JPH05335662A - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH05335662A JPH05335662A JP13486992A JP13486992A JPH05335662A JP H05335662 A JPH05335662 A JP H05335662A JP 13486992 A JP13486992 A JP 13486992A JP 13486992 A JP13486992 A JP 13486992A JP H05335662 A JPH05335662 A JP H05335662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state laser
- laser medium
- light
- medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/0405—Conductive cooling, e.g. by heat sinks or thermo-electric elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/042—Arrangements for thermal management for solid state lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094084—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light with pump light recycling, i.e. with reinjection of the unused pump light, e.g. by reflectors or circulators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体レーザ媒質を励起しレーザ光を出力する
固体レーザ装置に関し、高効率、高出力でかつビーム品
質の良い発振レーザ光を得るようにする。 【構成】 複数の半導体レーザ光源３Ａ，３Ｂは、固体
レーザ媒質２の光軸方向の異なる区分毎にかつ固体レー
ザ媒質２の周方向の角度が互いに異なるように設けられ
る。半導体レーザ光源３Ａからの励起光は励起領域２Ａ
を形成し、半導体レーザ光源３Ｂからの励起光は励起領
域２Ｂを形成し、その励起領域２Ａと２Ｂとを足し合わ
せた励起領域２Ｃにおいて最も励起強度が強くなるの
は、光軸付近の励起領域２Ｄである。このように、励起
強度が光軸付近の励起領域２Ｄに集中するので、高出力
の発振レーザ光が得られ、また、高次の空間モードが発
生しにくくなるため、発振レーザ光は低次で高品質の空
間モードとなる。さらに、固体レーザ媒質２の異なる区
分毎に複数の方向から励起するので、反射部１４Ａ，１
４Ｂの面積を適正に確保することができ吸収効率も高く
なる。
固体レーザ装置に関し、高効率、高出力でかつビーム品
質の良い発振レーザ光を得るようにする。 【構成】 複数の半導体レーザ光源３Ａ，３Ｂは、固体
レーザ媒質２の光軸方向の異なる区分毎にかつ固体レー
ザ媒質２の周方向の角度が互いに異なるように設けられ
る。半導体レーザ光源３Ａからの励起光は励起領域２Ａ
を形成し、半導体レーザ光源３Ｂからの励起光は励起領
域２Ｂを形成し、その励起領域２Ａと２Ｂとを足し合わ
せた励起領域２Ｃにおいて最も励起強度が強くなるの
は、光軸付近の励起領域２Ｄである。このように、励起
強度が光軸付近の励起領域２Ｄに集中するので、高出力
の発振レーザ光が得られ、また、高次の空間モードが発
生しにくくなるため、発振レーザ光は低次で高品質の空
間モードとなる。さらに、固体レーザ媒質２の異なる区
分毎に複数の方向から励起するので、反射部１４Ａ，１
４Ｂの面積を適正に確保することができ吸収効率も高く
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は励起光によって固体レー
ザ媒質を励起しレーザ光を出力する固体レーザ装置に関
し、特に固体レーザ媒質の側面から半導体レーザ光源に
よって固体レーザ媒質を励起する固体レーザ装置に関す
る。
ザ媒質を励起しレーザ光を出力する固体レーザ装置に関
し、特に固体レーザ媒質の側面から半導体レーザ光源に
よって固体レーザ媒質を励起する固体レーザ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ光を励起光に用いた半導体
レーザ励起固体レーザ装置は、従来のランプ励起の固体
レーザ装置に比べて、小型、高効率で長寿命のレーザ光
源として有望視されている。この半導体レーザ励起固体
レーザ装置（以下「固体レーザ装置」という。）として
は、固体レーザ媒質の側面から半導体レーザ光を入射し
て固体レーザ媒質を励起し、より高出力のレーザ光を得
るようにした側面励起法によるものが一般に知られてい
る（特開平２−５４５８８）。
レーザ励起固体レーザ装置は、従来のランプ励起の固体
レーザ装置に比べて、小型、高効率で長寿命のレーザ光
源として有望視されている。この半導体レーザ励起固体
レーザ装置（以下「固体レーザ装置」という。）として
は、固体レーザ媒質の側面から半導体レーザ光を入射し
て固体レーザ媒質を励起し、より高出力のレーザ光を得
るようにした側面励起法によるものが一般に知られてい
る（特開平２−５４５８８）。
【０００３】図１０は上記従来の側面励起方式の固体レ
ーザ装置を示す図である。図では、固体レーザ装置の励
起部の断面を示す。固体レーザ装置は、円柱状の固体レ
ーザ媒質２Ｍ、固体レーザ媒質２Ｍを保持する固定部１
０Ｍ及び半導体レーザ装置３Ｍから構成される。半導体
レーザ装置３Ｍは固体レーザ媒質２Ｍの光軸方向に沿っ
て複数個一列に並べられている。固定部１０Ｍの側面下
端側には開口部１１Ｍが設けられ、半導体レーザ装置３
Ｍの励起光は、その開口部１１Ｍから固体レーザ媒質２
Ｍに入射する。したがって、励起光は固体レーザ媒質２
Ｍの中心軸からずれて入射する。固定部１０Ｍの固体レ
ーザ媒質２Ｍと接する面１３Ｍは、その全周が反射鏡と
して形成されているため、入射した励起光は、その反射
鏡１３Ｍで多重反射され、固体レーザ媒質２Ｍに吸収さ
れる。その結果、固体レーザ媒質２Ｍの内部が均一に励
起される。その際に固体レーザ媒質２Ｍにおいて発生す
る熱は、固定部１０Ｍを伝わって放熱器１０Ｎから外部
に放出される。この励起部を２枚のミラーで構成した共
振器内に配置することにより、レーザ光が発振する。
ーザ装置を示す図である。図では、固体レーザ装置の励
起部の断面を示す。固体レーザ装置は、円柱状の固体レ
ーザ媒質２Ｍ、固体レーザ媒質２Ｍを保持する固定部１
０Ｍ及び半導体レーザ装置３Ｍから構成される。半導体
レーザ装置３Ｍは固体レーザ媒質２Ｍの光軸方向に沿っ
て複数個一列に並べられている。固定部１０Ｍの側面下
端側には開口部１１Ｍが設けられ、半導体レーザ装置３
Ｍの励起光は、その開口部１１Ｍから固体レーザ媒質２
Ｍに入射する。したがって、励起光は固体レーザ媒質２
