JPH0539598Y2 - - Google Patents
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- JPH0539598Y2 JPH0539598Y2 JP308388U JP308388U JPH0539598Y2 JP H0539598 Y2 JPH0539598 Y2 JP H0539598Y2 JP 308388 U JP308388 U JP 308388U JP 308388 U JP308388 U JP 308388U JP H0539598 Y2 JPH0539598 Y2 JP H0539598Y2
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は文字、図形等の情報をドツトマトリク
ス表示する薄膜ELデイスプレイパネルに関する
ものである。
ス表示する薄膜ELデイスプレイパネルに関する
ものである。
従来の技術
例えば、薄膜ELマトリクス型デイスプレイパ
ネルの構造例を第２図を参照しながら説明する。
尚、第２図の右半分はＸ方向の断面図、左半分は
Ｘ方向と直交すＹ方向の断面図である。第２図に
おいて、１は透光性基板であるガラス基板、２は
このガラス基板１上に形成されたマトリクス型薄
膜LE素子である。
ネルの構造例を第２図を参照しながら説明する。
尚、第２図の右半分はＸ方向の断面図、左半分は
Ｘ方向と直交すＹ方向の断面図である。第２図に
おいて、１は透光性基板であるガラス基板、２は
このガラス基板１上に形成されたマトリクス型薄
膜LE素子である。
この薄膜EL素子２における３は上記ガラス基
板１上にI.T.O等を蒸着法等によりＹ方向に定ピ
ツチで多数のストライプ状に形成した透明電極、
４は透明電極３及びガラス基板１上に、Al2O3や
Y2O3等を蒸着又はスパツタ法で形成した透明な
第１の絶縁層、５はこの第１の絶縁層４上に
ZnS：Mn等を蒸着法等で形成した発光層、６は
この発光層５上に、Al2O3やY2O3等を蒸着又はス
パツタ法により形成した透明な第２の絶縁層、７
は第２の絶縁層６上にＸ方向に定ピツチで多数の
ストライプ状に形成したAl蒸着膜による背面電
極である。８は前記ガラス基板１上に接着剤９を
介して固着して薄膜EL素子２を気密封止する逆
皿状のカバーガラスで、上記ガラス基板１上とで
もつて外囲器１０を構成する。１１は薄膜EL素
子２の耐湿性を向上させるため、外囲器１０内に
充填されたシリコンオイル等の絶縁性保護流体
で、カバーガラス８の一部に形成された透孔１２
から注入され、この注入後上記透孔１２を藍板１
３で閉塞する（特開昭57−7086号公報）。
板１上にI.T.O等を蒸着法等によりＹ方向に定ピ
ツチで多数のストライプ状に形成した透明電極、
４は透明電極３及びガラス基板１上に、Al2O3や
Y2O3等を蒸着又はスパツタ法で形成した透明な
第１の絶縁層、５はこの第１の絶縁層４上に
ZnS：Mn等を蒸着法等で形成した発光層、６は
この発光層５上に、Al2O3やY2O3等を蒸着又はス
パツタ法により形成した透明な第２の絶縁層、７
は第２の絶縁層６上にＸ方向に定ピツチで多数の
ストライプ状に形成したAl蒸着膜による背面電
極である。８は前記ガラス基板１上に接着剤９を
介して固着して薄膜EL素子２を気密封止する逆
皿状のカバーガラスで、上記ガラス基板１上とで
もつて外囲器１０を構成する。１１は薄膜EL素
子２の耐湿性を向上させるため、外囲器１０内に
充填されたシリコンオイル等の絶縁性保護流体
で、カバーガラス８の一部に形成された透孔１２
から注入され、この注入後上記透孔１２を藍板１
３で閉塞する（特開昭57−7086号公報）。
この薄膜ELマトリクス型デイスプレイパネル
では、透明電極３と背面電極７が第３図に示すよ
うにマトリクス状に交差して多数のマトリクス状
の画素ｍ，ｍ……を形成する。この透明電極３と
背面電極７の各一端部３ａ，７ａは、一本おきに
ガラス基板１の周辺部上まで延設され、この両電
極３，７の延設端部３ａ，７ａ間に駆動電圧を選
