JPH0536813A - Vacuum film-forming device - Google Patents
Vacuum film-forming deviceInfo
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- JPH0536813A JPH0536813A JP3210036A JP21003691A JPH0536813A JP H0536813 A JPH0536813 A JP H0536813A JP 3210036 A JP3210036 A JP 3210036A JP 21003691 A JP21003691 A JP 21003691A JP H0536813 A JPH0536813 A JP H0536813A
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、基板に成膜処理を行う
真空成膜装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum film forming apparatus for forming a film on a substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術及びその課題】基板に薄膜を形成する技術
として、スパッタリング法やCVD法、エッチング法、
蒸着法等が知られている。これらの成膜技術を利用した
成膜装置には、たとえばインライン式やマルチチャンバ
式(サテライト式)の成膜装置がある。2. Description of the Related Art As a technique for forming a thin film on a substrate, a sputtering method, a CVD method, an etching method,
A vapor deposition method and the like are known. A film forming apparatus utilizing these film forming techniques includes, for example, an in-line type or multi-chamber type (satellite type) film forming apparatus.
【0003】インライン式装置では、複数のチャンバが
それぞれ仕切弁を介して連続して配置されており、成膜
すべき基板を各チャンバ内を連続して搬送させつつ成膜
処理を行っている。またマルチチャンバ式装置は、放射
状に配置された複数のチャンバと、各チャンバの内方に
配置され各チャンバに接続される中間室とから構成され
ており、中間室と各チャンバとの間で基板の受け渡しを
行いつつ成膜処理を行っている。In the in-line type apparatus, a plurality of chambers are continuously arranged via a sluice valve, and a film formation process is performed while a substrate to be film-formed is continuously conveyed in each chamber. Further, the multi-chamber type device is composed of a plurality of radially arranged chambers and an intermediate chamber arranged inside each chamber and connected to each chamber, and a substrate is provided between the intermediate chamber and each chamber. The film forming process is carried out while handing over.
【0004】このような成膜装置において、インライン
式装置では基板を全チャンバ内を通過させて成膜処理を
行っている。またマルチチャンバ式装置では、基板の各
チャンバ間の移動の際には基板は必ず中間室を通ってか
ら他のチャンバ内へ搬送されている。In such a film forming apparatus, in the in-line type apparatus, the substrate is passed through the entire chamber to perform the film forming process. Further, in the multi-chamber apparatus, when the substrate is moved between the chambers, the substrate is always transferred to the other chamber after passing through the intermediate chamber.
【0005】一方、研究段階等において複数のチャンバ
のうちの一部のチャンバを用いて成膜処理を行いたい場
合がある。このような場合、前記従来のインライン式装
置では、基板を、成膜処理に用いないチャンバ内をも通
過させる必要があるため、基板の搬送に要する時間が長
くかかる。また前記マルチチャンバ式装置では、各チャ
ンバ間での移動の際には基板は必ず中間室を通らなけれ
ばならず、同様に搬送時間が長くかかるという問題が生
じる。On the other hand, in the research stage, there is a case where it is desired to perform the film forming process using a part of the plurality of chambers. In such a case, in the above-mentioned conventional in-line type apparatus, it is necessary to pass the substrate through a chamber that is not used for the film forming process, so that it takes a long time to transfer the substrate. Further, in the multi-chamber apparatus, the substrate must pass through the intermediate chamber when moving between the chambers, and similarly, there is a problem that the transfer time is long.
【0006】本発明の目的は、基板の搬送時間を短縮で
き、生産性を向上できる真空成膜装置を提供することに
ある。An object of the present invention is to provide a vacuum film forming apparatus capable of shortening the substrate transfer time and improving productivity.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係る真空成膜装
置は、基板に成膜処理を行う装置であって、成膜室と、
バイパス室と、バイパス通路とを備えている。前記成膜
室は、連続して配置された成膜処理を行うための複数の
室から構成されている。前記バイパス室は、成膜室に並
設されている。前記バイパス通路は、バイパス室と成膜
室の少なくとも中間の室との間に設けられ、これらの室
の間で基板を搬送するためのものである。A vacuum film forming apparatus according to the present invention is an apparatus for performing a film forming process on a substrate, comprising a film forming chamber,
It has a bypass chamber and a bypass passage. The film forming chamber is composed of a plurality of chambers for performing a film forming process which are continuously arranged. The bypass chamber is arranged in parallel with the film forming chamber. The bypass passage is provided between the bypass chamber and at least an intermediate chamber of the film forming chamber, and is for transferring the substrate between these chambers.
