JPH05307196A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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Publication number
JPH05307196A
JPH05307196A JP12598192A JP12598192A JPH05307196A JP H05307196 A JPH05307196 A JP H05307196A JP 12598192 A JP12598192 A JP 12598192A JP 12598192 A JP12598192 A JP 12598192A JP H05307196 A JPH05307196 A JP H05307196A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
crystal display
glass substrate
varistor
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Application number
JP12598192A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiro Nagase
俊郎 長瀬
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a liquid crystal display device having a high responding speed, and a wide visual field and having a high image-quality without the irregularity in the display by precisely forming a cell gap value up to a required arbitral level and reducing the dispersion of the values within the surface and further reducing the drop of a voltage applied to the liquid crystal and reducing the dispersion of the varistor voltages. CONSTITUTION:A smooth layer 20 transparent at least in the visible region is provided on an entire surface except for a varistor element part 13 and an electrode terminal part 11 on a lower side glass substrate 10 and the thickness of the smooth layer 20 is kept in the region more than the difference between the thickness of the varistor element 13 and the prescribed cell gap value (d) and preferably a pixel electrode part 12 is divided into the upper and lower parts in the electrically connected state and a pixel forming part side is provided on the transparent smoothing layer 20.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
方式の液晶表示装置に関し、特には印刷法により形成さ
れた焼結体バリスタ素子が二端子素子として用いられて
いる液晶表示装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device in which a sintered body varistor element formed by a printing method is used as a two-terminal element.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置の構造には、大別して、単
純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがあ
る。単純マトリクス方式は、直角をなして設けられた一
対の帯状電極群(走査電極群と信号電極群)の交点で画
素電極を構成したものであり、これらの電極群に駆動回
路によって所定の電圧を印加して画素部の液晶を動作さ
せるものである。この方式は、構造が簡単なため低価格
でシステムを実現できるという利点があるが、各画素間
でのクロストークが生ずるため、コントラストが低く、
液晶テレビ等の高精細の画像表示を行う際、画質の低下
は避けられないものであった。
2. Description of the Related Art The structure of a liquid crystal display device is roughly classified into a simple matrix system and an active matrix system. In the simple matrix system, pixel electrodes are formed at the intersections of a pair of strip-shaped electrode groups (scan electrode group and signal electrode group) provided at right angles, and a predetermined voltage is applied to these electrode groups by a drive circuit. The liquid crystal in the pixel portion is operated by applying the voltage. This method has the advantage that the system can be realized at a low price because of its simple structure, but since crosstalk occurs between each pixel, the contrast is low,
When displaying a high-definition image on a liquid crystal television or the like, deterioration in image quality is unavoidable.

【0003】これに対し、アクティブマトリクス方式
は、各画素毎にスイッチング素子を設けて電圧を保持す
るものであり、液晶表示装置を時分割駆動しても画素部
の液晶が選択時の電圧を保持することができるため、表
示容量の増大が可能で、コントラスト等の画質に関する
特性がよく、液晶テレビの高画質表示を実現できるもの
である。しかしながら、アクティブマトリクス方式にあ
っては構造が複雑になって歩留りが悪く、製造コストが
高くなってしまうという欠点があった。例えば、スイッ
チング素子として薄膜トランジスタを用いるTFT型で
は、その製造工程において5層以上の薄膜を積層し、所
定の形状に微細加工する必要があるため、製品歩留りを
上げることは困難であり、特に表示面積の大型化を行う
には決定的に不利である。
On the other hand, in the active matrix system, a switching element is provided for each pixel to hold the voltage, and the liquid crystal in the pixel section holds the voltage when the liquid crystal display device is driven in a time division manner. Therefore, the display capacity can be increased, the characteristics relating to image quality such as contrast are excellent, and high image quality display of a liquid crystal television can be realized. However, the active matrix method has a drawback that the structure is complicated, the yield is low, and the manufacturing cost is high. For example, in the TFT type using a thin film transistor as a switching element, it is difficult to increase the product yield because it is necessary to stack five or more thin films in the manufacturing process and finely process the thin film into a predetermined shape. There is a definite disadvantage in increasing the size of.

