JPH0540959A - Optical recording medium and production thereof - Google Patents
Optical recording medium and production thereofInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光記録媒体およびその製
造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium and its manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】大容量情報記録媒体として、光記録ディ
スク等の光記録媒体が注目されている。光記録媒体とし
ては、相変化型光記録媒体や光磁気記録媒体等の書き換
え可能タイプ、あるいはピット形成型光記録媒体等の追
記タイプなどがある。2. Description of the Related Art As a large-capacity information recording medium, an optical recording medium such as an optical recording disk has received attention. The optical recording medium includes a rewritable type such as a phase change type optical recording medium and a magneto-optical recording medium, and a write-once type such as a pit formation type optical recording medium.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、新規な構成
の追記タイプの光記録媒体およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a write-once type optical recording medium having a novel structure and a manufacturing method thereof.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（１６）の本発明によって達成される。The above objects are achieved by the present invention described in (1) to (16) below.
【０００５】（１）基板表面に、誘電体薄膜、記録薄膜
および反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、加熱
により分解してガスを放出する無機化合物を含有するこ
とを特徴とする光記録媒体。(1) A dielectric thin film, a recording thin film and a reflective thin film are provided in this order on the surface of a substrate, and the recording thin film contains an inorganic compound which decomposes upon heating to release a gas. Optical recording medium.
【０００６】（２） 前記無機化合物のガスを放出する
温度が３００℃以下である上記（１）に記載の光記録媒
体。(2) The optical recording medium according to the above (1), wherein the temperature of releasing the gas of the inorganic compound is 300 ° C. or lower.
【０００７】（３） 前記ガスが酸素または窒素である
上記（１）または（２）に記載の光記録媒体。(3) The optical recording medium as described in (1) or (2) above, wherein the gas is oxygen or nitrogen.
【０００８】（４） 前記無機化合物が酸化銀または窒
化鉄である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の
光記録媒体。(4) The optical recording medium as described in any of (1) to (3) above, wherein the inorganic compound is silver oxide or iron nitride.
【０００９】（５） 前記酸化銀中の酸素の含有比率が
５〜５０原子％である上記（４）に記載の光記録媒体。(5) The optical recording medium as described in (4) above, wherein the content ratio of oxygen in the silver oxide is 5 to 50 atom%.
【００１０】（６） 前記窒化鉄中の窒素の含有比率が
５〜５０原子％である上記（４）に記載の光記録媒体。(6) The optical recording medium as described in (4) above, wherein the content ratio of nitrogen in the iron nitride is 5 to 50 atom%.
【００１１】（７） 前記誘電体薄膜が酸化ケイ素また
は窒化ケイ素を含有する上記（１）ないし（６）のいず
れかに記載の光記録媒体。(7) The optical recording medium as described in any one of (1) to (6) above, wherein the dielectric thin film contains silicon oxide or silicon nitride.
【００１２】（８） 前記反射薄膜が、形状記憶合金、
Ａｌ、Ａｕ、ＰｔまたはＣｕから構成される上記（１）
ないし（７）のいずれかに記載の光記録媒体。(8) The reflective thin film is a shape memory alloy,
The above (1) composed of Al, Au, Pt or Cu
An optical recording medium according to any one of (1) to (7).
【００１３】（９） 前記誘電体薄膜と前記記録薄膜と
の間に、低融点薄膜を有する上記（１）ないし（８）の
いずれかに記載の光記録媒体。(9) The optical recording medium as described in any of (1) to (8) above, which has a low melting point thin film between the dielectric thin film and the recording thin film.
【００１４】（１０） 前記低融点薄膜が、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、
Ｇｅ、ＣｄまたはＩから構成される上記（９）に記載の
光記録媒体。(10) The low melting point thin film is Sn, Z
n, Pb, Bi, Tl, Te, Se, S, Al, Ga,
The optical recording medium according to (9) above, which is composed of Ge, Cd, or I.
【００１５】（１１） 上記（１）ないし（１０）のい
ずれかに記載の光記録媒体を製造する方法であって、前
記記録薄膜が反応性スパッタ法により形成されることを
特徴とする光記録媒体の製造方法。(11) A method for producing the optical recording medium according to any one of (1) to (10), wherein the recording thin film is formed by a reactive sputtering method. Medium manufacturing method.
【００１６】（１２） 前記記録薄膜が、酸素ガスを含
有する雰囲気中においてＡｇをターゲットとして反応性
スパッタにより形成される上記（１１）に記載の光記録
媒体の製造方法。(12) The method for producing an optical recording medium according to the above (11), wherein the recording thin film is formed by reactive sputtering with Ag as a target in an atmosphere containing oxygen gas.
【００１７】（１３） 前記反応性スパッタに際して、
全てのガスの合計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜７
０％とする上記（１２）に記載の光記録媒体の製造方
法。(13) In the reactive sputtering,
The flow rate of oxygen gas is 10 to 7 with respect to the total flow rate of all gases.
The method for producing an optical recording medium according to (12) above, wherein the content is 0%.
【００１８】（１４） 前記記録薄膜が、窒素ガスを含
有する雰囲気中においてＦｅをターゲットとして反応性
スパッタにより形成される上記（１１）に記載の光記録
媒体の製造方法。(14) The method for producing an optical recording medium according to (11), wherein the recording thin film is formed by reactive sputtering with Fe as a target in an atmosphere containing nitrogen gas.
【００１９】（１５） 前記反応性スパッタに際して、
全てのガスの合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜２
０％とする上記（１４）に記載の光記録媒体の製造方
法。(15) In the reactive sputtering,
The nitrogen gas flow rate is 10 to 2 with respect to the total flow rate of all gases.
The method for producing an optical recording medium according to (14) above, wherein the content is 0%.
【００２０】（１６） 前記反応性スパッタ時の圧力が
３×１０-1〜１．０Paである上記（１２）ないし（１
５）のいずれかに記載の光記録媒体の製造方法。(16) The above-mentioned (12) to (1) wherein the pressure during the reactive sputtering is 3 × 10 -1 to 1.0 Pa.
The method for manufacturing an optical recording medium according to any one of 5).