【0008】[0008]
【作用】本発明に係る真空成膜装置では、成膜室の各室
内で基板に成膜処理が行われる。成膜室の一部の室を用
いて成膜処理を行う際には、成膜室の前記室内で成膜処
理された基板は、成膜室からバイパス通路を通ってバイ
パス室に搬送される。これにより、成膜処理に用いられ
ない成膜室の他の室内に基板を搬送させなくて済み、基
板の搬送時間を短縮できる。この結果、生産性を向上で
きる。In the vacuum film forming apparatus according to the present invention, the film forming process is performed on the substrate in each chamber of the film forming chamber. When performing a film forming process using a part of the film forming chamber, the substrate subjected to the film forming process in the chamber of the film forming chamber is transferred from the film forming chamber to the bypass chamber through the bypass passage. .. As a result, the substrate does not have to be transferred to another chamber of the film forming chamber that is not used for the film forming process, and the substrate transfer time can be shortened. As a result, productivity can be improved.
【0009】[0009]
【実施例】図1は本発明の一実施例としてのインライン
式成膜装置を示している。なお、ここでは、太陽電池の
薄膜形成用の成膜装置を例にとって説明する。このイン
ライン式成膜装置は、直線状に配置された複数のチャン
バ1〜9から構成される成膜室10と、成膜室10に並
設された中間室(バイパス室)30とから主として構成
されている。FIG. 1 shows an in-line type film forming apparatus as an embodiment of the present invention. Here, a film forming apparatus for forming a thin film of a solar cell will be described as an example. This in-line type film forming apparatus is mainly composed of a film forming chamber 10 composed of a plurality of linearly arranged chambers 1 to 9 and an intermediate chamber (bypass chamber) 30 arranged in parallel in the film forming chamber 10. Has been done.
【0010】成膜室10の各チャンバ1〜9は連続して
配置されている。すなわち、隣り合う各チャンバは、そ
れぞれ仕切弁11を介して接続されている。また、各チ
ャンバ1,5,7,9と中間室30との間には、仕切弁
11と同様の仕切弁31が設けられている。各チャンバ
1,5,7,9は、それぞれ仕切弁31を介して中間室
30との間で基板の出し入れを行うための室である。中
間室30隔壁のチャンバ1対向部、及び各チャンバ5,
7,9の仕切弁31対向側隔壁には、それぞれプッシャ
ー32,12,13,14が設けられている。これらの
プッシャーは、主にシリンダによって構成されており、
基板33が保持された基板カート34を中間室30と各
チャンバとの間で出し入れするためのものである。The chambers 1 to 9 of the film forming chamber 10 are continuously arranged. That is, the adjacent chambers are connected to each other via the gate valve 11. Further, a sluice valve 31 similar to the sluice valve 11 is provided between each chamber 1, 5, 7, 9 and the intermediate chamber 30. Each of the chambers 1, 5, 7, and 9 is a chamber for loading and unloading a substrate with respect to the intermediate chamber 30 via a gate valve 31. Intermediate chamber 30 partition wall facing chamber 1, and each chamber 5,
Pushers 32, 12, 13, and 14 are provided on the partition walls on the side of the gate valves 7 and 9 facing each other, respectively. These pushers are mainly composed of cylinders,
The substrate cart 34, which holds the substrate 33, is put in and taken out between the intermediate chamber 30 and each chamber.
【0011】なお、図示していないが、各チャンバ内に
は、基板搬送機構が設けられている。この基板搬送機構
は、例えばラックアンドピニオン等から構成されてい
る。Although not shown, a substrate transfer mechanism is provided in each chamber. This substrate transfer mechanism is composed of, for example, a rack and pinion or the like.
