JPH05343488A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JPH05343488A
JPH05343488A JP4171813A JP17181392A JPH05343488A JP H05343488 A JPH05343488 A JP H05343488A JP 4171813 A JP4171813 A JP 4171813A JP 17181392 A JP17181392 A JP 17181392A JP H05343488 A JPH05343488 A JP H05343488A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base substrate
wiring
pad
pattern
pads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4171813A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshikazu Yoshimizu
敏和 吉水
Hideo Azumai
秀夫 東井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MegaChips Corp
Original Assignee
MegaChips Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MegaChips Corp filed Critical MegaChips Corp
Priority to JP4171813A priority Critical patent/JPH05343488A/en
Priority to US08/013,845 priority patent/US5565767A/en
Publication of JPH05343488A publication Critical patent/JPH05343488A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To easily inspect a wiring pattern which is formed on a base substrate for a multichip module as one kind of semiconductor device. CONSTITUTION:Short-circuiting circuits 100a, 100b which are formed in the following manner are formed between a pad 8a and a pad 8c as well as between a pad 8b and the pad 8c for wiring patterns 9a, 10, 9b formed on a base substrate: the circuits are connection aggregates of wiring patterns which are connected electrically to the pads; they are cut after an inspection has been finished; and the wiring patterns 9a, 10, 9b are returned to interconnections which are electrically independent of each other. As a result, the number of parts to be probed is reduced largely, and a probe card can be former actually.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、マルチチップ・モジ
ュール(Multi chip Module:MCM)と呼ばれる半導体
装置における、ICを搭載する配線基板(以下、ベース
基板と称す)の改良に関するものであり、特にその検査
の簡略化を達成できるようにしたものに関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement of a wiring board (hereinafter referred to as a base board) on which an IC is mounted in a semiconductor device called a multi chip module (MCM). The present invention relates to the one that can achieve the simplification of the inspection.

【0002】[0002]

【従来の技術】マルチチップ・モジュールは同一のパッ
ケージの中にベアチップ、即ちパッケージングしない状
態のICチップをリードフレーム(プラスチックパッケ
ージの場合)やベース基板(セラミックパッケージの場
合)に複数搭載して直接実装するものであり、チップ自
体のパッケージが不要となるためインダクタンスとキャ
パシタンスが低減する。同時にその実装密度も向上する
ので、チップ間の配線が短くなり信号の伝搬遅延時間も
短くなる。従って、マルチチップ・モジュールを使用す
ることにより、CPUモジュールではボード実装方式で
は不可能であった100MHzでの動作も可能となると
いわれている。
2. Description of the Related Art A multi-chip module directly mounts a plurality of bare chips, that is, unpackaged IC chips on a lead frame (in the case of a plastic package) or a base substrate (in the case of a ceramic package) in the same package. Since it is mounted, the package of the chip itself is not required, so the inductance and capacitance are reduced. At the same time, the packaging density is also improved, so that the wiring between chips is shortened and the signal propagation delay time is also shortened. Therefore, it is said that the use of the multi-chip module enables the CPU module to operate at 100 MHz, which is not possible with the board mounting method.

【0003】なお、ワークステーションのCPUモジュ
ール等、高信頼性が要求されたり発熱対策を施す必要が
ある分野では、セラミックパッケージを使用するのが一
般的であり、低価格を意図した分野ではプラスチックパ
ッケージを使用するのが一般的である。
It should be noted that ceramic packages are generally used in fields where high reliability is required or heat generation countermeasures are required, such as CPU modules of workstations, and plastic packages are used in fields where low cost is intended. Is generally used.

【0004】図6はセラミックパッケージを使用するマ
ルチチップ・モジュールの一般的な構成を示す図であ
る。
FIG. 6 is a diagram showing a general structure of a multi-chip module using a ceramic package.

【0005】この図に示すように、マルチチップ・モジ
ュールは複数のICチップ3とこれを搭載する配線基板
であるベース基板2およびこのベース基板をそのキャビ
ティ部(凹部)1aに収容するパッケージ1より構成さ
れている。そしてそのICチップ3とベース基板2間の
接続にはAlワイヤ4等によるワイヤーボンディングや
フリップチップ等の実装方式が用いられる。
As shown in this figure, the multi-chip module comprises a plurality of IC chips 3, a base substrate 2 which is a wiring substrate on which the IC chips 3 are mounted, and a package 1 which houses the base substrate in its cavity (recess) 1a. It is configured. For the connection between the IC chip 3 and the base substrate 2, a wire bonding method such as an Al wire 4 or a mounting method such as a flip chip is used.

