JPH05341013A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH05341013A
JPH05341013A JP4153425A JP15342592A JPH05341013A JP H05341013 A JPH05341013 A JP H05341013A JP 4153425 A JP4153425 A JP 4153425A JP 15342592 A JP15342592 A JP 15342592A JP H05341013 A JPH05341013 A JP H05341013A
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supply
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Kazuhiko Ohashi
一彦 大橋
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Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor integrated circuit which is capable of enhancing the circuit evaluation efficiency in its reliability test. CONSTITUTION:A semiconductor integrated circuit concerned includes at least one failure sensing means 1-1 through 1-n to sense a specified type of failure and a clock stopping means 3 which fixes to H or L the level of a clock pulse CLK supplied to the whole or a part of the integrated circuit on the basis of the sensing result given by the said means and stops the supply. The clock stopping means 3 resumes supply of the clock pulse CKK to the whole or part of the integrated circuit in conformity to a reset signal RST given from inside and outside of the integrated circuit.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に信頼性評価等の試験効率を向上させた半導体集積回
路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor integrated circuit,
In particular, the present invention relates to a semiconductor integrated circuit with improved test efficiency such as reliability evaluation.

【0002】[0002]

【従来の技術】マイクロプロセッサ、メモリ等の半導体
集積回路(以下、LSIと略記する)を製品化する場
合、信頼性テストを行なう。この信頼性テストは、更に
複数のテストで構成されており、その1つとして寿命テ
ストがある。この寿命テストは、ユーザがLSIを推奨
条件で使用したとき、一定期間(通常は、10年程度)
正常に動作することを保証するテストである。実際に寿
命テストを10年間続けることは困難であるため、電源
電圧、動作温度等を推奨条件より厳しいワースト条件
(高電圧、高温度)に設定し、LSIの劣化を加速して
短期間(通常は、2000時間程度)のテストを行な
う。具低的に、寿命テストは高温のオーブン内で、高電
源電圧を加えてLSIを動作させて行なわれる。
2. Description of the Related Art When a semiconductor integrated circuit (hereinafter abbreviated as LSI) such as a microprocessor and a memory is commercialized, a reliability test is conducted. This reliability test is further composed of a plurality of tests, one of which is a life test. This life test is for a certain period (usually about 10 years) when the user uses the LSI under the recommended conditions.
It is a test that guarantees normal operation. Since it is difficult to actually carry out the life test for 10 years, set the power supply voltage, operating temperature, etc. to the worst conditions (high voltage, high temperature) that are stricter than the recommended conditions, accelerate the deterioration of the LSI, and accelerate it for a short period (usually Test for about 2000 hours). Briefly, the life test is performed by operating the LSI in a high temperature oven by applying a high power supply voltage.

【0003】図4に、寿命テストに使用する治具構成図
を示す。同図において、試験装置は、寿命テストを行な
う被験LSI61(以下、単にDUT(Device Under T
est)と略す)を挿入するラックと、DUT61に印加
するクロックパルスやテストパターンを発生させるパタ
ーンジェネレータ53と、DUT61に供給する電源5
1とから構成されている。尚、図示していないが、DU
T61の初期評価、中間(ラップ)評価、最終評価を行
なうためのLSIテスタが必要である。
FIG. 4 shows a jig configuration diagram used for a life test. In the figure, the test device is a test LSI 61 (hereinafter, simply referred to as DUT (Device Under T
est)), a pattern generator 53 that generates a clock pulse or a test pattern to be applied to the DUT 61, and a power supply 5 that supplies the DUT 61.
1 and 1. Although not shown, the DU
An LSI tester for performing initial evaluation, intermediate (lap) evaluation, and final evaluation of T61 is required.

【0004】ところで、通常、LSIの故障は、初期故
障、偶発的故障、磨耗故障の3種類に分類できる。つま
り、一般的に、時間を横軸に取ったときの故障発生率
は、図8に示すようなバスタブ状の曲線となるが、時間
と共に次第に減少する初期故障期、経時的に一定の故障
率パターンに従う偶発的故障期、疲労、磨耗、腐食等に
よる破壊、劣化現象に伴って故障率が上昇する磨耗故障
期の3つに時間的に分類され、それぞれの期間に発生す
る故障として分類されている。
By the way, usually, LSI failures can be classified into three types: initial failures, accidental failures, and wear failures. That is, in general, the failure occurrence rate when time is plotted on the horizontal axis is a bathtub-shaped curve as shown in FIG. 8, but the initial failure period gradually decreases with time, and the failure rate is constant over time. It is categorized into three types: accidental failure period according to pattern, damage due to fatigue, wear, corrosion, etc. There is.

【0005】寿命テストの目的は、図8に示すようなバ
スタブ状の故障曲線を描くことにより、LSIの寿命を
予測する、即ち、初期故障がなくなるまでの時間、並び
に磨耗故障が発生するまでの時間を予測することにあ
る。従って、この故障曲線を正確に描こうとすれば、大
量のサンプル、複数のラップ測定が必要になる。
The purpose of the life test is to predict the life of the LSI by drawing a bathtub-like failure curve as shown in FIG. 8, that is, the time until the initial failure disappears and the wear failure occurs. To predict the time. Therefore, in order to accurately draw this failure curve, a large number of samples and multiple lap measurements are required.