【0012】チャンバ2,3,4は、それぞれ太陽電池
のp層,i型層,n層形成用のチャンバである。またチ
ャンバ6はITO(透明導電膜)形成用のスパッタリン
グ室であり、チャンバ8はアルミニウム膜等の電極膜形
成用のスパッタリング室である。Chambers 2, 3 and 4 are chambers for forming a p-layer, an i-type layer and an n-layer of a solar cell, respectively. The chamber 6 is a sputtering chamber for forming an ITO (transparent conductive film), and the chamber 8 is a sputtering chamber for forming an electrode film such as an aluminum film.
【0013】中間室30内には、1対のレール35が配
設されている。基板カート34は、ラックアンドピニオ
ン等から構成される基板搬送機構(図示せず)によりレ
ール35上を走行し得る。また、中間室30の一端に
は、基板33が導入される入口室37が配置されてい
る。入口室37と中間室30との間には仕切弁36が設
けられており、入口室37の他端にはゲート弁38が設
けられている。また、中間室30の他端には、成膜処理
後の基板33が搬出される出口室40が配置されてい
る。出口室40と中間室30との間には仕切弁41が設
けられており、出口室40の他端にはゲート弁42が設
けられている。A pair of rails 35 are arranged in the intermediate chamber 30. The board cart 34 can travel on the rail 35 by a board transfer mechanism (not shown) composed of a rack and pinion or the like. An inlet chamber 37 into which the substrate 33 is introduced is arranged at one end of the intermediate chamber 30. A gate valve 36 is provided between the inlet chamber 37 and the intermediate chamber 30, and a gate valve 38 is provided at the other end of the inlet chamber 37. Further, at the other end of the intermediate chamber 30, an outlet chamber 40 for unloading the substrate 33 after the film forming process is arranged. A sluice valve 41 is provided between the outlet chamber 40 and the intermediate chamber 30, and a gate valve 42 is provided at the other end of the outlet chamber 40.
【0014】次に、上述のインライン式成膜装置の作動
について説明する。成膜すべき基板はゲート弁38を通
って入口室37内に導入され、仕切弁36を通って中間
室30内に搬入される。Next, the operation of the above-mentioned in-line type film forming apparatus will be described. The substrate to be film-formed is introduced into the inlet chamber 37 through the gate valve 38, and is carried into the intermediate chamber 30 through the sluice valve 36.
【0015】次に、プッシャー32を駆動する。これに
より、基板33が保持された基板カート34が仕切弁3
1を通ってチャンバ1内に搬入される。次に、成膜室1
0内の基板搬送機構により、チャンバ1内の基板カート
34を仕切弁11を介してチャンバ2内に導入する。チ
ャンバ2内では、基板33上にp層が形成される。ま
た、チャンバ3,4内ではそれぞれi型層及びn層が形
成される。チャンバ4内での成膜処理後、基板33はチ
ャンバ5内に搬入される。Next, the pusher 32 is driven. As a result, the substrate cart 34, which holds the substrate 33, is closed by the gate valve 3
It is carried into the chamber 1 through 1. Next, the film forming chamber 1
The substrate transport mechanism in 0 introduces the substrate cart 34 in the chamber 1 into the chamber 2 via the sluice valve 11. In the chamber 2, a p layer is formed on the substrate 33. In addition, an i-type layer and an n-layer are formed in the chambers 3 and 4, respectively. After the film forming process in the chamber 4, the substrate 33 is carried into the chamber 5.
【0016】ここで、基板33に対する処理を終了する
場合には、プッシャー12の駆動により、チャンバ5内
の基板カート34を仕切弁31を介して中間室30内に
搬入する。そして、中間室30内の基板搬送機構によ
り、基板33を仕切弁41を介して出口室40内に搬送
する。出口室40内の基板33はゲート弁42を通って
装置外部に排出される。Here, when the processing on the substrate 33 is completed, the pusher 12 is driven to carry the substrate cart 34 in the chamber 5 into the intermediate chamber 30 via the sluice valve 31. Then, the substrate 33 is transported into the outlet chamber 40 via the gate valve 41 by the substrate transport mechanism in the intermediate chamber 30. The substrate 33 in the outlet chamber 40 is discharged to the outside of the device through the gate valve 42.
