JPH0533139A - Method for attaching and detaching wafer to and from wafer holder - Google Patents

Method for attaching and detaching wafer to and from wafer holder

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JPH0533139A
JPH0533139A JP3076573A JP7657391A JPH0533139A JP H0533139 A JPH0533139 A JP H0533139A JP 3076573 A JP3076573 A JP 3076573A JP 7657391 A JP7657391 A JP 7657391A JP H0533139 A JPH0533139 A JP H0533139A
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JP
Japan
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wafer
holder
magnetic material
mounting surface
magnetic
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JP3076573A
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Japanese (ja)
Inventor
Shoji Okuda
章二 奥田
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To stably attach and detach a wafer to and from a wafer holder used in a film forming device, etc., with tight adhesion without depositing dust on the wafer. CONSTITUTION:A film 8a contg. a magnetic substance is formed on the rear of a wafer 7 to be treated, then one magnetic charge is induced by an electromagnet 11 embedded in a wafer holder 10 consisting of a nonmagnetic material to magnetically fix the wafer 7 to the wafer carrying surface of the holder 10, and the wafer 7 is treated and then detached from the wafer carrying surface by inducing an opposing magnetic charge with the electromagnet 11.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】(目次) ・産業上の利用分野 ・従来の技術(図6) ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例 (1)第1の実施例(図1,図2) (2)第2及び第3の実施例(図3,図4,図5) ・発明の効果(Table of contents) ・ Industrial applications ・ Conventional technology (Fig. 6) ・ Problems to be solved by the invention ・ Means for solving problems ・ Action ·Example (1) First embodiment (FIGS. 1 and 2) (2) Second and third embodiments (FIGS. 3, 4, and 5) ·The invention's effect

【0002】[0002]

【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ保持方法に関
し、更に詳しく言えば、膜形成装置等に用いられるウエ
ハ保持具へのウエハ着脱方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for holding a wafer, and more particularly to a method for attaching / detaching a wafer to / from a wafer holder used in a film forming apparatus or the like.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来、CVD装置などの膜形成装置にお
いて、膜形成されるウエハを保持する代表的な方法とし
て下に示すようなものがある。即ち、(1)ウエハを壁
にもたれかけさせて斜めに保持する方法、(2)ウエハ
保持台1のウエハ載置面に形成された爪2でウエハ3の
周辺部を物理的に固定しウエハ保持具のウエハ載置面に
ウエハを保持する方法(図6(a))、(3)ウエハ保
持台4に埋め込まれた電極に直流電源6から供給された
直流電圧を印加することによりクーロン引力を利用して
ウエハ保持台4のウエハ載置面にウエハ3を保持する静
電チャック方式(図6(b))がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a film forming apparatus such as a CVD apparatus, a typical method for holding a wafer on which a film is formed is as shown below. That is, (1) a method of leaning a wafer by leaning it against a wall and holding it obliquely, (2) physically fixing the peripheral portion of the wafer 3 with a claw 2 formed on the wafer mounting surface of the wafer holding table 1 A method of holding the wafer on the wafer mounting surface of the holder (FIG. 6A), (3) Applying a DC voltage supplied from a DC power supply 6 to the electrodes embedded in the wafer holder 4, thereby attracting the Coulomb There is an electrostatic chuck method (FIG. 6B) in which the wafer 3 is held on the wafer mounting surface of the wafer holding table 4 by utilizing the.