Ｍの中心軸からずれて入射する。固定部１０Ｍの固体レ
ーザ媒質２Ｍと接する面１３Ｍは、その全周が反射鏡と
して形成されているため、入射した励起光は、その反射
鏡１３Ｍで多重反射され、固体レーザ媒質２Ｍに吸収さ
れる。その結果、固体レーザ媒質２Ｍの内部が均一に励
起される。その際に固体レーザ媒質２Ｍにおいて発生す
る熱は、固定部１０Ｍを伝わって放熱器１０Ｎから外部
に放出される。この励起部を２枚のミラーで構成した共
振器内に配置することにより、レーザ光が発振する。
【０００４】この従来例の特徴は、励起光を固体レーザ
媒質２Ｍの中心軸からずらして一方向から入射し、反射
鏡１３Ｍで多重反射させて固体レーザ媒質２Ｍを均一励
起していることである。
媒質２Ｍの中心軸からずらして一方向から入射し、反射
鏡１３Ｍで多重反射させて固体レーザ媒質２Ｍを均一励
起していることである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の側
面励起法による固体レーザ装置には２つの問題点があ
る。いずれも固体レーザ媒質２Ｍを均一励起するために
生じる問題点である。
面励起法による固体レーザ装置には２つの問題点があ
る。いずれも固体レーザ媒質２Ｍを均一励起するために
生じる問題点である。
【０００６】問題点の第１は、入力に対する発振レーザ
光の出力が低いことである。発振レーザ光の出力は励起
密度が高いほど強くなる。すなわち、励起光の入力が同
じであれば小さな領域を集中して励起したほうがより高
出力の発振光が得られる訳である。したがって、従来の
側面励起法のように、固体レーザ媒質全体を励起した場
合には、集中して励起する場合に比べて低い出力しか得
られなかった。発振レーザ光の出力を上げるためには半
導体レーザ光源の数を増やせばよい。従来の側面励起法
では複数の方向から励起光を入力する場合に、固体レー
ザ媒質２Ｍの同一部分にすべての励起光を入力してい
た。このため、励起光の導入口（開口部）が増えてしま
うので、その励起光毎に対応して設ける必要がある反射
鏡の面積が十分に取れない。反射鏡の面積が少ないと励
起光は十分に固体レーザ媒質２Ｍに吸収されず、吸収効
率が低下してしまう。したがって、出力を上げるために
複数の励起光を入力するのも困難であった。
光の出力が低いことである。発振レーザ光の出力は励起
密度が高いほど強くなる。すなわち、励起光の入力が同
じであれば小さな領域を集中して励起したほうがより高
出力の発振光が得られる訳である。したがって、従来の
側面励起法のように、固体レーザ媒質全体を励起した場
合には、集中して励起する場合に比べて低い出力しか得
られなかった。発振レーザ光の出力を上げるためには半
導体レーザ光源の数を増やせばよい。従来の側面励起法
では複数の方向から励起光を入力する場合に、固体レー
ザ媒質２Ｍの同一部分にすべての励起光を入力してい
た。このため、励起光の導入口（開口部）が増えてしま
うので、その励起光毎に対応して設ける必要がある反射
鏡の面積が十分に取れない。反射鏡の面積が少ないと励
起光は十分に固体レーザ媒質２Ｍに吸収されず、吸収効
率が低下してしまう。したがって、出力を上げるために
複数の励起光を入力するのも困難であった。
【０００７】問題点の第２は、発振光が高次の空間モー
ドになりやすいことである。従来の側面励起法では、固
体レーザ媒質の周縁部の励起強度は光軸（中心軸）付近
の励起強度と同じであるため、光軸付近と同様に周縁部
でもレーザ発振が起きる。このため、発振光の強度分布
は中央付近から周囲にかけて強度が一定なフラットトッ
プと呼ばれる強度分布になる。こうした高次の空間モー
ドのレーザ光は、レンズを使って小さく絞ることが難し
く、レーザ加工などの用途に不適であった。
ドになりやすいことである。従来の側面励起法では、固
体レーザ媒質の周縁部の励起強度は光軸（中心軸）付近
の励起強度と同じであるため、光軸付近と同様に周縁部
でもレーザ発振が起きる。このため、発振光の強度分布
は中央付近から周囲にかけて強度が一定なフラットトッ
プと呼ばれる強度分布になる。こうした高次の空間モー
ドのレーザ光は、レンズを使って小さく絞ることが難し
く、レーザ加工などの用途に不適であった。
【０００８】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、高効率、高出力でかつビーム品質の良い発振
レーザ光を得ることができる固体レーザ装置を提供する
ことを目的とする。
のであり、高効率、高出力でかつビーム品質の良い発振
レーザ光を得ることができる固体レーザ装置を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図では励起を受けている固体レーザ媒質の横
断面を示し、（Ａ）は手前側の断面を、（Ｂ）は奥側の
断面を、（Ｃ）は（Ａ）と（Ｂ）を合成した場合をそれ
ぞれ示す。図において、本発明の固体レーザ装置は、固
体レーザ媒質２と、固体レーザ媒質２の光軸に向けて励
起光を出射する複数の半導体レーザ光源３Ａ，３Ｂと、
半導体レーザ光源３Ａ，３Ｂに対向して設けられ固体レ
ーザ媒質２を通過した励起光を反射する反射部１４Ａ，
１４Ｂとから構成される。複数の半導体レーザ光源３
Ａ，３Ｂは、固体レーザ媒質２の光軸方向の異なる区分
毎にかつ固体レーザ媒質２の周方向における励起光の入
射角度が互いに異なるように設けられる。
図である。図では励起を受けている固体レーザ媒質の横
断面を示し、（Ａ）は手前側の断面を、（Ｂ）は奥側の
断面を、（Ｃ）は（Ａ）と（Ｂ）を合成した場合をそれ
ぞれ示す。図において、本発明の固体レーザ装置は、固
体レーザ媒質２と、固体レーザ媒質２の光軸に向けて励
起光を出射する複数の半導体レーザ光源３Ａ，３Ｂと、
半導体レーザ光源３Ａ，３Ｂに対向して設けられ固体レ
ーザ媒質２を通過した励起光を反射する反射部１４Ａ，
１４Ｂとから構成される。複数の半導体レーザ光源３
Ａ，３Ｂは、固体レーザ媒質２の光軸方向の異なる区分
毎にかつ固体レーザ媒質２の周方向における励起光の入
射角度が互いに異なるように設けられる。
【００１０】
【作用】複数の半導体レーザ光源３Ａ，３Ｂは、固体レ
ーザ媒質２の光軸方向の異なる区分毎にかつ固体レーザ
媒質２の周方向における励起光の入射角度が互いに異な
るように設けられ、固体レーザ媒質２の光軸に向けて励
起光を出射する。その励起光は、半導体レーザ光源３
Ａ，３Ｂに対向して設けられた反射部１４Ａ，１４Ｂで
反射される。このため、すべての励起光は、固体レーザ
媒質２の異なる部分に入射し、固体レーザ媒質２の光軸
に向かって進行し、さらに隣接する励起光の進行方向は
互いに異なる方向となる。例えば、半導体レーザ光源３
Ａから出射した励起光は、図１（Ａ）に示すように、固
体レーザ媒質２の光軸を通り反射部１４Ａで反射して斜
線で示した励起領域２Ａを形成する。また、半導体レー
ザ光源３Ｂから出射した励起光は、図１（Ｂ）に示すよ
うに、固体レーザ媒質２の光軸を通り反射部１４Ｂで反
射し、図１（Ａ）に示した励起領域２Ａとは異なる方向
に励起領域２Ｂを形成する。発振レーザ光の特性は、固
体レーザ媒質２の励起領域を光軸方向に積算した励起分