【0017】この場合には、各チャンバ2,3,4で成
膜処理の終了した基板33が、残りのチャンバ6〜9を
通過することなく、チャンバ5から仕切弁31及び中間
室30を通って装置外部に排出されるので、基板33の
搬送時間が短縮され、生産性が向上する。しかも、残り
のチャンバ6〜9内が基板33の搬送により汚染される
のが回避される。In this case, the substrate 33 for which the film forming process has been completed in each of the chambers 2, 3 and 4 passes from the chamber 5 through the gate valve 31 and the intermediate chamber 30 without passing through the remaining chambers 6 to 9. Is discharged to the outside of the apparatus, the transfer time of the substrate 33 is shortened, and the productivity is improved. Moreover, the remaining chambers 6 to 9 are prevented from being contaminated by the transfer of the substrate 33.
【0018】また、各チャンバ2,3,4で成膜処理の
終了した基板33に透明導電膜を形成する場合には、基
板33がチャンバ5から仕切弁11を通ってチャンバ6
内に搬入される。チャンバ6内ではスパッタリングによ
って基板33上に透明導電膜が形成される。チャンバ6
内での処理後、基板33は仕切弁11を通ってチャンバ
7内に搬入される。When the transparent conductive film is formed on the substrate 33 which has been subjected to the film forming process in each of the chambers 2, 3 and 4, the substrate 33 passes from the chamber 5 to the chamber 6 through the gate valve 11.
Is brought in. In the chamber 6, a transparent conductive film is formed on the substrate 33 by sputtering. Chamber 6
After the internal processing, the substrate 33 is loaded into the chamber 7 through the sluice valve 11.
【0019】ここで、基板33に対する処理を終了する
際には、プッシャー13を駆動することにより、チャン
バ7内の基板33が仕切弁31を通って中間室30内に
搬送される。そして、前記と同様にして、中間室30内
の基板搬送機構により基板33が中間室30内を通って
出口室40に搬送され、ゲート弁42から装置外部に排
出される。Here, when the processing on the substrate 33 is completed, the substrate 33 in the chamber 7 is conveyed into the intermediate chamber 30 through the sluice valve 31 by driving the pusher 13. Then, in the same manner as described above, the substrate 33 is transported by the substrate transport mechanism in the intermediate chamber 30 to the outlet chamber 40 through the intermediate chamber 30 and discharged from the gate valve 42 to the outside of the apparatus.
【0020】また、チャンバ7での処理後、電極膜を形
成する際には、チャンバ7内の基板33をチャンバ8内
に搬入する。チャンバ8内では、スパッタリング法によ
り基板33上にアルミニウム膜等の電極膜が形成され
る。チャンバ8内での処理後、基板33は仕切弁11を
通ってチャンバ9内に搬送される。チャンバ9内に搬送
された基板33は、プッシャー14の駆動により仕切弁
31を通って中間室30内に搬送される。そして、中間
室30から出口室40に搬送され、ゲート弁42を通っ
て装置外部に排出される。After forming the electrode film in the chamber 7, the substrate 33 in the chamber 7 is loaded into the chamber 8. In the chamber 8, an electrode film such as an aluminum film is formed on the substrate 33 by the sputtering method. After the processing in the chamber 8, the substrate 33 is transferred into the chamber 9 through the sluice valve 11. The substrate 33 transferred into the chamber 9 is transferred into the intermediate chamber 30 through the sluice valve 31 by the drive of the pusher 14. Then, it is conveyed from the intermediate chamber 30 to the outlet chamber 40 and discharged to the outside of the apparatus through the gate valve 42.
【0021】このような本実施例では、成膜室10の中
の一部のチャンバを用いて成膜処理を行う際に、仕切弁
31及び中間室30を利用することにより、残りのチャ
ンバ内に基板を搬入することなく処理が行われる。これ
により、基板の搬送時間を短縮でき生産性を向上でき
る。In this embodiment, when the film forming process is performed by using a part of the chambers in the film forming chamber 10, the sluice valve 31 and the intermediate chamber 30 are used so that the remaining chambers Processing is carried out without loading the substrate into. As a result, the substrate transfer time can be shortened and productivity can be improved.
【0022】〔他の実施例〕図2は本発明の一実施例と
してのマルチチャンバ式成膜装置を示している。図2に
おいて、この成膜装置は、円環状に配置された複数のチ
ャンバ51〜55によって構成される成膜室50と、成
膜室50の内方に配置された中間室70とから主として
構成されている。[Other Embodiments] FIG. 2 shows a multi-chamber type film forming apparatus as one embodiment of the present invention. In FIG. 2, the film forming apparatus is mainly composed of a film forming chamber 50 composed of a plurality of annularly arranged chambers 51 to 55, and an intermediate chamber 70 arranged inside the film forming chamber 50. Has been done.