【0004】上記のウエハ保持方法のうち、(2),
(3)の方法は、膜形成面を下向きにしてウエハを保持
する、所謂フェースダウン保持が可能なので、膜形成中
に生じる塵の付着を防止するのに有効な方法である。
Among the above wafer holding methods, (2),
The method (3) is capable of holding the wafer with the film forming surface facing downward, that is, so-called face-down holding, and is therefore an effective method for preventing dust from adhering during film formation.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の方法
ではそれぞれ次のような問題がある。即ち、 (1)ウエハを壁にもたれかけさせて斜めに保持する方
法では、保持自体が不安定であり、かつ膜形成等ウエハ
の処理を均一に行うためウエハを回転させることが不可
能である。 (2)更に、図6(a)に示す、爪2付きのウエハ保持
具でウエハ3周辺部を物理的に保持する方法では、ウエ
ハ載置面に爪2で圧接しているウエハ3の部分はウエハ
載置面と十分接触しているが、それ以外のウエハ3の部
分はウエハ載置面との接触が十分でなく、例えば、反応
ガスのイオン化の為のバイアスがウエハ3に均一にかか
らないため、ウエハ3表面に形成される膜の膜厚等が不
均一になる。 (3)また、図6(b)に示す、クーロン引力を利用し
てウエハ3を保持する静電チャック方式では、ウエハ3
の周辺部に塵などが浮遊している場合、塵がウエハ3の
表面に静電的に付着し、そのまま膜が形成されると、形
成膜の欠陥等の発生に結びつく。
Each of the above methods has the following problems. That is, (1) in the method of leaning a wafer by leaning it against a wall and holding it obliquely, the holding itself is unstable and the wafer cannot be rotated because uniform processing such as film formation is performed. . (2) Further, in the method of physically holding the peripheral portion of the wafer 3 with the wafer holder with the claw 2 shown in FIG. 6A, the portion of the wafer 3 that is pressed against the wafer mounting surface by the claw 2. Is in sufficient contact with the wafer mounting surface, but the other portions of the wafer 3 are not sufficiently in contact with the wafer mounting surface, and, for example, the bias for ionizing the reaction gas is not uniformly applied to the wafer 3. Therefore, the film thickness of the film formed on the surface of the wafer 3 is not uniform. (3) Further, in the electrostatic chuck method shown in FIG. 6B in which the wafer 3 is held by using the Coulomb attractive force, the wafer 3
When dust or the like floats around the periphery of the wafer, the dust electrostatically adheres to the surface of the wafer 3 and a film is formed as it is, which leads to the occurrence of defects in the formed film.

【0006】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、ウエハを安定に、かつ密着性良くウエハ
保持具に保持するとともに、ウエハ上への塵付着を防止
することができるウエハ保持具へのウエハ着脱方法を提
供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above conventional problems, and it is possible to hold a wafer on a wafer holder with stability and good adhesion and prevent dust from adhering to the wafer. An object of the present invention is to provide a method of attaching and detaching a wafer to and from a holder.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題は、第1に、処
理すべきウエハの裏面に磁性体を含む膜を形成した後、
非磁性体材料からなるウエハ保持台の内部に埋め込まれ
た電磁石により、前記磁性体を含む膜との相互作用によ
り前記ウエハを吸着する磁場を発生させて、前記ウエハ
載置面に前記ウエハを固定することを特徴とするウエハ
保持具へのウエハ保持方法によって達成され、第2に、
第1の発明に記載のウエハ保持方法により前記ウエハ保
持台のウエハ載置面にウエハを固定して該ウエハを処理
した後に、前記磁性体を含む膜との相互作用により前記
ウエハを離脱させる磁場を前記電磁石により発生させ
て、或いは前記電磁石からの磁場を消滅させて、前記ウ
エハ載置面から前記ウエハを離脱させることを特徴とす
るウエハ保持具へのウエハ着脱方法によって達成され、
第3に、処理すべきウエハの裏面に磁性体を含む膜を形
成した後、磁性体材料からなるヒータが埋め込まれた、
非磁性体材料からなるウエハ保持台のウエハ載置面に、
前記磁性体を含む膜と前記ヒータとの磁気的な相互作用
により、前記ウエハを吸着・固定することを特徴とする
ウエハ保持具へのウエハ保持方法によって達成され、第
4に、処理すべきウエハの裏面に磁性体を含む膜を形成
した後、ヒータが埋め込まれ、かつウエハ載置面が磁性
体材料からなるウエハ保持台の前記ウエハ載置面に、前
記磁性体を含む膜と前記ウエハ載置面との磁気的な相互
作用により、前記ウエハを吸着・固定することを特徴と
するウエハ保持具へのウエハ保持方法によって達成さ
れ、第5に、第3又は第4の発明に記載のウエハ保持方
法により前記ウエハ保持台のウエハ載置面にウエハを磁
気的に固定して該ウエハを処理した後に、前記ウエハ保
持台及びウエハを前記ヒータにより加熱し、磁化を弱め
て前記ウエハ載置面からウエハを離脱させることを特徴
とするウエハ保持具へのウエハ着脱方法によって達成さ
れる。
The above-mentioned problems are as follows. First, after forming a film containing a magnetic material on the back surface of a wafer to be processed,
An electromagnet embedded inside a wafer holder made of a non-magnetic material generates a magnetic field that attracts the wafer by interaction with the film containing the magnetic material, and fixes the wafer on the wafer mounting surface. And a second method for holding a wafer on a wafer holder, characterized in that
A magnetic field for fixing the wafer on the wafer mounting surface of the wafer holder by the wafer holding method according to the first aspect of the present invention to process the wafer, and then separating the wafer by interaction with the film containing the magnetic substance. Is generated by the electromagnet, or the magnetic field from the electromagnet is extinguished, and the wafer is detached from the wafer mounting surface.
Thirdly, after forming a film containing a magnetic material on the back surface of the wafer to be processed, a heater made of a magnetic material is embedded,
On the wafer mounting surface of the wafer holder made of non-magnetic material,
A wafer holding method for a wafer holder, characterized in that the wafer is attracted and fixed by a magnetic interaction between the film containing the magnetic material and the heater. Fourthly, a wafer to be processed After a film containing a magnetic substance is formed on the back surface of the wafer, a heater is embedded and a wafer holding surface of a wafer holding table made of a magnetic material has a film containing the magnetic substance and the wafer mounting surface. A wafer holding method for a wafer holder, characterized in that the wafer is attracted and fixed by magnetic interaction with a mounting surface, and the wafer according to the fifth, third or fourth invention is achieved. After the wafer is magnetically fixed to the wafer mounting surface of the wafer holder by the holding method to process the wafer, the wafer holder and the wafer are heated by the heater to weaken the magnetization and the wafer mounting surface. Is achieved by the wafer attaching and detaching method of the wafer holder, characterized in that disengaging the Luo wafer.