【００２１】[0021]
【作用】本発明の光記録媒体１は、基板２の表面に誘電
体薄膜３、記録薄膜４および反射薄膜５を有し、反射薄
膜５上には保護膜６が設けられている。記録時には、基
板２の裏面側から基板２および誘電体薄膜３を通して記
録レーザー光が照射され、記録薄膜４が加熱される。記
録薄膜は、加熱により分解してガスを放出する無機化合
物を含有するので、記録レーザー光照射により記録薄膜
４からガスが放出される。例えば、記録薄膜４が酸化銀
を含有する場合、酸化銀は１６０℃程度でＡｇとＯ2 と
に分解する。また、例えば、記録薄膜４が窒化鉄を含有
する場合、２００℃程度で窒化鉄から窒素が放出され
る。そして、図１および図２に示されるように、発生し
たガスにより記録薄膜４中に空隙４１が形成され、ま
た、発生したガスの圧力により反射薄膜５に凹部５１が
形成される。これらの空隙や凹部などが生じることによ
り、記録レーザー光照射部の光学定数や光路長等の光学
的条件が変化し、反射率が低下する。また、凹部５１の
光反射面は粗面化しているため、これによっても反射率
が低下する。The optical recording medium 1 of the present invention has a dielectric thin film 3, a recording thin film 4 and a reflective thin film 5 on the surface of a substrate 2, and a protective film 6 is provided on the reflective thin film 5. At the time of recording, a recording laser beam is irradiated from the back surface side of the substrate 2 through the substrate 2 and the dielectric thin film 3 to heat the recording thin film 4. Since the recording thin film contains an inorganic compound that decomposes and releases gas upon heating, gas is released from the recording thin film 4 by irradiation of the recording laser light. For example, when the recording thin film 4 contains silver oxide, the silver oxide decomposes into Ag and O 2 at about 160 ° C. Further, for example, when the recording thin film 4 contains iron nitride, nitrogen is released from the iron nitride at about 200 ° C. Then, as shown in FIGS. 1 and 2, the generated gas forms a void 41 in the recording thin film 4, and the pressure of the generated gas forms a recess 51 in the reflective thin film 5. The formation of these voids or recesses changes the optical conditions such as the optical constant and the optical path length of the recording laser light irradiation portion, and the reflectance decreases. Further, since the light reflecting surface of the concave portion 51 is roughened, the reflectance is also reduced due to this.
【００２２】このようにして生じる光反射率の変化は不
可逆的であり、また、７８０nm近傍の光の反射率は、レ
ーザー光照射前で５０％程度以上あり、照射後には１０
％程度以下まで低下するので、追記型光記録ディスクと
しての使用が可能である。The change in the light reflectance thus generated is irreversible, and the reflectance of the light in the vicinity of 780 nm is about 50% or more before the laser light irradiation and 10% after the laser light irradiation.
%, It can be used as a write-once optical recording disk.
【００２３】また、誘電体薄膜等の厚さを調整すること
により、３００〜９００nm程度の波長範囲においてこの
ような反射率変化が得られるので、短波長記録が可能で
あり、より高い記録密度とすることが可能である。な
お、誘電体薄膜３は、ガスバリアとしての作用を有し、
本発明の光記録媒体の信頼性を高めるはたらきを有す
る。Further, by adjusting the thickness of the dielectric thin film or the like, such reflectance change can be obtained in the wavelength range of about 300 to 900 nm, so that short wavelength recording is possible and higher recording density and higher recording density can be obtained. It is possible to The dielectric thin film 3 has a function as a gas barrier,
It has a function of enhancing the reliability of the optical recording medium of the present invention.
【００２４】また、図２に示されるように、本発明の光
記録媒体１において、誘電体薄膜３と記録薄膜４との間
に低融点薄膜７を設けた場合、低融点薄膜７が吸熱作用
を示すため、記録感度が向上する。このため、例えば３
Ｔ信号などの短い信号の記録が低パワーのレーザー光で
良好に行なえる。Further, as shown in FIG. 2, when the low melting point thin film 7 is provided between the dielectric thin film 3 and the recording thin film 4 in the optical recording medium 1 of the present invention, the low melting point thin film 7 absorbs heat. Therefore, the recording sensitivity is improved. Therefore, for example, 3
Recording of a short signal such as a T signal can be satisfactorily performed with a low-power laser beam.
【００２５】なお、特公昭６３−５６９２０号公報に
は、「Ａｇ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系の化合物で構成することを
特徴とする光学記録材料」が開示されている。この光学
記録材料は、光照射により黒化し加熱により褪色すると
いうＡｇ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系化合物の性質を利用したもの
であり、酸化ケイ素を含有する誘電体薄膜と酸化銀を含
有する記録薄膜とを積層するという本発明の光記録媒体
の構成とは異なる。また、その作用も本発明とは全く異
なるものである。そして、同公報の記載によれば、初期
反射率が４０％未満で、光照射後の反射率低下は８％に
過ぎず、光記録媒体として使用することは困難である。Incidentally, Japanese Patent Publication No. 63-56920 discloses "an optical recording material characterized by being composed of an Ag 2 O--SiO 2 system compound". This optical recording material utilizes the property of an Ag 2 O—SiO 2 based compound that it is blackened by light irradiation and is discolored by heating, and has a dielectric thin film containing silicon oxide and a recording thin film containing silver oxide. Is different from the structure of the optical recording medium of the present invention in which Also, the operation is completely different from that of the present invention. According to the description of the publication, the initial reflectance is less than 40%, and the reflectance decrease after light irradiation is only 8%, which makes it difficult to use as an optical recording medium.
【００２６】[0026]
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。[Specific Structure] The specific structure of the present invention will be described in detail below.
【００２７】図１に本発明の光記録媒体の好適実施例を
示す。同図に示されるように、光記録媒体１は、基板２
の表面に誘電体薄膜３、記録薄膜４および反射薄膜５を
有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けられている。FIG. 1 shows a preferred embodiment of the optical recording medium of the present invention. As shown in the figure, the optical recording medium 1 includes a substrate 2
Has a dielectric thin film 3, a recording thin film 4 and a reflective thin film 5 on its surface, and a protective film 6 is provided on the reflective thin film 5.
【００２８】［基板２］光記録媒体１では、基板２を通
して記録薄膜４に記録光および再生光が照射されるの
で、基板２はこれらの光に対して実質的に透明である材
質、例えば、樹脂やガラスなどから構成される。これら
のうち、取り扱いが容易で安価であることから、基板２
の材質としては樹脂が好ましい。具体的には、アクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン樹脂等の各種樹脂を用いればよい。[Substrate 2] In the optical recording medium 1, the recording thin film 4 is irradiated with recording light and reproducing light through the substrate 2, so that the substrate 2 is made of a material which is substantially transparent to these lights, for example, It is composed of resin and glass. Of these, the substrate 2 is easy to handle and inexpensive.