【0006】従来の寿命テストの処理手順について、図
9に示すフローチャートを用いて説明する。尚、ここで
は、合計2000時間の評価を行ない、ラップ測定を1
68時間、500時間、並びに1000時間経過した時
点で行なうものとする。
The processing procedure of the conventional life test will be described with reference to the flowchart shown in FIG. It should be noted that here, a total of 2000 hours was evaluated and the lap measurement was 1
It shall be performed when 68 hours, 500 hours, and 1000 hours have passed.

【0007】先ず初めに、全DUTをLSIテスタにて
評価し、全てが良品サンプルであることを確認する(ス
テップS11)。次に、そのサンプルを高温のオーブン
内に入れ、入力にクロックパルス及びテストパターンを
印加しながら、高電源電圧で動作させる(ステップS1
2)。168時間経過した時点で全DUTをオーブンか
ら取り出してLSIテスタを使用して評価を行なう(ス
テップS13)。ここで不良品は不良解析を行ない、良
品のみ、再び高温のオーブン内に入れ、同様にして、5
00時間経過後のラップ評価(ステップS14及びS1
5)、1000時間経過後のラップ評価(ステップS1
6及びS17)、並びに2000時間後の最終評価(ス
テップS18及びS19)を行なう。
First, all DUTs are evaluated by an LSI tester to confirm that all are good samples (step S11). Next, the sample is placed in a high-temperature oven and operated at a high power supply voltage while applying a clock pulse and a test pattern to the input (step S1).
2). When 168 hours have passed, all DUTs are taken out of the oven and evaluated using the LSI tester (step S13). Here, the defective products are analyzed for defects, and only the non-defective products are put in the high temperature oven again, and 5
Lap evaluation after lapse of 00 hours (steps S14 and S1
5), lap evaluation after 1000 hours (step S1
6 and S17) and the final evaluation after 2000 hours (steps S18 and S19).

【0008】また、従来のLSIには、パリティエラー
チェッカーやセルフテスト回路が組み込まれており、L
SIを構成する回路毎に正常/異常の判断ができるよう
になっている。
Further, the conventional LSI incorporates a parity error checker and a self-test circuit, and
It is possible to judge whether each circuit constituting the SI is normal or abnormal.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従って、従来の半導体
集積回路では、正確なバスタブ状の故障曲線を描くため
に、大量のサンプルに対して、多くのラップ評価を行わ
なければならず、評価の効率を低下させてしまうという
問題があった。
Therefore, in the conventional semiconductor integrated circuit, in order to draw an accurate bathtub-like failure curve, many lap evaluations must be performed on a large number of samples, and the evaluation of There was a problem of reducing efficiency.

【0010】また、通常、被験半導体集積回路に供給す
る電源は1台のみ使用するので、数ある被験半導体集積
回路の内、1チップ内で電源とグランドがショートする
ような故障が発生した場合に、その他の被験半導体集積
回路に供給する電源電圧が低下してしまう場合がある。
この場合、正常な被験半導体集積回路に対して正規の電
源電圧を加えていないので、評価データの信頼性が低下
するという問題がある。
Further, normally, only one power source is supplied to the test semiconductor integrated circuit. Therefore, in the case where a failure occurs such that the power source and the ground are short-circuited in one chip among many test semiconductor integrated circuits. In some cases, the power supply voltage supplied to other tested semiconductor integrated circuits may drop.
In this case, since the normal power supply voltage is not applied to the normal test semiconductor integrated circuit, there is a problem that the reliability of the evaluation data is lowered.

【0011】更に、被験半導体集積回路内で故障が発生
した場合は、その故障箇所及び故障原因について解析す
るが、この時、被験半導体集積回路内で1箇所のみの故
障であれば、容易に故障箇所及び故障原因の解析を行な
うことができるが、故障発生後にもクロックパルス、テ
ストパターン、及び電源を供給していると、それ以外に
も故障が発生してしまい、不良解析が困難になってしま
うという問題があった。
Further, when a failure occurs in the test semiconductor integrated circuit, the failure location and the cause of the failure are analyzed. At this time, if there is only one failure in the test semiconductor integrated circuit, the failure easily occurs. It is possible to analyze the location and the cause of the failure, but if the clock pulse, test pattern, and power are supplied even after the failure occurs, other failures will occur, making failure analysis difficult. There was a problem of being lost.

【0012】本発明は、上記問題点を解決するもので、
その目的は、半導体集積回路の評価において、信頼性テ
ストの評価効率を向上させることの可能な半導体集積回
路を提供することである。
The present invention solves the above problems,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit capable of improving the evaluation efficiency of a reliability test in the evaluation of the semiconductor integrated circuit.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第1の特徴は、図1(1)に示す如く、所
定の異常を検出する少なくとも1つの異常検出手段1−
1〜1−nと、前記異常検出手段1−1〜1−nの検出
結果に基づき当該半導体集積回路の全体或いは一部に供
給しているクロックパルスCLKを”H”レベルまた
は”L”レベル固定として、供給を停止するクロック停
止手段3とを具備することである。
In order to solve the above problems, the first feature of the present invention is to provide at least one abnormality detecting means 1 for detecting a predetermined abnormality as shown in FIG.
1 to 1-n and the clock pulse CLK supplied to all or part of the semiconductor integrated circuit based on the detection results of the abnormality detecting means 1-1 to 1-n are at "H" level or "L" level. It is fixedly provided with the clock stop means 3 for stopping the supply.

【0014】本発明の第2の特徴は、請求項1に記載の
半導体集積回路において、前記クロック停止手段3は、
当該半導体集積回路内外からのリセット信号RSTによ
り、当該半導体集積回路の全体或いは一部へのクロック
パルスCLKの供給を再開することである。
A second feature of the present invention is that in the semiconductor integrated circuit according to claim 1, the clock stopping means 3 is
The supply of the clock pulse CLK to the whole or a part of the semiconductor integrated circuit is restarted by the reset signal RST from inside and outside the semiconductor integrated circuit.