【0004】上記のようなことから、コントラスト等の
画質に関する特性が良く、且つ構造が簡単にして低コス
トな方式の液晶表示装置の実現が望まれており、このよ
うな要求を実現する方法として、バリスタ素子を用いた
二端子素子型液晶表示装置が有望である。
From the above, it is desired to realize a low cost liquid crystal display device having good characteristics relating to image quality such as contrast and having a simple structure, and as a method for fulfilling such a demand. A two-terminal element type liquid crystal display device using a varistor element is promising.

【0005】二端子素子型の液晶表示装置は、単純マト
リクス方式に改良を加えて、(図10)に示すように、
走査電極11と信号電極16との間に、液晶14と所定
のしきい値電圧で導通する焼結体バリスタ素子13とを
電気的に直列に接続したものであり、(図9)に示すよ
うなバリスタ素子13の非線型な電流−電圧特性を利用
したものである。ここで、バリスタ素子のしきい値電圧
はVcで示される。
The two-terminal element type liquid crystal display device is improved as shown in FIG. 10 by improving the simple matrix system.
A liquid crystal 14 and a sintered varistor element 13 that conducts at a predetermined threshold voltage are electrically connected in series between the scanning electrode 11 and the signal electrode 16, and as shown in FIG. The non-linear current-voltage characteristic of the varistor element 13 is used. Here, the threshold voltage of the varistor element is represented by Vc.

【0006】(図11)には、一般的な二端子素子型ア
クティブマトリクスの構造図を示す。ここに示すよう
に、走査電極11それぞれに対して多数の画素電極12
が所定の間隔(バリスタギャップ)Dをもって設けら
れ、走査電極11と画素電極12とは各バリスタ素子1
3で一定のしきい値電圧Vcをもって接続されている。
焼結体バリスタ素子13は、(図6)に詳示するよう
に、ZnO単結晶粒子131の表面をMn、Co酸化物
等の無機絶縁膜132で被覆したバリスタ粒子13aか
らなり、(図5)に詳示するように、これらバリスタ粒
子13aをガラスフリット13bで融着したものであ
る。
FIG. 11 shows the structure of a general two-terminal element type active matrix. As shown here, a large number of pixel electrodes 12 are provided for each scan electrode 11.
Are provided with a predetermined distance (varistor gap) D, and the scanning electrode 11 and the pixel electrode 12 are connected to each varistor element 1
3 is connected with a constant threshold voltage Vc.
As shown in detail in FIG. 6, the sintered varistor element 13 includes varistor particles 13a in which the surface of ZnO single crystal particles 131 is coated with an inorganic insulating film 132 of Mn, Co oxide, or the like (see FIG. 5). ), The varistor particles 13a are fused with a glass frit 13b.

【0007】(図10)に示すように、下側ガラス基板
10上にITO等の透明導電膜からなる画素電極12、
そして走査電極11がフォトリソグラフィ法により形成
されている。更に、粒径2〜10μmの範囲でなるべく
単分散になるように分級されたバリスタ粒子にガラスフ
リットを25重量部及びエチルセルロース(粘度50c
ps)を10重量部加えてカルビトールを溶剤としてペ
ースト化し、このペーストをガラス基板10上にシルク
スクリーン印刷法で走査電極11と画素電極12との間
のバリスタギャップに跨がるように焼結体素子を印刷法
により形成し、これを480℃で30分間焼成してバリ
スタ素子13とする。
As shown in FIG. 10, the pixel electrode 12 made of a transparent conductive film such as ITO is formed on the lower glass substrate 10.
The scanning electrodes 11 are formed by the photolithography method. Further, 25 parts by weight of glass frit and ethyl cellulose (viscosity 50 c are added to varistor particles classified so as to be as monodisperse as possible within a particle size range of 2 to 10 μm.
10 parts by weight of ps) to form a paste using carbitol as a solvent, and the paste is sintered on the glass substrate 10 by silk screen printing so as to straddle the varistor gap between the scanning electrode 11 and the pixel electrode 12. A body element is formed by a printing method, and this is baked at 480 ° C. for 30 minutes to obtain a varistor element 13.