Resin is preferable as the material. Specifically, various resins such as acrylic resin, polycarbonate resin, epoxy resin, and polyolefin resin may be used.
【００２９】基板２の形状および寸法は特に限定されな
いが、通常、ディスク状であり、その厚さは、通常、
０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度である。
基板２の表面には、トラッキング用やアドレス用等のた
めに、グルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設け
られる。例えば、図示例の光記録媒体にはグルーブが設
けられており、記録光はグルーブ内に照射される。The shape and size of the substrate 2 are not particularly limited, but are usually disk-shaped, and their thickness is usually
The diameter is about 0.5 to 3 mm and the diameter is about 50 to 360 mm.
A predetermined pattern such as a groove is provided on the surface of the substrate 2 for tracking, addressing, etc., if necessary. For example, the optical recording medium of the illustrated example is provided with a groove, and the recording light is irradiated into the groove.
【００３０】［誘電体薄膜３］誘電体薄膜３は、各種誘
電体から構成される。用いる誘電体は特に限定されない
が、記録薄膜４が酸化銀を含有する場合は、誘電体薄膜
３を酸化ケイ素から構成すれば記録感度が向上する。な
お、酸化ケイ素としては、通常、ＳｉＯ2 で表わされる
組成を有するものを用いることが好ましい。また、記録
薄膜４が窒化鉄を含有する場合は、誘電体薄膜３を、通
常Ｓｉ3 Ｎ4 で表わされる窒化ケイ素から構成すれば記
録感度が向上する。[Dielectric Thin Film 3] The dielectric thin film 3 is composed of various dielectrics. The dielectric to be used is not particularly limited, but when the recording thin film 4 contains silver oxide, the recording sensitivity is improved if the dielectric thin film 3 is made of silicon oxide. As the silicon oxide, it is usually preferable to use one having a composition represented by SiO 2 . When the recording thin film 4 contains iron nitride, the recording sensitivity is improved if the dielectric thin film 3 is composed of silicon nitride, which is usually represented by Si 3 N 4 .
【００３１】なお、誘電体としては、この他、透明な各
種セラミクスや各種ガラスなどを用いてもよく、例え
ば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、
Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるい
はＹを含有するSiAlON等を好ましく用いることができ
る。Other than the above, various transparent ceramics and various glasses may be used as the dielectric material. For example, so-called LaSiON containing La, Si, O and N,
So-called SiAlON containing Si, Al, O and N, or SiAlON containing Y can be preferably used.
【００３２】誘電体薄膜３の厚さは、用いる誘電体の屈
折率等に応じて適宜設定すればよく、例えば誘電体とし
てＳｉＯ2 を用いる場合、１０００〜２０００A とする
ことが好ましい。また、屈折率がＳｉＯ2 とは異なる誘
電体を用いる場合の好ましい厚さは、その誘電体の屈折
率でＳｉＯ2 の屈折率を除した値を上記したＳｉＯ2の
好ましい厚さ範囲に乗じて求めればよい。誘電体薄膜３
の厚さが好ましい範囲を外れると、十分な反射率および
その変化を得ることが困難となる。The thickness of the dielectric thin film 3 may be appropriately set according to the refractive index of the dielectric used, and for example, when SiO 2 is used as the dielectric, it is preferably 1000 to 2000 A. Further, when a dielectric having a refractive index different from that of SiO 2 is used, the thickness obtained by dividing the refractive index of SiO 2 by the refractive index of the dielectric is multiplied by the preferable thickness range of SiO 2 described above. Just ask. Dielectric thin film 3
If the thickness is out of the preferable range, it becomes difficult to obtain a sufficient reflectance and its change.
【００３３】誘電体薄膜３は、記録感度向上効果の他、
ガスバリアとしての作用を有し、特に基板２がポリカー
ボネート樹脂などの樹脂製である場合、基板２側からの
水蒸気や酸素などの侵入を防止し、これらによる記録薄
膜４の劣化を防ぐ。The dielectric thin film 3 has the effect of improving the recording sensitivity,
It has a function as a gas barrier, and particularly when the substrate 2 is made of a resin such as a polycarbonate resin, it prevents water vapor, oxygen, etc. from entering from the substrate 2 side and prevents the recording thin film 4 from being deteriorated by these.
【００３４】誘電体薄膜３は、スパッタ法や蒸着法等の
気相成長法により形成されることが好ましい。The dielectric thin film 3 is preferably formed by a vapor phase growth method such as a sputtering method or a vapor deposition method.
【００３５】［記録薄膜４］記録薄膜４は、加熱により
分解してガスを放出する無機化合物を含有する。前記無
機化合物がガスを放出する温度は、３００℃以下である
ことが好ましい。また、放出されるガスの種類に特に制
限はないが、常温付近でガスとして安定に存在するこ
と、無毒性であることなどから、前記ガスは酸素または
窒素であることが好ましい。[Recording Thin Film 4] The recording thin film 4 contains an inorganic compound which decomposes by heating to release gas. The temperature at which the inorganic compound releases gas is preferably 300 ° C. or lower. The type of gas released is not particularly limited, but the gas is preferably oxygen or nitrogen because it stably exists as a gas near room temperature and is nontoxic.
【００３６】酸素ガスや窒素ガスを発生する無機化合物
としては、酸化銀または窒化鉄を用いることが好まし
い。酸化銀を用いる場合、記録薄膜４中の酸素の含有比
率は、５〜５０原子％、特に１０〜３０原子％であるこ
とが好ましい。また、窒化鉄を用いる場合、記録薄膜４
中の窒素の含有比率は、５〜５０原子％、特に１０〜３
０原子％であることが好ましい。記録薄膜４は、酸化銀
だけ、あるいは窒化鉄だけから構成されることが好まし
いが、他にＳｎ、Ｚｎ等の元素が合計で１０原子％程度
以下含有されていてもよい。Silver oxide or iron nitride is preferably used as the inorganic compound which generates oxygen gas or nitrogen gas. When silver oxide is used, the content ratio of oxygen in the recording thin film 4 is preferably 5 to 50 atom%, particularly 10 to 30 atom%. When iron nitride is used, the recording thin film 4
The content ratio of nitrogen in the medium is 5 to 50 atomic%, particularly 10 to 3
It is preferably 0 atomic%. The recording thin film 4 is preferably composed only of silver oxide or only iron nitride, but may additionally contain elements such as Sn and Zn in a total amount of about 10 atomic% or less.