【0015】また、本発明の第3の特徴は、図1(2)
に示す如く、所定の異常を検出する少なくとも1つの異
常検出手段1−1〜1−nと、前記異常検出手段1−1
〜1−nの検出結果に基づき当該半導体集積回路の全体
或いは一部への電源供給を停止する電源供給停止手段5
とを具備することである。
The third feature of the present invention is shown in FIG.
, At least one abnormality detecting means 1-1 to 1-n for detecting a predetermined abnormality and the abnormality detecting means 1-1.
Power supply stop means 5 for stopping the power supply to all or part of the semiconductor integrated circuit based on the detection results of 1-n.
And to have.

【0016】本発明の第4の特徴は、請求項3に記載の
半導体集積回路において、前記電源供給停止手段5は、
当該半導体集積回路内外からのリセット信号RSTによ
り、当該半導体集積回路の全体或いは一部への電源供給
を再開することである。
A fourth feature of the present invention is that in the semiconductor integrated circuit according to claim 3, the power supply stopping means 5 is
The power supply to all or part of the semiconductor integrated circuit is restarted by the reset signal RST from inside and outside the semiconductor integrated circuit.

【0017】更に、本発明の第5の特徴は、図1(3)
に示す如く、所定の異常を検出する少なくとも1つの異
常検出手段1−1〜1−nと、前記異常検出手段1−1
〜1−nの検出結果に基づき当該半導体集積回路の全体
或いは一部に供給している入力データIDATAを”
H”レベルまたは”L”レベル固定として、供給を停止
する、若しくは、当該半導体集積回路の全体或いは一部
の状態遷移を前記入力データIDATAに影響しないよ
うにするデータ供給停止手段7とを具備することであ
る。
Further, the fifth feature of the present invention is that shown in FIG.
, At least one abnormality detecting means 1-1 to 1-n for detecting a predetermined abnormality and the abnormality detecting means 1-1.
Based on the detection result of 1-n, the input data IDATA supplied to all or part of the semiconductor integrated circuit is
Data supply stopping means 7 is provided for fixing the H "level or the" L "level and stopping the supply or preventing the state transition of the whole or a part of the semiconductor integrated circuit from affecting the input data IDATA. That is.

【0018】本発明の第6の特徴は、請求項5に記載の
半導体集積回路において、前記データ供給停止手段7
は、当該半導体集積回路内外からのリセット信号RST
により、当該半導体集積回路の全体或いは一部への入力
データIDATAの供給を再開することである。
A sixth aspect of the present invention is the semiconductor integrated circuit according to the fifth aspect, wherein the data supply stopping means 7 is provided.
Is a reset signal RST from inside or outside the semiconductor integrated circuit.
To restart the supply of the input data IDATA to the whole or a part of the semiconductor integrated circuit.

【0019】[0019]

【作用】本発明の第1及び第2の特徴の半導体集積回路
では、図1(1)に示す如く、異常検出手段1−1〜1
−nにより所定の異常を検出し、異常が検出された場合
には、クロック停止手段3により半導体集積回路の全体
或いは一部に供給しているクロックパルスCLKを”
H”レベルまたは”L”レベル固定として、供給を停止
し、また半導体集積回路内外からのリセット信号RST
により、半導体集積回路の全体或いは一部へのクロック
パルスCLKの供給を再開するようにしている。
In the semiconductor integrated circuit of the first and second features of the present invention, as shown in FIG.
A predetermined abnormality is detected by -n, and when the abnormality is detected, the clock pulse CLK supplied to the whole or a part of the semiconductor integrated circuit by the clock stopping means 3 is supplied.
The supply is stopped by fixing the H "level or the" L "level, and the reset signal RST from inside and outside the semiconductor integrated circuit
As a result, the supply of the clock pulse CLK to all or part of the semiconductor integrated circuit is restarted.

【0020】これにより、信頼性テストにおいて、例え
ば消費電流の時間経過を描けば、半導体集積回路が1個
故障する毎に全体の消費電流は一定電流だけ減少してい
くこととなり、初期故障がなくなるまでの時間、並びに
磨耗故障が発生するまでの時間を予測することができ、
しかも簡単な手順で比較的少量のサンプルによる試験が
可能となるため、評価の効率を低下させることなく、結
果として、信頼性テストの評価効率を向上させることの
可能な半導体集積回路を実現できる。
Thus, in the reliability test, for example, if the elapsed time of current consumption is drawn, the total current consumption will decrease by a constant current each time one semiconductor integrated circuit fails, and the initial failure will disappear. Up to, as well as the time to wear failure,
In addition, since a test can be performed with a relatively small amount of samples by a simple procedure, it is possible to realize a semiconductor integrated circuit capable of improving the evaluation efficiency of the reliability test without lowering the evaluation efficiency.

【0021】また、本発明の第3及び第4の特徴の半導
体集積回路では、図1(2)に示す如く、異常検出手段
1−1〜1−nにより所定の異常を検出し、異常が検出
された場合には、電源供給停止手段5により半導体集積
回路の全体或いは一部への電源供給を停止する。また、
半導体集積回路内外からのリセット信号RSTにより、
半導体集積回路の全体或いは一部への電源供給を再開す
るようにしている。
Further, in the semiconductor integrated circuit of the third and fourth features of the present invention, as shown in FIG. 1B, the abnormality detecting means 1-1 to 1-n detect a predetermined abnormality and the abnormality is detected. When it is detected, the power supply stopping means 5 stops the power supply to all or part of the semiconductor integrated circuit. Also,
By a reset signal RST from inside and outside the semiconductor integrated circuit,
Power supply to all or part of the semiconductor integrated circuit is restarted.