布に依存する。したがって、図１（Ａ）の励起領域２Ａ
と図１（Ｂ）の励起領域２Ｂとを足し合わせた図１
（Ｃ）の励起領域２Ｃが発振レーザ光の出力と空間モー
ドに反映する。図１（Ｃ）の励起領域２Ｃで最も励起強
度が強いのは、励起領域２Ａと励起領域２Ｂの重なる光
軸付近の励起領域２Ｄである。このように、励起強度が
光軸付近の励起領域２Ｄに集中するので、高出力の発振
レーザ光が得られる。また、固体レーザ媒質２の側面側
（周縁部）の励起強度は弱くなり、高次の空間モードが
発生しにくくなるため、発振レーザ光は低次で高品質の
空間モードとなる。さらに、固体レーザ媒質２の異なる
区分毎に複数の方向から励起するので、同一部分を複数
の方向から励起する場合に比べて反射部の面積を適正に
確保することができる。このため、励起光の吸収効率が
高くなる。すなわち、高効率、高出力でかつビーム品質
の良い発振レーザ光が得られる。
ーザ媒質２の光軸方向の異なる区分毎にかつ固体レーザ
媒質２の周方向における励起光の入射角度が互いに異な
るように設けられ、固体レーザ媒質２の光軸に向けて励
起光を出射する。その励起光は、半導体レーザ光源３
Ａ，３Ｂに対向して設けられた反射部１４Ａ，１４Ｂで
反射される。このため、すべての励起光は、固体レーザ
媒質２の異なる部分に入射し、固体レーザ媒質２の光軸
に向かって進行し、さらに隣接する励起光の進行方向は
互いに異なる方向となる。例えば、半導体レーザ光源３
Ａから出射した励起光は、図１（Ａ）に示すように、固
体レーザ媒質２の光軸を通り反射部１４Ａで反射して斜
線で示した励起領域２Ａを形成する。また、半導体レー
ザ光源３Ｂから出射した励起光は、図１（Ｂ）に示すよ
うに、固体レーザ媒質２の光軸を通り反射部１４Ｂで反
射し、図１（Ａ）に示した励起領域２Ａとは異なる方向
に励起領域２Ｂを形成する。発振レーザ光の特性は、固
体レーザ媒質２の励起領域を光軸方向に積算した励起分
布に依存する。したがって、図１（Ａ）の励起領域２Ａ
と図１（Ｂ）の励起領域２Ｂとを足し合わせた図１
（Ｃ）の励起領域２Ｃが発振レーザ光の出力と空間モー
ドに反映する。図１（Ｃ）の励起領域２Ｃで最も励起強
度が強いのは、励起領域２Ａと励起領域２Ｂの重なる光
軸付近の励起領域２Ｄである。このように、励起強度が
光軸付近の励起領域２Ｄに集中するので、高出力の発振
レーザ光が得られる。また、固体レーザ媒質２の側面側
（周縁部）の励起強度は弱くなり、高次の空間モードが
発生しにくくなるため、発振レーザ光は低次で高品質の
空間モードとなる。さらに、固体レーザ媒質２の異なる
区分毎に複数の方向から励起するので、同一部分を複数
の方向から励起する場合に比べて反射部の面積を適正に
確保することができる。このため、励起光の吸収効率が
高くなる。すなわち、高効率、高出力でかつビーム品質
の良い発振レーザ光が得られる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図２は本発明の固体レーザ装置の構成を概略的
に示す図である。図において、本発明の固体レーザ装置
は、固体レーザ媒質２０、固定部１００、半導体レーザ
装置３１，３２、及び２枚のミラー５０，６０から構成
される。
明する。図２は本発明の固体レーザ装置の構成を概略的
に示す図である。図において、本発明の固体レーザ装置
は、固体レーザ媒質２０、固定部１００、半導体レーザ
装置３１，３２、及び２枚のミラー５０，６０から構成
される。
【００１２】固体レーザ媒質２０はＮｄ：ＹＡＧ結晶ロ
ッドであり、直径２ｍｍ、長さ２０ｍｍの円柱状に形成
されている。その側面は励起光が入射する際に散乱が少
ないように研磨され、また、両端面は平面研磨されて発
振波長に対する反射防止膜が施されている。
ッドであり、直径２ｍｍ、長さ２０ｍｍの円柱状に形成
されている。その側面は励起光が入射する際に散乱が少
ないように研磨され、また、両端面は平面研磨されて発
振波長に対する反射防止膜が施されている。
【００１３】固定部１００は銅製で略柱状に形成されて
いる。この固定部１００は空洞部１３０及び開口部１１
０，１１１を有する。また、固定部１００には、ここで
は図示されていない冷却器が取り付けられる。この冷却
器は電子冷却器あるいは循環水冷却器であり、固体レー
ザ媒質２０の熱を放出すると共にその温度制御をも行
う。電子冷却器は、例えばペルチェ効果を持つ熱電素子
を使用したものである。空洞部１３０は、固定部１００
の中央に孔加工で円筒状に設けられ、上記固体レーザ媒
質２０を保持している。空洞部１３０の内周面と固体レ
ーザ媒質２０の側面との間には、透明で熱抵抗の小さな
材質の接着剤が挿入され充填されている。
いる。この固定部１００は空洞部１３０及び開口部１１
０，１１１を有する。また、固定部１００には、ここで
は図示されていない冷却器が取り付けられる。この冷却
器は電子冷却器あるいは循環水冷却器であり、固体レー
ザ媒質２０の熱を放出すると共にその温度制御をも行
う。電子冷却器は、例えばペルチェ効果を持つ熱電素子
を使用したものである。空洞部１３０は、固定部１００
の中央に孔加工で円筒状に設けられ、上記固体レーザ媒
質２０を保持している。空洞部１３０の内周面と固体レ
ーザ媒質２０の側面との間には、透明で熱抵抗の小さな
材質の接着剤が挿入され充填されている。
【００１４】空洞部１３０の内周面には反射鏡１４０及
び１４１（図３）が形成されている。この反射鏡１４０
及び１４１は、空洞部１３０の内周面に施された金メッ
キまたは誘電体多層膜であり、半導体レーザ装置３１，
３２に対向する位置に設けられる。この金メッキまたは
誘電体多層膜によって励起光が反射されると共に、固体
レーザ媒質２０の熱は固定部１００側に効率良く伝わり
固体レーザ媒質２０が冷却される。なお、反射鏡１４０
及び１４１は、反射率が高く熱伝導性と伸長性の優れた
金属薄膜、例えば金箔や銀箔を固体レーザ媒質２０と固
定部１００との間に挟むような構成にすることもでき
る。このような構成にすると、固体レーザ媒質２０と固
定部１００との間に挟まれた金属薄膜が微小な凹凸のあ
る隙間を埋めるため、固体レーザ媒質２０と固定部１０
０との間の熱抵抗がさがる。したがって、固体レーザ媒
質２０の冷却をより効率良く行うことができるようにな
る。
び１４１（図３）が形成されている。この反射鏡１４０
及び１４１は、空洞部１３０の内周面に施された金メッ
キまたは誘電体多層膜であり、半導体レーザ装置３１，
３２に対向する位置に設けられる。この金メッキまたは
誘電体多層膜によって励起光が反射されると共に、固体
レーザ媒質２０の熱は固定部１００側に効率良く伝わり
固体レーザ媒質２０が冷却される。なお、反射鏡１４０
及び１４１は、反射率が高く熱伝導性と伸長性の優れた
金属薄膜、例えば金箔や銀箔を固体レーザ媒質２０と固
定部１００との間に挟むような構成にすることもでき
る。このような構成にすると、固体レーザ媒質２０と固
定部１００との間に挟まれた金属薄膜が微小な凹凸のあ
る隙間を埋めるため、固体レーザ媒質２０と固定部１０
０との間の熱抵抗がさがる。したがって、固体レーザ媒
質２０の冷却をより効率良く行うことができるようにな
る。