【0008】[0008]

【作用】本発明のウエハ保持具へのウエハ保持方法にお
いては、第1に、ウエハ裏面に磁性体を含む膜を形成
し、この磁性体を含む膜との相互作用によりウエハを吸
着する磁場を、ウエハ保持台に埋め込まれた電磁石によ
り発生させて、ウエハ載置面にウエハを固定している。
In the method for holding a wafer on the wafer holder according to the present invention, firstly, a film containing a magnetic material is formed on the back surface of the wafer, and a magnetic field for attracting the wafer is generated by interaction with the film containing the magnetic material. The wafer is fixed to the wafer mounting surface by being generated by an electromagnet embedded in the wafer holder.

【0009】第2に、磁性体材料からなるヒータが埋め
込まれた、非磁性体材料からなるウエハ保持台のウエハ
載置面に、磁性体を含む膜とヒータとの磁気的な相互作
用により、ウエハを吸着・固定している。
Secondly, due to the magnetic interaction between the film containing a magnetic material and the heater on the wafer mounting surface of the wafer holder made of a non-magnetic material in which the heater made of a magnetic material is embedded. The wafer is adsorbed and fixed.

【0010】第3に、ヒータが埋め込まれている、ウエ
ハ載置面が磁性体材料からなるウエハ保持台のウエハ載
置面に、磁性体を含む膜とウエハ載置面との磁気的な相
互作用により、ウエハを吸着・固定している。
Thirdly, on the wafer mounting surface of the wafer holder in which the heater is embedded and the wafer mounting surface is made of a magnetic material, the film containing the magnetic material and the wafer mounting surface are magnetically interacted with each other. The action attracts and fixes the wafer.

【0011】従って、 (1)ウエハ保持が静電チャックのように安定で、ウエ
ハ保持具の回転により回転動作も可能である。 (2)ウエハの裏面がウエハ載置面に均一に接触可能で
ある。 (3)ウエハを固定するのに磁気的な力を用いているの
で、塵などが静電的にウエハ表面に付着するのを防止す
ることができる。
Therefore, (1) the wafer holding is stable like an electrostatic chuck, and the wafer holder can be rotated to rotate. (2) The back surface of the wafer can evenly contact the wafer mounting surface. (3) Since magnetic force is used to fix the wafer, it is possible to prevent dust and the like from electrostatically adhering to the wafer surface.

【0012】更に、上記保持方法の長所を確保しつつウ
エハ保持台に載置されたウエハをウエハ載置面から離脱
させている。即ち、第1に、ウエハの裏面の磁性体を含
む膜との相互作用によりウエハを離脱させる磁場を電磁
石により発生させて、或いは電磁石からの磁場を消滅さ
せて、ウエハ載置面からウエハを離脱させている。
Further, while maintaining the advantages of the above holding method, the wafer placed on the wafer holding table is detached from the wafer placing surface. That is, first, the magnetic field that causes the wafer to be separated by the interaction with the film containing the magnetic substance on the back surface of the wafer is generated by the electromagnet, or the magnetic field from the electromagnet is extinguished, so that the wafer is separated from the wafer mounting surface. I am letting you.

【0013】また、第2に、ヒータによりウエハ保持台
及びウエハを加熱し、磁化を弱めてウエハ載置面からウ
エハを離脱させている。
Secondly, the heater is used to heat the wafer holder and the wafer to weaken the magnetization and separate the wafer from the wafer mounting surface.

【0014】従って、ウエハ保持具からウエハを容易に
離脱させることができる。
Therefore, the wafer can be easily detached from the wafer holder.