【0022】従って、第1及び第2の特徴の半導体集積
回路と同様の信頼性テストを行なうことにより、同様の
効果を得ることができる。また、ある被験半導体集積回
路内で電源とグランドがショートするような短絡故障が
発生した場合にも、その他の被験半導体集積回路に供給
する電源電圧は低下することがないので、評価データの
信頼性が低下することがない。
Therefore, the same effect can be obtained by performing the reliability test similar to that of the semiconductor integrated circuit having the first and second characteristics. Moreover, even if a short-circuit fault occurs such that the power supply and the ground are short-circuited in a certain test semiconductor integrated circuit, the power supply voltage supplied to the other test semiconductor integrated circuits does not drop, so the reliability of the evaluation data is high. Does not decrease.

【0023】更に、本発明の第5及び第6の特徴の半導
体集積回路では、図1(3)に示す如く、異常検出手段
1−1〜1−nにより所定の異常を検出し、異常が検出
された場合には、データ供給停止手段7により半導体集
積回路の全体或いは一部に供給している入力データID
ATAを”H”レベルまたは”L”レベル固定として、
供給を停止する、若しくは、当該半導体集積回路の全体
或いは一部の状態遷移を入力データに影響しないように
する。また、半導体集積回路内外からのリセット信号R
STにより、半導体集積回路の全体或いは一部への入力
データIDATAの供給を再開するようにしている。
Further, in the semiconductor integrated circuit having the fifth and sixth characteristics of the present invention, as shown in FIG. 1C, the abnormality detecting means 1-1 to 1-n detect a predetermined abnormality, and the abnormality is detected. If detected, the input data ID supplied to the whole or part of the semiconductor integrated circuit by the data supply stopping means 7.
ATA is fixed at "H" level or "L" level,
The supply is stopped or the state transition of the whole or a part of the semiconductor integrated circuit is prevented from affecting the input data. In addition, a reset signal R from inside and outside the semiconductor integrated circuit
By ST, the supply of the input data IDATA to the whole or part of the semiconductor integrated circuit is restarted.

【0024】従って、第1及び第2の特徴の半導体集積
回路と同様の信頼性テストを行なうことにより、同様の
効果を得ることができる。
Therefore, the same effect can be obtained by performing a reliability test similar to that of the semiconductor integrated circuit having the first and second characteristics.

【0025】また、本発明の第1〜第6の特徴の半導体
集積回路では、信頼性テストにおいて、故障発生時点で
クロックパルス、電源、またはテストパターンの供給を
停止するので、被験半導体集積回路内で故障が発生した
場合に行なう故障箇所及び故障原因についての解析を、
確実に実施することができる。
Further, in the semiconductor integrated circuit of the first to sixth features of the present invention, in the reliability test, the supply of the clock pulse, the power supply, or the test pattern is stopped at the time of occurrence of a failure, so that the semiconductor integrated circuit under test is tested. If a failure occurs in the
It can be implemented reliably.

【0026】[0026]

【実施例】以下、本発明に係る実施例を図面に基づいて
説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0027】図2に本発明の第1の実施例に係る半導体
集積回路の回路図を示す。
FIG. 2 shows a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention.

【0028】同図において、本実施例の半導体集積回路
は、異常検出手段として、内部のバス等のパリティチェ
ックを行なうパリティエラーチェッカー1−1と、セル
フテストの実行結果を確認するセルフテストの実行結果
を確認するセルフテスト実行結果チェッカー1−2とを
備え、クロック停止手段として、パリティエラーチェッ
カー1−1及びセルフテスト実行結果チェッカー1−2
の検出結果chk1及びchk2に基づき当該半導体集
積回路の全体或いは一部に供給しているクロックパルス
CLKを”H”レベルまたは”L”レベル固定として、
供給を停止するクロック停止回路3を備える構成となっ
ている。
In the figure, in the semiconductor integrated circuit of this embodiment, a parity error checker 1-1 for performing a parity check of an internal bus and the like as an abnormality detecting means, and a self-test execution for confirming a self-test execution result. A self-test execution result checker 1-2 for confirming the result, and a parity error checker 1-1 and a self-test execution result checker 1-2 as clock stopping means.
On the basis of the detection results chk1 and chk2, the clock pulse CLK supplied to all or part of the semiconductor integrated circuit is fixed at "H" level or "L" level
The clock stop circuit 3 for stopping the supply is provided.

【0029】クロック停止回路3は、パリティエラーチ
ェッカー1−1及びセルフテスト実行結果チェッカー1
−2の検出結果chk1及びchk2、並びにフリップ
フロップ13出力の論理和をとる3入力ORゲート11
と、ORゲート11出力を外部入力クロックCLOCK
に同期して保持し、リセット信号RSTによりクリアさ
れるD型フリップフロップ13と、入力クロックCLO
CKとフリップフロップ13出力の論理和をとり内部ク
ロックCLKとして出力する2入力ORゲート15とか
ら構成されている。
The clock stop circuit 3 includes a parity error checker 1-1 and a self-test execution result checker 1.
-Input OR gate 11 that ORs the detection results chk1 and chk2 of -2 and the output of the flip-flop 13
And OR gate 11 output to external input clock CLOCK
The D-type flip-flop 13 which is held in synchronization with the input signal CLO and is cleared by the reset signal RST, and the input clock CLO.
It is composed of a 2-input OR gate 15 which takes the logical sum of CK and the output of the flip-flop 13 and outputs it as an internal clock CLK.