【0006】図7はベース基板2のパターンの一例を示
す。このベース基板のパターンは、ベース基板2とパッ
ケージ1間の接続用ボンディングパッド6と、IC3と
ベース基板2との間の接続用ボンディングパッド8と、
これらのパッド間を接続する配線パターン9とで構成さ
れている。
FIG. 7 shows an example of the pattern of the base substrate 2. The pattern of the base substrate includes bonding pads 6 for connection between the base substrate 2 and the package 1, bonding pads 8 for connection between the IC 3 and the base substrate 2,
The wiring pattern 9 connects these pads.

【0007】ベース基板2の配線は、図7にその一例を
示すようにベース基板2の基板上に、ベース基板2−パ
ッケージ1間用ボンディングパッド(以下、Aパッドと
称す)6とベース基板2−IC3間用ボンディングパッ
ド(以下、Bパッドと称す)8との間の配線9がなされ
ている。また、この図7に10としてその例を示すよう
に、Aパッド間,Bパッド間および各々複数パッド間等
の配線もある。
The wiring of the base substrate 2 is, as shown in an example in FIG. 7, on the substrate of the base substrate 2 a bonding pad 6 between the base substrate 2 and the package 1 (hereinafter referred to as A pad) 6 and the base substrate 2. Wiring 9 is formed between the IC-bonding pad (hereinafter, referred to as B pad) 8 for IC3. Further, as shown as an example in FIG. 7 as 10, there are wirings between the A pads, between the B pads, and between the plurality of pads.

【0008】そしてこのベース基板におけるIC3の搭
載位置を図7に破線7にて示している。ワイヤーボンデ
ィング方式による実装を行った場合、ボンディングパッ
ド6とパッケージ1のインナーリード,ボンディングパ
ッド8とIC3のボンディングパッドとが各々接続され
る。
The mounting position of the IC 3 on this base substrate is shown by a broken line 7 in FIG. When mounting is performed by the wire bonding method, the bonding pad 6 is connected to the inner lead of the package 1, and the bonding pad 8 is connected to the bonding pad of the IC 3.

【0009】次に、このベース基板2の断面構造の一例
を図8に示す。ベース基板はシリコン、セラミック等か
らなる基板本体11上にSiO2 ,Si3 4 ,ポリイ
ミド等をその材質とする絶縁膜12を形成し、その上に
配線膜およびパターン形成を行い、Al,Cu,Cr等
の第1配線層13を形成する。さらに、ポリイミドやS
iO2 等からなる層間絶縁膜14の形成をコンタクトホ
ールとともに行い、以下同様にして、配線層,層間絶縁
膜を交互に複数層形成し、最後に保護膜18の形成をボ
ンディングパッドの開口とともに行う。
Next, an example of the cross-sectional structure of the base substrate 2 is shown in FIG. As the base substrate, an insulating film 12 made of SiO 2 , Si 3 N 4 , polyimide or the like is formed on a substrate body 11 made of silicon, ceramic or the like, and a wiring film and a pattern are formed on the insulating film 12 to form Al, Cu. , Cr, etc., the first wiring layer 13 is formed. Furthermore, polyimide and S
The interlayer insulating film 14 of iO 2 or the like is formed together with the contact hole, and thereafter, a plurality of wiring layers and interlayer insulating films are alternately formed, and finally the protective film 18 is formed together with the opening of the bonding pad. ..

【0010】そして完成したベース基板5を検査するに
は、図9に示すように、配線の断線,配線間のショート
および配線に付随する容量,配線抵抗等を検出すればよ
く、このためには、ベース基板−パッケージ間接続用ボ
ンディングパッド(Aパッド)6およびベース基板−I
Cチップ接続間用ボンディングパッド(Bパッド)8の
両者にプローブカードの針43,44等を接触させ、そ
の電気的な検査を行えばよい。
Then, in order to inspect the completed base substrate 5, as shown in FIG. 9, it is sufficient to detect disconnection of wiring, short circuit between wirings, capacitance accompanying wiring, wiring resistance and the like. , Base substrate-package bonding pad (A pad) 6 and base substrate-I
The needles 43 and 44 of the probe card may be brought into contact with both of the bonding pads (B pad) 8 for connecting the C chips, and the electrical inspection may be performed.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従来のマルチチップ・
モジュールのベース基板は以上のように構成されてお
り、ベース基板内の配線の検査を行う際、ベース基板−
パッケージ間接続用ボンディングパッド(Aパッド)お
よびベース基板−ICチップ間接続用ボンディングパッ
ド(Bパッド)の両者にプローブカードの針を接触させ
て電気検査を行う必要があった。
[Problems to be Solved by the Invention]
The base board of the module is configured as described above, and when inspecting the wiring inside the base board,
It was necessary to bring the needle of the probe card into contact with both the bonding pad (A pad) for connecting between packages and the bonding pad (B pad) for connecting between the base substrate and the IC chip to perform the electrical inspection.