択的に印加すると、発光層５の画素部分が選択的
に発光して所望の情報のドツトマトリクス表示が
行われる。
では、透明電極３と背面電極７が第３図に示すよ
うにマトリクス状に交差して多数のマトリクス状
の画素ｍ，ｍ……を形成する。この透明電極３と
背面電極７の各一端部３ａ，７ａは、一本おきに
ガラス基板１の周辺部上まで延設され、この両電
極３，７の延設端部３ａ，７ａ間に駆動電圧を選
択的に印加すると、発光層５の画素部分が選択的
に発光して所望の情報のドツトマトリクス表示が
行われる。
考案が解決しようとする問題点
ところで、上記薄膜EL素子２の形成時、第１
の絶縁層４、発光層５及び第２の絶縁層６の膜厚
が均一になるように積層形成するのは困難で、上
記各層４，５，６の膜厚が薄い箇所でピンホール
が発生し易かつた。この結果、透明電極３と背面
電極７間に駆動電圧を印加した際、第１の絶縁層
４、発光層５及び第２の絶縁層６に発生したピン
ホールを介して、上記透明電極３と背面電極７間
で放電現象が生じて両電極３，７が絶縁破壊され
る。ここで、上記背面電極７は、導電性や第２の
絶縁層６及びガラス基板１上に対する接着性が良
好で、比較的高融点（660℃）を有するAl製のも
のであるため、上述のように透明電極３と背面電
極７間で絶縁破壊が発生すると、Alでは蒸着飛
散機能が乏しい故に、その破壊域ａがスポツト状
となる自己回復型絶縁破壊（第４図参照）に留ま
らず、第５図に示すように破壊域ｂが背面電極７
の全面に亘つて急速に拡がる伝播型絶縁破壊へと
至る。このように伝播型絶縁破壊が発生して背面
電極７の全面に亘つて破壊域ｂが形成されると、
その背面電極７の画素ｍの断線により、その画素
ｍから給電点とは逆方向の全画素ｍ，ｎ……がす
べて発光不能となつてその表示機能が大幅に低下
するという問題点があつた。
の絶縁層４、発光層５及び第２の絶縁層６の膜厚
が均一になるように積層形成するのは困難で、上
記各層４，５，６の膜厚が薄い箇所でピンホール
が発生し易かつた。この結果、透明電極３と背面
電極７間に駆動電圧を印加した際、第１の絶縁層
４、発光層５及び第２の絶縁層６に発生したピン
ホールを介して、上記透明電極３と背面電極７間
で放電現象が生じて両電極３，７が絶縁破壊され
る。ここで、上記背面電極７は、導電性や第２の
絶縁層６及びガラス基板１上に対する接着性が良
好で、比較的高融点（660℃）を有するAl製のも
のであるため、上述のように透明電極３と背面電
極７間で絶縁破壊が発生すると、Alでは蒸着飛
散機能が乏しい故に、その破壊域ａがスポツト状
となる自己回復型絶縁破壊（第４図参照）に留ま
らず、第５図に示すように破壊域ｂが背面電極７
の全面に亘つて急速に拡がる伝播型絶縁破壊へと
至る。このように伝播型絶縁破壊が発生して背面
電極７の全面に亘つて破壊域ｂが形成されると、
その背面電極７の画素ｍの断線により、その画素
ｍから給電点とは逆方向の全画素ｍ，ｎ……がす
べて発光不能となつてその表示機能が大幅に低下
するという問題点があつた。
そこで上記問題点を解決するための手段とし
て、前記背面電極７を、その材質を変更し、Al
よりも低融点の金属材料であるSnで形成したも
のが開発されている（特開昭62−211899号公報）。
これは、Alよりもさらに低融点の蒸発飛散機能
を有する金属材料であるSnを使用するため、透
明電極３と背面電極７間で、絶縁破壊が発生した
場合、上記背面電極７での破壊点周辺部分を比較
的低電流レベルで瞬時に蒸発飛散させる。このよ
うに破壊域がスポツト状となる自己回復型絶縁破
壊を積極的に形成して伝播型絶縁破壊を回避し、
背面電極７での断線を未然に防止している。
て、前記背面電極７を、その材質を変更し、Al
よりも低融点の金属材料であるSnで形成したも
のが開発されている（特開昭62−211899号公報）。
これは、Alよりもさらに低融点の蒸発飛散機能
を有する金属材料であるSnを使用するため、透
明電極３と背面電極７間で、絶縁破壊が発生した
場合、上記背面電極７での破壊点周辺部分を比較
的低電流レベルで瞬時に蒸発飛散させる。このよ