【００３７】記録薄膜の厚さは、５００〜１０００A と
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると記録
が困難となり、前記範囲を超えると記録薄膜中における
光吸収のために反射率が不十分となる。The thickness of the recording thin film is preferably 500 to 1000A. When the thickness is less than the above range, recording becomes difficult, and when the thickness exceeds the above range, the reflectance is insufficient due to light absorption in the recording thin film.
【００３８】記録薄膜４は、スパッタ法や蒸着法などの
気相成長法により形成されることが好ましく、特に、酸
素ガスや窒素ガス等を反応性ガスとして用いる反応性ス
パッタ法により形成されることが好ましい。The recording thin film 4 is preferably formed by a vapor phase growth method such as a sputtering method or a vapor deposition method, and particularly formed by a reactive sputtering method using oxygen gas, nitrogen gas or the like as a reactive gas. Is preferred.
【００３９】酸化銀からなる記録薄膜を形成する場合、
酸素ガスを含有する雰囲気中において、Ａｇをターゲッ
トとして反応性スパッタを行なう。酸素ガスはＡｒ等の
不活性ガスと併用することが好ましく、酸素ガスの流量
は、全てのガスの合計流量中の１０〜７０％とすること
が好ましい。酸素ガス流量が前記範囲を外れると、記録
薄膜中の酸素量が不適当になり、十分な記録感度が得ら
れない。When a recording thin film made of silver oxide is formed,
Reactive sputtering is performed with Ag as a target in an atmosphere containing oxygen gas. Oxygen gas is preferably used in combination with an inert gas such as Ar, and the flow rate of oxygen gas is preferably 10 to 70% of the total flow rate of all gases. If the oxygen gas flow rate is out of the above range, the amount of oxygen in the recording thin film becomes unsuitable, and sufficient recording sensitivity cannot be obtained.
【００４０】窒化鉄からなる記録薄膜を形成する場合、
窒素ガスを含有する雰囲気中において、Ｆｅをターゲッ
トとして反応性スパッタを行なう。窒素ガスはＡｒ等の
不活性ガスと併用することが好ましく、窒素ガスの流量
は、全てのガスの合計流量中の１０〜２０％とすること
が好ましい。窒素ガス流量が前記範囲を外れると、記録
薄膜中の窒素量が不適当になり、十分な記録感度が得ら
れない。When a recording thin film made of iron nitride is formed,
Reactive sputtering is performed with Fe as a target in an atmosphere containing nitrogen gas. Nitrogen gas is preferably used in combination with an inert gas such as Ar, and the flow rate of nitrogen gas is preferably 10 to 20% of the total flow rate of all gases. If the nitrogen gas flow rate is out of the above range, the amount of nitrogen in the recording thin film becomes unsuitable, and sufficient recording sensitivity cannot be obtained.
【００４１】酸化銀形成の際および窒化鉄形成の際の反
応性スパッタ時の圧力は、好ましくは３×１０-1〜１．
０Pa、より好ましくは５×１０-1〜９×１０-1Pa、特に
好ましくは５×１０-1〜８×１０-1Paである。The pressure during the reactive sputtering during the formation of silver oxide and during the formation of iron nitride is preferably 3 × 10 -1 to 1.
0 Pa, more preferably 5 × 10 −1 to 9 × 10 −1 Pa, and particularly preferably 5 × 10 −1 to 8 × 10 −1 Pa.
【００４２】なお、反応性スパッタにはＤＣスパッタ法
を用いてもよいが、高周波スパッタ法を用いることが好
ましい。Although DC sputtering may be used for the reactive sputtering, high frequency sputtering is preferably used.
【００４３】［反射薄膜５］反射薄膜５は、金属ないし
合金から構成されることが好ましいが、高い記録感度を
得るためには、反射薄膜５を形状記憶合金から構成する
ことが好ましい。形状記憶合金の反射薄膜は記録光照射
により変形しやすいため、凹部５１の形成が容易であ
る。用いる形状記憶合金の組成に特に制限はないが、製
造が比較的容易であることから、Ｎｉ−Ｔｉ系合金また
は銅系形状記憶合金を用いることが好ましい。銅系形状
記憶合金としては、特にＣｕ−Ｚｎ−Ａｌ系合金が好ま
しい。これらの形状記憶合金の組成や特性などについて
は、例えば日本伸銅協会発行（1988.5）の「銅および銅
合金の基礎と工業技術」に記載されている。[Reflective Thin Film 5] The reflective thin film 5 is preferably made of a metal or an alloy, but in order to obtain high recording sensitivity, the reflective thin film 5 is preferably made of a shape memory alloy. Since the reflective thin film of the shape memory alloy is easily deformed by the irradiation of the recording light, the recess 51 can be easily formed. The composition of the shape memory alloy to be used is not particularly limited, but it is preferable to use a Ni—Ti based alloy or a copper based shape memory alloy because it is relatively easy to manufacture. A Cu-Zn-Al-based alloy is particularly preferable as the copper-based shape memory alloy. The composition and properties of these shape memory alloys are described, for example, in "Basics and Industrial Technology of Copper and Copper Alloys" published by Japan Copper and Brass Association (1988.5).
【００４４】ただし、反射薄膜５を、Ａｌ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｃｕ等の高反射率金属から構成してもよい。However, the reflective thin film 5 is made of Al, Au, P
It may be made of a high reflectance metal such as t or Cu.
【００４５】反射薄膜５の厚さは、３００〜１５００A
とすることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十
分な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても
反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。The thickness of the reflective thin film 5 is 300-1500A.
It is preferable that When the thickness is less than the above range, it becomes difficult to obtain sufficient reflectance. Further, even if it exceeds the above range, the improvement in reflectance is small, which is disadvantageous in cost.
【００４６】反射薄膜５は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成されることが好ましい。The reflective thin film 5 is preferably formed by a vapor phase growth method such as a sputtering method or a vapor deposition method.