【0012】ところで、例えば32ビットRISC(Red
uced Instruction Set Computer)CPUを1チップ、F
PU(Floating Point Processing Unit)を1チップ、キ
ャッシュメモリを4チップ搭載したマルチチップ・モジ
ュールの場合、そのベース基板は外周部パッド(Aパッ
ド)が例えば250パッド、チップ搭載接続用パッド
(Bパッド)が、CPUに例えば180パッド、FPU
に例えば80パッド、各キャッシュメモリに例えば40
パッド、即ち4チップで160パッド必要であり、計4
20パッドが必要となる。従って、ベース基板全体では
例えば670パッドものパッドが必要となる。
By the way, for example, a 32-bit RISC (Red
uced Instruction Set Computer) CPU 1 chip, F
In the case of a multi-chip module in which a PU (Floating Point Processing Unit) is mounted on one chip and a cache memory is mounted on four chips, its base substrate has an outer peripheral pad (A pad) of, for example, 250 pads and a chip mounting connection pad (B pad). However, the CPU has, for example, 180 pads, FPU
For example, 80 pads, and each cache memory has, for example, 40 pads
Pads, that is, 160 chips with 4 chips, total 4
20 pads are required. Therefore, as many as 670 pads are required for the entire base substrate.

【0013】このため、このパッド数全部を一括でプロ
ービングするような、プローブカードは必然的に多ピン
となり、また、プローブカードが単に多ピンであるとい
うだけでなく、基板の外周部のAパッドのみならず基板
の内側にもBパッドが存在するため、人手作業に依存す
るプローブカードの作成が極めて困難となっていた。
For this reason, the probe card, which is probing all the pads at once, necessarily has a large number of pins. Further, not only the probe card has a large number of pins but also the A pad on the outer peripheral portion of the substrate. Not only that, but the B pad also exists inside the substrate, making it extremely difficult to make a probe card that depends on manual work.

【0014】また、仮りにこのようなプローブカードを
実際に作成できたとしても、それは非常に高価なものに
なってしまい、結果的にマルチチップ・モジュールのコ
ストアップにつながってしまうという問題があった。
Further, even if such a probe card could be actually manufactured, it would be very expensive, resulting in an increase in cost of the multichip module. It was

【0015】また、検査の際、ボンディングパッドに異
物が付着している等によりプローブカードとボンディン
グパッド間の接触不良の問題の発生確率が、多ピンであ
るがゆえに高くなるという問題があった。
In addition, at the time of inspection, there is a problem that the probability of occurrence of the problem of contact failure between the probe card and the bonding pad due to foreign matter adhering to the bonding pad is high due to the large number of pins.

【0016】また、検査を行なうテスタについても、全
パッドを検査するため多くの時間を必要とし、これもコ
ストアップの要因になる。
Also, as for the tester to be inspected, it takes a lot of time to inspect all pads, which also causes a cost increase.

【0017】また、全ピンを一括してプロービングする
のではなく、一部のパッドについてのみプロービングを
行なうプローブカードを複数作成した場合にも、プロー
ブカードが複数必要になることからコストが上昇するの
みならず、検査機へのプローブカードの装着を1つのマ
ルチチップ・モジュールの検査において複数回行う必要
があったり、検査機を複数台必要としたりするため、コ
ストアップや作業の煩雑さを招いていた。
Further, when a plurality of probe cards for probing only some of the pads are created instead of probing all the pins at once, a plurality of probe cards are required, resulting in an increase in cost. Not only that, it is necessary to attach the probe card to the inspection machine a plurality of times in the inspection of one multi-chip module, or multiple inspection machines are required, resulting in increased costs and complicated operations. It was

【0018】この発明は、上記のような従来のものの問
題点を解決するためになされたもので、ベース基板の電
気検査の際、プローブカードのピン数を減少でき、これ
により、プローブカードとボンディングパッド間の接触
不良の確率をできるだけ小さくすることができ、良品を
不良と誤判定する確率を大幅に低減でき、しかもプロー
ブカードを安価に提供可能なマルチチップ・モジュール
のベース基板を得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the conventional ones, and the number of pins of the probe card can be reduced during the electrical inspection of the base substrate. The objective is to obtain the base substrate of a multi-chip module that can minimize the probability of contact failure between pads, significantly reduce the probability of erroneously determining non-defective products as defective, and provide probe cards at low cost. And

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】この発明に係るマルチチ
ップ・モジュールのベース基板は、ベース基板に形成さ
れた複数の配線パターンを、相互に電気的に接続された
配線パターンのつながりの集合とし、かつベース基板検
査後に切断される短絡回路を設けるようにしたものであ
る。
A base substrate of a multi-chip module according to the present invention has a plurality of wiring patterns formed on the base substrate as a set of connected wiring patterns electrically connected to each other. In addition, a short circuit that is cut off after the inspection of the base substrate is provided.

