JPH0533185A - メツキ装置及びメツキ方法 - Google Patents

メツキ装置及びメツキ方法

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Publication number
JPH0533185A
JPH0533185A JP18973591A JP18973591A JPH0533185A JP H0533185 A JPH0533185 A JP H0533185A JP 18973591 A JP18973591 A JP 18973591A JP 18973591 A JP18973591 A JP 18973591A JP H0533185 A JPH0533185 A JP H0533185A
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JP
Japan
Prior art keywords
plating
wafer
barrier metal
resist film
requiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP18973591A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasufumi Izutsu
康文 井筒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Publication of JPH0533185A publication Critical patent/JPH0533185A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェーハの希望する部分にのみ、電解メッキ
する。 【構成】 メッキを必要とする面にバリアメタル2と、
メッキすべき部分のみ開口させたレジスト膜3が設けら
れたウェーハ1が、その面が下向きなるように固定され
ている。メッキ槽4にはバリアメタル2と接触させるた
めのメッキ電極6が組み込まれており、その先端部には
可動あるいは弾力性の保護パイプ8がかぶせられてい
る。ウェーハ1と保護パイプ8とを密着させて、この保
護パイプ8レジスト膜3とでメッキ電極6及びメッキ不
要部分を密封する。メッキ液5をメッキを必要としない
面に回り込まない程度の流量として、常にメッキ槽4の
上の縁から外側へ流出させながら、ウェーハ1の希望す
る部分に電解メッキする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置を実装する場
合に用いられるバンプ電極形成のためのメッキ装置およ
びメッキ方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置を高密度で実装する手法の一
つとして、フィルムキャリアまたはTABと呼ばれる技
術がある。半導体装置のボンディングパッドには、電界
メッキによるバンプ電極が設けられており、ILBと呼
ばれる工法でフィルム側のリードと接続される。
【0003】以下に従来のメッキ装置とメッキ方法につ
いて説明する。図6は従来のメッキ装置の断面図であ
る。図6において、ウェーハ11はメッキを必要とする
面にバリアメタル12を設け、更にメッキを必要とする
部分のみ開口させたレジスト膜13を設けたものであ
り、その面が下向きに固定されている。メッキ槽14に
はバリアメタル12と接触をとるためのメッキ電極16
が組み込まれており、メッキ液15はウェーハ11のメ
ッキを必要としない面に回り込まない程度の流量で、常
にメッキ槽14の上の縁から外側へ流出している。バン
プ電極17は、レジスト膜13の開口部に形成される。
【0004】図7、図8は従来のメッキ方法の工程図で
ある。図7はウェーハ11がメッキ装置に固定される前
の状態であり、メッキ液15はメッキ槽14の上の縁か
ら外側へ流出している。図8はウェーハ11がメッキ装
置に固定されメッキが行われている状態であり、メッキ
液15はメッキ槽14の上の縁から外側へ流出してい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のメッキ装置及びメッキ方法では、図6に示すように必
要とするバンプ電極17以外に、不要なメッキ部分18
も同時に形成されてしまう。不要なメッキ部分18はウ
ェーハ11とメッキ電極16を物理的に固定しているた
め、両者を切り離す際に余分な応力が発生して、ウェー
ハ11に作り込まれた半導体装置に、特性上あるいは信
頼性上の問題を引き起こしてしまう。またこの不要なメ
ッキは、ウェーハ側では後工程の加工を困難にし、メッ
キ電極側では電極の表面形状を変える等の不具合を生じ
させる。メッキ液においても、余分なメッキを行うため
寿命が短くなる。
【0006】本発明は上記従来の課題を解決したメッキ