【0030】図3は、本実施例の動作を説明するタイミ
ングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of this embodiment.

【0031】第1クロック目のT1サイクルでは、パリ
ティエラーチェッカー1−1及びセルフテスト実行結果
チェッカー1−2からエラー発生信号がインアクティブ
であるので、外部入力クロックCLOCKがそのまま内
部クロックCLKとして半導体集積回路内に供給され
る。
In the T1 cycle of the first clock, since the error generation signals from the parity error checker 1-1 and the self-test execution result checker 1-2 are inactive, the external input clock CLOCK is directly used as the internal clock CLK in the semiconductor integrated circuit. Supplied in the circuit.

【0032】T2サイクルでは、パリティエラーチェッ
カー1−1でエラーが検出され、パリティエラー信号c
hk1がアクティブとなっている。T3サイクルでフリ
ップフロップ13の内容が”H”レベルに変化し、これ
により入力クロックCLOCKはORゲート15でマス
クされて、内部クロックCLKとして、半導体集積回路
内には常時”H”レベル固定の信号が供給される。ここ
で、半導体集積回路の内部回路は、内部クロックCLK
が”H”レベル固定である時には動作せず、電流を消費
しない構造となっている。
In the T2 cycle, an error is detected by the parity error checker 1-1, and the parity error signal c
hk1 is active. In the T3 cycle, the content of the flip-flop 13 changes to the "H" level, whereby the input clock CLOCK is masked by the OR gate 15, and as the internal clock CLK, a signal which is always fixed at the "H" level in the semiconductor integrated circuit. Is supplied. Here, the internal circuit of the semiconductor integrated circuit uses the internal clock CLK.
Is fixed to the "H" level, it does not operate and consumes no current.

【0033】次に、Tnサイクルで、リセット信号RS
Tがアクティブにされると、Tn+1サイクルでフリッ
プフロップ13の出力が”L”レベルとなり、外部入力
クロックCLOCKがそのまま内部クロックCLKとし
て半導体集積回路内に供給される。
Next, in the Tn cycle, the reset signal RS
When T is activated, the output of the flip-flop 13 becomes "L" level in the cycle Tn + 1, and the external input clock CLOCK is directly supplied to the semiconductor integrated circuit as the internal clock CLK.

【0034】次に、このような構成の半導体集積回路の
寿命テストを行なう場合、従来と同様に、図4に示すよ
うな構成の治具が使用される。
Next, when performing a life test of the semiconductor integrated circuit having such a structure, a jig having a structure as shown in FIG. 4 is used as in the conventional case.

【0035】また、寿命テストの処理手順は、図5のフ
ローチャートに示される。同図に示すように、従来に比
べ極端に簡単な手順となっており、ステップS1でLS
Iテスタにより被験半導体集積回路の初期評価を行な
い、高温オーブン内で2000時間動作させる(ステッ
プS2)だけである。
The processing procedure of the life test is shown in the flowchart of FIG. As shown in the figure, the procedure is extremely simple compared to the conventional one, and LS is performed in step S1.
The test semiconductor integrated circuit is initially evaluated by the I tester and is operated in the high temperature oven for 2000 hours (step S2).

【0036】本実施例の寿命テストにおいては、図8に
示すバスタブ状の故障曲線を描くことは、電流計57で
示される消費電流の時間経過を描くことと等価になる
(図6参照)。これは、本実施例の半導体集積回路の消
費電流は、動作している時には、常時一定の電流を消費
するからである。つまり、図6に示すように、ラック5
5上の半導体集積回路61が1個故障する毎に、全体の
消費電流は一定電流Iだけ減少していくことを利用して
いる。
In the life test of this embodiment, drawing the bathtub-shaped failure curve shown in FIG. 8 is equivalent to drawing the elapsed time of the consumption current indicated by the ammeter 57 (see FIG. 6). This is because the semiconductor integrated circuit of the present embodiment consumes a constant current during operation. That is, as shown in FIG.
The fact that the total current consumption decreases by a constant current I each time one semiconductor integrated circuit 61 above 5 fails is used.

【0037】従って、図6に示すような動作時間−消費
電流の特性曲線を描くことにより、初期故障がなくなる
までの時間、並びに磨耗故障が発生するまでの時間を予
測することが可能となる。
Therefore, by drawing a characteristic curve of operating time-current consumption as shown in FIG. 6, it is possible to predict the time until the initial failure disappears and the time until the abrasion failure occurs.

【0038】尚、本実施例では、異常検出手段として、
パリティエラーチェッカー1−1とセルフテスト実行結
果チェッカー1−2を例示したが、これ以外の異常検出
手段を有していても構わない。
In this embodiment, the abnormality detecting means is
Although the parity error checker 1-1 and the self-test execution result checker 1-2 are illustrated as examples, other abnormality detecting means may be provided.