【0015】[0015]

【実施例】【Example】

(1)第1の実施例 図1(a)〜(c),図2(d),(e)は、本発明の
第1の実施例のウエハの着脱方法について説明する断面
図で、例えば常圧CVD法によりウエハ表面に膜形成を
行う場合に適用している例を示す。
(1) First Embodiment FIGS. 1 (a) to 1 (c), 2 (d) and 2 (e) are sectional views for explaining a wafer attaching / detaching method of the first embodiment of the present invention. An example applied when forming a film on the wafer surface by the atmospheric pressure CVD method is shown.

【0016】まず、磁性体としてのフェライト/イット
リウム粉末、及びエポキシ樹脂を有機溶剤に混合して粘
性溶液を作成して、この磁性体を含む溶液8を表面に膜
を形成すべきウエハ7の裏面に滴下した後(図1
(a))、回転塗布法により塗布し(図1(a))、更
に乾燥して磁性体を含む膜8aを形成する。
First, a ferrite / yttrium powder as a magnetic material and an epoxy resin are mixed with an organic solvent to prepare a viscous solution, and the solution 8 containing the magnetic material is formed on the back surface of the wafer 7 on which a film is to be formed. After dripping on (Fig. 1
(A)), is applied by a spin coating method (FIG. 1 (a)), and is further dried to form a film 8a containing a magnetic material.

【0017】次いで、セラミックからなるウエハ保持具
10に埋め込まれた電磁石11のコイル12aに電流を流
し、ウエハ7裏面の磁性体を含む膜8aが吸着するよう
な磁荷(例えばS)を電磁石10のコア12bに発生させ
て、ウエハ保持台10のウエハ載置面にウエハ7を保持
し、ウエハ7の表面の膜形成面が下向き(フェイスダウ
ン)になるように不図示のチャンバ内にセットする(図
1(c))。
Next, a current is applied to the coil 12a of the electromagnet 11 embedded in the wafer holder 10 made of ceramic, and a magnetic charge (for example, S) such that the film 8a containing the magnetic substance on the back surface of the wafer 7 is attracted is applied to the electromagnet 10. Of the core 7b, the wafer 7 is held on the wafer mounting surface of the wafer holder 10, and is set in a chamber (not shown) so that the film forming surface of the surface of the wafer 7 faces downward (face down). (FIG. 1 (c)).

【0018】次に、膜形成が均一に行われるように、ウ
エハ保持台10を回転させながら、チャンバ内に反応ガ
スを導入し、ウエハ7の表面に膜13の形成を行う(図
2(d))。
Next, while the wafer holder 10 is being rotated, a reaction gas is introduced into the chamber to form a film 13 on the surface of the wafer 7 so that the film is uniformly formed (see FIG. 2 (d)). )).

【0019】次いで、膜13を形成した後、電磁石11
のコイル12aにウエハ7を保持していた場合と逆の電流
を流して逆の磁荷(例えばN)を電磁石11のコア12b
に発生させ、ウエハ7をウエハ保持台10から離脱させ
る(図2(e))。なお、電磁石11のコイル12aに流
していた電流を切ることにより磁場を消滅させて、ウエ
ハ7をウエハ保持台10から離脱させることも可能であ
る。
Next, after forming the film 13, the electromagnet 11 is formed.
The current 12 is applied to the coil 12a of the electromagnet 11 in the opposite direction to that of the case where the wafer 7 is held, and the opposite magnetic charge (for example, N) is applied to the core 12b of the electromagnet 11.
Then, the wafer 7 is detached from the wafer holder 10 (FIG. 2E). It is also possible to remove the magnetic field by cutting off the current flowing through the coil 12a of the electromagnet 11 to separate the wafer 7 from the wafer holder 10.

【0020】このようにして、膜形成が完了する。In this way, the film formation is completed.

【0021】以上のように、本発明の第1の実施例のウ
エハ保持具へのウエハ保持方法においては、ウエハ保持
台10に埋め込まれた電磁石11のコイル12aに電流を
流して電磁石11のコア12bに磁荷を誘起させ、ウエハ
7の裏面の磁性体を含む膜8a中の磁性体と磁荷との相
互作用によりウエハ載置面にウエハ7を吸着・固定して
いる。
As described above, in the wafer holding method for the wafer holder according to the first embodiment of the present invention, a current is caused to flow through the coil 12a of the electromagnet 11 embedded in the wafer holding table 10 to cause the core of the electromagnet 11 to move. A magnetic charge is induced in 12b, and the wafer 7 is attracted and fixed to the wafer mounting surface by the interaction of the magnetic charge in the film 8a containing the magnetic substance on the back surface of the wafer 7 with the magnetic charge.