装置及びメッキ方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のメッキ装置及びメッキ方法は、メッキ電極に
可動あるいは弾力性の保護パイプをかぶせ、ウェーハ上
のバリアメタルとの接触部分を密封した後、メッキ液の
液面を制御してウェーハのメッキを必要とする部分をメ
ッキ液中に浸す構成を有している。
【0008】
【作用】この構成によれば、メッキ電極及び上記接触部
周辺のバリアメタルが、保護パイプとウェーハ表面のレ
ジスト膜で密封され、メッキ液に直接触れることがない
ので不要なメッキをなくすことができる。
【0009】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
【0010】図1は本発明の実施例におけるメッキ装置
の断面図である。図1において、ウェーハ1はメッキを
必要とする面にバリアメタル2を設け、更にメッキを必
要とする部分のみ開口させたレジスト膜3を設けたもの
であり、その面が下向きに固定されている。メッキ槽4
にはバリアメタル2と接触をとるためのメッキ電極6が
組み込まれており、先端部には可動あるいは弾力性の保
護パイプ8がかぶせられている。メッキ液5はウェーハ
1のメッキを必要としない面に回り込まない程度の流量
で、常にメッキ槽4の上の縁から外側へ流出している。
バンプ電極7は、レジスト膜3の開口部に形成される。
【0011】図2〜図5は本発明の実施例におけるメッ
キ方法の工程図である。図2はウェーハ1がメッキ装置
に固定される前の状態であり、メッキ液5の液面は保護
パイプ8の上端より低い位置にある。図3は保護パイプ
8とレジスト膜3でメッキ電極6及びメッキを必要とし
ない部分が密封された状態であり、メッキ液5の液面は
保護パイプ8の上端より低い位置にある。図4はレジス
ト膜3で可動あるいは弾力性の保護パイプ8が押し下げ
られ、メッキ電極6とバリアメタル2の電気的接続が行
われた状態であり、メッキ液5の液面は保護パイプ8の
上端より低い位置にある。図5はウェーハ1がメッキ装
置に固定されメッキが行われている状態であり、メッキ
液5は液面が上昇してメッキ槽4の上の縁から外側へ流
出している。
【0012】以上のように構成されたメッキ装置及びメ
ッキ方法では、保護パイプ8とメッキ液5の液面制御に
よって、不要なメッキをなくすことができる。
【0013】
【発明の効果】以上のように本発明は、メッキを必要と
しない部分の保護パイプによる密封とメッキ液の液面制
御によって、不要なメッキをなくすことができる優れた
メッキ装置の実現とメッキ方法を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のメッキ装置の断面図
【図2】本発明の一実施例のメッキ方法の第一工程図
【図3】本発明の一実施例のメッキ方法の第二工程図
【図4】本発明の一実施例のメッキ方法の第三工程図
【図5】本発明の一実施例のメッキ方法の第四工程図
【図6】従来のメッキ装置の断面図
【図7】従来のメッキ方法の第一工程図
【図8】従来のメッキ方法の第二工程図
【符号の説明】
1 ウェーハ 2 バリアメタル 3 レジスト膜 4 メッキ槽 5 メッキ液 6 メッキ電極 7 バンプ電極 8 保護パイプ 11 ウェーハ 12 バリアメタル 13 レジスト膜 14 メッキ槽 15 メッキ液 16 メッキ電極 17 バンプ電極 18 不要なメッキ部分

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェーハ表面に電界メッキによるバンプ
    電極を形成する際、このウェーハ表面のメッキを必要と
    する部分につながるバリアメタルと接触をとるためのメ
    ッキ電極に保護パイプをかぶせ、この保護パイプとウェ
    ーハ表面のレジスト膜で上記接触部を密封することによ
    り、メッキ電極及び上記接触部周辺のバリアメタルがメ
    ッキ液に直接触れることをなくす構造を有するメッキ装
    置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のメッキ装置によりバン
    プ電極を形成する際、密封工程の前から完了までの間、
    一時的にメッキ液の液面を保護パイプの上端より低下さ
    せる工法をとるメッキ方法。
JP18973591A 1991-07-30 1991-07-30 メツキ装置及びメツキ方法 Pending JPH0533185A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7557383B2 (en) 2003-09-19 2009-07-07 Panasonic Corporation Lighting apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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