【0039】次に、図7(1)に本発明の第2の実施例
に係る半導体集積回路の構成図を示す。同図は、異常検
出手段1−1〜1−nの検出結果に基づき半導体集積回
路の全体或いは一部への電源供給を停止する電源供給停
止手段5の具体的な回路例を示したものであり、第1の
実施例同様、パリティエラーチェッカー1−1及びセル
フテスト実行結果チェッカー1−2等の検出結果chk
1及びchk2から、エラーが発生している時には、ス
イッチSWをオフとすることにより半導体集積回路の全
体或いは一部への電源供給を停止し、また、リセット信
号RSTによりスイッチSWをオンさせて、再び半導体
集積回路内への電源供給を再開するものである。
Next, FIG. 7A shows a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention. The figure shows a concrete circuit example of the power supply stopping means 5 for stopping the power supply to all or part of the semiconductor integrated circuit based on the detection results of the abnormality detecting means 1-1 to 1-n. Yes, as in the first embodiment, the detection results chk of the parity error checker 1-1, the self-test execution result checker 1-2, etc.
From 1 and chk2, when an error occurs, the switch SW is turned off to stop the power supply to all or part of the semiconductor integrated circuit, and the reset signal RST turns on the switch SW. The power supply to the semiconductor integrated circuit is restarted again.

【0040】このような構成により、第1の実施例と同
様に、寿命テスト等の信頼性テストを簡単な手順で行な
うことができる。また、ある被験半導体集積回路内で電
源とグランドがショートするような故障が発生した場合
にも、その被験半導体集積回路への電源供給を停止する
ので、その他の被験半導体集積回路に供給する電源電圧
は低下することがなく、評価データの信頼性が低下する
ことがない。
With such a structure, a reliability test such as a life test can be performed by a simple procedure, as in the first embodiment. In addition, even if a failure such as a short circuit between the power supply and the ground occurs in a certain test semiconductor integrated circuit, the power supply to that test semiconductor integrated circuit is stopped, so the power supply voltage to be supplied to other test semiconductor integrated circuits. Does not decrease, and the reliability of evaluation data does not decrease.

【0041】更に、図7(2)に本発明の第3の実施例
に係る半導体集積回路の構成図を示す。同図は、異常検
出手段1−1〜1−nの検出結果に基づき当該半導体集
積回路の全体或いは一部に供給している入力データID
ATAを”H”レベルまたは”L”レベル固定として、
供給を停止するデータ供給停止手段7の具体的な回路例
を示したものであり、第1の実施例同様、パリティエラ
ーチェッカー1−1及びセルフテスト実行結果チェッカ
ー1−2等の検出結果chk1及びchk2から、エラ
ーが発生している時には、半導体集積回路の全体或いは
一部へ供給している入力データIDATAを”H”レベ
ル固定として、供給を停止し、また、リセット信号RS
Tにより、再び半導体集積回路内への入力データIDA
TAの供給を再開するものである。
Further, FIG. 7B shows a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit according to the third embodiment of the present invention. This figure shows the input data ID supplied to all or part of the semiconductor integrated circuit based on the detection results of the abnormality detection means 1-1 to 1-n.
ATA is fixed at "H" level or "L" level,
The specific circuit example of the data supply stopping means 7 for stopping the supply is shown, and similarly to the first embodiment, the detection result chk1 of the parity error checker 1-1 and the self-test execution result checker 1-2, etc. When an error occurs from chk2, the input data IDATA supplied to the whole or a part of the semiconductor integrated circuit is fixed at "H" level, the supply is stopped, and the reset signal RS
Input data IDA to the semiconductor integrated circuit again by T
It will restart the supply of TA.

【0042】尚、データ供給停止回路7は、半導体集積
回路の全体或いは一部のラッチまたはフリップフロップ
等に供給しているクロックパルスを、第1の実施例と同
様の構成により、異常発生時には”H”レベル固定とし
て、半導体集積回路の全体或いは一部の状態遷移を変化
させないように構成することもできる。
The data supply stop circuit 7 has a structure similar to that of the first embodiment for supplying a clock pulse to the latches or flip-flops of all or part of the semiconductor integrated circuit when an abnormality occurs. It is also possible to fix the H ″ level so that the state transition of all or part of the semiconductor integrated circuit is not changed.

【0043】このような構成により、第1の実施例と同
様に、寿命テスト等の信頼性テストを簡単な手順で行な
うことができる。
With such a structure, a reliability test such as a life test can be performed by a simple procedure, as in the first embodiment.

【0044】また、第1、第2、及び第3の実施例の半
導体集積回路では、信頼性テストにおいて、故障発生時
点でクロックパルス、電源、またはテストパターンの供
給を停止するので、被験半導体集積回路内で故障が発生
した場合に行なう故障箇所及び故障原因についての解析
を、確実に実施することができる。
In the semiconductor integrated circuits of the first, second, and third embodiments, the supply of the clock pulse, the power supply, or the test pattern is stopped at the time of failure occurrence in the reliability test. When a failure occurs in the circuit, the failure location and the failure cause can be reliably analyzed.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上のように、本発明の第1及び第2の
特徴の半導体集積回路によれば、異常検出手段により所
定の異常を検出し、異常が検出された場合には、クロッ
ク停止手段により半導体集積回路の全体或いは一部に供
給しているクロックパルスを”H”レベルまたは”L”
レベル固定として、供給を停止し、また半導体集積回路
内外からのリセット信号により、半導体集積回路の全体
或いは一部へのクロックパルスの供給を再開することと
したので、信頼性テストにおいて、例えば消費電流の時
間経過を描けば、半導体集積回路が1個故障する毎に全
体の消費電流は一定電流だけ減少していくこととなり、
初期故障がなくなるまでの時間、並びに磨耗故障が発生
するまでの時間を予測することができ、しかも簡単な手
順で比較的少量のサンプルによる試験が可能となるた
め、評価の効率を低下させることなく、短絡故障の場合
にも評価データの信頼性が低下させることなく、結果と
して、信頼性テストの評価効率を向上させることの可能
な半導体集積回路を提供することができる。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the first and second features of the present invention, the abnormality detecting means detects a predetermined abnormality, and when the abnormality is detected, the clock is stopped. The clock pulse supplied to all or part of the semiconductor integrated circuit by means of "H" level or "L"
As the level is fixed, the supply is stopped, and the supply of the clock pulse to all or part of the semiconductor integrated circuit is restarted by the reset signal from inside and outside the semiconductor integrated circuit. If we draw the time course of, the total current consumption will decrease by a constant current each time one semiconductor integrated circuit fails,
It is possible to predict the time until the initial failure disappears and the time until the wear failure occurs, and it is possible to test with a relatively small amount of sample by a simple procedure, so that the evaluation efficiency is not reduced. It is possible to provide a semiconductor integrated circuit capable of improving the evaluation efficiency of the reliability test without lowering the reliability of the evaluation data even in the case of a short circuit failure.