【0022】従って、 (1)ウエハ保持が静電チャックのように安定で、ウエ
ハ保持具の回転により回転動作も可能である。 (2)ウエハ7の裏面がウエハ載置面に均一に接触可能
である。 (3)ウエハ7を固定するのに磁気的な力を用いている
ので、塵などが静電的にウエハ7表面に付着するのを防
止することができる。
Therefore, (1) the wafer holding is stable like an electrostatic chuck, and the wafer holder can be rotated to rotate. (2) The back surface of the wafer 7 can evenly contact the wafer mounting surface. (3) Since magnetic force is used to fix the wafer 7, it is possible to prevent dust and the like from electrostatically adhering to the surface of the wafer 7.

【0023】また、電磁石11のコイルに逆向きの電流
を流して電磁石11のコア12bに逆の磁荷を誘起するこ
とにより、或いは電磁石11のコイルに流している電流
を切って磁場を消滅させることにより、ウエハ載置面か
らウエハ7を離脱させているので、ウエハ保持具からウ
エハ7を容易に離脱させることができる。
In addition, a reverse current is applied to the coil of the electromagnet 11 to induce a reverse magnetic charge in the core 12b of the electromagnet 11, or the current applied to the coil of the electromagnet 11 is cut off to eliminate the magnetic field. As a result, the wafer 7 is detached from the wafer mounting surface, so that the wafer 7 can be easily detached from the wafer holder.

【0024】(2)第2及び第3の実施例図3(a)〜
(c),図4(d),(e)は、本発明の第2の実施例
のウエハ保持具へのウエハの着脱方法について説明する
図で、第一の実施例と同様に、常圧CVD法によりウエ
ハ表面に膜形成を行う場合に適用している例を示す。
(2) Second and Third Embodiments FIG.
FIGS. 4C, 4D, and 4E are views for explaining a method of attaching / detaching a wafer to / from a wafer holder according to the second embodiment of the present invention. An example applied when a film is formed on the wafer surface by the CVD method is shown.

【0025】まず、磁性体としてのフェライト/イット
リウム粉末、及びエポキシ樹脂を有機溶剤に混合して粘
性溶液を作成し、この磁性体を含む溶液8を表面に膜を
形成すべきウエハ7の裏面に滴下した後(図3
(a))、回転塗布法により塗布し、更に乾燥して磁性
体を含む膜8aを形成する(図3(b))。
First, a ferrite / yttrium powder as a magnetic material and an epoxy resin are mixed with an organic solvent to prepare a viscous solution, and the solution 8 containing the magnetic material is applied to the back surface of the wafer 7 on which a film is to be formed. After dropping (Fig. 3
(A)), coating by spin coating method and further drying to form a film 8a containing a magnetic material (FIG. 3 (b)).

【0026】次いで、磁性体材料としてのニクロム(N
iCr)からなるヒータ15が埋め込まれた、非磁性体
材料としてのセラミックからなるウエハ保持台14のウ
エハ載置面にウエハ7を載置する。このとき、ウエハ裏
面の磁性体を含む膜8a中の磁性体により磁荷(例えば
S)がヒータ15に誘起され、ウエハ保持台14のウエ
ハ載置面にウエハ7が磁気的に吸着・固定される。更
に、ウエハ7の膜形成面が下向き(フェイスダウン)に
なるようにウエハ7を不図示のチャンバ内にセットする
(図3(c))。
Then, nichrome (N
The wafer 7 is mounted on the wafer mounting surface of the wafer holding base 14 made of ceramic as a non-magnetic material in which the heater 15 made of iCr) is embedded. At this time, a magnetic charge (for example, S) is induced in the heater 15 by the magnetic substance in the film 8a containing the magnetic substance on the back surface of the wafer, and the wafer 7 is magnetically attracted and fixed to the wafer mounting surface of the wafer holding table 14. It Further, the wafer 7 is set in a chamber (not shown) so that the film forming surface of the wafer 7 faces downward (face down) (FIG. 3C).

【0027】次に、膜形成が均一に行われるように、ウ
エハ保持具を回転させながら、チャンバ内に反応ガスを
導入し、ウエハ7表面に膜13を形成する(図4
(d))。
Then, while rotating the wafer holder, a reaction gas is introduced into the chamber to form a film 13 on the surface of the wafer 7 so that the film can be uniformly formed (FIG. 4).
(D)).

