JPH05335840A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH05335840A
JPH05335840A JP4137196A JP13719692A JPH05335840A JP H05335840 A JPH05335840 A JP H05335840A JP 4137196 A JP4137196 A JP 4137196A JP 13719692 A JP13719692 A JP 13719692A JP H05335840 A JPH05335840 A JP H05335840A
Authority
JP
Japan
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power supply
circuit
transistor
bias
voltage
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4137196A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuya Shimomura
勝也 下村
Takehiro Akiyama
岳洋 秋山
Shinji Saito
伸二 齋藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor integrated circuit operated efficiently by preventing increase in power consumption while being compatible with a wide range of a power supply voltage. CONSTITUTION:The circuit is provided with a power supply voltage discrimination circuit 1 discriminating a power supply level to select and operate any bias circuits B whose output level differs. A prescribed bias voltage is outputted from the bias circuit B selected by the power supply voltage discrimination circuit 1 based on a power supply Vcc and an internal circuit 5 is operated based on the bias voltage.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は広範囲の電源電圧で動
作可能とする半導体集積回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit capable of operating in a wide range of power supply voltages.

【0002】近年、民生用のコードレス電話では電源電
圧として子機では2Vを使用し、親機では5Vを使用し
ている。そのため、このようなコードレス電話で使用す
る半導体集積回路は2Vあるいは5Vの電源電圧のいず
れにおいても効率よく動作する構成とすることが要請さ
れている。
In recent years, a cordless telephone for consumer use uses 2V as a power supply voltage for a child device and 5V for a parent device. Therefore, it is required that the semiconductor integrated circuit used in such a cordless telephone be configured to operate efficiently at either the power supply voltage of 2V or 5V.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来の民生用コードレス電話では、子機
で使用する2V仕様のPLLシンセサイザ回路に電源電
圧を5Vとしても動作するように動作マージンを持たせ
ることにより、親機と子機とで共通のPLLシンセサイ
ザ回路を使用して製造コストを低減するようにしてい
る。
2. Description of the Related Art In a conventional cordless telephone for consumer use, a 2V specification PLL synthesizer circuit used in a handset has an operation margin so that it can be operated even when the power supply voltage is 5V, so that the handset and the handset can operate. A common PLL synthesizer circuit is used to reduce manufacturing costs.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のように広範囲の
電源電圧で動作可能としたPLLシンセサイザ回路で
は、2V仕様のPLLシンセサイザ回路を親機で5Vの
電源電圧で使用したとき、電源電圧の上昇にともなって
消費電力が増大するという問題点がある。
In the PLL synthesizer circuit that can operate in a wide range of power supply voltage as described above, when the 2V specification PLL synthesizer circuit is used at the power supply voltage of 5V in the master unit, the power supply voltage rises. Accordingly, there is a problem that power consumption increases.

【0005】この発明の目的は、広範囲の電源電圧に対
応しながら消費電力の増大を防止して効率よく動作する
半導体集積回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit capable of operating efficiently while preventing power consumption from increasing while supporting a wide range of power supply voltages.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。すなわち、電源のレベルを判定して出力レベ
ルの異なる複数のバイアス回路Bの中からいずれかのバ
イアス回路Bを選択して動作させる電源電圧判定回路1
が設けられ、前記電源電圧判定回路1で選択されたバイ
アス回路Bから電源Vccに基づいて一定のバイアス電圧
が出力され、そのバイアス電圧に基づいて内部回路5が
動作される。
FIG. 1 illustrates the principle of the present invention. That is, the power supply voltage determination circuit 1 that determines the power supply level and selects one of the bias circuits B having different output levels to operate it.
Is provided, a constant bias voltage is output from the bias circuit B selected by the power supply voltage determination circuit 1 based on the power supply Vcc, and the internal circuit 5 is operated based on the bias voltage.

【0007】また、図2に示すように前記電源電圧判定
回路1は差動回路を構成する一方のトランジスタTr1の
ベースに電源Vccを一定の割合で降圧した電圧が入力さ
れ、前記差動回路を構成する他方のトランジスタTr3の
ベースには電源Vccの変化に関わらない基準電圧が入力
されて、電源Vccの電圧レベルが判定される。
Further, as shown in FIG. 2, in the power supply voltage determination circuit 1, a voltage obtained by stepping down the power supply Vcc at a constant rate is input to the base of one transistor Tr1 forming a differential circuit, and the differential circuit is connected. A reference voltage irrelevant to the change of the power supply Vcc is input to the base of the other transistor Tr3 constituting the power supply Vcc, and the voltage level of the power supply Vcc is determined.