【0020】[0020]

【作用】この発明においては、上述のように、ベース基
板に形成された複数の配線パターンを、相互に電気的に
接続された配線パターンのつながりの集合とし、かつベ
ース基板検査後に切断されることにより各配線パターン
のつながりを電気的に独立した本来の配線パターンに戻
す短絡回路を設けるようにしたので、配線パターンのつ
ながりを1つの単位としてこれを試験できるようにな
り、プローブカードのピン数が大幅に減少する。
According to the present invention, as described above, the plurality of wiring patterns formed on the base substrate are set as a set of connection of the wiring patterns electrically connected to each other, and are cut after the inspection of the base substrate. As a result, a short circuit that returns the connection of each wiring pattern to the original wiring pattern that is electrically independent is provided, so that it becomes possible to test this with the connection of the wiring patterns as one unit, and the number of pins of the probe card Greatly reduced.

【0021】[0021]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0022】図1はこの発明の一実施例によるマルチチ
ップ・モジュールのベース基板を示すものであり、特に
その配線パターンとこの実施例で付加した短絡回路とを
示すものである。
FIG. 1 shows a base substrate of a multichip module according to one embodiment of the present invention, and particularly shows its wiring pattern and the short circuit added in this embodiment.

【0023】また、図2は図1の短絡回路中に設けられ
るヒューズパターンを示し、図3はこのヒューズパター
ンが形成された配線層を保護する保護膜に形成される開
口を、図4は図1の配線パターンにおいて本来プロービ
ングすべき箇所を、図5は本実施例によるベース基板に
おいてプロービングすべき箇所をそれぞれ示す。
FIG. 2 shows a fuse pattern provided in the short circuit of FIG. 1, FIG. 3 shows an opening formed in a protective film for protecting the wiring layer in which the fuse pattern is formed, and FIG. FIG. 5 shows a portion of the wiring pattern 1 to be originally probed, and FIG. 5 shows a portion of the base substrate according to the present embodiment to be probed.

【0024】この図1ないし図5において、6a,6b
はベース基板の外周部に設けられ、ベース基板とパッケ
ージ間を接続するためのAパッド、8a,8b,8c,
8dはベース基板の半導体チップ搭載領域に設けられ、
ベース基板とICチップ間を接続するためのBパッド、
9a,9bはAパッド6a,6bとBパッド8a,8b
間を電気的に接続する配線パターン、10はBパッド8
c,8d同士を電気的に接続する配線パターン、100
a,100bは配線パターン9aと配線パターン10と
配線パターン9bとを相互に電気的に接続された配線の
つながりとし、検査終了後に切断されて配線パターン9
aと配線パターン10と配線パターン9bとを相互に電
気的に分離された配線に戻す短絡回路である。
1 to 5, 6a and 6b
Are provided on the outer periphery of the base substrate, and are A pads, 8a, 8b, 8c, for connecting between the base substrate and the package.
8d is provided in the semiconductor chip mounting area of the base substrate,
B pad for connecting between the base substrate and the IC chip,
9a and 9b are A pads 6a and 6b and B pads 8a and 8b.
Wiring pattern for electrically connecting the two, 10 is a B pad 8
a wiring pattern for electrically connecting c and 8d to each other, 100
Reference characters a and 100b are wiring patterns 9a, 10 and 10 which are electrically connected to each other. The wiring patterns 9a and 100b are cut after the inspection is completed.
It is a short circuit for returning a, the wiring pattern 10, and the wiring pattern 9b to wirings electrically separated from each other.

【0025】図1に示すように、この実施例におけるマ
ルチチップ・モジュールのベース基板のパターンは例え
ばAパッド−Bパッド間の配線パターンとBパッド同士
の間の配線パターンがある。そして、この配線パターン
間に短絡回路を設け、配線パターン同士を短絡させる。
As shown in FIG. 1, the pattern of the base substrate of the multichip module in this embodiment includes, for example, a wiring pattern between A pad and B pad and a wiring pattern between B pads. Then, a short circuit is provided between the wiring patterns to short-circuit the wiring patterns.

【0026】そして、この短絡回路に設けるヒューズパ
ターンはそのどの部分に設けてもよい。
The fuse pattern provided in this short circuit may be provided in any part thereof.

【0027】このヒューズパターンとしては、ベース基
板の検査後、レーザー等の方法により容易に切断できる
ように、図2に示すような、パターン巾の細い部分を配
線パターンに設ける。
As the fuse pattern, a portion having a narrow pattern width as shown in FIG. 2 is provided in the wiring pattern so that it can be easily cut by a method such as a laser after the inspection of the base substrate.

【0028】そしてこのヒューズパターンは、検査後切
断作業が容易に行えるように近接した位置にレイアウト
するのが効果的である。
It is effective that the fuse patterns are laid out at positions close to each other so that the cutting operation can be easily performed after the inspection.

【0029】また、このヒューズパターンの上層のパッ
シベーション膜にはその切断のための開口を設ける必要
があるが、この開口は、信頼性の観点から、図3のよう
にその切断する部分のみに設けるようにする。
Further, it is necessary to provide an opening for cutting the passivation film in the upper layer of the fuse pattern, but from the viewpoint of reliability, this opening is provided only in the cut portion as shown in FIG. To do so.

【0030】なお、ベース基板が複数の配線層および複
数の絶縁層で構成されている場合は、最上の配線層にヒ
ューズを形成し、さらにその上の保護層にヒューズ開口
パターンを設ける。
When the base substrate is composed of a plurality of wiring layers and a plurality of insulating layers, a fuse is formed on the uppermost wiring layer, and a fuse opening pattern is provided on the protective layer thereabove.

【0031】また、最上配線層以外の配線層にヒューズ
を形成する場合、当該ヒューズを形成する配線層の上層
の絶縁層及び保護層に開口を設ける必要がある。
Further, when forming a fuse in a wiring layer other than the uppermost wiring layer, it is necessary to provide an opening in the insulating layer and the protective layer above the wiring layer in which the fuse is formed.

【0032】さらに、本実施例のヒューズ回路を設ける
のが有効なのは、Bパッドのパッド数が多い、もしくは
パッドピッチ寸法が小さいチップ用の場合であり、かつ
この事情は、同一チップ内においても同じであり、例え
ばパッドピッチ寸法が小さい部分のみに限って適用する
のが望ましい場合もある。
Further, it is effective to provide the fuse circuit of the present embodiment for a chip having a large number of B pads or a small pad pitch size, and this situation is the same even in the same chip. In some cases, it may be desirable to apply the method only to a portion having a small pad pitch dimension.

【0033】次に作用,効果について説明する。この実
施例においては、上述のように装置を構成したことによ
り、図4の回路の場合、本来プローブ21〜26の6本
のプロービングを行う必要があるが、図5のように短絡
回路100a,100bを設けた場合は、プローブ2
7,28の2本のプローブを行うのみで回路の検査を行
うことができる。
Next, the operation and effect will be described. In this embodiment, since the apparatus is configured as described above, in the case of the circuit of FIG. 4, it is originally necessary to perform probing of the six probes 21 to 26, but as shown in FIG. 5, the short circuit 100a, When 100b is provided, the probe 2
The circuit can be inspected only by performing two probes of 7, 28.

【0034】即ち、パターンに断線欠陥がある場合、そ
れがパターン9a,10,9bのどこにあってもこれを
検出することが可能である。
That is, if the pattern has a disconnection defect, it can be detected regardless of where the pattern 9a, 10, 9b is.

【0035】また、パターンにショート欠陥がある場
合、パターン9a,10,9bのつながりと、これとは
別のパターンのつながり部との間でそのショート欠陥を
検出することが可能である。
When the pattern has a short defect, it is possible to detect the short defect between the connection of the patterns 9a, 10 and 9b and the connection of another pattern.

【0036】この場合、パターン1〜3相互間のショー
ト欠陥がないようにするために、各々できるだけ離れた
パターンを短絡回路により接続する必要がある。
In this case, in order to prevent short-circuit defects between the patterns 1 to 3, it is necessary to connect the patterns as far apart as possible by a short circuit.

【0037】そして、ベース基板の検査後、短絡回路1
00a,100bに設けられたヒューズ部を切断するこ
とにより当初の希望の回路とすることができる。
After the inspection of the base substrate, the short circuit 1
The initial desired circuit can be obtained by cutting the fuse portions provided in 00a and 100b.

【0038】このように、上記実施例によれば、ベース
基板上に形成された複数の配線パターンを、相互に電気
的に接続された配線パターンのつながりの集合とし、か
つベース基板検査後に切断されることにより各配線パタ
ーンを電気的に独立した本来の配線パターンに戻す短絡
回路を設けるようにしたので、従来技術においては、ベ
ース基板上のパッド全パッドにプローブを当てて検査す
る必要があったのが、本実施例ではそのプロービングす
るパッドの数を大幅に減らすことが可能となる。
As described above, according to the above-described embodiment, the plurality of wiring patterns formed on the base substrate are set as a set of connection of the wiring patterns electrically connected to each other, and are cut after the inspection of the base substrate. By doing so, a short circuit for returning each wiring pattern to an electrically independent original wiring pattern is provided, so in the prior art, it was necessary to inspect by applying probes to all pads on the base substrate. However, in this embodiment, it is possible to greatly reduce the number of pads to be probed.

【0039】このことにより、例えば、Aパッド250
ピン、Bパッド420ピン程度のマルチチップ・モジュ
ールでは、これらを一括でプロービングするプローブカ
ードの作成は現実的には無理であったが、プロービング
するピン数を減らせることにより、プローブカードを実
際に作成することが可能となり、テスタの簡素化、テス
トプログラムの簡素化が可能となり、テスタのテスト時
間が大幅に短縮され、テストコストの上昇を回避できる
とともに煩雑な作業が不要となり、その検査が極めて容
易となる。
As a result, for example, the A pad 250
With a multi-chip module with about 420 pins and B pads, it was not possible to create a probe card for probing them all at once, but by actually reducing the number of pins for probing It is possible to create the tester, the tester can be simplified, the test program can be simplified, the tester's test time can be greatly shortened, the increase of the test cost can be avoided, and the complicated work is not required. It will be easy.

【0040】また、プロービングするピン数を減らせる
ことにより、プロービング時に発生するプローブ接触不
良による誤検査の確率を小さくすることが可能となる。
Further, by reducing the number of pins to be probed, it is possible to reduce the probability of erroneous inspection due to probe contact failure that occurs during probing.

【0041】さらに、短絡回路により接続する配線パタ
ーンは、これを相互に並行(隣接)する箇所がないよう
に選択することにより、配線パターンのつながり同士の
ショートチェックも可能となる。
Further, by selecting the wiring patterns connected by the short circuit so that there are no places parallel to (adjacent to) each other, it is possible to check the short circuit between the connection of the wiring patterns.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上のように、この発明に係るマルチチ
ップ・モジュールのベース基板によれば、ベース基板に
形成された複数の配線パターンを、相互に電気的に接続
された配線パターンのつながりの集合とし、かつその検
査後において切断される短絡回路を設けるようにしたの
で、複数の配線パターンを、相互に電気的に接続された
配線パターンのつながりとみなしてこれを試験できるよ
うになり、プローブカードのピン数を減少でき、これに
より、プローブカードとボンディングパッド間の接触不
良の確率をできるだけ小さくすることができるととも
に、プローブカードを安価に提供できる効果がある。
As described above, according to the base substrate of the multi-chip module according to the present invention, a plurality of wiring patterns formed on the base substrate are connected to each other to connect the wiring patterns electrically connected to each other. Since a short circuit that is disconnected after the inspection is provided as a set, it becomes possible to consider multiple wiring patterns as a connection of wiring patterns electrically connected to each other, and to test this, Since the number of pins of the card can be reduced, the probability of contact failure between the probe card and the bonding pad can be minimized, and the probe card can be provided at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例によるマルチチップ・モジ
ュールのベース基板の配線パターンおよび短絡回路を示
す図。
FIG. 1 is a diagram showing a wiring pattern and a short circuit of a base substrate of a multichip module according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の短絡回路に設けるヒューズパターンを示
す図。
FIG. 2 is a diagram showing a fuse pattern provided in the short circuit of FIG.

【図3】図2のヒューズパターンが形成された配線層を
保護する保護膜に形成される開口を示す図。
FIG. 3 is a view showing an opening formed in a protective film for protecting the wiring layer on which the fuse pattern of FIG. 2 is formed.

【図4】図1の配線パターンにおいて本来プロービング
すべき箇所を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a portion that should originally be probed in the wiring pattern shown in FIG. 1;

【図5】図1の本実施例によるベース基板においてプロ
ービングすべき箇所を示す図。
5 is a view showing a portion to be probed in the base substrate according to the present embodiment of FIG.

【図6】セラミックパッケージを使用するマルチチップ
・モジュールの一般的な構成を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing a general configuration of a multi-chip module using a ceramic package.

【図7】図6のベース基板のパターンの一例を示す図。7 is a diagram showing an example of a pattern of the base substrate of FIG.

【図8】図6のベース基板の断面構造の一例を示す図。8 is a diagram showing an example of a cross-sectional structure of the base substrate of FIG.

【図9】従来のベース基板の配線の検査方法を示す図。FIG. 9 is a diagram showing a conventional wiring inspection method for a base substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パッケージ 2 ベース基板 3 ICチップ 4 Alワイヤ 6, 6a,6b Aパッド 8,8a,8b,8c,8d Bパッド 9,9a,9b 配線パターン 10 配線パターン 21,22,23,24,25,26,27,28 プ
ローブ 100a,100b 短絡回路
1 Package 2 Base board 3 IC chip 4 Al wire 6, 6a, 6b A pad 8, 8a, 8b, 8c, 8d B pad 9, 9a, 9b Wiring pattern 10 Wiring pattern 21, 22, 23, 24, 25, 26 , 27, 28 probe 100a, 100b short circuit

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成5年5月21日[Submission date] May 21, 1993

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】発明の名称[Name of item to be amended] Title of invention

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【発明の名称】 半導体装置Title: Semiconductor device

【手続補正3】[Procedure amendment 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Name of item to be amended] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【特許請求の範囲】[Claims]

【手続補正4】[Procedure correction 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0001[Correction target item name] 0001

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、マルチチップ・モジ
ュール(Multi chip Module:MCM)と呼ばれる半導体
装置において、ICを搭載する配線基板(以下、ベース
基板と称す)であるところの半導体装置の改良に関する
ものであり、特にその検査の簡略化を達成できるように
したものに関するものである。
FIELD OF THE INVENTION This invention relates to a multi-chip module: In have you in the semiconductor device called a (Multi chip Module MCM), wiring substrate for mounting the IC (hereinafter referred to as the base substrate) and is the place of the semiconductor device The present invention relates to an improvement of the above method, and more particularly, to an improvement of the inspection.

【手続補正5】[Procedure amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0019[Name of item to be corrected] 0019

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
は、ベース基板に形成された複数の配線パターンを、
相互に電気的に接続された配線パターンのつながりの集
合とし、かつベース基板検査後に切断される短絡回路を
設けるようにしたものである。
A semiconductor device according to the present invention.
Places multiple wiring patterns formed on the base substrate,
This is a set of interconnected wiring patterns that are electrically connected to each other, and a short circuit that is cut after the inspection of the base substrate is provided.

【手続補正6】[Procedure Amendment 6]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0022[Name of item to be corrected] 0022

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0022】図1はこの発明の一実施例による半導体装
置であるところのマルチチップ・モジュールのベース基
板を示すものであり、特にその配線パターンとこの実施
例で付加した短絡回路とを示すものである。
FIG. 1 shows a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
1 shows a base substrate of a multi-chip module, which is a device, and in particular shows its wiring pattern and the short circuit added in this embodiment.

【手続補正7】[Procedure Amendment 7]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0042[Correction target item name] 0042

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0042】[0042]

【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体装
によれば、ベース基板に形成された複数の配線パター
ンを、相互に電気的に接続された配線パターンのつなが
りの集合とし、かつその検査後において切断される短絡
回路を設けるようにしたので、複数の配線パターンを、
相互に電気的に接続された配線パターンのつながりとみ
なしてこれを試験できるようになり、プローブカードの
ピン数を減少でき、これにより、プローブカードとボン
ディングパッド間の接触不良の確率をできるだけ小さく
することができるとともに、プローブカードを安価に提
供できる効果がある。
As described above, the semiconductor device according to the present invention is used.
According to the arrangement , the plurality of wiring patterns formed on the base substrate is a set of connected wiring patterns electrically connected to each other, and a short circuit that is cut after the inspection is provided. Multiple wiring patterns
This makes it possible to test this by considering it as a connection of wiring patterns electrically connected to each other, and it is possible to reduce the number of pins of the probe card, thereby minimizing the probability of contact failure between the probe card and the bonding pad. It is possible to provide the probe card at low cost.

【手続補正8】[Procedure Amendment 8]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief explanation of the drawing

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例による半導体装置であると
ころのマルチチップ・モジュールのベース基板の配線パ
ターンおよび短絡回路を示す図。
FIG. 1 shows a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
The figure which shows the wiring pattern and short circuit of the base substrate of the multi-chip module of the roller .

【図2】図1の短絡回路に設けるヒューズパターンを示
す図。
FIG. 2 is a diagram showing a fuse pattern provided in the short circuit of FIG.

【図3】図2のヒューズパターンが形成された配線層を
保護する保護膜に形成される開口を示す図。
FIG. 3 is a view showing an opening formed in a protective film for protecting the wiring layer on which the fuse pattern of FIG. 2 is formed.

【図4】図1の配線パターンにおいて本来プロービング
すべき箇所を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a portion that should originally be probed in the wiring pattern of FIG. 1;

【図5】図1の本実施例による半導体装置であるところ
ベース基板においてプロービングすべき箇所を示す
図。
5 shows a semiconductor device according to this embodiment of FIG.
FIG. 6 is a diagram showing a portion to be probed on the base substrate of FIG.

【図6】セラミックパッケージを使用するマルチチップ
・モジュールの一般的な構成を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing a general configuration of a multi-chip module using a ceramic package.

【図7】図6のベース基板のパターンの一例を示す図。7 is a diagram showing an example of a pattern of the base substrate of FIG.