【0028】次いで、膜形成後、ヒータ15に電流を供
給してヒータ15及びウエハ7を加熱する。その結果、
ウエハ7の裏面の磁性体を含む膜8a中の磁性体の磁力
やヒータ15の磁化が弱まり、ウエハ7をウエハ保持台
14から容易に離脱させることができるようになる。
Next, after forming the film, an electric current is supplied to the heater 15 to heat the heater 15 and the wafer 7. as a result,
The magnetic force of the magnetic substance in the film 8 a containing the magnetic substance on the back surface of the wafer 7 and the magnetization of the heater 15 are weakened, and the wafer 7 can be easily detached from the wafer holding table 14.

【0029】このようにして、ウエハ7をウエハ保持具
から離脱すると、膜形成が完了する(図4(e))。
When the wafer 7 is separated from the wafer holder in this way, film formation is completed (FIG. 4 (e)).

【0030】以上のように、本発明の第2の実施例のウ
エハ保持具へのウエハ保持方法においては、ウエハ7の
裏面に形成された磁性体を含む膜8a中の磁性体により
磁性体材料からなるヒータ15に磁荷を誘起することに
より、ヒータ15が埋め込まれたウエハ保持台14のウ
エハ載置面に磁気的にウエハ7を吸着・固定している。
As described above, in the wafer holding method for the wafer holder according to the second embodiment of the present invention, the magnetic material in the film 8a containing the magnetic material formed on the back surface of the wafer 7 is made of the magnetic material. By inducing a magnetic charge in the heater 15 consisting of, the wafer 7 is magnetically attracted and fixed to the wafer mounting surface of the wafer holder 14 in which the heater 15 is embedded.

【0031】従って、第1の実施例の場合と同様に、 (1)ウエハ保持が安定で、ウエハ保持具の回転により
回転動作も可能である。 (2)ウエハ7の裏面がウエハ載置面に均一に接触可能
である。 (3)ウエハ7を固定するのに磁気的な力を用いている
ので、塵などが静電的にウエハ7表面に付着するのを防
止することができる。
Therefore, as in the case of the first embodiment, (1) the wafer holding is stable, and the rotating operation is possible by the rotation of the wafer holder. (2) The back surface of the wafer 7 can evenly contact the wafer mounting surface. (3) Since magnetic force is used to fix the wafer 7, it is possible to prevent dust and the like from electrostatically adhering to the surface of the wafer 7.

【0032】また、ヒータ15に電流を供給してヒータ
15及びウエハ7を加熱し、磁化を弱めてウエハ載置面
からウエハ7を離脱させているので、ウエハ保持具から
ウエハ7を容易に離脱させることができる。
Further, since the heater 15 and the wafer 7 are heated by supplying an electric current to the heater 15 to weaken the magnetization and detach the wafer 7 from the wafer mounting surface, the wafer 7 is easily detached from the wafer holder. Can be made.

【0033】なお、第2の実施例では、磁性体材料から
なるヒータ15が埋め込まれ、かつウエハ載置面が非磁
性体材料からなるウエハ保持台14を用いているが、第
3の実施例として、図5に示すように、非磁性体材料か
らなるヒータ17、又は磁性体材料からなるヒータ15
が内部に埋め込まれ、かつウエハ載置面16aが磁性体材
料からなるウエハ保持台16を用いてもよい。これによ
っても、ウエハ7裏面に形成された磁性体を含む膜8a
中の磁性体によりウエハ載置面16a又はヒータ17に磁
荷を誘起させて、磁気的にウエハ載置面16aにウエハ7
を吸着・固定することができる。更に、ウエハ載置面16
a及びウエハ7をヒータ17により加熱し、又はヒータ
17自身を加熱し、ウエハ保持台16からウエハ7を容
易に離脱させることができる。
In the second embodiment, the wafer holding base 14 in which the heater 15 made of a magnetic material is embedded and the wafer mounting surface is made of a non-magnetic material is used, but the third embodiment is used. As shown in FIG. 5, the heater 17 made of a non-magnetic material or the heater 15 made of a magnetic material.
It is also possible to use the wafer holding table 16 in which the wafer mounting surface 16a is embedded and the wafer mounting surface 16a is made of a magnetic material. As a result, the film 8a containing the magnetic material formed on the back surface of the wafer 7
A magnetic substance is induced in the wafer mounting surface 16a or the heater 17 by the magnetic substance therein, and the wafer 7 is magnetically mounted on the wafer mounting surface 16a.
Can be adsorbed and fixed. Further, the wafer mounting surface 16
It is possible to easily separate the wafer 7 from the wafer holder 16 by heating the a and the wafer 7 by the heater 17, or by heating the heater 17 itself.