【0008】[0008]

【作用】電源Vccの変化に対応したバイアス回路Bが電
源電圧判定回路1で選択され、選択されたバイアス回路
Bから出力される一定のバイアス電圧で内部回路5が駆
動される。
The bias circuit B corresponding to the change in the power supply Vcc is selected by the power supply voltage determination circuit 1, and the internal circuit 5 is driven by the constant bias voltage output from the selected bias circuit B.

【0009】[0009]

【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図2
及び図3に従って説明する。図2に示す電源電圧判定回
路1は高電位側電源Vccと低電位側電源としてのグラン
ドGNDとの間に抵抗R1と抵抗R2とが直列に接続さ
れ、同抵抗R1,R2の抵抗値は同一値に設定されてい
る。従って、抵抗R1,R2間のノードAの電位はVcc
/2に設定されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment embodying the present invention will now be described with reference to FIG.
And FIG. 3 will be described. In the power supply voltage determination circuit 1 shown in FIG. 2, a resistor R1 and a resistor R2 are connected in series between a high potential side power source Vcc and a low potential side power source GND, and the resistance values of the resistors R1 and R2 are the same. It is set to a value. Therefore, the potential of the node A between the resistors R1 and R2 is Vcc.
It is set to / 2.

【0010】前記ノードAはNPNトランジスタTr1の
ベースに接続され、同トランジスタTr1のコレクタは抵
抗R3を介して電源Vccに接続され、エミッタは電流源
として動作するトランジスタTr2のコレクタに接続され
ている。
The node A is connected to the base of the NPN transistor Tr1, the collector of the transistor Tr1 is connected to the power source Vcc through the resistor R3, and the emitter is connected to the collector of the transistor Tr2 which operates as a current source.

【0011】前記トランジスタTr1とともに差動回路を
構成するトランジスタTr3のコレクタは抵抗R4を介し
て電源Vccに接続され、エミッタは前記トランジスタT
r2のコレクタに接続されている。そして、前記トランジ
スタTr2のベースに活性化信号Vcsが入力されると、差
動回路を構成するトランジスタTr1,Tr3が活性化され
る。
The collector of the transistor Tr3 which forms a differential circuit together with the transistor Tr1 is connected to the power source Vcc through the resistor R4, and the emitter is the transistor T3.
It is connected to the collector of r2. When the activation signal Vcs is input to the base of the transistor Tr2, the transistors Tr1 and Tr3 forming the differential circuit are activated.

【0012】前記トランジスタTr3のベースは抵抗R5
を介して電源Vccに接続されるとともに、ダイオードD
1〜D3を介してグランドGNDに接続されている。従
って、トランジスタTr3のベース電位はダイオードD1
〜D3により約2.4Vに設定されている。
The base of the transistor Tr3 is a resistor R5.
Is connected to the power supply Vcc via a diode D
It is connected to the ground GND through 1 to D3. Therefore, the base potential of the transistor Tr3 is the diode D1.
It is set to about 2.4V by D3.

【0013】前記トランジスタTr1のコレクタはPNP
トランジスタTr4のベースに接続され、同トランジスタ
Tr4のエミッタは抵抗R6を介して電源Vccに接続さ
れ、コレクタは抵抗R7を介してグランドGNDに接続
されている。
The collector of the transistor Tr1 is PNP.
It is connected to the base of the transistor Tr4, the emitter of the transistor Tr4 is connected to the power supply Vcc via the resistor R6, and the collector is connected to the ground GND via the resistor R7.

【0014】前記トランジスタTr3のコレクタはPNP
トランジスタTr5のベースに接続され、同トランジスタ
Tr5のエミッタは抵抗R8を介して電源Vccに接続さ
れ、コレクタは抵抗R9を介してグランドGNDに接続
されている。
The collector of the transistor Tr3 is PNP.
It is connected to the base of the transistor Tr5, the emitter of the transistor Tr5 is connected to the power supply Vcc via the resistor R8, and the collector is connected to the ground GND via the resistor R9.

【0015】前記トランジスタTr4のコレクタはPNP
トランジスタTr6のベースに接続され、同トランジスタ
Tr6のエミッタは5Vバイアス回路2に接続され、コレ
クタはグランドGNDに接続されている。
The collector of the transistor Tr4 is PNP.
It is connected to the base of the transistor Tr6, the emitter of the transistor Tr6 is connected to the 5V bias circuit 2, and the collector is connected to the ground GND.