【００１５】開口部１１０及び１１１は、固体レーザ媒
質２０の光軸方向の異なる部分でかつ固体レーザ媒質２
０の円周方向の異なる位置で開口するように設けられて
いる。その開口部１１０，１１１毎に、開口部１１０，
１１１と一体に半導体レーザ装置３１及び３２が設けら
れる。このように、半導体レーザ装置３１及び３２を開
口部１１０及び１１１と一体に設けることにより、半導
体レーザ装置３１及び３２及び固体レーザ媒質２０の温
度制御や冷却を固定部１００に設けた一つの冷却器で同
時に行うことができるようになる。したがって、半導体
レーザ装置３１，３２及び固体レーザ媒質２０の温度制
御機構を簡略化でき、冷却器も小型化することができ
る。ここで、半導体レーザ装置３１及び３２の発振特性
が互いに異なるために、それぞれの制御温度を変える必
要がある場合は、半導体レーザ装置３１及び３２と固定
部１００との間に熱抵抗が互いに異なる板材を挟むよう
に構成すればよい。
質２０の光軸方向の異なる部分でかつ固体レーザ媒質２
０の円周方向の異なる位置で開口するように設けられて
いる。その開口部１１０，１１１毎に、開口部１１０，
１１１と一体に半導体レーザ装置３１及び３２が設けら
れる。このように、半導体レーザ装置３１及び３２を開
口部１１０及び１１１と一体に設けることにより、半導
体レーザ装置３１及び３２及び固体レーザ媒質２０の温
度制御や冷却を固定部１００に設けた一つの冷却器で同
時に行うことができるようになる。したがって、半導体
レーザ装置３１，３２及び固体レーザ媒質２０の温度制
御機構を簡略化でき、冷却器も小型化することができ
る。ここで、半導体レーザ装置３１及び３２の発振特性
が互いに異なるために、それぞれの制御温度を変える必
要がある場合は、半導体レーザ装置３１及び３２と固定
部１００との間に熱抵抗が互いに異なる板材を挟むよう
に構成すればよい。
【００１６】半導体レーザ装置３１及び３２は、例えば
出力が１０Ｗ程度のものであり、出射光の波長は固体レ
ーザ媒質２０の吸収波長に一致するように選ばれる。こ
の実施例では８０９ｎｍである。
出力が１０Ｗ程度のものであり、出射光の波長は固体レ
ーザ媒質２０の吸収波長に一致するように選ばれる。こ
の実施例では８０９ｎｍである。
【００１７】上述した固体レーザ媒質２０、固定部１０
０、半導体レーザ装置３１及び３２によって励起部１０
０Ａが構成される。その励起部１００Ａの両端には、固
体レーザ媒質２０と同軸上に全反射ミラー５０及び出力
ミラー６０が設けられ、全体としてレーザ共振器が構成
される。全反射ミラー５０は、曲率半径が１ｍの凹面鏡
であり合成石英で形成される。全反射ミラー５０のレー
ザ共振器構成面には、発振レーザ光の波長でほぼ１００
％反射するように誘電体多層膜が施されている。出力ミ
ラー６０も、全反射ミラー５０と同様に、曲率半径が１
ｍの凹面鏡であり合成石英で形成される。出力ミラー６
０のレーザ共振器構成面には、発振レーザ光の波長で約
９０％反射するように誘電体多層膜が施されている。全
反射ミラー５０と出力ミラー６０との間の距離、すなわ
ちレーザ共振器としての長さは約１０ｃｍである。
０、半導体レーザ装置３１及び３２によって励起部１０
０Ａが構成される。その励起部１００Ａの両端には、固
体レーザ媒質２０と同軸上に全反射ミラー５０及び出力
ミラー６０が設けられ、全体としてレーザ共振器が構成
される。全反射ミラー５０は、曲率半径が１ｍの凹面鏡
であり合成石英で形成される。全反射ミラー５０のレー
ザ共振器構成面には、発振レーザ光の波長でほぼ１００
％反射するように誘電体多層膜が施されている。出力ミ
ラー６０も、全反射ミラー５０と同様に、曲率半径が１
ｍの凹面鏡であり合成石英で形成される。出力ミラー６
０のレーザ共振器構成面には、発振レーザ光の波長で約
９０％反射するように誘電体多層膜が施されている。全
反射ミラー５０と出力ミラー６０との間の距離、すなわ
ちレーザ共振器としての長さは約１０ｃｍである。
【００１８】半導体レーザ装置３１及び３２は、上述し
たように、固体レーザ媒質２０の光軸方向に互いにずれ
た位置での開口部１１０及び１１１に設けられる。この
ため、半導体レーザ装置３１及び３２から出射された励
起光は、互いに固体レーザ媒質２０の光軸方向にずれた
部分を励起することになる。
たように、固体レーザ媒質２０の光軸方向に互いにずれ
た位置での開口部１１０及び１１１に設けられる。この
ため、半導体レーザ装置３１及び３２から出射された励
起光は、互いに固体レーザ媒質２０の光軸方向にずれた
部分を励起することになる。
【００１９】従来方法によると、固体レーザ媒質２０を
複数の方向から励起する場合は、固体レーザ媒質２０の
同一部分を励起していたので、同一部分での励起光の導
入口が増え、反射鏡の面積を十分に取ることができなか
った。このため、励起光は固体レーザ媒質２０に十分に
吸収されなかった。これに対し、上述したように、固体
レーザ媒質２０の互いにずれた部分を励起するように構
成したので、固体レーザ媒質２０の各部分には、一つの
導入口１１０Ａまたは１１１Ａ（図３）を設けるだけで
よい。このため、反射鏡１４０及び１４１（図３）に十
分な面積を確保することができる。したがって、励起光
の吸収効率が改善され、励起光は固体レーザ媒質２０に
十分吸収されるようになる。
複数の方向から励起する場合は、固体レーザ媒質２０の
同一部分を励起していたので、同一部分での励起光の導
入口が増え、反射鏡の面積を十分に取ることができなか
った。このため、励起光は固体レーザ媒質２０に十分に
吸収されなかった。これに対し、上述したように、固体
レーザ媒質２０の互いにずれた部分を励起するように構
成したので、固体レーザ媒質２０の各部分には、一つの
導入口１１０Ａまたは１１１Ａ（図３）を設けるだけで
よい。このため、反射鏡１４０及び１４１（図３）に十
分な面積を確保することができる。したがって、励起光
の吸収効率が改善され、励起光は固体レーザ媒質２０に
十分吸収されるようになる。
【００２０】また、従来方法では複数方向から励起する
場合、固体レーザ媒質の同一部分が集中して励起され
る。さらに、その同一部分で励起光の導入口が増える結
果、固体レーザ媒質は固定部で覆われる面積が少なくな
り、固体レーザ媒質から固定部を経由して放出される熱
も低減してしまう。このため、固体レーザ媒質は冷却が
不十分となり、温度も非常に高くなっていた。したがっ
て、固体レーザ媒質が熱によって劣化したり、熱歪みに
より発振レーザ光のビーム品質が悪化したりしていた。
これに対し、本実施例では、固体レーザ媒質２０の各部
分に分散して励起光が出射される。また、その各部分に
は一つの導入口１１０Ａまたは１１１Ａを設けるだけで
よいので、固体レーザ媒質２０は固定部１００によって
その大部分が覆われる。このため、固体レーザ媒質２０
から固定部１００への放熱を円滑に行うことができる。
したがって、固体レーザ媒質２０は冷却が十分に行わ
れ、その温度も適正に制御することができ、固体レーザ
媒質２０の熱による劣化や熱歪みによる発振レーザ光の
ビーム品質悪化を防止できる。
場合、固体レーザ媒質の同一部分が集中して励起され