【0034】また、ウエハ7の裏面の磁性体を含む膜中
の磁性体としてフェライト/イットリウム粉末を用いて
いるが、他の磁性体を用いることも可能である。
Further, although ferrite / yttrium powder is used as the magnetic substance in the film including the magnetic substance on the back surface of the wafer 7, other magnetic substances can be used.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上のように、本発明のウエハ保持具へ
のウエハ着脱方法においては、第1に、ウエハ保持台に
埋め込まれた電磁石により、ウエハの裏面に形成された
磁性体を含む膜との相互作用によりウエハを吸着する磁
場を発生させて、ウエハ載置面にウエハを固定してい
る。更に、ウエハの裏面の磁性体を含む膜との相互作用
によりウエハを離脱させる磁場をその電磁石により発生
させて、或いは電磁石からの磁場を消滅させて、上記の
ように保持されたウエハをウエハ載置面から離脱させて
いる。
As described above, in the method of attaching and detaching a wafer to and from the wafer holder according to the present invention, firstly, a film containing a magnetic material formed on the back surface of the wafer by the electromagnet embedded in the wafer holder. A magnetic field for adsorbing the wafer is generated by the interaction with and to fix the wafer on the wafer mounting surface. Further, by causing the electromagnet to generate a magnetic field that causes the wafer to be detached by the interaction with the film containing the magnetic substance on the back surface of the wafer or extinguishing the magnetic field from the electromagnet, the wafer held as described above is mounted on the wafer. It is detached from the surface.

【0036】第2に、裏面に磁性体を含む膜の形成され
たウエハを、磁性体材料からなるヒータが埋め込まれた
ウエハ保持台のウエハ載置面に、磁性体を含む膜とヒー
タとの磁気的な相互作用により、吸着・固定している。
又は、裏面に磁性体を含む膜の形成されたウエハを、ウ
エハ載置面が磁性体材料からなるウエハ保持台のウエハ
載置面に、磁性体を含む膜とウエハ載置面との磁気的な
相互作用により、吸着・固定している。更に、ウエハ保
持台及びウエハをヒータにより加熱して磁化を弱めるこ
とにより、上記のように保持されたウエハをウエハ載置
面から離脱させている。
Secondly, a wafer having a film containing a magnetic material formed on its back surface is provided on the wafer mounting surface of a wafer holder in which a heater made of a magnetic material is embedded. It is adsorbed and fixed by magnetic interaction.
Alternatively, a wafer having a film containing a magnetic substance formed on the back surface is magnetically separated from the film containing the magnetic substance and the wafer mounting face on the wafer mounting face of the wafer holding table whose wafer mounting face is made of a magnetic material. It is adsorbed and fixed by various interactions. Further, by heating the wafer holder and the wafer with a heater to weaken the magnetization, the wafer held as described above is separated from the wafer mounting surface.

【0037】従って、 (1)ウエハ保持が安定で、ウエハ保持具の回転により
回転動作も可能である。 (2)ウエハの裏面がウエハ載置面に均一に接触可能で
ある。 (3)ウエハを固定するのに磁気的な力を用いているの
で、塵などが静電的にウエハ表面に付着するのを防止す
ることができる。
Therefore, (1) the wafer is held stably, and the wafer holder can be rotated to rotate. (2) The back surface of the wafer can evenly contact the wafer mounting surface. (3) Since magnetic force is used to fix the wafer, it is possible to prevent dust and the like from electrostatically adhering to the wafer surface.

【0038】また、上記保持方法の長所を確保しつつウ
エハ保持具に載置されたウエハを、ウエハ保持具から容
易に離脱させることができる。
Further, the wafer mounted on the wafer holder can be easily detached from the wafer holder while ensuring the advantages of the above holding method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例のウエハ保持具へのウエ
ハ着脱方法について説明する図(その1)である。
FIG. 1 is a diagram (No. 1) for explaining a method of attaching and detaching a wafer to and from a wafer holder according to the first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施例のウエハ保持具へのウエ
ハ着脱方法について説明する図(その2)である。
FIG. 2 is a diagram (No. 2) for explaining the method of attaching and detaching a wafer to and from the wafer holder according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施例のウエハ保持具へのウエ
ハ着脱方法について説明する図(その1)である。
FIG. 3 is a diagram (No. 1) for explaining a method of attaching / detaching a wafer to / from a wafer holder according to the second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2の実施例のウエハ保持具へのウエ
ハ着脱方法について説明する図(その2)である。
FIG. 4 is a diagram (No. 2) explaining a method of attaching and detaching a wafer to and from the wafer holder according to the second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施例のウエハ保持具へのウエ
ハ着脱方法について説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a method of attaching / detaching a wafer to / from a wafer holder according to a third embodiment of the present invention.