【図8】図6のベース基板の断面構造の一例を示す図。8 is a diagram showing an example of a cross-sectional structure of the base substrate of FIG.

【図9】従来のベース基板の配線の検査方法を示す図。FIG. 9 is a diagram showing a conventional wiring inspection method for a base substrate.

【符号の説明】 1 パッケージ 2 ベース基板 3 ICチップ 4 Alワイヤ 6, 6a,6b Aパッド 8,8a,8b,8c,8d Bパッド 9,9a,9b 配線パターン 10 配線パターン 21,22,23,24,25,26,27,28 プ
ローブ 100a,100b 短絡回路
[Explanation of reference numerals] 1 package 2 base substrate 3 IC chip 4 Al wire 6, 6a, 6b A pad 8, 8a, 8b, 8c, 8d B pad 9, 9a, 9b Wiring pattern 10 Wiring pattern 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28 probe 100a, 100b short circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パッケージに封入しない状態の複数の半
導体集積回路チップ(以下、ICチップと称す)を同一
パッケージ内に搭載してなるマルチチップ・モジュール
の、ICチップを搭載するベース基板において、 上記ベース基板に形成された複数の配線パターンを、相
互に電気的に接続された配線パターンのつながりの集合
とし、かつその検査後において切断される短絡回路を設
けたことを特徴とするマルチチップ・モジュールのベー
ス基板。
1. A base substrate on which an IC chip is mounted in a multi-chip module in which a plurality of semiconductor integrated circuit chips (hereinafter referred to as IC chips) that are not encapsulated in a package are mounted in the same package. A multi-chip module characterized in that a plurality of wiring patterns formed on a base substrate are a set of connection of wiring patterns electrically connected to each other, and a short circuit that is cut after the inspection is provided. Base substrate.
JP4171813A 1992-04-16 1992-06-05 Semiconductor device Pending JPH05343488A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4171813A JPH05343488A (en) 1992-06-05 1992-06-05 Semiconductor device
US08/013,845 US5565767A (en) 1992-04-16 1993-02-05 Base substrate of multichip module and method for inspecting the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4171813A JPH05343488A (en) 1992-06-05 1992-06-05 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05343488A true JPH05343488A (en) 1993-12-24

Family

ID=15930209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4171813A Pending JPH05343488A (en) 1992-04-16 1992-06-05 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05343488A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006352569A (en) * 2005-06-16 2006-12-28 Murata Mfg Co Ltd Pll circuit device
CN113097094A (en) * 2021-04-29 2021-07-09 云谷(固安)科技有限公司 Substrate to be cut, display panel and preparation method of display panel

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006352569A (en) * 2005-06-16 2006-12-28 Murata Mfg Co Ltd Pll circuit device
CN113097094A (en) * 2021-04-29 2021-07-09 云谷(固安)科技有限公司 Substrate to be cut, display panel and preparation method of display panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6727722B2 (en) Process of testing a semiconductor wafer of IC dies
JP3103013B2 (en) Multi-chip module with integrated test circuit and method of manufacturing the same
US5489538A (en) Method of die burn-in
US5691570A (en) Integrated circuits having patterns of mirror images and packages incorporating the same
US6448783B1 (en) Method of inspecting semiconductor chip with projecting electrodes for defects
JP2007501522A (en) Integrated circuit having inspection pad structure and inspection method
JPH09139471A (en) Auxiliary pad for on-circuit-array probing
US7362093B2 (en) IC selectively connecting logic and bypass conductors between opposing pads
JP2005286266A (en) Semiconductor device, its inspection method and manufacturing method
US5565767A (en) Base substrate of multichip module and method for inspecting the same
JPH05343489A (en) Semiconductor device
JPH05343488A (en) Semiconductor device
US6987382B1 (en) System with functional and selector circuits connected by mode lead
TW455978B (en) Method for testing wafers
US20030094966A1 (en) Method for testing electrical characteristics of bumps
JP3163903B2 (en) Inspection parts for multi-chip module substrates
CN118299284A (en) Packaging test method utilizing wafer corner area
CN118299368A (en) 2.5D packaging test integrated circuit, test method and packaging method
KR20130016765A (en) Electric connecting apparatus for testing electric characteristic of a semiconductor device having thin film resistor and manufacturing method thereof
JP4098976B2 (en) Multi-chip module and inter-chip connection test method
JP4014813B2 (en) Semiconductor wafer and inspection method thereof
Moore et al. Improved reliability in small multichip ball grid arrays
JPH0643219A (en) Semiconductor device and its inspecting method
JPH05136243A (en) Aging test pattern-provided semiconductor wafer
JPH07111282A (en) Semiconductor chip and integrated circuit device using said semiconductor chip