【００４７】［保護膜６］保護膜６は、耐擦傷性や耐食
性の向上のために設けられるものであり、種々の有機系
の物質から構成されることが好ましいが、特に、放射線
硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射
線により硬化させた物質から構成されることが好まし
い。[Protective Film 6] The protective film 6 is provided to improve scratch resistance and corrosion resistance, and is preferably composed of various organic substances, but in particular, a radiation-curable compound. It is preferable that the or its composition is composed of a substance cured by radiation such as electron beam or ultraviolet ray.
【００４８】保護膜６の厚さは、通常、０．１〜１００
μm 程度であり、スピンコート、グラビア塗布、スプレ
ーコート、ディッピング等、通常の方法により形成すれ
ばよい。The thickness of the protective film 6 is usually 0.1-100.
It is about μm, and it may be formed by a usual method such as spin coating, gravure coating, spray coating, or dipping.
【００４９】［低融点薄膜７］図２に、本発明の光記録
媒体の他の実施例を示す。図２において、光記録媒体１
は、誘電体薄膜３と記録薄膜４との間に低融点薄膜７を
有する。[Low Melting Point Thin Film 7] FIG. 2 shows another embodiment of the optical recording medium of the present invention. In FIG. 2, the optical recording medium 1
Has a low melting point thin film 7 between the dielectric thin film 3 and the recording thin film 4.
【００５０】低融点薄膜７は、記録感度向上のために設
けられるものであり、融点２００〜８００℃程度の物質
から構成されることが好ましい。このような物質として
は、例えば、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓ
ｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｄ、Ｉ等や、これらの合
金、化合物等が挙げられ、適宜選択して用いればよい。The low melting point thin film 7 is provided to improve recording sensitivity, and is preferably made of a substance having a melting point of about 200 to 800 ° C. Examples of such substances include Sn, Zn, Pb, Bi, Tl, Te and S.
Examples thereof include e, S, Al, Ga, Ge, Cd and I, and alloys and compounds thereof, which may be appropriately selected and used.
【００５１】また、低融点の樹脂で低融点薄膜７を構成
してもよい。このような樹脂としては、例えば、ニトロ
セルロース、ポリイミド、フルオロカーボンなどが挙げ
られる。樹脂を用いる場合、低融点薄膜は蒸着法により
形成することが好ましいが、スピンコートにより形成す
ることもできる。The low melting point thin film 7 may be made of a resin having a low melting point. Examples of such a resin include nitrocellulose, polyimide, fluorocarbon and the like. When a resin is used, the low melting point thin film is preferably formed by vapor deposition, but can be formed by spin coating.
【００５２】低融点薄膜７の厚さは、１０〜２００A 、
特に５０〜１００A とすることが好ましい。厚さが前記
範囲未満であると記録感度向上効果が不十分となり、前
記範囲を超えると光の吸収が多くなりすぎて十分な反射
率が得られにくくなる。The low melting point thin film 7 has a thickness of 10 to 200 A,
Particularly, it is preferable to set it to 50 to 100A. If the thickness is less than the above range, the effect of improving the recording sensitivity becomes insufficient, and if it exceeds the above range, the absorption of light becomes too much and it becomes difficult to obtain a sufficient reflectance.
【００５３】低融点薄膜７は、スパッタ法や蒸着法等の
気相成長法により形成されることが好ましい。The low melting point thin film 7 is preferably formed by a vapor phase growth method such as a sputtering method or a vapor deposition method.
【００５４】なお、低融点薄膜７上に記録薄膜４を形成
する際に、低融点薄膜７は記録薄膜４中に拡散すること
がある。When the recording thin film 4 is formed on the low melting point thin film 7, the low melting point thin film 7 may diffuse into the recording thin film 4.
【００５５】［反射率変化作用］図１に示される構成の
光記録媒体１の基板２の裏面側から記録レーザー光を照
射すると、基板２および誘電体薄膜３を透過した記録レ
ーザー光は記録薄膜４を加熱する。記録薄膜４中の無機
化合物は加熱されて分解し、ガスを発生する。例えば、
無機化合物が酸化銀の場合、ＡｇとＯ2 とに分解され、
Ｏ2 ガスが発生する。また、無機化合物が窒化鉄の場
合、ＦｅとＮ2 とに分解され、Ｎ2 ガスが発生する。そ
して、発生したガスの圧力により記録薄膜４内には空隙
４１が形成される。[Reflectance changing action] When the recording laser light is irradiated from the back surface side of the substrate 2 of the optical recording medium 1 having the structure shown in FIG. 1, the recording laser light transmitted through the substrate 2 and the dielectric thin film 3 is the recording thin film. Heat 4. The inorganic compound in the recording thin film 4 is heated and decomposed to generate gas. For example,
When the inorganic compound is silver oxide, it is decomposed into Ag and O 2 ,
O 2 gas is generated. Further, when the inorganic compound is iron nitride, it is decomposed into Fe and N 2, and N 2 gas is generated. Then, a void 41 is formed in the recording thin film 4 by the pressure of the generated gas.
【００５６】一方、発生したガスにより反射薄膜５も圧
力を受け、反射薄膜５には凹部５１が形成される。反射
薄膜５が形状記憶合金から構成されている場合に記録感
度が高くなる、すなわち低パワーのレーザー光で書き込
み可能となるのは、形状記憶合金の反射薄膜を用いる
と、凹部５１の形成が容易となるためである。On the other hand, the reflection thin film 5 is also pressured by the generated gas, and a recess 51 is formed in the reflection thin film 5. When the reflective thin film 5 is made of a shape memory alloy, the recording sensitivity is high, that is, it is possible to write with a low-power laser beam. This is because
【００５７】また、図２のように低融点薄膜７を設けて
ある場合、記録レーザー光照射により低融点薄膜７が昇
温して融解し、これにより記録薄膜４の加熱が促進され
ることになる。Further, when the low melting point thin film 7 is provided as shown in FIG. 2, the low melting point thin film 7 is heated and melted by the irradiation of the recording laser beam, which accelerates the heating of the recording thin film 4. Become.
【００５８】記録レーザー光照射により形成された空隙
４１内では、屈折率ｎ（複素屈折率の実部）や消衰係数
ｋ（複素屈折率の虚部）等の光学定数が記録薄膜４内と
は異なり、また、凹部５１の存在により光路長も変わる
ので、多重反射条件が変化し、記録レーザー光照射部に
おいて反射率が著しく低下する。In the void 41 formed by the irradiation of the recording laser beam, the optical constants such as the refractive index n (the real part of the complex refractive index) and the extinction coefficient k (the imaginary part of the complex refractive index) are the same as those in the recording thin film 4. In addition, since the optical path length also changes due to the presence of the concave portion 51, the multiple reflection condition changes, and the reflectivity in the recording laser light irradiation portion significantly decreases.