【0008】一方、上側ガラス基板17上には、ITO
等の透明導電膜からなる信号電極16が形成される。次
に、下側ガラス基板10及び上側ガラス基板17に配向
処理されたポリイミドによる配向膜15が形成される。
また、液晶の特性に合わせたセルギャップ値になるよう
にスペーサを用いて、上側ガラス基板17と下側ガラス
基板10との間隔(セルギャップ)dを所定の値に保
ち、貼り合わせられており、その間にTN液晶14が充
填されている。また、このセルの外側には、偏光板18
が設置される。
On the other hand, ITO is formed on the upper glass substrate 17.
The signal electrode 16 is formed of a transparent conductive film such as. Next, an alignment film 15 made of alignment-treated polyimide is formed on the lower glass substrate 10 and the upper glass substrate 17.
In addition, the spacers are used so that the cell gap value matches the characteristics of the liquid crystal, and the gap (cell gap) d between the upper glass substrate 17 and the lower glass substrate 10 is kept at a predetermined value, and they are bonded together. In the meantime, the TN liquid crystal 14 is filled. The polarizing plate 18 is provided outside the cell.
Is installed.

【0009】ところで、一般に液晶表示装置に用いられ
るTN液晶は、電気光学特性がセルギャップdに依存す
る。例えば、まず液晶表示装置の応答時間はセルギャッ
プdの2乗に比例するため、テレビ画像表示やパソコン
用表示装置のような高速応答が要求される液晶表示装置
では、セルギャップdを出来るだけ薄くする必要があ
る。さらに、液晶表示装置の視野角はセルギャップdが
狭い程、広くなるのでこの点からも、セルギャップが薄
いことが望ましい。一方、液晶表示装置の高コントラス
ト化を図るには、暗状態の漏洩光を出来るだけ減少する
ことが必要である。漏洩光は、セルギャップdが厚くな
る程少なくなるが、これは前記応答時間と視野角との問
題に由来したセルギャップdへの要求と相反したものに
なってしまっている。
By the way, the electro-optical characteristics of TN liquid crystals generally used in liquid crystal display devices depend on the cell gap d. For example, first, since the response time of a liquid crystal display device is proportional to the square of the cell gap d, in a liquid crystal display device such as a television image display or a display device for a personal computer which requires a high speed response, the cell gap d should be as thin as possible. There is a need to. Further, the viewing angle of the liquid crystal display device becomes wider as the cell gap d becomes narrower. From this point as well, it is desirable that the cell gap be thin. On the other hand, in order to increase the contrast of the liquid crystal display device, it is necessary to reduce the leaked light in the dark state as much as possible. Although the leakage light decreases as the cell gap d becomes thicker, this is contrary to the requirement for the cell gap d due to the problems of the response time and the viewing angle.

【0010】さらに述べると、TN液晶の漏洩光強度に
関しては、波長依存性があるために、人間の最大視感度
である波長λ=550nmでの漏洩光強度が最小になる
ようにセルギャップdを設定する。一般に、波長λ=5
50nmでの漏洩光強度は、液晶の屈折率異方性をΔ
n、セルギャップをdとすると、この両者の積Δnd
(リタデーション)の値が約0.5又は1.0の時に最
小になる。そして通常、TN液晶の屈折率異方性Δnの
値は、0.1前後のものが使用される。従って、TN液
晶を用いた液晶表示装置のセルギャップdは、5〜10
μmの範囲で設定され、表示ムラを避けるため、±0.
3μm以下の精度で制御する必要がある。
Further, since the leaked light intensity of the TN liquid crystal has wavelength dependence, the cell gap d is set so that the leaked light intensity at the wavelength λ = 550 nm, which is the maximum luminosity of human, is minimized. Set. Generally, wavelength λ = 5
The leak light intensity at 50 nm is Δ
Let n be the cell gap and d be the product Δnd of the two.
It becomes minimum when the value of (retardation) is about 0.5 or 1.0. The value of the refractive index anisotropy Δn of the TN liquid crystal is usually around 0.1. Therefore, the cell gap d of the liquid crystal display device using the TN liquid crystal is 5 to 10
It is set in the range of μm and is ± 0.
It is necessary to control with an accuracy of 3 μm or less.