【0016】前記トランジスタTr5のコレクタはPNP
トランジスタTr7のベースに接続され、同トランジスタ
Tr7のエミッタは2Vバイアス回路3に接続され、コレ
クタはグランドGNDに接続されている。
The collector of the transistor Tr5 is PNP.
It is connected to the base of the transistor Tr7, the emitter of the transistor Tr7 is connected to the 2V bias circuit 3, and the collector is connected to the ground GND.

【0017】そして、前記5Vバイアス回路2及び2V
バイアス回路3の出力電圧がPLLシンセサイザ回路4
にバイアス電圧として出力される。前記5Vバイアス回
路2及び2Vバイアス回路3の回路構成は同一であり、
一例として5Vバイアス回路2の構成を図3に従って説
明すると、前記トランジスタTr6のエミッタから出力さ
れる出力信号は入力信号VinとしてNPNトランジスタ
Tr8,Tr9のベースに入力され、同ベースは抵抗R10
を介して電源Vccに接続されている。
The 5V bias circuits 2 and 2V
The output voltage of the bias circuit 3 is the PLL synthesizer circuit 4
Output as a bias voltage. The circuit configurations of the 5V bias circuit 2 and the 2V bias circuit 3 are the same,
As an example, the configuration of the 5V bias circuit 2 will be described with reference to FIG.
Is connected to the power source Vcc via.

【0018】前記トランジスタTr8,Tr9のベースはN
PNトランジスタTr10 のコレクタに接続され、同トラ
ンジスタTr10 のベースは抵抗R11を介してグランド
GNDに接続され、エミッタはグランドGNDに接続さ
れている。
The bases of the transistors Tr8 and Tr9 are N
It is connected to the collector of the PN transistor Tr10, the base of the transistor Tr10 is connected to the ground GND via the resistor R11, and the emitter is connected to the ground GND.

【0019】前記トランジスタTr8のコレクタは電源V
ccに接続され、エミッタは抵抗R12を介してNPNト
ランジスタTr11 のコレクタに接続されている。また、
前記トランジスタTr11 のコレクタは前記トランジスタ
Tr10 のベースに接続され、エミッタは抵抗R13を介
してグランドGNDに接続されている。
The collector of the transistor Tr8 is a power source V
It is connected to cc, and the emitter is connected to the collector of the NPN transistor Tr11 via the resistor R12. Also,
The collector of the transistor Tr11 is connected to the base of the transistor Tr10, and the emitter is connected to the ground GND via the resistor R13.

【0020】前記トランジスタTr9のコレクタは電源V
ccに接続され、エミッタは出力端子Tout に接続される
とともに、抵抗R13を介してNPNトランジスタTr1
2 のコレクタに接続されている。
The collector of the transistor Tr9 is a power source V
cc, the emitter is connected to the output terminal Tout, and the NPN transistor Tr1 is connected via the resistor R13.
Connected to 2 collectors.

【0021】前記トランジスタTr12 のコレクタはその
ベースに接続され、そのベースは抵抗R14を介して前
記トランジスタTr11 のベースに接続されている。ま
た、前記トランジスタTr12 のエミッタはグランドGN
Dに接続されている。
The collector of the transistor Tr12 is connected to its base, and its base is connected to the base of the transistor Tr11 via a resistor R14. The emitter of the transistor Tr12 is ground GN.
Connected to D.

【0022】このように構成された5Vバイアス回路2
では前記トランジスタTr6がオンされてその入力信号V
inがほぼグランドGNDのレベルまで低下すると、トラ
ンジスタTr8,Tr9がオフされ、これにともなってトラ
ンジスタTr10 〜Tr12 もオフされる。
5V bias circuit 2 constructed in this way
Then, the transistor Tr6 is turned on and its input signal V
When in falls to the level of the ground GND, the transistors Tr8 and Tr9 are turned off, and the transistors Tr10 to Tr12 are also turned off.

【0023】従って、出力端子Tout から出力される出
力信号Vout はフローティング状態となってPLLシン
セサイザ回路4にバイアス電圧を供給することはできな
い。一方、前記トランジスタTr6がオフされると、トラ
ンジスタTr8,Tr9のベースには電源Vccから抵抗R1
0を介してベース電流が供給されて同トランジスタTr
8,Tr9がオンされ、これに基づいてトランジスタTr10
〜Tr12 もオンされる。
Therefore, the output signal Vout output from the output terminal Tout is in a floating state, and the bias voltage cannot be supplied to the PLL synthesizer circuit 4. On the other hand, when the transistor Tr6 is turned off, the bases of the transistors Tr8 and Tr9 are connected to the resistor R1 from the power source Vcc.
The base current is supplied via 0 to the same transistor Tr.
8, Tr9 is turned on, and based on this, the transistor Tr10
~ Tr12 is also turned on.