【0046】また、本発明の第3及び第4の特徴の半導
体集積回路によれば、異常検出手段により所定の異常を
検出し、異常が検出された場合には、電源供給停止手段
により半導体集積回路の全体或いは一部への電源供給を
停止し、また、半導体集積回路内外からのリセット信号
により、半導体集積回路の全体或いは一部への電源供給
を再開することとしたので、信頼性テストにおいて、評
価効率を向上させることが可能となり、また、ある被験
半導体集積回路内で電源とグランドがショートするよう
な故障が発生した場合にも、その他の被験半導体集積回
路に供給する電源電圧は低下することなく、評価データ
の信頼性を向上させ得る半導体集積回路を提供すること
ができる。
According to the semiconductor integrated circuit of the third and fourth aspects of the present invention, the abnormality detecting means detects a predetermined abnormality, and when the abnormality is detected, the semiconductor integrated circuit is operated by the power supply stopping means. In the reliability test, the power supply to all or part of the circuit is stopped, and the power supply to all or part of the semiconductor integrated circuit is restarted by the reset signal from inside and outside the semiconductor integrated circuit. , It is possible to improve the evaluation efficiency, and when a failure such as a short-circuit between the power supply and the ground occurs in one test semiconductor integrated circuit, the power supply voltage supplied to the other test semiconductor integrated circuits is reduced. It is possible to provide a semiconductor integrated circuit that can improve the reliability of evaluation data without the need.

【0047】更に、本発明の第5及び第6の特徴の半導
体集積回路によれば、異常検出手段により所定の異常を
検出し、異常が検出された場合には、データ供給停止手
段により半導体集積回路の全体或いは一部に供給してい
る入力データを”H”レベルまたは”L”レベル固定と
して、供給を停止する、若しくは、当該半導体集積回路
の全体或いは一部の状態遷移を入力データに影響しない
ようにし、また、半導体集積回路内外からのリセット信
号により、半導体集積回路の全体或いは一部への入力デ
ータの供給を再開することとしたので、信頼性テストに
おいて、評価効率を向上させることの可能な半導体集積
回路を提供することができる。
Further, according to the semiconductor integrated circuit of the fifth and sixth features of the present invention, the abnormality detecting means detects a predetermined abnormality, and when the abnormality is detected, the semiconductor integrated circuit is performed by the data supply stopping means. Input data supplied to the whole or part of the circuit is fixed at "H" level or "L" level to stop the supply, or the state transition of the whole or part of the semiconductor integrated circuit is affected to the input data. Moreover, since the supply of the input data to all or part of the semiconductor integrated circuit is restarted by the reset signal from inside and outside the semiconductor integrated circuit, it is possible to improve the evaluation efficiency in the reliability test. A possible semiconductor integrated circuit can be provided.

【0048】また、本発明の半導体集積回路によれば、
信頼性テストにおいて、故障発生時点でクロックパル
ス、電源、またはテストパターンの供給を停止するの
で、被験半導体集積回路内で故障が発生した場合に行な
う故障箇所及び故障原因についての解析を、確実に実施
可能な半導体集積回路を提供することができる。
According to the semiconductor integrated circuit of the present invention,
In the reliability test, the supply of the clock pulse, power supply, or test pattern is stopped at the time of failure occurrence, so it is possible to reliably analyze the failure location and cause when a failure occurs in the semiconductor integrated circuit under test. A possible semiconductor integrated circuit can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理説明図であり、図1(1)は請求
項1及び2、図1(2)は請求項3及び4、図1(3)
は請求項5及び6である。
FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention. FIG. 1 (1) is claims 1 and 2, FIG. 1 (2) is claims 3 and 4, and FIG.
Are claims 5 and 6.

【図2】本発明の第1の実施例に係る半導体集積回路の
回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図3】第1の実施例の半導体集積回路の動作を説明す
るタイミングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart explaining the operation of the semiconductor integrated circuit of the first embodiment.

【図4】半導体集積回路の寿命テストを行なう場合の治
具の構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of a jig for a life test of a semiconductor integrated circuit.

【図5】本発明の寿命テストの処理手順を説明するフロ
ーチャートである。
FIG. 5 is a flowchart illustrating a processing procedure of a life test of the present invention.

【図6】第1実施例の寿命テストにおける動作時間−消
費電流の特性曲線である。
FIG. 6 is a characteristic curve of operating time-current consumption in the life test of the first embodiment.