【図6】従来例のウエハ保持具へのウエハ着脱方法につ
いて説明する図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a method of attaching and detaching a wafer to and from a conventional wafer holder.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,4,10,14,16 ウエハ保持台、 2 爪、 3,7 ウエハ、 5 電極、 6 直流電源、 8 磁性体を含む溶液、 8a 磁性体を含む膜、 9 スピンナ、 11 電磁石、 12a コイル、 12b コア、 13 膜、 15,17 ヒータ、 16a ウエハ載置面。 1, 4, 10, 14, 16 Wafer holder, 2 nails, 3,7 wafers, 5 electrodes, 6 DC power supply, 8 Solution containing magnetic material, 8a a film containing a magnetic material, 9 Spinner, 11 electromagnets, 12a coil, 12b core, 13 membranes, 15,17 heater, 16a Wafer mounting surface.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理すべきウエハの裏面に磁性体を含む
膜を形成した後、非磁性体材料からなるウエハ保持台の
内部に埋め込まれた電磁石により、前記ウエハの裏面の
磁性体を含む膜との相互作用により前記ウエハを吸着す
る磁場を発生させて、前記ウエハ載置面に前記ウエハを
固定することを特徴とするウエハ保持具へのウエハ保持
方法。
1. A film containing a magnetic material on the back surface of the wafer is formed by an electromagnet embedded inside a wafer holder made of a non-magnetic material after forming a film containing a magnetic material on the back surface of the wafer to be processed. A method for holding a wafer on a wafer holder, characterized in that a magnetic field for attracting the wafer is generated by an interaction with the wafer holder to fix the wafer on the wafer mounting surface.
【請求項2】 請求項1記載のウエハ保持方法により前
記ウエハ保持台のウエハ載置面にウエハを固定して該ウ
エハを処理した後に、前記磁性体を含む膜との相互作用
により前記ウエハを離脱させる磁場を前記電磁石により
発生させて、或いは前記電磁石からの磁場を消滅させ
て、前記ウエハ載置面からウエハを離脱させることを特
徴とするウエハ保持具へのウエハ着脱方法。
2. The wafer holding method according to claim 1, wherein the wafer is fixed on the wafer mounting surface of the wafer holding table to process the wafer, and then the wafer is removed by an interaction with a film containing the magnetic material. A method of attaching / detaching a wafer to / from a wafer holder, wherein a magnetic field to be detached is generated by the electromagnet or a magnetic field from the electromagnet is extinguished to detach the wafer from the wafer mounting surface.
【請求項3】 処理すべきウエハの裏面に磁性体を含む
膜を形成した後、磁性体材料からなるヒータが埋め込ま
れた、非磁性体材料からなるウエハ保持台のウエハ載置
面に、前記磁性体を含む膜と前記ヒータとの磁気的な相
互作用により、前記ウエハを吸着・固定することを特徴
とするウエハ保持具へのウエハ保持方法。
3. After forming a film containing a magnetic material on the back surface of a wafer to be processed, a wafer holding surface made of a non-magnetic material, in which a heater made of a magnetic material is embedded, is provided on the wafer mounting surface. A method of holding a wafer on a wafer holder, wherein the wafer is attracted and fixed by a magnetic interaction between a film containing a magnetic material and the heater.
【請求項4】 処理すべきウエハの裏面に磁性体を含む
膜を形成した後、ヒータが埋め込まれ、かつウエハ載置
面が磁性体材料からなるウエハ保持台の前記ウエハ載置
面に、前記磁性体を含む膜と前記ウエハ載置面との磁気
的な相互作用により、前記ウエハを吸着・固定すること
を特徴とするウエハ保持具へのウエハ保持方法。
4. After forming a film containing a magnetic material on the back surface of a wafer to be processed, a heater is embedded, and the wafer mounting surface of a wafer holding table made of a magnetic material is attached to the wafer mounting surface. A method for holding a wafer on a wafer holder, wherein the wafer is attracted and fixed by a magnetic interaction between a film containing a magnetic material and the wafer mounting surface.
【請求項5】 請求項3又は請求項4記載のウエハ保持
方法により前記ウエハ保持台のウエハ載置面にウエハを
磁気的に固定して該ウエハを処理した後に、前記ウエハ
保持台及び前記ウエハを前記ヒータにより加熱すること
により磁化を弱め、前記ウエハ載置面から前記ウエハを
離脱させることを特徴とするウエハ保持具へのウエハ着
脱方法。
5. The wafer holding base and the wafer after the wafer is magnetically fixed to the wafer mounting surface of the wafer holding base by the wafer holding method according to claim 3 or 4 to process the wafer. A method of attaching and detaching a wafer to and from a wafer holder, wherein the magnetization is weakened by heating the wafer by the heater, and the wafer is detached from the wafer mounting surface.
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