JPH0536308A - High permittivity dielectric ceramic composition - Google Patents
High permittivity dielectric ceramic compositionInfo
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- JPH0536308A JPH0536308A JP3212666A JP21266691A JPH0536308A JP H0536308 A JPH0536308 A JP H0536308A JP 3212666 A JP3212666 A JP 3212666A JP 21266691 A JP21266691 A JP 21266691A JP H0536308 A JPH0536308 A JP H0536308A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高誘電率誘電体磁器組
成物に係り、特に広い温度範囲にわたって誘電率の変化
が小さく、かつ誘電体損失が小さいため、例えば自動車
のエンジンルーム等の高温にさらされる場所での使用可
能な高誘電率誘電体磁器組成物に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-dielectric-constant dielectric ceramic composition, which has a small change in dielectric constant over a wide temperature range and a small dielectric loss. The present invention relates to a high dielectric constant dielectric porcelain composition that can be used in a place exposed to heat.
【0002】[0002]
【従来の技術】誘電率が高く、その温度変化の小さな誘
電体磁器組成物として、従来、チタン酸バリウム(Ba
TiO3 )にビスマス化合物、例えばBi2 O3 、2S
nO2 や、Bi2 O3 、2ZrO2 とTa2 O3 やNb
2 O5 等を添加して、その温度特性変化率を小さくした
ものが使用されていた。2. Description of the Related Art Barium titanate (Ba) has hitherto been used as a dielectric ceramic composition having a high dielectric constant and a small temperature change.
TiO 3 ), a bismuth compound such as Bi 2 O 3 , 2S
nO 2 , Bi 2 O 3 , 2ZrO 2 and Ta 2 O 3 and Nb
A material was used in which the rate of change in temperature characteristics was reduced by adding 2 O 5 or the like.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記の成分
を含む組成物では、誘電率を高くすると、静電容量の変
化率が大きくなり、誘電率を大きくするには、おのずと
限界があった。このため、前記組成物をコンデンサに使
用した場合、小型で大容量を得ることは困難であって、
X7R特性(−55℃〜+125℃で静電容量変化率が
±15%)が限度であった。However, in the composition containing the above-mentioned components, when the dielectric constant is increased, the rate of change in electrostatic capacity becomes large, and there is a limit to increase the dielectric constant. Therefore, when the composition is used in a capacitor, it is difficult to obtain a small size and a large capacity,
The X7R characteristic (capacitance change rate of ± 15% at −55 ° C. to + 125 ° C.) was the limit.
【0004】また、前記組成物のように、ビスマス化合
物を含むものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁器
組成物素体に屈曲を生じたりする問題があった。更に、
ビスマスを含有するチタン酸バリウム積層型磁器コンデ
ンサを作製した場合、内部電極であるパラジウム、また
は銀−パラジウム合金と誘電体の成分であるビスマスが
反応を起こし、電極としての機能を失うため、内部電極
として高価な白金を使用しなければならず、積層型磁器
コンデンサのコストアップの要因になっていた。The composition containing a bismuth compound like the above-mentioned composition has a problem that the bismuth component evaporates during firing and the porcelain composition body is bent. Furthermore,
When a barium titanate laminated porcelain capacitor containing bismuth is manufactured, the internal electrode palladium or the silver-palladium alloy reacts with bismuth, which is a component of the dielectric, and loses its function as an electrode. As a result, expensive platinum must be used, which has been a factor in increasing the cost of the laminated porcelain capacitor.
【0005】本発明は、このような従来の課題を解決
し、広い温度範囲にわたって誘電率変化が少なく、誘電
体損失の小さい、優れた高誘電率誘電体磁器組成物を提
供することを目的とする。An object of the present invention is to solve such conventional problems and to provide an excellent high-dielectric-constant porcelain composition having a small dielectric constant change over a wide temperature range and a small dielectric loss. To do.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明者は鋭意研究の結果、主成分として、
BaTiO3 :94.0〜99.0モル%
Nb2 O5 : 0.5〜 3.0モル%
NiO : 0.5〜 3.0モル%
に対して、添加物として、CaZrO3 を 0.2〜7.0 重
量%含有することにより、キュリー点を温度+側へシフ
トすることを見いだした。In order to achieve the object In order to achieve the object, the present inventors as a result of intensive studies, as a main component, BaTiO 3: from 94.0 to 99.0 mol% Nb 2 O 5: 0.5~ 3.0 mol% NiO: It was found that the Curie point is shifted to the temperature + side by adding CaZrO 3 in an amount of 0.2 to 7.0% by weight with respect to 0.5 to 3.0 mol%.