【図7】図7(1)は本発明の第2の実施例に係る半導
体集積回路の回路図、図7(2)は本発明の第3の実施
例に係る半導体集積回路の回路図である。
7 (1) is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 7 (2) is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention. is there.

【図8】従来の半導体集積回路の寿命テストにおける故
障曲線である。
FIG. 8 is a failure curve in a life test of a conventional semiconductor integrated circuit.

【図9】従来の半導体集積回路の寿命テストの処理手順
を説明するフローチャートである。
FIG. 9 is a flowchart illustrating a processing procedure of a conventional semiconductor integrated circuit life test.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1−1〜1−n 異常検出手段 1−1 パリティエラーチェッカー 1−2 セルフテスト実行結果チェッカー 3 クロック停止回路(クロック停止手段) 5 電源供給停止手段 7 データ供給停止手段 11,21,31 3入力ORゲート 13,23,33 D型フリップフロップ 15,35−1〜35−m−1 2入力ORゲート SW スイッチ CLOCK 外部入力クロック(パルス) CLK 内部クロック(パルス) RST リセット信号 chk1〜chkn エラー発生信号(異常検出信号) Vcc 電源 chk1 パリティエラー信号 chk2 セルフテストエラー信号 DATA 入力データ D0〜Dm−1 入力データ IDATA 内部データ ID0〜IDm−1 内部データ T1〜Tn+1 サイクル 51 電源 53 パターンジェネレータ 55 ラック 57 電流計 61 被験半導体集積回路(DUT) I 被験半導体集積回路1個当たりの消費電流 1-1 to 1-n abnormality detection means 1-1 parity error checker 1-2 self-test execution result checker 3 clock stop circuit (clock stop means) 5 power supply stop means 7 data supply stop means 11, 21, 31 3 inputs OR gate 13, 23, 33 D-type flip-flop 15, 35-1 to 35-m-12 2-input OR gate SW switch CLOCK External input clock (pulse) CLK Internal clock (pulse) RST Reset signal chk1 to chkn Error occurrence signal (Abnormality detection signal) Vcc power supply chk1 parity error signal chk2 self-test error signal DATA input data D0 to Dm-1 input data IDATA internal data ID0 to IDm-1 internal data T1 to Tn + 1 cycle 51 power supply 53 pattern generator 5 Rack 57 ammeter 61 subjects a semiconductor integrated circuit (DUT) I tested the semiconductor integrated circuit 1 consumption current per

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の異常を検出する少なくとも1つの
異常検出手段と、 前記異常検出手段の検出結果に基づき当該半導体集積回
路の全体或いは一部に供給しているクロックパルスを”
H”レベルまたは”L”レベル固定として、供給を停止
するクロック停止手段とを有することを特徴とする半導
体集積回路。
1. At least one abnormality detecting means for detecting a predetermined abnormality, and a clock pulse supplied to all or part of the semiconductor integrated circuit based on a detection result of the abnormality detecting means.
A semiconductor integrated circuit having a clock stop means for stopping the supply at a fixed H "level or" L "level.
【請求項2】 前記クロック停止手段は、当該半導体集
積回路内外からのリセット信号により、当該半導体集積
回路の全体或いは一部へのクロックパルスの供給を再開
することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回
路。
2. The clock stopping means restarts supply of a clock pulse to all or part of the semiconductor integrated circuit in response to a reset signal from inside or outside the semiconductor integrated circuit. Semiconductor integrated circuit.
【請求項3】 所定の異常を検出する少なくとも1つの
異常検出手段と、 前記異常検出手段の検出結果に基づき当該半導体集積回
路の全体或いは一部への電源供給を停止する電源供給停
止手段とを有することを特徴とする半導体集積回路。
3. At least one abnormality detecting means for detecting a predetermined abnormality, and power supply stopping means for stopping the power supply to all or part of the semiconductor integrated circuit based on the detection result of the abnormality detecting means. A semiconductor integrated circuit having.
【請求項4】 前記電源供給停止手段は、当該半導体集
積回路内外からのリセット信号により、当該半導体集積
回路の全体或いは一部への電源供給を再開することを特
徴とする請求項3に記載の半導体集積回路。
4. The power supply stopping means restarts power supply to all or part of the semiconductor integrated circuit in response to a reset signal from inside or outside the semiconductor integrated circuit. Semiconductor integrated circuit.
【請求項5】 所定の異常を検出する少なくとも1つの
異常検出手段と、 前記異常検出手段の検出結果に基づき当該半導体集積回
路の全体或いは一部に供給している入力データを”H”
レベルまたは”L”レベル固定として、供給を停止す
る、若しくは、当該半導体集積回路の全体或いは一部の
状態遷移を前記入力データに影響しないようにするデー
タ供給停止手段とを有することを特徴とする半導体集積
回路。
5. At least one abnormality detecting means for detecting a predetermined abnormality, and input data supplied to all or part of the semiconductor integrated circuit based on a detection result of the abnormality detecting means is "H".
It is characterized in that it has a data supply stopping means for fixing the level or the "L" level and stopping the supply or preventing the state transition of the whole or a part of the semiconductor integrated circuit from affecting the input data. Semiconductor integrated circuit.
【請求項6】 前記データ供給停止手段は、当該半導体
集積回路内外からのリセット信号により、当該半導体集
積回路の全体或いは一部への入力データの供給を再開す
ることを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路。
6. The data supply stopping means restarts the supply of input data to all or part of the semiconductor integrated circuit in response to a reset signal from inside or outside the semiconductor integrated circuit. The semiconductor integrated circuit described.
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