うに破壊域がスポツト状となる自己回復型絶縁破
壊を積極的に形成して伝播型絶縁破壊を回避し、
背面電極７での断線を未然に防止している。
ところが、前記材質で形成された背面電極７を
有する薄膜ELマトリクス型デイスプレイパネル
では、上記背面電極７の主にエツジ部Ｐにおいて
Sn特有の針状結晶の異常成長現象であるウイス
カーｈが発生する（第６図参照）。これは、常温
より比較的高温である40〜80℃程度で、背面電極
７とその下地である第２の絶縁層６との熱膨張の
違いに伴い背面電極７において内部応力が大きく
なるエツジ部Ｐで極めて多く発生する。このよう
にウイスカーｈが発生成長することにより、隣接
した背面電極７と接した場合、選択発光された画
素ｍ以外にも、その透明電極３と隣接した背面電
極７との交点である画素ｍにおいても発光し、そ
の表示機能が大幅に低下するという問題点があつ
た。
有する薄膜ELマトリクス型デイスプレイパネル
では、上記背面電極７の主にエツジ部Ｐにおいて
Sn特有の針状結晶の異常成長現象であるウイス
カーｈが発生する（第６図参照）。これは、常温
より比較的高温である40〜80℃程度で、背面電極
７とその下地である第２の絶縁層６との熱膨張の
違いに伴い背面電極７において内部応力が大きく
なるエツジ部Ｐで極めて多く発生する。このよう
にウイスカーｈが発生成長することにより、隣接
した背面電極７と接した場合、選択発光された画
素ｍ以外にも、その透明電極３と隣接した背面電
極７との交点である画素ｍにおいても発光し、そ
の表示機能が大幅に低下するという問題点があつ
た。
問題点を解決するための手段
本考案は前記問題点に鑑みて提案されたもの
で、上記目的を達成するための技術的手段は、透
光性基板上に、ストライプ状の透明電極、第１の
絶縁層、発光層、第２の絶縁層及び前記透明電極
と直交する方向のストライプ状の背面電極を順次
積層形成してなる薄膜EL素子を有する薄膜ELパ
ネルにおいて、前記背面電極をSnで形成すると
ともに、この背面電極の少なくともエツジ部を
Snよりも融点の低いIn薄膜で被覆したものであ
る。
で、上記目的を達成するための技術的手段は、透
光性基板上に、ストライプ状の透明電極、第１の
絶縁層、発光層、第２の絶縁層及び前記透明電極
と直交する方向のストライプ状の背面電極を順次
積層形成してなる薄膜EL素子を有する薄膜ELパ
ネルにおいて、前記背面電極をSnで形成すると
ともに、この背面電極の少なくともエツジ部を
Snよりも融点の低いIn薄膜で被覆したものであ
る。
作 用
本考案に係る薄膜ELパネルによれば、Alより
も低融点の金属材料であるSnの少なくともエツ
ジ部にSnよりも低融点のIn薄膜を被覆形成する
ことから、透明電極と背面電極間で絶縁破壊が発
生して放電が生じた場合、上記背面電極における
破壊点周辺部分が比較的低電流レベルで瞬時に蒸
発飛散し、破壊域がスポツト状となる自己回復型
絶縁破壊となり、伝播型絶縁破壊の回避し電極の
断線を防止できる。InはSn（融点約232℃）より
も相当に低融点（約156℃）であるから背面電極
の自己回復型絶縁破壊を阻害することはない。し
かも少なくとも背面電極のエツジ部をInで被覆し
たからSnウイスカーの発生を抑止できる。
も低融点の金属材料であるSnの少なくともエツ
ジ部にSnよりも低融点のIn薄膜を被覆形成する
ことから、透明電極と背面電極間で絶縁破壊が発
生して放電が生じた場合、上記背面電極における
破壊点周辺部分が比較的低電流レベルで瞬時に蒸
発飛散し、破壊域がスポツト状となる自己回復型
絶縁破壊となり、伝播型絶縁破壊の回避し電極の
断線を防止できる。InはSn（融点約232℃）より
も相当に低融点（約156℃）であるから背面電極
の自己回復型絶縁破壊を阻害することはない。し
かも少なくとも背面電極のエツジ部をInで被覆し
たからSnウイスカーの発生を抑止できる。
実施例
本考案に係る薄膜ELパネルの一実施例を第１
図を参照しながら説明する。尚、第１図の右半分
はＸ方向の断面図、左半分はＹ方向の断面図であ
る。第１図において、１４は透光性基板であるガ
ラス基板、１５はこのガラス基板１４上に形成さ
れた本考案に係る薄膜EL素子である。この薄膜
EL素子１５における１６は上記ガラス基板１４
上にI.T.O等を蒸着法等によりＹ方向に定ピツチ
で多数のストライプ状に形成した透明電極、１７
は透明電極１６及びガラス基板１４上にAl2O3や
Y2O3等を蒸着又はスパツタ法で形成した透明な
第１の絶縁層、１８はこの第１の絶縁層１７上
に、ZnS：Mn等を蒸着法等で形成した発光層、
１９はこの発光層１８上に、Al2O3やY2O3等を蒸
着やスパツタ法により形成した透明な第２の絶縁
層、２０はこの第２の絶縁層１９上に蒸着法等に
よりＸ方向に定ピツチで、多数のストライプ状に
形成したSnよりなる背面電極、２１はこの背面
電極２０のエツジ部を覆う様に形成されたIn薄膜
である。２２は従来と同様に、透光性基板１４上
に接着固定された凹板状のカバーガラスで、この
内部にシリコンオイル等の絶縁製保護流体が封入
される。
図を参照しながら説明する。尚、第１図の右半分
はＸ方向の断面図、左半分はＹ方向の断面図であ
る。第１図において、１４は透光性基板であるガ
ラス基板、１５はこのガラス基板１４上に形成さ
れた本考案に係る薄膜EL素子である。この薄膜
EL素子１５における１６は上記ガラス基板１４
上にI.T.O等を蒸着法等によりＹ方向に定ピツチ
で多数のストライプ状に形成した透明電極、１７
は透明電極１６及びガラス基板１４上にAl2O3や
Y2O3等を蒸着又はスパツタ法で形成した透明な
第１の絶縁層、１８はこの第１の絶縁層１７上
に、ZnS：Mn等を蒸着法等で形成した発光層、
１９はこの発光層１８上に、Al2O3やY2O3等を蒸
着やスパツタ法により形成した透明な第２の絶縁
層、２０はこの第２の絶縁層１９上に蒸着法等に
よりＸ方向に定ピツチで、多数のストライプ状に
形成したSnよりなる背面電極、２１はこの背面
電極２０のエツジ部を覆う様に形成されたIn薄膜
である。２２は従来と同様に、透光性基板１４上
に接着固定された凹板状のカバーガラスで、この
内部にシリコンオイル等の絶縁製保護流体が封入
される。
尚、Inの融点はSnよりも著しく低いので、In
の被覆によつて背面電極２０が自己回復型絶縁破
壊を示すという優れた機能を何ら阻害するもので
はない。このためIn薄膜２１の膜厚の許容量は大
きく、背面電極２０と同等もしくはそれ以上でも
特に支障はない。In薄膜２１の膜厚が小さいと島
状構造となつて被覆率が小さくなり、局部的に被
覆しない部分が生じるので、ウイスカー防止効果
が低下することがある。このため実用的なIn薄膜
２１の膜厚として1000Å〜5000Åが望ましい。
の被覆によつて背面電極２０が自己回復型絶縁破
壊を示すという優れた機能を何ら阻害するもので
はない。このためIn薄膜２１の膜厚の許容量は大
きく、背面電極２０と同等もしくはそれ以上でも
特に支障はない。In薄膜２１の膜厚が小さいと島
状構造となつて被覆率が小さくなり、局部的に被
覆しない部分が生じるので、ウイスカー防止効果
が低下することがある。このため実用的なIn薄膜
２１の膜厚として1000Å〜5000Åが望ましい。
尚、上記実施例では、In薄膜２１を背面電極２
０のエツジ部を被覆するように形成したが、本考
案はこれに限定されることなく、背面電極２０全
体をIn薄膜２１で被覆するように形成してもよ
い。
０のエツジ部を被覆するように形成したが、本考
案はこれに限定されることなく、背面電極２０全
体をIn薄膜２１で被覆するように形成してもよ
い。
考案の効果
本考案に係る薄膜ELパネルによれば、Snより
なる背面電極の少なくともエツジ部を、Snより
著しく低融点であるIn薄膜で被覆することによ
り、透明電極と背面電極間で絶縁破壊が発生して
も、その破壊域が伝播型絶縁破壊に至ることな
く、自己回復型絶縁破壊に留めることが実現容易
となつて、背面電極の断線を未然に防止できる。
さらに、背面電極であるSnからのウエスカーの
発生成長を抑止し、隣接電極間のウイスカーによ
る導通のための表示機能の低下を防止できる。
なる背面電極の少なくともエツジ部を、Snより
著しく低融点であるIn薄膜で被覆することによ
り、透明電極と背面電極間で絶縁破壊が発生して
も、その破壊域が伝播型絶縁破壊に至ることな
く、自己回復型絶縁破壊に留めることが実現容易
となつて、背面電極の断線を未然に防止できる。
さらに、背面電極であるSnからのウエスカーの
発生成長を抑止し、隣接電極間のウイスカーによ
る導通のための表示機能の低下を防止できる。
第１図は本考案に係る薄膜ELパネルの一実施
例を示す断面図で、右半分はＸ方向の断面図、左
半分はＹ方向の断面図である。第２図は従来の薄
膜ELパネルの構造例を示す断面図で、右半分は
Ｘ方向の断面図、左半分はＹ方向の断面図、第３
図は薄膜ELパネルでの画素部分を示す部分拡大
平面図、第４図は背面電極での自己回復型絶縁破
壊を示す部分拡大平面図、第５図は背面電極での
伝播型絶縁破壊を示す部分拡大平面図、第６図は
背面電極のエツジ部から発生したSnウイスカー
を示す部分拡大平面図である。 １４……透光性基板、１５……薄膜EL素子、
１６……透明電極、１７……第１の絶縁層、１８
……発光層、１９……第２の絶縁層、２０……背
面電極、２１……In薄膜。
例を示す断面図で、右半分はＸ方向の断面図、左
半分はＹ方向の断面図である。第２図は従来の薄
膜ELパネルの構造例を示す断面図で、右半分は
Ｘ方向の断面図、左半分はＹ方向の断面図、第３
図は薄膜ELパネルでの画素部分を示す部分拡大
平面図、第４図は背面電極での自己回復型絶縁破
壊を示す部分拡大平面図、第５図は背面電極での
伝播型絶縁破壊を示す部分拡大平面図、第６図は
背面電極のエツジ部から発生したSnウイスカー
を示す部分拡大平面図である。 １４……透光性基板、１５……薄膜EL素子、
１６……透明電極、１７……第１の絶縁層、１８
……発光層、１９……第２の絶縁層、２０……背
面電極、２１……In薄膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 透光性基板上に、ストライプ状の透明電極、第
１の絶縁層、発光層、第２の絶縁層及び前記透明
電極と直交する方向のストライプ状の背面電極を
順次積層形成してなる薄膜EL素子を有する薄膜
ELパネルにおいて、 前記背面電極をSnで形成するとともに、この
背面電極の少なくともエツジ部をSnより低融点
のIn薄膜で被覆したことを特徴とする薄膜ELパ
ネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP308388U JPH0539598Y2 (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP308388U JPH0539598Y2 (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01107897U JPH01107897U (ja) | 1989-07-20 |
| JPH0539598Y2 true JPH0539598Y2 (ja) | 1993-10-07 |
Family
ID=31204404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP308388U Expired - Lifetime JPH0539598Y2 (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0539598Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-01-13 JP JP308388U patent/JPH0539598Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01107897U (ja) | 1989-07-20 |
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