る。さらに、その同一部分で励起光の導入口が増える結
果、固体レーザ媒質は固定部で覆われる面積が少なくな
り、固体レーザ媒質から固定部を経由して放出される熱
も低減してしまう。このため、固体レーザ媒質は冷却が
不十分となり、温度も非常に高くなっていた。したがっ
て、固体レーザ媒質が熱によって劣化したり、熱歪みに
より発振レーザ光のビーム品質が悪化したりしていた。
これに対し、本実施例では、固体レーザ媒質２０の各部
分に分散して励起光が出射される。また、その各部分に
は一つの導入口１１０Ａまたは１１１Ａを設けるだけで
よいので、固体レーザ媒質２０は固定部１００によって
その大部分が覆われる。このため、固体レーザ媒質２０
から固定部１００への放熱を円滑に行うことができる。
したがって、固体レーザ媒質２０は冷却が十分に行わ
れ、その温度も適正に制御することができ、固体レーザ
媒質２０の熱による劣化や熱歪みによる発振レーザ光の
ビーム品質悪化を防止できる。
【００２１】図３は図２のＡ矢視図である。図に示すよ
うに、半導体レーザ装置３１及び３２は開口部１１０及
び１１１に一体に設けられ、半導体レーザ装置３１，３
２から出射された励起光の進行方向は互いに直交する。
半導体レーザ装置３１から出射した励起光は、固体レー
ザ媒質２０の光軸を通り反射部１４０で反射して斜線で
示した励起領域２０Ａを形成する。また、半導体レーザ
装置３２から出射した励起光は、固体レーザ媒質２０の
光軸を通り反射鏡１４１で反射して励起領域２０Ｂを形
成する。ところで、発振レーザ光の特性は、固体レーザ
媒質２０の励起領域を光軸方向に積算した励起分布に依
存する。したがって、励起領域２０Ａと励起領域２０Ｂ
とを足し合わせた励起領域が発振レーザ光の出力と空間
モードに反映する。この足し合わせた励起領域で最も励
起強度が強いのは、励起領域２０Ａと励起領域２０Ｂの
重なる光軸付近の励起領域２０Ｄである。このように、
励起強度が光軸付近の励起領域２０Ｄに集中するので、
高出力の発振レーザ光を得ることができる。また、固体
レーザ媒質２０の側面側の励起強度は弱くなり、高次の
空間モードが発生しにくくなるため、発振レーザ光は低
次で高品質の空間モードとなる。すなわち、高出力でか
つビーム品質の良い発振レーザ光を得ることができる。
うに、半導体レーザ装置３１及び３２は開口部１１０及
び１１１に一体に設けられ、半導体レーザ装置３１，３
２から出射された励起光の進行方向は互いに直交する。
半導体レーザ装置３１から出射した励起光は、固体レー
ザ媒質２０の光軸を通り反射部１４０で反射して斜線で
示した励起領域２０Ａを形成する。また、半導体レーザ
装置３２から出射した励起光は、固体レーザ媒質２０の
光軸を通り反射鏡１４１で反射して励起領域２０Ｂを形
成する。ところで、発振レーザ光の特性は、固体レーザ
媒質２０の励起領域を光軸方向に積算した励起分布に依
存する。したがって、励起領域２０Ａと励起領域２０Ｂ
とを足し合わせた励起領域が発振レーザ光の出力と空間
モードに反映する。この足し合わせた励起領域で最も励
起強度が強いのは、励起領域２０Ａと励起領域２０Ｂの
重なる光軸付近の励起領域２０Ｄである。このように、
励起強度が光軸付近の励起領域２０Ｄに集中するので、
高出力の発振レーザ光を得ることができる。また、固体
レーザ媒質２０の側面側の励起強度は弱くなり、高次の
空間モードが発生しにくくなるため、発振レーザ光は低
次で高品質の空間モードとなる。すなわち、高出力でか
つビーム品質の良い発振レーザ光を得ることができる。
【００２２】図４及び図５は本発明の第２の実施例を示
す図であり、図４は本発明の固体レーザ装置の斜視図、
図５はそのＢ矢視図である。第１の実施例との相違点
は、固定部１０１の開口部１１２及び１１３の各々に、
複数個（例えば４個）の半導体レーザ装置３３〜３６及
び３７〜４０を設けるように構成した点である。これら
の半導体レーザ装置３３〜３６及び３７〜４０は、第１
の実施例と同様に、励起光の進行方向が光軸を向くよう
に配置されており、その対向する位置に反射鏡１４２及
び１４３（図５）が設けられている。
す図であり、図４は本発明の固体レーザ装置の斜視図、
図５はそのＢ矢視図である。第１の実施例との相違点
は、固定部１０１の開口部１１２及び１１３の各々に、
複数個（例えば４個）の半導体レーザ装置３３〜３６及
び３７〜４０を設けるように構成した点である。これら
の半導体レーザ装置３３〜３６及び３７〜４０は、第１
の実施例と同様に、励起光の進行方向が光軸を向くよう
に配置されており、その対向する位置に反射鏡１４２及
び１４３（図５）が設けられている。
【００２３】本実施例の特徴は、多くの方向から励起光
を入射しているにもかかわらず、半導体レーザ装置３３
〜３６及び３７〜４０の対向する位置に反射鏡１４２及
び１４３を設けることができることにある。このため、
励起光が外部に漏れて無駄になるのを防ぐことができ、
その分吸収効率を高めることができる。また、第１の実
施例に比べて励起光の入力が多くなるので、高出力の発
振レーザ光を得ることができる。なお、この構成の場
合、固体レーザ媒質２１の発熱が増加するので、半導体
レーザ装置３３〜３６及び３７〜４０側の冷却用に別の
冷却手段を設ける必要がある。
を入射しているにもかかわらず、半導体レーザ装置３３
〜３６及び３７〜４０の対向する位置に反射鏡１４２及
び１４３を設けることができることにある。このため、
励起光が外部に漏れて無駄になるのを防ぐことができ、
その分吸収効率を高めることができる。また、第１の実
施例に比べて励起光の入力が多くなるので、高出力の発
振レーザ光を得ることができる。なお、この構成の場
合、固体レーザ媒質２１の発熱が増加するので、半導体
レーザ装置３３〜３６及び３７〜４０側の冷却用に別の
冷却手段を設ける必要がある。
【００２４】図６は本発明の第３の実施例を示す図であ
る。第１の実施例との相違点は、固体レーザ装置に複数
（例えば２個）の励起部１０２Ａ及び１０３Ａを設け、
その励起部１０２Ａ及び１０３Ａを光学的に直列に配置
するように構成した点である。ここでは、励起部１０２
Ａ及び１０３Ａを直線上に配置したが、その他の配置と
して例えば折り返し型も可能である。励起部１０２Ａ側
の固定部１０２には開口部１１４が、また励起部１０３
Ａ側の固定部１０３には開口部１１５がそれぞれ設けら
れる。励起部１０２Ａ及び１０３Ａはこの開口部１１４
及び１１５が互いに異方向となるように配置される。例
えば励起部が２個の場合は、図に示すように開口部１１
４及び１１５が互いに反対方向となるように、また３個
以上の場合は、各開口部の向きが光軸回りの円周上で等
分割となるように配置される。開口部１１４及び１１５
には、各２個の半導体レーザ装置４１，４２及び４３，
４４が設けられる。
る。第１の実施例との相違点は、固体レーザ装置に複数
（例えば２個）の励起部１０２Ａ及び１０３Ａを設け、
その励起部１０２Ａ及び１０３Ａを光学的に直列に配置
するように構成した点である。ここでは、励起部１０２
Ａ及び１０３Ａを直線上に配置したが、その他の配置と
して例えば折り返し型も可能である。励起部１０２Ａ側
の固定部１０２には開口部１１４が、また励起部１０３