【0023】各チャンバ51〜56は連続して配置され
ている。すなわち、隣り合う各チャンバはそれぞれ仕切
弁56によって接続されている。また、チャンバ51の
側方には、基板が導入される入口室57が配置されてい
る。入口室57とチャンバ51との間には、仕切弁56
と同様の仕切弁58が設けられている。入口室57には
基板導入用のゲート弁59が設けられている。また、チ
ャンバ55の側方には、成膜処理後の基板を装置外部に
排出するための出口室60が仕切弁58を介して設けら
れている。出口室60には基板排出用のゲート弁61が
設けられている。The chambers 51 to 56 are arranged continuously. That is, the adjacent chambers are connected by the gate valve 56. An inlet chamber 57 into which a substrate is introduced is arranged on the side of the chamber 51. A gate valve 56 is provided between the inlet chamber 57 and the chamber 51.
A sluice valve 58 similar to that is provided. The inlet chamber 57 is provided with a gate valve 59 for introducing the substrate. Further, an outlet chamber 60 for discharging the substrate after the film formation processing to the outside of the apparatus is provided on the side of the chamber 55 via a gate valve 58. The exit chamber 60 is provided with a gate valve 61 for discharging the substrate.
【0024】また、チャンバ52,54及び出口室60
と中間室70との間には仕切弁62が設けられている。
なお、図示していないが、入口室57、成膜室50及び
出口室60内には、基板搬送用の搬送機構が設けられて
いる。Further, the chambers 52 and 54 and the outlet chamber 60
A sluice valve 62 is provided between the intermediate chamber 70 and the intermediate chamber 70.
Although not shown, a transfer mechanism for transferring the substrate is provided in the inlet chamber 57, the film forming chamber 50, and the outlet chamber 60.
【0025】中間室70内には、基板受渡し機構80が
設けられている。この基板受渡し機構80は、仕切弁6
2を介してチャンバ52,54及び出口室60との間で
基板の受渡しを行うための機構である。基板受渡し機構
80は、旋回可能なアーム81と、アーム81先端に設
けられるとともに基板を着脱自在に保持し得る進退可能
な基板保持部82とを有している。A substrate transfer mechanism 80 is provided in the intermediate chamber 70. This substrate transfer mechanism 80 is provided with the sluice valve 6
It is a mechanism for delivering the substrate to and from the chambers 52, 54 and the exit chamber 60 via the two. The substrate transfer mechanism 80 has a swivelable arm 81 and a substrate holding part 82 which is provided at the tip of the arm 81 and is capable of removably holding the substrate.
【0026】ゲート弁59を通って入口室57内に導入
された基板は、仕切弁58を通ってチャンバ51内に搬
入される。チャンバ51での成膜処理後、基板は仕切弁
56を通ってチャンバ52内に搬入され、所定の成膜処
理を受ける。The substrate introduced into the inlet chamber 57 through the gate valve 59 is carried into the chamber 51 through the partition valve 58. After the film forming process in the chamber 51, the substrate is carried into the chamber 52 through the sluice valve 56 and undergoes a predetermined film forming process.
【0027】ここで、チャンバ52での処理後の基板を
排出する際には、基板受渡し機構80を駆動してアーム
81を旋回させ、基板保持部82をチャンバ52に対向
配置させる。そして、仕切弁62を開いて基板保持部8
2をチャンバ52内に進入させ、チャンバ52内の基板
を基板保持部82に保持させる。次に、基板保持部82
を後退させるとともに仕切弁62を閉じる。次に、アー
ム81を旋回させて、基板が保持された基板保持部82
を出口室60に対向配置させる。そして、仕切弁62を
開き、基板保持部82を進退させることにより、基板保
持部82側の基板を出口室60内に搬入する。出口室6
0内に搬入された基板は、ゲート弁61を通って装置外
部に排出される。Here, when the substrate after processing in the chamber 52 is discharged, the substrate transfer mechanism 80 is driven to rotate the arm 81, and the substrate holding portion 82 is arranged to face the chamber 52. Then, the gate valve 62 is opened to open the substrate holding portion 8.