【００５９】凹部５１の深さは、反射率変化の様子から
３００〜５００A 程度と推定される。また、凹部５１の
光反射面は粗面化している。このような粗面化は、無機
化合物の分解によりガスがバブル状に発生したことによ
るものと考えられ、この粗面化も反射率の低下に寄与し
ていると考えられる。粗面化の様子は、走査型トンネル
顕微鏡（ＳＴＭ）等により確認することができる。The depth of the recess 51 is estimated to be about 300 to 500 A based on the change in reflectance. Further, the light reflecting surface of the recess 51 is roughened. It is considered that such a surface roughening is caused by gas generation in the form of bubbles due to the decomposition of the inorganic compound, and this surface roughening is also considered to contribute to the decrease of the reflectance. The state of roughening can be confirmed by a scanning tunneling microscope (STM) or the like.
【００６０】［媒体構造］以上では、本発明を片面記録
型の光記録媒体に適用する場合について説明したが、本
発明は両面記録型の光記録媒体にも適用可能である。両
面記録型の光記録媒体に適用する場合、一対の基板２、
２を、記録薄膜４が内封されるように接着する。[Medium Structure] The case of applying the present invention to a single-sided recording type optical recording medium has been described above, but the present invention is also applicable to a double-sided recording type optical recording medium. When applied to a double-sided recording type optical recording medium, a pair of substrates 2,
2 is adhered so that the recording thin film 4 is enclosed.
【００６１】また、片面記録型であって、保護膜６上に
保護板を接着した構成とすることもできる。この場合の
保護板としては、通常、基板２と同質のものを用いれば
よいが、透明である必要はなく、その他の材質も用いる
ことができる。Further, it is possible to adopt a one-sided recording type in which a protective plate is adhered on the protective film 6. As the protective plate in this case, a material having the same quality as that of the substrate 2 may be usually used, but it does not have to be transparent and other materials can be used.
【００６２】[0062]
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples of the present invention.
【００６３】［実施例１］基板２の表面に、酸化ケイ素
から構成される誘電体薄膜３、酸化銀から構成される記
録薄膜４、反射薄膜５および紫外線硬化型樹脂の保護膜
６を形成し、図１に示される構成を有する光記録ディス
クサンプルNo. １を作製した。Example 1 A dielectric thin film 3 made of silicon oxide, a recording thin film 4 made of silver oxide, a reflective thin film 5 and a protective film 6 of an ultraviolet curable resin were formed on the surface of a substrate 2. An optical recording disk sample No. 1 having the structure shown in FIG. 1 was produced.
【００６４】基板２には、射出成形によりグルーブを同
時形成した直径１３３mm、厚さ１．２mmのディスク状ポ
リカーボネート樹脂を用いた。For the substrate 2, a disc-shaped polycarbonate resin having a diameter of 133 mm and a thickness of 1.2 mm in which grooves were simultaneously formed by injection molding was used.
【００６５】誘電体薄膜３は、ＳｉＯ2 をターゲットと
してスパッタ法により１０００A の厚さに形成した。The dielectric thin film 3 was formed to a thickness of 1000 A by sputtering using SiO 2 as a target.
【００６６】記録薄膜４は、酸素ガスとＡｒガスを含む
雰囲気中で反応性高周波スパッタ法により６００A の厚
さに形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０-1Paと
し、酸素ガスの流量およびＡｒガスの流量はいずれも１
０SCCMとした。また、ターゲットにはＡｇを用い、スパ
ッタパワーは２００W とした。記録薄膜４の組成をオー
ジェ分光法により測定したところ、１０原子％の酸素を
含み、残部はＡｇであった。The recording thin film 4 was formed to a thickness of 600 A by reactive high frequency sputtering in an atmosphere containing oxygen gas and Ar gas. The pressure during sputtering was 5.5 × 10 −1 Pa, and the flow rate of oxygen gas and Ar gas were both 1
It was set to 0 SCCM. Also, Ag was used as the target and the sputtering power was 200 W. When the composition of the recording thin film 4 was measured by Auger spectroscopy, it contained 10 atomic% of oxygen and the balance was Ag.
【００６７】反射薄膜５は、Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｌ合金をタ
ーゲットとしてスパッタ法により１０００A の厚さに形
成した。The reflective thin film 5 was formed to a thickness of 1000 A by a sputtering method using a Cu-Zn-Al alloy as a target.
【００６８】保護膜６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の厚さは５μm であった。The protective film 6 was formed by applying an ultraviolet curable resin by spin coating and then curing it by irradiating it with ultraviolet light. The thickness after curing was 5 μm.
【００６９】サンプルNo. １について、ＣＤ信号（３
Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には８mWのレーザー光を照射し、再生
時には０．５mWのレーザー光を照射した。これらのレー
ザー光の波長は、７８０nmとした。For the sample No. 1, the CD signal (3
T, 5T, 7T, 9T, 11T) was recorded and reproduced. Note that 8 mW of laser light was applied during recording, and 0.5 mW of laser light was applied during reproduction. The wavelength of these laser lights was 780 nm.
【００７０】この結果、未記録部の反射率は５０％、記
録部の反射率は１０％であり、光記録ディスクとしての
使用が可能であった。As a result, the reflectance of the unrecorded portion was 50% and the reflectance of the recording portion was 10%, and it could be used as an optical recording disk.
【００７１】また、サンプルNo. １を６０℃、８０％Ｒ
Ｈで１０００時間保存して、耐久保存性の試験を行なっ
た。この結果、エラー率は殆ど増加しなかった。Sample No. 1 was tested at 60 ° C. and 80% R
It was stored in H for 1000 hours, and a durability storage test was conducted. As a result, the error rate hardly increased.
【００７２】［実施例２］反射薄膜を１０００A 厚のＡ
ｌとし、記録薄膜の厚さを８００A とした他は実施例１
のサンプルNo. １と同様にして、光記録ディスクサンプ
ルNo. ２を作製した。[Embodiment 2] A reflection thin film having a thickness of 1000 A
Example 1 except that the recording thin film has a thickness of 800 A.