Ａ側の固定部１０３には開口部１１５がそれぞれ設けら
れる。励起部１０２Ａ及び１０３Ａはこの開口部１１４
及び１１５が互いに異方向となるように配置される。例
えば励起部が２個の場合は、図に示すように開口部１１
４及び１１５が互いに反対方向となるように、また３個
以上の場合は、各開口部の向きが光軸回りの円周上で等
分割となるように配置される。開口部１１４及び１１５
には、各２個の半導体レーザ装置４１，４２及び４３，
４４が設けられる。
【００２５】図７は図６のＣ矢視図である。図に示すよ
うに、半導体レーザ装置４１，４２から出射された励起
光の進行方向は互いに直交し、励起強度が光軸付近の励
起領域２２Ｄに集中しており、高出力で高ビーム品質の
発振レーザ光が得られる。
うに、半導体レーザ装置４１，４２から出射された励起
光の進行方向は互いに直交し、励起強度が光軸付近の励
起領域２２Ｄに集中しており、高出力で高ビーム品質の
発振レーザ光が得られる。
【００２６】このような構成の固体レーザ装置において
は、固体レーザ媒質２２及び２３は、その開口部１１４
及び１１５側で固定部１０２及び１０３に接しない。こ
のため、固体レーザ媒質２２及び２３の内部で、固定部
１０２及び１０３と接している側と接していない側とで
温度勾配が生じる。したがって、固体レーザ媒質２２及
び２３に熱歪みが生じやすくなり、発振レーザ光のビー
ムが屈折したり、ビーム形状が歪んだりする。この熱歪
みを除去するために、本実施例では、励起部１０２Ａ及
び１０３Ａの上下を反対にして配置し、各励起部１０２
Ａ，１０３Ａでの熱歪みの効果を相殺するようにした。
このように各励起部１０２Ａ等を配置することにより、
各励起部１０２Ａ等で発生する熱歪みによる影響は全体
のレベルで解消される。したがって、励起部１０２Ａ等
の個数を増やすことにより、容易に高出力化を図ること
ができ、しかも熱歪みの影響が除去された高ビーム品質
の発振レーザ光を得ることができる。
は、固体レーザ媒質２２及び２３は、その開口部１１４
及び１１５側で固定部１０２及び１０３に接しない。こ
のため、固体レーザ媒質２２及び２３の内部で、固定部
１０２及び１０３と接している側と接していない側とで
温度勾配が生じる。したがって、固体レーザ媒質２２及
び２３に熱歪みが生じやすくなり、発振レーザ光のビー
ムが屈折したり、ビーム形状が歪んだりする。この熱歪
みを除去するために、本実施例では、励起部１０２Ａ及
び１０３Ａの上下を反対にして配置し、各励起部１０２
Ａ，１０３Ａでの熱歪みの効果を相殺するようにした。
このように各励起部１０２Ａ等を配置することにより、
各励起部１０２Ａ等で発生する熱歪みによる影響は全体
のレベルで解消される。したがって、励起部１０２Ａ等
の個数を増やすことにより、容易に高出力化を図ること
ができ、しかも熱歪みの影響が除去された高ビーム品質
の発振レーザ光を得ることができる。
【００２７】図８は本発明の第４の実施例を示す図であ
る。第１の実施例との相違点は、固体レーザ媒質２４を
光軸方向に沿って４箇所から励起するように構成した点
である。すなわち、図に示すように、固体レーザ媒質２
４の光軸方向に沿って互いに異なる位置で、その光軸回
りを等分割するように開口部１１６，１１７，１１８及
びここでは図示しないさらにもう一箇所の開口部が設け
られる。その開口部１１６等毎に配置された半導体レー
ザ装置４５〜４８から励起光が出射される。
る。第１の実施例との相違点は、固体レーザ媒質２４を
光軸方向に沿って４箇所から励起するように構成した点
である。すなわち、図に示すように、固体レーザ媒質２
４の光軸方向に沿って互いに異なる位置で、その光軸回
りを等分割するように開口部１１６，１１７，１１８及
びここでは図示しないさらにもう一箇所の開口部が設け
られる。その開口部１１６等毎に配置された半導体レー
ザ装置４５〜４８から励起光が出射される。
【００２８】図９は図８のＤ矢視図である。図に示すよ
うに、４個の半導体レーザ装置４５〜４８から出射され
た励起光は互いに直交するため、励起強度が光軸付近の
励起領域２４Ｄに集中する。したがって、高ビーム品質
の発振レーザ光を得ることができると共に、第１の実施
例の場合よりもさらに高出力の発振レーザ光を得ること
ができる。
うに、４個の半導体レーザ装置４５〜４８から出射され
た励起光は互いに直交するため、励起強度が光軸付近の
励起領域２４Ｄに集中する。したがって、高ビーム品質
の発振レーザ光を得ることができると共に、第１の実施
例の場合よりもさらに高出力の発振レーザ光を得ること
ができる。
【００２９】上記の各実施例では、半導体レーザ装置か
らの励起光を直接固体レーザ媒質に入射するようにした
が、その励起光を光ファイバで固体レーザ媒質に導光す
るように構成することもできる。
らの励起光を直接固体レーザ媒質に入射するようにした
が、その励起光を光ファイバで固体レーザ媒質に導光す
るように構成することもできる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、複数の
半導体レーザ光源が、固体レーザ媒質の光軸方向の異な
る区分毎にかつ固体レーザ媒質の周方向における励起光
の入射角度が互いに異なるように設けられると共に、そ
の複数の半導体レーザ光源から出射された励起光が固体
レーザ媒質の光軸に向けて進行するように構成した。
半導体レーザ光源が、固体レーザ媒質の光軸方向の異な
る区分毎にかつ固体レーザ媒質の周方向における励起光
の入射角度が互いに異なるように設けられると共に、そ
の複数の半導体レーザ光源から出射された励起光が固体
レーザ媒質の光軸に向けて進行するように構成した。
【００３１】このため、すべての励起光は、固体レーザ
媒質の異なる部分に入射し、固体レーザ媒質の光軸に向
かって進行し、さらに隣接する励起光の進行方向は互い
に異なる方向となる。したがって、光軸付近が集中的に
励起されることになり、均一に励起されていた従来方法
に比べて高出力の発振レーザ光を得ることができる。
媒質の異なる部分に入射し、固体レーザ媒質の光軸に向
かって進行し、さらに隣接する励起光の進行方向は互い
に異なる方向となる。したがって、光軸付近が集中的に
励起されることになり、均一に励起されていた従来方法
に比べて高出力の発振レーザ光を得ることができる。
【００３２】また、固体レーザ媒質の周縁部の励起強度
は弱くなり、高次の空間モードが発生しにくくなるた
め、発振レーザ光は低次で高品質の空間モードとなる。
さらに、固体レーザ媒質の異なる区分毎に複数の方向か
ら励起するので、同一部分を複数の方向から励起する場
合に比べて反射部の面積を適正に確保することができ
る。このため、励起光の吸収効率が高くなる。すなわ
ち、高効率、高出力でかつビーム品質の良い発振レーザ
光を得ることができる。
は弱くなり、高次の空間モードが発生しにくくなるた
め、発振レーザ光は低次で高品質の空間モードとなる。
さらに、固体レーザ媒質の異なる区分毎に複数の方向か
ら励起するので、同一部分を複数の方向から励起する場
合に比べて反射部の面積を適正に確保することができ
る。このため、励起光の吸収効率が高くなる。すなわ