【0024】従って、出力信号Vout は各トランジスタ
Tr8〜Tr12 及び各抵抗R10〜R14の定数に基づい
て定電圧が出力され、その出力信号Vout がPLLシン
セサイザ回路4にバイアス電圧として供給される。
Therefore, the output signal Vout is outputted as a constant voltage based on the constants of the transistors Tr8 to Tr12 and the resistors R10 to R14, and the output signal Vout is supplied to the PLL synthesizer circuit 4 as a bias voltage.

【0025】そして、5Vの電源Vccで動作する前記5
Vバイアス回路2と2Vの電源Vccで動作する2Vバイ
アス回路3とは同電位の出力信号Vout を出力するよう
に前記各定数が設定されている。
The above 5 which operates with a power supply Vcc of 5V
The above-mentioned constants are set so that the V bias circuit 2 and the 2V bias circuit 3 operating with the 2V power supply Vcc output the output signal Vout having the same potential.

【0026】次に、上記のように構成された電源電圧判
定回路1の動作を説明する。さて、電源Vccとして5V
が供給されると、ノードAは2.5Vとなってトランジ
スタTr1のベース電位は2.4Vに設定されているトラ
ンジスタTr3のベース電位より高くなる。
Next, the operation of the power supply voltage determination circuit 1 configured as described above will be described. Now, 5V as the power supply Vcc
Is supplied, the node A becomes 2.5V, and the base potential of the transistor Tr1 becomes higher than the base potential of the transistor Tr3 which is set to 2.4V.

【0027】すると、トランジスタTr1がオンされると
ともにトランジスタTr3がオフされ、これにともなって
トランジスタTr4がオンされるとともにトランジスタT
r5がオフされる。
Then, the transistor Tr1 is turned on and the transistor Tr3 is turned off. Accordingly, the transistor Tr4 is turned on and the transistor T3 is turned on.
r5 is turned off.

【0028】トランジスタTr4がオンされるとトランジ
スタTr6がオフされ、トランジスタTr5がオフされると
トランジスタTr7がオンされる。従って、2Vバイアス
回路3は不動作状態となるとともに、5Vバイアス回路
2は電源Vccが5Vの状態で動作状態となり、5Vバイ
アス回路2の出力信号Vout がPLLシンセサイザ回路
4にバイアス電圧として出力される。
When the transistor Tr4 is turned on, the transistor Tr6 is turned off, and when the transistor Tr5 is turned off, the transistor Tr7 is turned on. Therefore, the 2V bias circuit 3 becomes inoperative, the 5V bias circuit 2 becomes active when the power supply Vcc is 5V, and the output signal Vout of the 5V bias circuit 2 is output to the PLL synthesizer circuit 4 as a bias voltage. ..

【0029】一方、電源Vccとして2Vが供給される
と、ノードAは1VとなってトランジスタTr1のベース
電位は2.4Vに設定されているトランジスタTr3のベ
ース電位より低くなる。
On the other hand, when 2V is supplied as the power supply Vcc, the node A becomes 1V and the base potential of the transistor Tr1 becomes lower than the base potential of the transistor Tr3 which is set to 2.4V.

【0030】すると、トランジスタTr1がオフされると
ともにトランジスタTr3がオンされ、これにともなって
トランジスタTr4がオフされるとともにトランジスタT
r5がオンされる。
Then, the transistor Tr1 is turned off and the transistor Tr3 is turned on, and accordingly, the transistor Tr4 is turned off and the transistor T3 is turned on.
r5 is turned on.

【0031】トランジスタTr4がオフされるとトランジ
スタTr6がオンされ、トランジスタTr5がオンされると
トランジスタTr7がオフされる。従って、5Vバイアス
回路2は不動作状態となるとともに、2Vバイアス回路
3は電源Vccが2Vの状態で動作状態となり、2Vバイ
アス回路3の出力信号Vout がPLLシンセサイザ回路
4にバイアス電圧として出力される。
When the transistor Tr4 is turned off, the transistor Tr6 is turned on, and when the transistor Tr5 is turned on, the transistor Tr7 is turned off. Therefore, the 5V bias circuit 2 becomes inoperative, the 2V bias circuit 3 becomes active when the power supply Vcc is 2V, and the output signal Vout of the 2V bias circuit 3 is output to the PLL synthesizer circuit 4 as a bias voltage. ..