Optical recording disk sample No. 2 was prepared in the same manner as sample No. 1 of.
【００７３】サンプルNo. ２について、実施例１と同様
な記録再生を行なったところ、未記録部の反射率は５５
％、記録部の反射率は１５％であり、光記録ディスクと
しての使用が可能であった。また、Ａｌに替えてＡｕ、
ＰｔまたはＣｕを用いた場合でも、ほぼ同様な結果が得
られた。When recording and reproducing were performed on Sample No. 2 in the same manner as in Example 1, the reflectance of the unrecorded portion was 55.
%, The reflectance of the recording portion was 15%, and it could be used as an optical recording disk. Also, instead of Al, Au,
Almost similar results were obtained when Pt or Cu was used.
【００７４】［実施例３］誘電体薄膜３と記録薄膜４と
の間に低融点薄膜７を設けて、図２に示される構成の光
記録ディスクサンプルNo. ３を作製した。Example 3 A low melting point thin film 7 was provided between the dielectric thin film 3 and the recording thin film 4 to prepare an optical recording disk sample No. 3 having the structure shown in FIG.
【００７５】低融点薄膜７は、ターゲットとしてＳｎを
用い、スパッタ法により５０A の厚さに形成した。The low melting point thin film 7 was formed to a thickness of 50 A by a sputtering method using Sn as a target.
【００７６】なお、低融点薄膜７以外の構成は実施例１
で作製したサンプルNo. １と同じとした。The structure other than the low melting point thin film 7 is the same as that of the first embodiment.
The same as sample No. 1 manufactured in 1.
【００７７】サンプルNo. ３について、記録レーザー光
のパワーをサンプルNo. １よりも２mW低い６mWとし、再
生レーザー光のパワーを０．５mWとして記録および再生
を行なったところ、サンプルNo. １と同様な反射率変化
が得られた。With respect to sample No. 3, when recording and reproducing were performed with the power of the recording laser light being 6 mW, which is 2 mW lower than that of sample No. 1, and the power of the reproducing laser light being 0.5 mW, the same as sample No. 1 was obtained. A large change in reflectance was obtained.
【００７８】［実施例４］記録薄膜４を窒化鉄から構成
し、また、誘電体薄膜３を窒化ケイ素から構成し、その
他は実施例１のサンプルNo. １と同様にして光記録ディ
スクサンプルNo.４を作製した。[Embodiment 4] The recording thin film 4 was made of iron nitride, the dielectric thin film 3 was made of silicon nitride, and the other conditions were the same as those of the sample No. 1 of the first embodiment. .4 was produced.
【００７９】記録薄膜４は、窒素ガスとＡｒガスを含む
雰囲気中で反応性高周波スパッタ法により８００A の厚
さに形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０-1Paと
し、窒素ガスの流量は１SCCMとし、Ａｒガスの流量は１
０SCCMとした。また、ターゲットにはＦｅを用い、スパ
ッタパワーは２００W とした。記録薄膜４の組成をオー
ジェ分光法により測定したところ、１０原子％の窒素を
含み、残部はＦｅであった。The recording thin film 4 was formed to a thickness of 800 A by reactive high frequency sputtering in an atmosphere containing nitrogen gas and Ar gas. The pressure during sputtering was 5.5 × 10 -1 Pa, the flow rate of nitrogen gas was 1 SCCM, and the flow rate of Ar gas was 1.
It was set to 0 SCCM. Further, Fe was used as the target and the sputtering power was 200 W. When the composition of the recording thin film 4 was measured by Auger spectroscopy, it contained 10 atomic% of nitrogen and the balance was Fe.
【００８０】誘電体薄膜３は、Ｓｉ3 Ｎ4 をターゲット
としてスパッタ法により１０００Aの厚さに形成した。The dielectric thin film 3 was formed in a thickness of 1000 A by a sputtering method using Si 3 N 4 as a target.
【００８１】サンプルNo. ４について、ＣＤ信号（３
Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には１２mWのレーザー光を照射し、再
生時には０．５mWのレーザー光を照射した。これらのレ
ーザー光の波長は、７８０nmとした。For the sample No. 4, the CD signal (3
T, 5T, 7T, 9T, 11T) was recorded and reproduced. Incidentally, a laser beam of 12 mW was applied during recording, and a laser beam of 0.5 mW was applied during reproduction. The wavelength of these laser lights was 780 nm.
【００８２】この結果、未記録部の反射率は５８％、記
録部の反射率は２０％であり、光記録ディスクとしての
使用が可能であった。As a result, the reflectance of the unrecorded portion was 58% and the reflectance of the recorded portion was 20%, and it could be used as an optical recording disk.
【００８３】また、サンプルNo. １と同様に耐久保存性
試験を行なったところ、サンプルNo. １と同様な結果が
得られた。Further, a durability storage test was conducted in the same manner as in Sample No. 1, and the same results as in Sample No. 1 were obtained.
【００８４】［実施例５］誘電体薄膜３と記録薄膜４と
の間に低融点薄膜７を設けて、図２に示される構成の光
記録ディスクサンプルNo. ５を作製した。Example 5 A low melting point thin film 7 was provided between the dielectric thin film 3 and the recording thin film 4 to prepare an optical recording disk sample No. 5 having the structure shown in FIG.
【００８５】低融点薄膜７は、実施例３のサンプルNo.
３と同様にして形成し、その他の構成は実施例４のサン
プルNo. ４と同じとした。The low melting point thin film 7 is the sample No. 3 of the third embodiment.
It was formed in the same manner as in No. 3, and the other configurations were the same as those of Sample No. 4 of Example 4.
【００８６】サンプルNo. ５について、記録レーザー光
のパワーをサンプルNo. ４よりも４mW低い８mWとし、再
生レーザー光のパワーを０．５mWとして記録および再生
を行なったところ、サンプルNo. ４と同様な反射率変化
が得られた。With respect to sample No. 5, when recording and reproducing were performed with the recording laser light power set to 8 mW, which is 4 mW lower than that of sample No. 4, and the reproduction laser light power set to 0.5 mW, the same as sample No. 4 was obtained. A large change in reflectance was obtained.