ち、高効率、高出力でかつビーム品質の良い発振レーザ
光を得ることができる。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の固体レーザ装置の構成を概略的に示す
図である。
図である。
【図３】図２のＡ矢視図である。
【図４】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図５】図４のＢ矢視図である。
【図６】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図７】図６のＣ矢視図である。
【図８】本発明の第４の実施例を示す図である。
【図９】図８のＤ矢視図である。
【図１０】従来の側面励起方式の固体レーザ装置を示す
図である。
図である。
２，２０，２１，２２，２３，２４ 固体レーザ媒質 ３Ａ，３Ｂ 半導体レーザ光源 １０，１００，１０１，１０２，１０３，１０４ 固定
部 １１Ａ，１１Ｂ，１１０〜１１８ 開口部 ３１〜４８ 半導体レーザ装置 １４Ａ，１４Ｂ 反射部 １３０〜１３４ 空洞部 １４０〜１４９ 反射鏡
部 １１Ａ，１１Ｂ，１１０〜１１８ 開口部 ３１〜４８ 半導体レーザ装置 １４Ａ，１４Ｂ 反射部 １３０〜１３４ 空洞部 １４０〜１４９ 反射鏡
Claims (5)
- 【請求項１】 励起光によって固体レーザ媒質を励起し
レーザ光を出力する固体レーザ装置において、 固体レーザ媒質と、 前記固体レーザ媒質の光軸方向の異なる区分毎にかつ前
記固体レーザ媒質の周方向における励起光の入射角度が
互いに異なるように設けられ、前記固体レーザ媒質の光
軸に向けて励起光を出射する複数の半導体レーザ光源
と、 前記半導体レーザ光源に対向して設けられ、前記固体レ
ーザ媒質を通過した前記励起光を反射する反射部と、 を有することを特徴とする固体レーザ装置。 - 【請求項２】 励起光によって固体レーザ媒質を励起し
レーザ光を出力する固体レーザ装置において、 固体レーザ媒質と、 前記固体レーザ媒質を保持する固定部と、 前記固定部に設けられ、前記固体レーザ媒質の光軸方向
の異なる部分でかつ前記固体レーザ媒質の周方向で異な
る位置に開口する複数の開口部と、 前記開口部毎に設けられ、前記開口部から前記固体レー
ザ媒質の光軸中心に向けて励起光を出射する半導体レー
ザ装置と、 前記半導体レーザ装置に対向して設けられ、前記固体レ
ーザ媒質を通過した前記励起光を反射する反射部と、 を有することを特徴とする固体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記半導体レーザ装置は、放熱作用を有
する前記固定部に設けられた前記開口部に挿入されると
共に、前記固定部に接触していることを特徴とする請求
項２記載の固体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記半導体レーザ装置は、前記開口部毎
に複数個設けられることを特徴とする請求項２記載の固
体レーザ装置。 - 【請求項５】 励起光によって固体レーザ媒質を励起し
レーザ光を出力する固体レーザ装置において、 固体レーザ媒質と、前記固体レーザ媒質の光軸方向に設
けられ前記固体レーザ媒質の光軸に向けて励起光を出射
する半導体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源に対向
して設けられ前記固体レーザ媒質を通過した前記励起光
を反射する反射鏡とから構成される励起部が、前記励起
光の進行方向が互いに異方向となるように光学的に直列
に複数設けられることを特徴とする固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13486992A JPH05335662A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13486992A JPH05335662A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335662A true JPH05335662A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15138380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13486992A Pending JPH05335662A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335662A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5774488A (en) * | 1994-06-30 | 1998-06-30 | Lightwave Electronics Corporation | Solid-state laser with trapped pump light |
| US5867324A (en) * | 1997-01-28 | 1999-02-02 | Lightwave Electronics Corp. | Side-pumped laser with shaped laser beam |
| US6385227B1 (en) | 1999-01-12 | 2002-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state laser apparatus and laser process apparatus |
| US6580099B2 (en) | 1994-12-02 | 2003-06-17 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting devices |
| WO2003067721A3 (en) * | 2002-02-07 | 2004-03-04 | Lambda Physik Ag | Solid-state diode pumped laser employing oscillator-amplifier |
| US6947465B2 (en) | 2002-10-18 | 2005-09-20 | Orc Manufacturing Co., Ltd. | Solid state laser |
| JP2010171390A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 固体レーザ増幅装置および固体レーザ装置 |
| JP4978754B1 (ja) * | 2011-04-08 | 2012-07-18 | 三菱電機株式会社 | 固体レーザ装置 |
| JP2012530364A (ja) * | 2009-06-15 | 2012-11-29 | パンテック バイオソリューションズ アクチェンゲゼルシャフト | 側面ポンプモノリシック固体レーザー及びその用途 |
| KR101327521B1 (ko) * | 2012-02-15 | 2013-11-08 | 영남대학교 산학협력단 | 단면 여기 레이저 다이오드용 고체 레이저의 펌핑 장치 |
