristor 1 and the snubber diode 2 in this way, the entire device occupies space. Moreover, especially in the case of a GTO thyristor, as mentioned above, if the thyristor is separated from other elements, the wiring inductance on the circuit increases, which is not preferable.

なお、GTOサイリスタとその他の素子とに共
通の冷却フアンを取付けたものとして、実公昭57
−23895号公報があるが、風冷式の冷却フインで
はそのものが大きいために小形化することは困難
である。また、形状からして、スタツド型の半導
体素子の取付けには適さない。
In addition, as a common cooling fan attached to the GTO thyristor and other elements,
Although there is a Japanese Patent No. 23895, it is difficult to miniaturize air-cooled cooling fins because they are large. Also, due to its shape, it is not suitable for mounting stud-type semiconductor devices.

本考案の目的は前記従来例の不都合を解消し、
全体を一層小形化して、GTOサイリスタとスナ
バダイオード間の配線インダクタンスを極力小さ
くできる半導体素子用冷却体を提供することにあ
る。
The purpose of the present invention is to eliminate the disadvantages of the conventional example,
It is an object of the present invention to provide a cooling body for a semiconductor element that can further reduce the overall size and minimize wiring inductance between a GTO thyristor and a snubber diode.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本考案は前記目的を達成するため、水冷冷却体
に、平形ゲートターンオフサイリスタの挿入用円
形偏平溝とスタツド形スナバダイオードのネジ込
み孔とを形成したことを要旨とするものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the gist of the present invention is that a circular oblong groove for inserting a flat gate turn-off thyristor and a threaded hole for a stud-type snubber diode are formed in a water-cooled cooling body.

〔作用〕[Effect]

本考案によれば、風冷冷却フインよりも小形に
できる水冷冷却体を使用し、しかも1個の水冷冷
却体でGTOサイリスタとスナバダイオードのア
ノード同士を共通して冷却できる。その結果、
GTOサイリスタとスナバダイオードの配線イン
ダクタンスを小さくすることができる。
According to the present invention, a water-cooled cooling body that can be made smaller than an air-cooled cooling fin is used, and moreover, the anodes of the GTO thyristor and the snubber diode can be commonly cooled with one water-cooled cooling body. the result,
The wiring inductance of the GTO thyristor and snubber diode can be reduced.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面について本考案の実施例を詳細に説
明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、本考案の半導体素子用冷却体の1実
施例を示す平面的説明図、第2図は同上側面図
で、図中5は冷却水の注入口5aと注出口5bを
有する偏平直方体状の水冷冷却体を示す。
FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of the cooling body for semiconductor devices of the present invention, and FIG. 2 is a side view of the same, in which 5 indicates a flat plate having a cooling water inlet 5a and an outlet 5b. A rectangular parallelepiped water-cooled cooling body is shown.

この水冷冷却体5の上面に平形GTOサイリス
タの挿入用の円形偏平溝6を形成し、また前記注
入口5a、注出口5bがある箇所以外の側面、例
えば反対側の側面に、スタツド形スナバダイオー
ドをめじ込める雌ネジ部をもつネジ込み孔7を形
成した。
A circular flat groove 6 for inserting a flat GTO thyristor is formed on the upper surface of this water-cooled cooling body 5, and a stud-type snubber diode is formed on the side other than where the inlet 5a and the outlet 5b are located, for example, on the opposite side. A screw hole 7 having a female thread into which the screw can be inserted is formed.

第3図、第4図は、このような水冷冷却体5に
スタツド形スナバダイオード2を取付けた状態を
示す。なお、スタツド形スナバダイオードの内部
半導体エレメントの極性が前記第1図に示したも
のと逆極性となる場合には、GTOサイリスタの
カソード側の本考案水冷冷却体にこのスナバダイ
オードのカソード電極をねじ込めばよい。
3 and 4 show a state in which a stud type snubber diode 2 is attached to such a water-cooled cooling body 5. If the polarity of the internal semiconductor element of the stud type snubber diode is opposite to that shown in Figure 1 above, screw the cathode electrode of this snubber diode to the water-cooled body of the present invention on the cathode side of the GTO thyristor. Just put it in.

〔考案の効果〕[Effect of idea]

以上述べたように本考案の半導体素子用冷却体
は、平形GTOサイリスタとそのスタツド形スナ
バダイオードの双方を冷却できる水冷冷却体構造
としたので、このGTOサイリスタとスナバダイ
オード間の配線インダクタンスを小さくすること
ができ、GTOサイリスタのゲートターンオフ時
に発生するスパイク状電圧を容易に許容値以下に
することができるものである。
As mentioned above, the semiconductor device cooling body of the present invention has a water-cooled cooling body structure that can cool both the flat GTO thyristor and its stud snubber diode, so the wiring inductance between the GTO thyristor and the snubber diode can be reduced. This makes it possible to easily reduce the spike-like voltage that occurs when the gate of the GTO thyristor is turned off to a permissible value or less.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案の半導体素子用冷却体の1実施
例を示す平面的説明図、第2図は同上側面図、第
3図はスナバダイオードを取付けた状態の平面
図、第4図は同上側面図、第5図はGTOサイリ
スタとそのスナバ回路を示す回路図である。 1……GTOサイリスタ、2……スナバダイオ
ード、3……スナバコンデンサ、4……スナバ抵
抗、5……水冷冷却体、5a……注入口、5b…
…注出口、6……円形偏平溝、7……ネジ込み
孔。
Fig. 1 is a plan view showing one embodiment of the semiconductor device cooling body of the present invention, Fig. 2 is a side view of the same, Fig. 3 is a plan view of the same with a snubber diode attached, and Fig. 4 is the same as the above. The side view, FIG. 5, is a circuit diagram showing the GTO thyristor and its snubber circuit. 1... GTO thyristor, 2... Snubber diode, 3... Snubber capacitor, 4... Snubber resistor, 5... Water cooling body, 5a... Inlet, 5b...
...Spout, 6...Circular flat groove, 7...Screw hole.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 水冷冷却体に、平形ゲートターンオフサイリス
タの挿入用円形偏平溝とスタツド形スナバダイオ
ードのネジ込み孔とを形成したことを特徴とする
半導体素子用冷却体。
1. A cooling body for a semiconductor device, characterized in that the water-cooled cooling body is formed with a circular flat groove for inserting a flat gate turn-off thyristor and a screw hole for a stud-type snubber diode.
JP5451787U 1987-04-09 1987-04-09 Expired - Lifetime JPH0541562Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5451787U JPH0541562Y2 (en) 1987-04-09 1987-04-09

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5451787U JPH0541562Y2 (en) 1987-04-09 1987-04-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63162544U JPS63162544U (en) 1988-10-24
JPH0541562Y2 true JPH0541562Y2 (en) 1993-10-20

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JP5451787U Expired - Lifetime JPH0541562Y2 (en) 1987-04-09 1987-04-09

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JPS63162544U (en) 1988-10-24

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