【００８７】[0087]
【発明の効果】本発明の光記録媒体は、追記型光記録デ
ィスクとしての使用が可能である。本発明では、記録薄
膜材料として無機材料を用いるので極めて耐光性が高
く、また、基板と記録薄膜との間に誘電体薄膜を設ける
ので、基板側からの水蒸気や酸素の侵入を防止でき、記
録前および記録後のいずれにおいても長期にわたって信
頼性の高い保存が可能である。The optical recording medium of the present invention can be used as a write-once type optical recording disk. In the present invention, since an inorganic material is used as the recording thin film material, the light resistance is extremely high. Further, since the dielectric thin film is provided between the substrate and the recording thin film, it is possible to prevent water vapor or oxygen from entering from the substrate side, Both before and after recording, reliable storage is possible for a long period of time.
【００８８】また、反射薄膜材料として形状記憶合金を
用いた場合、高い記録感度が得られ、例えば８mW以下の
低パワーのレーザー光による記録が可能である。特に、
誘電体薄膜と記録薄膜との間に低融点薄膜を設ければ、
６mW以下の低パワーで記録を行なうことができる。When a shape memory alloy is used as the reflective thin film material, high recording sensitivity can be obtained, and recording with low power laser light of, for example, 8 mW or less is possible. In particular,
If a low melting point thin film is provided between the dielectric thin film and the recording thin film,
Recording can be performed with low power of 6 mW or less.
【図１】本発明の光記録媒体の好適実施例を示す部分断
面図である。FIG. 1 is a partial sectional view showing a preferred embodiment of an optical recording medium of the present invention.
【図２】本発明の光記録媒体の好適実施例を示す部分断
面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a preferred embodiment of the optical recording medium of the present invention.
１ 光記録媒体 ２ 基板 ３ 誘電体薄膜 ４ 記録薄膜 ４１ 空隙 ５ 反射薄膜 ５１ 凹部 ６ 保護膜 ７ 低融点薄膜 1 Optical recording medium 2 Substrate 3 Dielectric thin film 4 Recording thin film 41 Void 5 Reflective thin film 51 Recessed portion 6 Protective film 7 Low melting point thin film
Claims (16)
び反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、加熱によ
り分解してガスを放出する無機化合物を含有することを
特徴とする光記録媒体。1. A light having a dielectric thin film, a recording thin film and a reflective thin film in this order on a surface of a substrate, the recording thin film containing an inorganic compound which decomposes upon heating to release a gas. recoding media.
３００℃以下である請求項１に記載の光記録媒体。2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the temperature at which the gas of the inorganic compound is released is 300 ° C. or lower.
１または２に記載の光記録媒体。3. The optical recording medium according to claim 1, wherein the gas is oxygen or nitrogen.
ある請求項１ないし３のいずれかに記載の光記録媒体。4. The optical recording medium according to claim 1, wherein the inorganic compound is silver oxide or iron nitride.
０原子％である請求項４に記載の光記録媒体。5. The content ratio of oxygen in the silver oxide is 5 to 5
The optical recording medium according to claim 4, wherein the content is 0 atom%.
０原子％である請求項４に記載の光記録媒体。6. The content ratio of nitrogen in the iron nitride is 5 to 5
The optical recording medium according to claim 4, wherein the content is 0 atom%.
ケイ素を含有する請求項１ないし６のいずれかに記載の
光記録媒体。7. The optical recording medium according to claim 1, wherein the dielectric thin film contains silicon oxide or silicon nitride.
Ａｕ、ＰｔまたはＣｕから構成される請求項１ないし７
のいずれかに記載の光記録媒体。8. The reflective thin film is a shape memory alloy, Al,
8. A composition comprising Au, Pt or Cu.
The optical recording medium according to any one of 1.
に、低融点薄膜を有する請求項１ないし８のいずれかに
記載の光記録媒体。9. The optical recording medium according to claim 1, further comprising a low melting point thin film between the dielectric thin film and the recording thin film.
ｂ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、
ＣｄまたはＩから構成される請求項９に記載の光記録媒
体。10. The low melting point thin film is Sn, Zn, P.
b, Bi, Tl, Te, Se, S, Al, Ga, Ge,
The optical recording medium according to claim 9, which is composed of Cd or I.
の光記録媒体を製造する方法であって、前記記録薄膜が
反応性スパッタ法により形成されることを特徴とする光
記録媒体の製造方法。11. A method of manufacturing an optical recording medium according to claim 1, wherein the recording thin film is formed by a reactive sputtering method. ..
雰囲気中においてＡｇをターゲットとして反応性スパッ
タにより形成される請求項１１に記載の光記録媒体の製
造方法。12. The method of manufacturing an optical recording medium according to claim 11, wherein the recording thin film is formed by reactive sputtering with Ag as a target in an atmosphere containing oxygen gas.
ガスの合計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜７０％と
する請求項１２に記載の光記録媒体の製造方法。13. The method of manufacturing an optical recording medium according to claim 12, wherein the flow rate of oxygen gas is 10 to 70% of the total flow rate of all gases in the reactive sputtering.
雰囲気中においてＦｅをターゲットとして反応性スパッ
タにより形成される請求項１１に記載の光記録媒体の製
造方法。14. The method of manufacturing an optical recording medium according to claim 11, wherein the recording thin film is formed by reactive sputtering with Fe as a target in an atmosphere containing nitrogen gas.
ガスの合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜２０％と
する請求項１４に記載の光記録媒体の製造方法。15. The method of manufacturing an optical recording medium according to claim 14, wherein the flow rate of nitrogen gas is 10 to 20% of the total flow rate of all gases in the reactive sputtering.
０-1〜１．０Paである請求項１２ないし１５のいずれか
に記載の光記録媒体の製造方法。16. The pressure during the reactive sputtering is 3 × 1.
The method for producing an optical recording medium according to claim 12, wherein the optical recording medium has a viscosity of 0 −1 to 1.0 Pa.
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|---|---|---|---|
| JP22102591A JP3157019B2 (en) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
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|---|---|
| JPH0540959A true JPH0540959A (en) | 1993-02-19 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299914A (en) * | 2001-01-25 | 2002-10-11 | Murata Mfg Co Ltd | Manufacturing method of non-reciprocal circuit element, non-reciprocal circuit element, and communication equipment |
-
1991
- 1991-08-06 JP JP22102591A patent/JP3157019B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2002299914A (en) * | 2001-01-25 | 2002-10-11 | Murata Mfg Co Ltd | Manufacturing method of non-reciprocal circuit element, non-reciprocal circuit element, and communication equipment |
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