【0032】以上のようにこの実施例では、電源Vccと
して5Vが供給されると電源電圧供給回路1により5V
バイアス回路2が活性化され、その5Vバイアス回路2
からPLLシンセサイザ回路4に一定のバイアス電圧が
出力される。
As described above, in this embodiment, when 5V is supplied as the power supply Vcc, the power supply voltage supply circuit 1 supplies 5V.
The bias circuit 2 is activated and its 5V bias circuit 2
Outputs a constant bias voltage to the PLL synthesizer circuit 4.

【0033】一方、電源Vccとして2Vが供給されると
電源電圧供給回路1により2Vバイアス回路3が活性化
され、その2Vバイアス回路3からPLLシンセサイザ
回路4に一定のバイアス電圧が出力される。
On the other hand, when 2V is supplied as the power supply Vcc, the 2V bias circuit 3 is activated by the power supply voltage supply circuit 1, and the 2V bias circuit 3 outputs a constant bias voltage to the PLL synthesizer circuit 4.

【0034】従って、電源Vccに5V及び2Vのいずれ
の電圧が供給されてもPLLシンセサイザ回路4には常
に一定のバイアス電圧が供給されるため、電源Vccの変
化によってPLLシンセサイザ回路4の消費電力が増大
することはない。
Therefore, a constant bias voltage is always supplied to the PLL synthesizer circuit 4 regardless of whether the power supply Vcc is supplied with a voltage of 5V or 2V. It does not increase.

【0035】また、前記実施例では電源Vccの電圧レベ
ルに基づいてバイアス回路を選択する構成としたが、電
源Vccから供給される電流レベルに基づいてバイアス回
路を選択する構成とすることもできる。
In the above embodiment, the bias circuit is selected on the basis of the voltage level of the power supply Vcc, but the bias circuit may be selected on the basis of the current level supplied from the power supply Vcc.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上詳述したように、この発明は広範囲
の電源電圧に対応しながら消費電力の増大を防止して効
率よく動作する半導体集積回路を提供することができる
優れた効果を発揮する。
As described above in detail, the present invention has an excellent effect of providing a semiconductor integrated circuit which can cope with a wide range of power supply voltages, prevent increase in power consumption, and operate efficiently. ..

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図2】本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

【図3】一実施例のバイアス回路を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a bias circuit according to an embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電源電圧判定回路 5 内部回路 Vcc 電源 B バイアス回路 1 Power supply voltage judgment circuit 5 Internal circuit Vcc power supply B Bias circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 齋藤 伸二 愛知県春日井市高蔵寺町2丁目1844番2 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shinji Saito 1844-2, Kozoji-cho, Kasugai-shi, Aichi Fujitsu Viel SII Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電源のレベルを判定して出力レベルの異
なる複数のバイアス回路(B)の中からいずれかのバイ
アス回路(B)を選択して動作させる電源電圧判定回路
(1)を設け、 前記電源電圧判定回路(1)で選択されたバイアス回路
(B)は電源(Vcc)に基づいて一定のバイアス電圧を
出力し、そのバイアス電圧に基づいて内部回路(5)を
動作させることを特徴とする半導体集積回路。
1. A power supply voltage determination circuit (1) for determining a power supply level and selecting one of a plurality of bias circuits (B) having different output levels to operate, The bias circuit (B) selected by the power supply voltage determination circuit (1) outputs a constant bias voltage based on the power supply (Vcc) and operates the internal circuit (5) based on the bias voltage. Semiconductor integrated circuit.
【請求項2】 前記電源電圧判定回路(1)は差動回路
を構成する一方のトランジスタ(Tr1)のベースに電源
(Vcc)を一定の割合で降圧した電圧を入力し、前記差
動回路を構成する他方のトランジスタ(Tr3)のベース
に電源(Vcc)の変化に関わらない基準電圧を入力して
電源(Vcc)の電圧レベルを判定する構成したことを特
徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
2. The power supply voltage determination circuit (1) inputs a voltage obtained by stepping down a power supply (Vcc) at a constant rate to the base of one transistor (Tr1) forming a differential circuit, 2. The semiconductor integrated device according to claim 1, wherein a reference voltage irrelevant to a change in the power source (Vcc) is input to the base of the other transistor (Tr3) to be configured to determine the voltage level of the power source (Vcc). circuit.
JP4137196A 1992-05-28 1992-05-28 Semiconductor integrated circuit Withdrawn JPH05335840A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0704976A1 (en) * 1994-09-23 1996-04-03 Symbios Logic Inc. Phase-locked loop control circuit and method

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