【0007】また、必要に応じて、La2 O3 、Nd2
O3 、Sm2 O3 の内、一種類を0.7 重量%以下含有す
ることにより、特性が優れることを見い出した。これら
に更にMnOを0〜0.3 重量%含有することにより特性
が一層向上するものとなる。Also, if necessary, La 2 O 3 , Nd 2
It has been found that the characteristics are excellent when one of O 3 and Sm 2 O 3 is contained in an amount of 0.7% by weight or less. By further adding 0 to 0.3% by weight of MnO to these, the characteristics are further improved.
【0008】[0008]
【作用】本発明の組成の誘電体磁器組成物を用いること
により、常温での比誘電率が2000〜4700という
高誘電率値を有し、誘電体損失( tanδ)は、 1.2%以
下と言う小さい値であり、誘電率の温度変化はEIAJ
(日本電子工業会規約)に規定するX7R特性(−55
℃〜+125℃の温度範囲で誘電率の変化が±15%以
内)を満足し、更にX8R特性(−55℃〜+150℃
の温度範囲で誘電率の変化が±15%以内)を満足し、
抗折強度も強くなるという、優れた特性の高誘電率誘電
体磁器組成物を得ることができた。By using the dielectric ceramic composition of the present invention, the dielectric constant at room temperature has a high dielectric constant value of 2000 to 4700 and the dielectric loss (tan δ) is 1.2% or less. It is a small value, and the change in dielectric constant with temperature is EIAJ
X7R characteristics (-55
Satisfies the change of dielectric constant within ± 15% in the temperature range of ℃ to + 125 ℃, and further X8R characteristics (-55 ℃ to + 150 ℃)
Change of the dielectric constant within ± 15% in the temperature range of
It was possible to obtain a high dielectric constant dielectric ceramic composition having excellent characteristics that the transverse rupture strength was also increased.
【0009】[0009]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1〜図5は、本発明の1実施例を示した図であ
り、図1は高誘電率誘電体磁器組成物の三元組成図、図
2は、高誘電率誘電体磁器組成物の製造工程図、図3は
静電容量の温度特性カーブ、図4は、98・BaTiO
3 −1・Nb2 O5 −1・NiO+CaZrO3 添加量
別のキュリーポイント位置と25℃における誘電率を示
した図、図5は、98・BaTiO3 −1・Nb2 O5
−1・NiO+CaZrO3 添加量別時の抗折強度を示
した図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 5 are views showing an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a ternary composition diagram of a high dielectric constant dielectric ceramic composition, and FIG. 2 is a high dielectric constant dielectric ceramic composition. Manufacturing process drawing, FIG. 3 is a temperature characteristic curve of capacitance, and FIG. 4 is 98.BaTiO 3.
3 -1 · Nb 2 O 5 -1 · NiO + CaZrO 3 added-amount Curie point position and shows a dielectric constant at 25 ° C., 5, 98 · BaTiO 3 -1 · Nb 2 O 5
FIG. 3 is a diagram showing bending strength when different amounts of −1 · NiO + CaZrO 3 are added.
【0010】先ず、図2に基づき、本実施例の高誘電率
誘電体磁器組成物の製造工程を説明する。なお、図2の
各工程番号はカッコ内に示す。First, the manufacturing process of the high dielectric constant dielectric ceramic composition of this embodiment will be described with reference to FIG. The step numbers in FIG. 2 are shown in parentheses.
【0011】出発原料として、BaCO3 とTiO2 を
1:1のモル比で調合し(S1)、調合した出発原料に
脱水乾燥処理を行う(S2)。次に、これらの原料を仮
成形し、1000〜1200℃で2時間安定にして化学
反応を行わしめ、BaTiO3 を形成する仮焼成を行う
(S3)。このBaTiO3 を例えばアトマイザー等で
粉砕する(S4)。As a starting material, BaCO 3 and TiO 2 are mixed at a molar ratio of 1: 1 (S1), and the prepared starting material is dehydrated and dried (S2). Next, these raw materials are preliminarily molded, stabilized at 1000 to 1200 ° C. for 2 hours to cause a chemical reaction, and prebaked to form BaTiO 3 (S3). This BaTiO 3 is crushed by, for example, an atomizer (S4).
【0012】このようにして得られたBaTiO3 、ま
たは溶液法により調整して得られたBaTiO3 粉末を
焼成後の組成が所定の組成となるようにBaTiO3 、
Nb2 O5 、NiO、La2 O3 、Nd2 O3 、Sm2
O3 、CaZrO3 、MnCO3 等を秤量し(S5)、
湿式混合して(S6)、脱水、乾燥を行う(S7)。[0012] Thus BaTiO 3 obtained or BaTiO so that BaTiO 3 powder obtained by adjusting the solution method the composition after firing becomes a predetermined composition 3,
Nb 2 O 5 , NiO, La 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sm 2
O 3 , CaZrO 3 , MnCO 3 etc. are weighed (S5),
Wet mixing (S6), dehydration and drying (S7).
【0013】これに有機バインダーを適当量加え、約3
t/cm2 の成形圧力で成形し、直径16.5mm、厚さ 0.6mm
の円板状成形物を作製する。次に、この成形物を122
0〜1340℃で2時間安定して本焼成を行う(S
8)。An appropriate amount of organic binder is added to this, and about 3
Molded at a molding pressure of t / cm 2 , diameter 16.5mm, thickness 0.6mm
A disk-shaped molded article of is prepared. Next, 122
Perform stable main firing at 0 to 1340 ° C. for 2 hours (S
8).
【0014】得られた磁器組成物素体の両端に、銀電極
を焼き付けてコンデンサとする(S9)。最後に、これ
らのコンデンサの各電気特性を、周波数1KHZ 、室温
20℃の条件で測定する(S10)。前記測定結果は表
1、表2に示す。Silver electrodes are baked on both ends of the obtained ceramic composition body to obtain a capacitor (S9). Finally, the respective electrical characteristics of the capacitors, the frequency 1 kH Z, measured under the conditions of room temperature 20 ℃ (S10). The measurement results are shown in Tables 1 and 2.
【0015】[0015]
【表1】 [Table 1]
【0016】[0016]
【表2】 [Table 2]
【0017】前記の測定では、表1、表2に示したよう
に、試料No.1〜10についてのデータを測定した。そ
の結果によれば、表1、表2の試料中、試料No.1、
3、3−4、3−7、3−9、3−11、3−15、3
−17、6、8、10は本発明の範囲に含まれない(表
の×印で示した試料)。In the above measurement, as shown in Tables 1 and 2, the data of the samples No. 1 to 10 were measured. According to the result, in the samples of Table 1 and Table 2, sample No. 1,
3, 3-4, 3-7, 3-9, 3-11, 3-15, 3
-17, 6, 8, and 10 are not included in the scope of the present invention (samples indicated by X in the table).
【0018】本発明の誘電体磁器組成物は、 BaTi
O3 : 94.00〜99.00 モル%、Nb2 O5 :0.50〜3.0
モル%、NiO:0.50〜3.0 モル%を主成分とし、添加
物として、CaZrO3 を 0.2〜7.0重量%含有するも
のであり、必要に応じて、添加物、La2 O3 、Nd2
O3 、Sm2 O3 の内一種類を0.70重量%以下含有する
ものである。またMnOを0〜0.3 重量%添加すること
によって、その特性は更に向上する。The dielectric ceramic composition of the present invention comprises BaTi
O 3: 94.00 to 99.00 mol%, Nb 2 O 5: 0.50~3.0
Mol%, NiO: 0.50 to 3.0 mol% as a main component and 0.2 to 7.0 wt% of CaZrO 3 as an additive, and if necessary, an additive, La 2 O 3 , Nd 2
One of O 3 and Sm 2 O 3 is contained in an amount of 0.70% by weight or less. The characteristics are further improved by adding 0 to 0.3% by weight of MnO.
【0019】図1には、前記主成分の組成から成る三元
成分図を示してあり、図1中、各点の番号は、表1中の
試料No.と一致する。次に、前記のような本発明の組成
範囲の限度理由を、表1、表2を参照しながら説明す
る。なお、表1、表2の試料No.の前に示した○印は、
本発明の範囲となった試料であり、×印は本発明の範囲
外となった試料である。FIG. 1 shows a ternary component diagram composed of the compositions of the main components. In FIG. 1, the number of each point corresponds to the sample No. in Table 1. Next, the reasons for limiting the composition range of the present invention as described above will be described with reference to Tables 1 and 2. The circles in front of the sample Nos. In Tables 1 and 2 are
Samples that fall within the scope of the present invention, and marks x are samples that fall outside the scope of the present invention.
【0020】BaTiO3 が94.00 モル%未満であれ
ば、比誘電率(εS )は低くなり(試料No.6参照)、
99.0モル%を越えると誘電体素体が還元して黒化してし
まう(試料No.1参照)。When BaTiO 3 is less than 94.00 mol%, the relative dielectric constant (ε S ) becomes low (see Sample No. 6),
If it exceeds 99.0 mol%, the dielectric body is reduced and blackened (see Sample No. 1).
【0021】また、Nb2 O5 が 0.5モル%未満であれ
ば、同様に還元黒化し測定不能となり(試料No.1参
照)、 3.0モル%を越えるとεS は低くなったり(試料
No.6、10参照)、ΔC/C25℃が大きくなる(試
料No.6、10参照)。If Nb 2 O 5 is less than 0.5 mol%, it is similarly reduced and blackened and measurement becomes impossible (see Sample No. 1), and if it exceeds 3.0 mol%, ε S becomes low (Sample No. 1). 6 and 10), and ΔC / C25 ° C. increases (see Sample Nos. 6 and 10).
【0022】更に、NiOが 0.5モル%未満であれば、
誘電体素体が還元黒化し測定不能となり(試料No.1参
照)、 3.0モル%を越えるとεS が低くなったり(試料
No.6参照)、ΔC/C25℃が大きくなったり(試料
No.6、8参照)する。Further, if NiO is less than 0.5 mol%,
The dielectric body is reduced and blackened and measurement becomes impossible (see Sample No. 1), and when it exceeds 3.0 mol%, ε S becomes low (see Sample No. 6) and ΔC / C25 ° C becomes large (Sample No. 1). .6, 8).
【0023】La2 O3 、Nd2 O3 、Sm2 O3 、の
内、一種類が前記主成分に対して無添加でも、使用上問
題ないが(試料No.2、3−1、3−2、3−3、3−
5参照)、 0.7重量%以下の添加で焼結性が良くなり
(試料No.3−6、3−8、3−10参照)、 0.7重量
%を越えるとΔC/C25℃が大きくなりX8R特性は
はずれる(試料No.3−7、3−9、3−11参照)。There is no problem in use even if one of La 2 O 3 , Nd 2 O 3 and Sm 2 O 3 is not added to the above main component (Sample Nos. 2, 3-1, 3). -2, 3-3, 3-
5), the sinterability is improved by adding 0.7% by weight or less (see Sample No. 3-6, 3-8, 3-10), and if it exceeds 0.7% by weight, ΔC / C25 ° C increases and X8R characteristics It comes off (see Sample No. 3-7, 3-9, 3-11).
【0024】CaZrO3 を 0.2重量%未満ではΔC/
C25℃が大きくなり、X8R特性をはずれ(試料No.
3参照)、 7.0重量%を越えてもΔC/C25℃が大き
くなり、X8R特性を満足しなくなる(試料No.3−4
参照)。If CaZrO 3 is less than 0.2% by weight, ΔC /
C25 ℃ becomes large, X8R characteristic is lost (Sample No.
3), ΔC / C25 ° C increases even if it exceeds 7.0% by weight, and the X8R characteristic is no longer satisfied (Sample No. 3-4).
reference).
【0025】MnOの添加は、無添加でも使用上問題な
いが(試料No.2、3−1、3−2、3−3、3−5、
3−6、3−8、3−10、3−16、4、5、7、9
参照)、 0.3Wt%以下の添加で還元防止になり、 tanδ
が改善され、焼結性も向上する(試料No.3−12、3
−13、3−14)。Although the addition of MnO does not cause any problem in use without addition (Sample Nos. 2, 3-1, 3-2, 3-3, 3-5,
3-6, 3-8, 3-10, 3-16, 4, 5, 7, 9
), Tan δ
Is improved and sinterability is also improved (Sample No. 3-12, 3
-13, 3-14).
【0026】また、MnOの添加が 0.3重量%を越える
と、ΔC/C25℃が大きくなり、tanδは悪化し、緻
密な磁器が得られなくなる(試料No.3−15参照)。
更に、原料中に含まれるアルカリ金属酸化物または製造
工程より混入する微量の不純物としてのSiO2 、Al
2 O3 は、焼結性を良くすることはあるが、特性を悪化
させることはない。If the amount of MnO added exceeds 0.3% by weight, ΔC / C25 ° C. increases, tan δ deteriorates, and a dense porcelain cannot be obtained (see Sample No. 3-15).
In addition, SiO 2 and Al as a trace amount of impurities mixed in the raw materials or alkali metal oxides contained in the manufacturing process.
2 O 3 may improve the sinterability but does not deteriorate the properties.
【0027】その他、NiOとNb2 O5 の添加方法
は、.NiOとNb2 O5 それぞれ単味で添加しても、
NiO,Nb2 O5 と化合物にして添加しても効果は同
じであった。In addition, the method of adding NiO and Nb 2 O 5 is as follows. Even if NiO and Nb 2 O 5 are added individually,
The effect was the same even when added as a compound with NiO and Nb 2 O 5 .
【0028】図3に静電容量の温度特性カーブを示す。
図中の番号は表1中の試料No.と一致する。図3から明
らかなように、本発明の範囲の組成を有する磁器組成物
は、温度変化率(ΔC/C25℃)が広い温度範囲で少
なく、安定している。FIG. 3 shows a temperature characteristic curve of capacitance.
The numbers in the figure correspond to the sample No. in Table 1. As is clear from FIG. 3, the ceramic composition having the composition within the range of the present invention has a small temperature change rate (ΔC / C25 ° C.) over a wide temperature range and is stable.
【0029】また、図4には、98・BaTiO3 −1
・Nb2O5 −1・NiO+CaZrO3 添加量別のキ
ュリーポイント位置と、25℃における誘電率を示して
ある。この図より、前記本発明の範囲の組成では、キュ
リーポイントが高く、比誘電率も高くなっていることが
明らかである。Further, in FIG. 4, 98.BaTiO 3 -1
- and Nb 2 O 5 -1 · NiO + CaZrO 3 added-amount Curie point position, there is shown a dielectric constant at 25 ° C.. From this figure, it is clear that the composition within the range of the present invention has a high Curie point and a high relative dielectric constant.
【0030】更に、図5には、98・BaTiO3 −1
・Nb2O5 −NiO+CaZrO3 添加量別の抗折強
度を示してある。この図より、前記本発明の範囲では、
抗折強度が大きく、優れた特性の組成物となっているこ
とが明らかである。Further, in FIG. 5, 98.BaTiO 3 -1
· Nb 2 O 5 -NiO + CaZrO 3 is shown the addition-amount of flexural strength. From this figure, in the scope of the present invention,
It is clear that the composition has high bending strength and excellent characteristics.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。
(1) 本発明の誘電体磁器組成物は、比誘電率が約200
0〜4700という高い値を有し、誘電体損失は 1.2%
以下という小さい値であり、静電容量の温度変化率は、
EIAJに規定するX7R特性を満足し、更にX8R特
性も満足する。As described above, the present invention has the following effects. (1) The dielectric ceramic composition of the present invention has a relative dielectric constant of about 200.
It has a high value of 0 to 4700 and the dielectric loss is 1.2%.
It is a small value below, and the temperature change rate of capacitance is
It satisfies the X7R characteristic specified by EIAJ and further satisfies the X8R characteristic.
【0032】(2) 抗折強度の強い特性の高誘電率誘電体
磁器組成物を得ることができる。
(3) 誘電体磁器組成物中に、パラジウムまたは銀パラジ
ウム合金と反応し易いビスマスを含めないため、この組
成物を誘電体層として積層コンデンサを製造する場合、
内部電極としてパラジウム単独または銀パラジウム合金
の使用が可能となる。従って、高価な白金または白金パ
ラジウム合金を用いる必要がなく、製品の大幅なコスト
ダウンが実現できる。(2) It is possible to obtain a high dielectric constant dielectric ceramic composition having a high bending strength. (3) The dielectric ceramic composition does not include bismuth, which easily reacts with palladium or a silver-palladium alloy, so that when a multilayer capacitor is manufactured using this composition as a dielectric layer,
It is possible to use palladium alone or a silver-palladium alloy as the internal electrode. Therefore, it is not necessary to use expensive platinum or platinum-palladium alloy, and a significant cost reduction of the product can be realized.
【図1】本発明の第1実施例における高誘電率誘電体磁
器組成物の三元組成図である。FIG. 1 is a ternary composition diagram of a high dielectric constant dielectric ceramic composition according to a first embodiment of the present invention.
【図2】同実施例における高誘電率誘電体磁器組成物の
製造工程を示した図である。FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of a high dielectric constant dielectric ceramic composition in the same example.
【図3】同実施例における静電容量の温度特性カーブで
ある。FIG. 3 is a temperature characteristic curve of capacitance in the example.
【図4】同実施例における98・BaTiO3 −1・N
b2 O5 −NiO+CaZrO3 添加量別のキュリーポ
イント位置と、25℃における誘電率を示した図であ
る。FIG. 4 is 98 · BaTiO 3 −1 · N in the example.
and b 2 O 5 -NiO + CaZrO 3 added-amount Curie point position is a diagram showing the dielectric constant at 25 ° C..
【図5】同実施例における98・BaTiO3 −1・N
b2 O5 −1・NiO+CaZrO3 添加量別時の抗折
強度を示した図である。FIG. 5: 98 · BaTiO 3 −1 · N in the same Example
b is a diagram showing the 2 O 5 -1 · NiO + flexural strength of CaZrO 3 amount per time.
Claims (3)
量%含有してなることを特徴とする高誘電率誘電体磁器
組成物。As claimed in claim 1 main component, BaTiO 3: from 94.0 to 99.0 mol% Nb 2 O 5: 0.5 to 3.0 mol% NiO: against 0.5 to 3.0 mol%, as an additive, CaZrO 3 and 0.2 to 7.0 wt% A high-dielectric-constant dielectric ceramic composition, characterized by containing.
2 O3 、Sm2 O3 、の内、いずれか一種類を 0.7重量
%以下含有することを特徴とする請求項1記載の高誘電
率誘電体磁器組成物。2. The composition is provided with La 2 O 3 , Nd.
2. The high dielectric constant dielectric ceramic composition according to claim 1, which contains 0.7% by weight or less of any one of 2 O 3 and Sm 2 O 3 .
含有することを特徴とする請求項1記載の高誘電率誘電
体磁器組成物。3. The high dielectric constant dielectric ceramic composition according to claim 1, wherein the composition contains 0.3% by weight or less of MnO.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3212666A JPH0536308A (en) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | High permittivity dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3212666A JPH0536308A (en) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | High permittivity dielectric ceramic composition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0536308A true JPH0536308A (en) | 1993-02-12 |
Family
ID=16626394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3212666A Withdrawn JPH0536308A (en) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | High permittivity dielectric ceramic composition |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH0536308A (en) |
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US5646080A (en) * | 1995-11-20 | 1997-07-08 | Tam Ceramics, Inc. | Dielectric stable at high temperature |
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1991
- 1991-07-30 JP JP3212666A patent/JPH0536308A/en not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0589723A (en) * | 1991-09-26 | 1993-04-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | Dielectric porcelain composition |
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