| WO2022050072A1 (ja) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ装置、及びレーザ装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP13486992A patent/JPH05335662A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5774488A (en) * | 1994-06-30 | 1998-06-30 | Lightwave Electronics Corporation | Solid-state laser with trapped pump light |
| US6580099B2 (en) | 1994-12-02 | 2003-06-17 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting devices |
| US5867324A (en) * | 1997-01-28 | 1999-02-02 | Lightwave Electronics Corp. | Side-pumped laser with shaped laser beam |
| US6385227B1 (en) | 1999-01-12 | 2002-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state laser apparatus and laser process apparatus |
| WO2003067721A3 (en) * | 2002-02-07 | 2004-03-04 | Lambda Physik Ag | Solid-state diode pumped laser employing oscillator-amplifier |
| US6947465B2 (en) | 2002-10-18 | 2005-09-20 | Orc Manufacturing Co., Ltd. | Solid state laser |
| JP2010171390A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 固体レーザ増幅装置および固体レーザ装置 |
| JP2012530364A (ja) * | 2009-06-15 | 2012-11-29 | パンテック バイオソリューションズ アクチェンゲゼルシャフト | 側面ポンプモノリシック固体レーザー及びその用途 |
| US9368931B2 (en) | 2009-06-15 | 2016-06-14 | Pantec Biosolutions Ag | Monolithic, side pumped solid-state laser and applications thereof |
| JP4978754B1 (ja) * | 2011-04-08 | 2012-07-18 | 三菱電機株式会社 | 固体レーザ装置 |
| WO2012137259A1 (ja) * | 2011-04-08 | 2012-10-11 | 三菱電機株式会社 | 固体レーザ装置 |
| CN103477512A (zh) * | 2011-04-08 | 2013-12-25 | 三菱电机株式会社 | 固体激光装置 |
| CN103477512B (zh) * | 2011-04-08 | 2015-07-01 | 三菱电机株式会社 | 固体激光装置 |
| KR101327521B1 (ko) * | 2012-02-15 | 2013-11-08 | 영남대학교 산학협력단 | 단면 여기 레이저 다이오드용 고체 레이저의 펌핑 장치 |
| WO2022050072A1 (ja) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ装置、及びレーザ装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5330801B2 (ja) | レーザ利得媒質、レーザ発振器及びレーザ増幅器 | |
| JP2007081415A (ja) | 高出力レーザ装置 | |
| JPS6216588A (ja) | レ−ザ装置 | |
| JPH05335662A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JPH10242551A (ja) | 光学素子及びこれを用いたレーザ装置 | |
| JP2006339638A (ja) | 単一のヒートシンク上にポンプレーザと共に結合された面発光レーザ | |
| JPH08213689A (ja) | 固体レーザ媒質および固体レーザ装置 | |
| US6055263A (en) | Solid-state laser oscillating device | |
| JP2664392B2 (ja) | レーザ装置 | |
| JPH1187816A (ja) | Ｌｄ励起固体レーザ発振装置 | |
| JP2004296671A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JP2000012935A (ja) | レーザー励起装置 | |
| JPH0563263A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2725648B2 (ja) | 固体レーザ励起方法及び固体レーザ装置 | |
| JP3271603B2 (ja) | Ｌｄ励起固体レーザ装置 | |
| KR102358148B1 (ko) | 파장 구별 ｓｌａｂ 레이저 | |
| EP1198039B1 (en) | Solid state laser apparatus | |
| JPH11284257A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2004179412A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置並びにその製造方法 | |
| JPH10261825A (ja) | 半導体レーザ光整形光学系及び半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2581189B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JP3340683B2 (ja) | 固体レーザ励起モジュール | |
| JPH10284775A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JPH07307507A (ja) | 固体レーザ | |
| JPH0537052A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |