JPH0536363B2 - - Google Patents

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JPH0536363B2
JPH0536363B2 JP60019000A JP1900085A JPH0536363B2 JP H0536363 B2 JPH0536363 B2 JP H0536363B2 JP 60019000 A JP60019000 A JP 60019000A JP 1900085 A JP1900085 A JP 1900085A JP H0536363 B2 JPH0536363 B2 JP H0536363B2
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gas
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nitride powder
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Toyota Motor Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は微粉末状の窒化ケイ素の製造方法に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a method for producing finely powdered silicon nitride.

[従来の技術] 窒化ケイ素はその熱膨張係数の低さ、高温強度
等により、各方面で利用がなされている。また、
その利用の際には、低温での焼結性の容易さ、触
媒活性の増大などの面から、原料粒子の粒径は
1000Å以下とすることが望ましく、そのような小
さい粒径を有する窒化ケイ素粉末が望まれてい
た。
[Prior Art] Silicon nitride is used in various fields due to its low coefficient of thermal expansion, high temperature strength, etc. Also,
When using it, the particle size of the raw material particles must be adjusted in order to facilitate sintering at low temperatures and increase catalytic activity.
It is desirable that the particle size be 1000 Å or less, and a silicon nitride powder having such a small particle size has been desired.

従来、窒化ケイ素の粉末を製造するにあたつて
は(1)式に示すような、金属ケイ素に直接窒素を反
応させ、窒化ケイ素を製造する方法がある。
Conventionally, when producing silicon nitride powder, there is a method as shown in equation (1), in which silicon metal is directly reacted with nitrogen to produce silicon nitride.

3Si+2N2→Si3N4 …(1) また(2)式に示すような、四塩化ケイ素にアンモニ
アを反応させて、窒化ケイ素を製造する方法もあ
る。
3Si+2N 2 →Si 3 N 4 ...(1) There is also a method of producing silicon nitride by reacting silicon tetrachloride with ammonia, as shown in equation (2).

3SiCl4+4NH3→ Si3N4+12HCl …(2) [発明が解決しようとする問題点] 上記した方法では、以下のような問題点があつ
た。
3SiCl 4 +4NH 3 → Si 3 N 4 +12HCl...(2) [Problems to be solved by the invention] The above method had the following problems.

(1)式の方法では、高純度で微細な金属ケイ素粉
末を用いる必要があつた。そして得られる粉末状
窒化ケイ素の粒度分布は広くなくことが多く、ま
た、1000Å以下の微粒子を得ることは、かなり困
難であつた。さらに高純度の微細な金属ケイ素を
得ることは難しく、不純物の混入という問題が避
けられなかつた。
In the method of formula (1), it was necessary to use highly pure and fine metallic silicon powder. The particle size distribution of the obtained powdered silicon nitride is often not wide, and it is quite difficult to obtain fine particles of 1000 Å or less. Furthermore, it is difficult to obtain fine metallic silicon of high purity, and the problem of contamination with impurities cannot be avoided.

また(2)式の製造方法では、原料である四塩化ケ
イ素が高価であり、従つて得られる窒化ケイ素も
高価となつていた。また有害な塩化水素ガスが発
生し、その処理に工数がかかるという問題点があ
つた。
Furthermore, in the manufacturing method of formula (2), silicon tetrachloride, which is a raw material, is expensive, and thus the silicon nitride obtained is also expensive. Another problem was that harmful hydrogen chloride gas was generated, and its treatment required many man-hours.

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであ
り、容易に微粒子状の窒化ケイ素粉末を得る製造
方法を提供するものである。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and provides a manufacturing method for easily obtaining fine particulate silicon nitride powder.

[問題点を解決するための手段] 本発明の窒化ケイ素粉末の製造方法は、金属ケ
イ素粉末と酸化性ガスとを混合して着火すること
で反応炎を形成し超微粒子状あるいはガス状の一
酸化ケイ素を形成する酸化工程と、反応炎を窒素
元素を含む還元性ガス雰囲気中に供給して一酸化
ケイ素を窒化する窒化工程と、を順次行うことを
特徴とする。
[Means for Solving the Problems] The method for producing silicon nitride powder of the present invention involves mixing metal silicon powder and oxidizing gas and igniting the mixture to form a reaction flame and producing ultrafine particles or gaseous particles. The method is characterized in that an oxidation step for forming silicon oxide and a nitridation step for nitriding silicon monoxide by supplying a reaction flame into a reducing gas atmosphere containing a nitrogen element are performed in sequence.

本発明にいう酸化工程は本発明の1つの特色を
成すものであり、金属ケイ素粉末を酸化性ガス雰
囲気中で酸化して一酸化ケイ素とする工程であ
る。この金属ケイ素粉末は、粒子が細かい方が好
ましく200メツシユ以下のものが特に望ましい。
このような粒子の金属ケイ素粉末を使用すれば、
得られる窒化ケイ素粉末の粒度も100Å〜1000Å
と好ましい範囲となる。なお、金属ケイ素粉末は
純度の特に高いものを用いるような必要はない。
The oxidation step referred to in the present invention is one of the features of the present invention, and is a step in which metallic silicon powder is oxidized in an oxidizing gas atmosphere to form silicon monoxide. The finer the particles of this metal silicon powder, the more preferable it is, and the one with a particle size of 200 mesh or less is particularly desirable.
If you use metallic silicon powder with such particles,
The particle size of the obtained silicon nitride powder is also 100 Å to 1000 Å.
This is a preferable range. Note that it is not necessary to use particularly high purity metal silicon powder.

酸化性ガスには代表的なものに酸化ガス、オゾ
ンガス等があり、金属ケイ素粉末を酸化して一酸
化ケイ素とするものを用いることができる。そし
て金属ケイ素粉末と酸化性ガスとを反応させるに
当つては、種々の方法が考えられるが、金属ケイ
素粉末と酸化性ガスとによつて、粉塵雲を形成さ
せ、この粉塵雲に着火して爆発、燃焼させること
により、酸化することご望ましい。この方式によ
れば、酸化反応の際に生ずる発熱により、他の金
属ケイ素粉末の酸化が促進され、高温となつて超
微粒子状、あるいはガス状の一酸化ケイ素が生成
する。そして酸化の際の反応炎の熱エネルギーを
利用して後述の窒化工程を行なうことが可能とな
る。この着火手段としては、バーナー、プラズマ
ジエツト、アーク放電、レーザー光などを使用す
ることができる。また粉塵雲の濃度は用いる金属
ケイ素粉末の粒径および着火手段等によつて、最
適濃度を決めることが望ましい。なお、金属ケイ
素粉末は、極く短い時間を区切つて、間欠的に供
給してもよいし、連続的に供給してもよい。ただ
し熱効率の面から、反応炎は連続的に形成するこ
とが望ましい。
Typical oxidizing gases include oxidizing gas and ozone gas, and those that oxidize metal silicon powder to form silicon monoxide can be used. Various methods can be considered to cause the metal silicon powder and the oxidizing gas to react, but it is possible to form a dust cloud with the metal silicon powder and the oxidizing gas, and ignite this dust cloud. It is preferable to oxidize by exploding or burning. According to this method, the heat generated during the oxidation reaction promotes the oxidation of other metal silicon powders, and the resulting high temperature produces ultrafine particle or gaseous silicon monoxide. Then, it becomes possible to carry out the nitriding process described later using the thermal energy of the reaction flame during oxidation. As this ignition means, a burner, plasma jet, arc discharge, laser light, etc. can be used. Further, it is desirable to determine the optimum concentration of the dust cloud depending on the particle size of the metal silicon powder used, the ignition means, etc. Note that the metal silicon powder may be supplied intermittently over very short periods of time, or may be supplied continuously. However, from the standpoint of thermal efficiency, it is desirable to form the reaction flame continuously.

窒化工程は上記酸化工程により得られた一酸化
ケイ素を還元し、かつ窒化して窒化ケイ素とする
工程である。この窒化工程に用いられる窒素を含
む還元性ガスは、還元性と窒化性の両方の機能を
有するガスであり、一種類もしくは複数種類の物
質の組み合わせを種々選択することができる。例
えば還元性ガスとしては、一酸化炭素ガス、水素
ガス、炭化水素系ガス等が利用できる。また窒化
性のガスとしては、アンモニアガス、アミンガス
等を用いることができる。また炭化水素系化合物
の分子に窒素元素を有する化合物を利用すること
も可能である。この場合には一種類のガスで、炭
素元素および水素元素により還元反応が生じ、窒
素元素により窒化反応が生ずる。なお、これらの
場合に、炭素元素を還元反応当量よりも過剰に用
いることで、炭化ケイ素を生成せしめ、窒化ケイ
素と炭化ケイ素の混合体を製造することも可能で
ある。また、この混合体の組成比は、窒素元素と
炭素元素との当量比により、自由に調節が可能で
ある。なお、窒素を含む還元性ガスにより反応系
が冷却するのを防ぐために、該ガスを予め加熱し
ておくことが望ましい。
The nitriding step is a step in which the silicon monoxide obtained in the oxidation step is reduced and nitrided to form silicon nitride. The nitrogen-containing reducing gas used in this nitriding step is a gas that has both reducing and nitriding functions, and various combinations of one or more types of substances can be selected. For example, carbon monoxide gas, hydrogen gas, hydrocarbon gas, etc. can be used as the reducing gas. Further, as the nitriding gas, ammonia gas, amine gas, etc. can be used. It is also possible to use a compound having a nitrogen element in the molecule of a hydrocarbon compound. In this case, with one type of gas, a reduction reaction occurs with the carbon element and the hydrogen element, and a nitriding reaction occurs with the nitrogen element. In addition, in these cases, by using the carbon element in excess of the reduction reaction equivalent, it is also possible to generate silicon carbide and produce a mixture of silicon nitride and silicon carbide. Further, the composition ratio of this mixture can be freely adjusted by adjusting the equivalent ratio of nitrogen element and carbon element. Note that in order to prevent the reaction system from being cooled by the reducing gas containing nitrogen, it is desirable to heat the gas in advance.

一酸化ケイ素は、高温で上記窒素を含む還元性
ガスと接触することにより、還元、窒化されて窒
化ケイ素となる。この場合、酸化工程の熱を利用
する意味において、酸化工程と窒化工程とは連続
して行なうことが望ましい。酸化工程で金属ケイ
素粉末と酸化性ガスとによる粉塵雲を形成した場
合には、金属ケイ素粉末と酸化性ガスとによる、
一酸化ケイ素を多量に含む連続反応炎が形成され
る。従つて、この連続反応炎を上記還元性雰囲気
中で生ぜしめることにより、この連続反応炎の熱
エネルギーによつて連続的に還元、窒化反応が進
み、超微粒子状あるいはガス状の一酸化ケイ素は
微細な粉末状の窒化ケイ素とすることができる。
When silicon monoxide comes into contact with the nitrogen-containing reducing gas at high temperature, it is reduced and nitrided to become silicon nitride. In this case, it is desirable to carry out the oxidation step and the nitridation step successively in order to utilize the heat of the oxidation step. When a dust cloud is formed by metal silicon powder and oxidizing gas in the oxidation process,
A continuous reaction flame containing a large amount of silicon monoxide is formed. Therefore, by generating this continuous reaction flame in the above-mentioned reducing atmosphere, reduction and nitriding reactions proceed continuously due to the thermal energy of this continuous reaction flame, and ultrafine particle or gaseous silicon monoxide is It can be silicon nitride in the form of a fine powder.

得られた窒化ケイ素は、バグフイルター等周知
の捕集装置によつて捕集することができる。なお
捕集装置を通過したガス体には通常、未反応の酸
化性ガス、および窒素を含む還元性ガスが含まれ
ているので、燃焼等の処理後排出することが望ま
しい。
The obtained silicon nitride can be collected by a well-known collection device such as a bag filter. Note that since the gas that has passed through the collection device usually contains unreacted oxidizing gas and reducing gas containing nitrogen, it is desirable to discharge it after processing such as combustion.

[発明の作用及び効果] 本発明の製造方法によれは、バーナー、プラズ
マジエツト等の着火手段を用いるのみで、金属ケ
イ素粉末と酸化性ガスの反応の際生じる発熱によ
り、他の金属ケイ素粉末の反応が促進される。従
つて熱効率が極めて高く、低コスト化が図れる。
そして超微粒子状、あるいはガス状の一酸化ケイ
素を含む反応炎が連続的に形成され、この反応炎
に窒素を含む還元性ガスを接触させる事で、連続
的に大量の微粒子状の窒化ケイ素粉末が製造され
る。従つて、極めて効率よく、均質な窒化ケイ素
粉末が量産性よく得られる等本発明の効果は大き
い。
[Operations and Effects of the Invention] According to the manufacturing method of the present invention, by simply using an ignition means such as a burner or a plasma jet, the heat generated during the reaction between the metal silicon powder and the oxidizing gas causes the metal silicon powder to ignite other metal silicon powder. reaction is promoted. Therefore, thermal efficiency is extremely high and costs can be reduced.
Then, a reaction flame containing ultrafine particulate or gaseous silicon monoxide is continuously formed, and by contacting this reaction flame with a reducing gas containing nitrogen, a large amount of fine particulate silicon nitride powder is continuously formed. is manufactured. Therefore, the effects of the present invention are significant, such as the ability to obtain homogeneous silicon nitride powder extremely efficiently and with good mass production.

[実施例] 第1図に本発明の製造方法に係わる製造装置を
示す。この製造装置は、内壁を耐熱レンガ15で
囲まれ、一方の側壁に排出通路30を有する反応
炉10と、反応炉10の他方の側壁に設けられ、
反応炉10に火炎を送るバーナー20とから主と
して構成されている。バーナー20には金属ケイ
素粉末を供給する粉末供給装置21と、酸素を提
供する酸素供給管22及び種火用のLPGを供給
するLPG供給管23が配設されている。反応炉
10上壁には余熱炉11を介してメタンガスとア
ンモニアガスの混合ガスを供給する還元・窒化ガ
ス供給管12が反応炉10内に開口するように設
けられている。
[Example] FIG. 1 shows a manufacturing apparatus related to the manufacturing method of the present invention. This manufacturing device includes a reactor 10 whose inner wall is surrounded by heat-resistant bricks 15 and a discharge passage 30 on one side wall, and a reactor 10 provided on the other side wall of the reactor 10.
It mainly consists of a burner 20 that sends flame to the reactor 10. The burner 20 is provided with a powder supply device 21 for supplying metal silicon powder, an oxygen supply pipe 22 for supplying oxygen, and an LPG supply pipe 23 for supplying LPG for pilot fire. A reducing/nitriding gas supply pipe 12 for supplying a mixed gas of methane gas and ammonia gas via a preheating furnace 11 is provided on the upper wall of the reactor 10 so as to open into the reactor 10 .

また排出通路30には粉末捕集装置31が設け
られ、粉末捕集装置31の後方には未捕集の窒化
ケイ素粉末粉末を捕集するバグフイルター32が
設けられている。そしてバグフイルター32を通
過してきた排ガスは、ブロア33により燃焼処理
部34を通過後、屋外へ排出されるように構成さ
れている。
Further, a powder collecting device 31 is provided in the discharge passage 30, and a bag filter 32 is provided behind the powder collecting device 31 to collect uncollected silicon nitride powder. The exhaust gas that has passed through the bag filter 32 is configured to be discharged outdoors after passing through a combustion processing section 34 by a blower 33.

上記のように構成された反応装置により、以下
のようにして反応を行ない、窒化ケイ素粉末を製
造した。
Using the reaction apparatus configured as described above, a reaction was carried out in the following manner to produce silicon nitride powder.

まず酸素供給管22とLPG供給管23のバル
ブ24,25を開き、バーナー20に着火して反
応炉10内を充分に乾燥させ、脱酸素を行なつ
た。その後、粉末供給装置21により、金属ケイ
素粉末を10〜30Kg/時の供給速度で連続的に供給
し、同時に酸素供給管22より、酸素を金属ケイ
素粉末の反応当量分(4〜12Nm3/時)供給し
た。そして還元・窒化ガス供給管12のバルブ1
3を開き、予熱炉11により約1000℃に加熱され
たメタンガスとアンモニアガスの混合ガスを、メ
タンガスを8〜24Nm3/時、およびアンモニア
ガスを11〜32Nm3/時の流量で供給した。
First, the valves 24 and 25 of the oxygen supply pipe 22 and the LPG supply pipe 23 were opened, and the burner 20 was ignited to sufficiently dry the inside of the reactor 10 to remove oxygen. Thereafter, the powder supply device 21 continuously supplies the metal silicon powder at a supply rate of 10 to 30 kg/hour, and at the same time, the oxygen supply pipe 22 supplies oxygen in an amount equal to the reaction equivalent of the metal silicon powder (4 to 12 Nm 3 /hour). ) supplied. And valve 1 of reducing/nitriding gas supply pipe 12
3 was opened, and a mixed gas of methane gas and ammonia gas heated to about 1000° C. by the preheating furnace 11 was supplied at a flow rate of 8 to 24 Nm 3 /hour for methane gas and 11 to 32 Nm 3 /hour for ammonia gas.

この時バーナー20前面では連続的に金属ケイ
素粉末の酸化反応による反応炎26が形成され、
その熱エネルギーを得てメタンガスの炭素元素と
水素元素、およびアンモニアガスの水素元素によ
つて還元され、アンモニアガスの窒素元素によつ
て窒化されて合成された窒化ケイ素粉末が、粉末
捕集装置31およびバグフイルター32に16〜40
Kg/時の収量で捕集された。
At this time, a reaction flame 26 is continuously formed in front of the burner 20 due to the oxidation reaction of the metal silicon powder.
The silicon nitride powder obtained by obtaining the thermal energy is reduced by the carbon element and hydrogen element of the methane gas and the hydrogen element of the ammonia gas, and is nitrided by the nitrogen element of the ammonia gas. and 16 to 40 in bug filter 32
A yield of Kg/hour was collected.

またバグフイルター32を通過した排ガスは、
ブロア33により燃焼処理部34へ送られて燃焼
処理された後、屋外へ排出された。
In addition, the exhaust gas that has passed through the bag filter 32 is
After being sent to the combustion processing section 34 by the blower 33 and subjected to combustion processing, it was discharged outdoors.

電子顕微鏡観察及びX線回折により得られた粉
末を分析したところ、粒径は100Å〜1000Åの間
の粒度分布を有し、アモルフアス構造を有する窒
化ケイ素粉末であつた。
When the obtained powder was analyzed by electron microscopy and X-ray diffraction, it was found to be a silicon nitride powder with a particle size distribution of 100 Å to 1000 Å and an amorphous structure.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に係る製造装置の系
統図である。 10……反応炉、12……還元・窒化ガス供給
管、20……バーナー、21……粉末供給装置、
22……酸素供給管、23……LPG供給管、3
0……排出通路、31……粉末捕集装置。
FIG. 1 is a system diagram of a manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. 10...Reaction furnace, 12...Reducing/nitriding gas supply pipe, 20...Burner, 21...Powder supply device,
22...Oxygen supply pipe, 23...LPG supply pipe, 3
0...Discharge passage, 31...Powder collection device.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 金属ケイ素粉末と酸化性ガスとを混合して着
火することで反応炎を形成し超微粒子状あるいは
ガス状の一酸化ケイ素を形成する酸化工程と、 該反応炎を窒素元素を含む還元性ガス雰囲気中
に供給して該一酸化ケイ素を窒化する窒化工程
と、を順次行うことを特徴とする窒化ケイ素粉末
の製造方法。 2 窒素元素を含む還元性ガスは炭化水素系ガス
とアンモニアの混合ガスである特許請求の範囲第
1項記載の窒化ケイ素粉末の製造方法。 3 反応炎は金属ケイ素粉末と酸化性ガスとで形
成された粉塵雲に着火し爆発・燃焼させることで
形成する特許請求の範囲第1項記載の窒化ケイ素
粉末の製造方法。 4 着火はバーナあるいはプラズマジエツトによ
り行う特許請求の範囲第3項記載の窒化ケイ素粉
末の製造方法。 5 金属ケイ素粉末は粒度が200メツシユ以下で
ある特許請求の範囲第1項記載の窒化ケイ素粉末
の製造方法。 6 窒素元素を含む還元性ガスはあらかじめ加熱
後供給する特許請求の範囲第1項記載の窒化ケイ
素粉末の製造方法。
[Claims] 1. An oxidation step in which a metal silicon powder and an oxidizing gas are mixed and ignited to form a reaction flame to form ultrafine particle or gaseous silicon monoxide; A method for producing silicon nitride powder, comprising sequentially performing a nitriding step of nitriding the silicon monoxide by supplying the silicon monoxide into a reducing gas atmosphere containing elements. 2. The method for producing silicon nitride powder according to claim 1, wherein the reducing gas containing nitrogen element is a mixed gas of a hydrocarbon gas and ammonia. 3. The method for producing silicon nitride powder according to claim 1, wherein the reaction flame is formed by igniting, exploding and burning a dust cloud formed of metal silicon powder and oxidizing gas. 4. The method for producing silicon nitride powder according to claim 3, wherein ignition is performed using a burner or a plasma jet. 5. The method for producing silicon nitride powder according to claim 1, wherein the metal silicon powder has a particle size of 200 mesh or less. 6. The method for producing silicon nitride powder according to claim 1, wherein the reducing gas containing nitrogen element is supplied after being heated in advance.
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