2 is introduced into the chamber 52, and the substrate in the chamber 52 is held by the substrate holding portion 82. Next, the substrate holder 82
And the sluice valve 62 is closed. Next, the arm 81 is swiveled to hold the substrate holding portion 82.
Are arranged to face the outlet chamber 60. Then, the sluice valve 62 is opened, and the substrate holding unit 82 is moved back and forth to carry the substrate on the substrate holding unit 82 side into the outlet chamber 60. Exit room 6
The substrate carried into the unit 0 is discharged to the outside of the apparatus through the gate valve 61.
【0028】このように、成膜室50の一部のチャンバ
を用いて成膜処理を行う際には、前記実施例と同様に、
成膜室50の残りのチャンバ内を基板を搬送させなくて
済み、これにより基板搬送時間を短縮でき、生産性を向
上できる。なお、成膜室50のうちのチャンバ51,5
2,53,54を用いて成膜処理を行う場合においても
同様に基板搬送時間を短縮でき、生産性を向上できる。In this way, when the film forming process is carried out using a part of the film forming chamber 50, as in the above-mentioned embodiment,
The substrate does not have to be transported in the remaining chambers of the film forming chamber 50, whereby the substrate transport time can be shortened and the productivity can be improved. The chambers 51, 5 of the film forming chamber 50
Even when the film forming process is performed using 2, 53, 54, the substrate transfer time can be similarly shortened and the productivity can be improved.
【0029】[0029]
【発明の効果】本発明に係る真空成膜装置では、連続し
て配置された複数の室から構成される成膜室と、これに
並設されたバイパス室と、バイパス通路とが設けられる
ので、基板搬送時間を短縮でき、生産性を向上できる。Since the vacuum film forming apparatus according to the present invention is provided with the film forming chamber composed of a plurality of chambers continuously arranged, the bypass chamber arranged in parallel with the film forming chamber, and the bypass passage. The substrate transfer time can be shortened and productivity can be improved.
【図1】本発明の一実施例としてのインライン式成膜装
置の平面概略図。FIG. 1 is a schematic plan view of an in-line type film forming apparatus as an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の他の実施例としてのマルチチャンバ式
成膜装置の平面概略図。FIG. 2 is a schematic plan view of a multi-chamber type film forming apparatus as another embodiment of the present invention.
10,50 成膜室 30,70 バイパス室 31,62 仕切弁 10,50 Deposition chamber 30,70 Bypass chamber 31,62 Gate valve
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 31/04 Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 31/04
Claims (1)
て、 連続して配置された成膜処理を行うための複数の室から
構成される成膜室と、 前記成膜室に並設されたバイパス室と、 前記バイパス室と、前記成膜室の少なくとも中間の室と
の間に設けられ、これらの室の間で基板を搬送するため
のバイパス通路と、 を備えた真空成膜装置。1. A vacuum film forming apparatus for forming a film on a substrate, comprising: a film forming chamber composed of a plurality of chambers for performing the film forming process, which are continuously arranged; A vacuum chamber provided with a bypass chamber arranged in parallel, a bypass passage provided between the bypass chamber and at least an intermediate chamber of the film forming chamber, and a bypass passage for transporting a substrate between these chambers. Membrane device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21003691A JP3216154B2 (en) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | Vacuum deposition equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21003691A JP3216154B2 (en) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | Vacuum deposition equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0536813A true JPH0536813A (en) | 1993-02-12 |
JP3216154B2 JP3216154B2 (en) | 2001-10-09 |
Family
ID=16582749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21003691A Expired - Fee Related JP3216154B2 (en) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | Vacuum deposition equipment |
Country Status (1)
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JP (1) | JP3216154B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007511104A (en) * | 2003-11-10 | 2007-04-26 | ブルーシフト テクノロジーズ インコーポレイテッド | Method and system for processing a product being processed in a semiconductor processing system under vacuum |
JP2007227822A (en) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Organic semiconductor manufacturing method, and apparatus therefor |
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1991
- 1991-07-26 JP JP21003691A patent/JP3216154B2/en not_active Expired - Fee Related
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