【0011】しかしながら、印刷法により形成したバリ
スタ素子を用いた液晶表示装置に、このようなTN液晶
を使用した場合には以下のような問題があった。すなわ
ち、(図6)において、バリスタ素子13は平均粒径3
〜7μmのバリスタ粒子13aをガラスフリット13b
で焼結したものであり、素子特性のバラツキを防止する
ためには、少なくとも二層バリスタ粒子を積層すること
が必要である。ところが、例えば平均粒径5μmバリス
タ粒子を使用した場合、前記二層からなるバリスタ素子
の厚みは10μm以上にもなり、応答速度の低下や視野
角の減少を招き、結果として表示性能の低下が不可避で
あった。
However, when such a TN liquid crystal is used in a liquid crystal display device using a varistor element formed by a printing method, there are the following problems. That is, in FIG. 6, the varistor element 13 has an average particle size of 3
Glass frit 13b with varistor particles 13a of ~ 7 μm
In order to prevent variations in device characteristics, it is necessary to stack at least two layers of varistor particles. However, for example, when varistor particles having an average particle diameter of 5 μm are used, the thickness of the varistor element composed of the two layers becomes 10 μm or more, which causes a decrease in response speed and a decrease in viewing angle, and as a result, deterioration of display performance is unavoidable. Met.

【0012】なお、この場合にセルギャップを出来るだ
け狭くするために、バリスタ素子そのものをギャップ保
持用スペーサとして使用することが検討されたが、バリ
スタ素子の厚さの素子間でのバラツキが大きく、さらに
厚みを正確に制御することが極めて困難であるために、
必要とするセルギャップの正確な制御は至難の業であ
り、セルギャップの大きなバラツキが発生してまい、表
示ムラの主要な要因となっている。
In this case, in order to make the cell gap as narrow as possible, it was considered to use the varistor element itself as the spacer for maintaining the gap. However, there is a large variation in the thickness of the varistor element among the elements, Furthermore, because it is extremely difficult to control the thickness accurately,
Accurate control of the required cell gap is a difficult task, and large variations in cell gap do not occur, which is a major cause of display unevenness.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来の
液晶表示装置の問題点に鑑みなされたものであり、その
目的とするところは、まずバリスタ素子を用いた液晶表
示装置のセルギャップdを、バリスタ素子厚みより薄い
必要とする任意の値に精度良く形成し、かつ液晶表示装
置の面内でのセルギャップdのバラツキを低減し、さら
には液晶に印加される電圧の降下を低減できるようにす
ること、また、前記バリスタ電圧のばらつきを低減する
ことにより、応答速度が速く、視野角が広く、また表示
ムラの無い高画質の液晶表示装置を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the above-mentioned conventional liquid crystal display device, and its object is to firstly describe a cell gap d of a liquid crystal display device using a varistor element. Can be accurately formed to a desired value smaller than the thickness of the varistor element, the variation of the cell gap d in the plane of the liquid crystal display device can be reduced, and further, the drop of the voltage applied to the liquid crystal can be reduced. By doing so, and by reducing the variation in the varistor voltage, it is possible to provide a liquid crystal display device having a high response speed, a wide viewing angle, and high image quality without display unevenness.

【0014】[0014]

【問題を解決するための手段】該課題を解決するために
本発明が提供する手段は、すなわち、バリスタ素子がア
クティブマトリクス素子として、下側ガラス基板上の走
査電極と画素電極との間を接続する構造に形成されてあ
り、また液晶層は対向する上側ガラス基板と該下側ガラ
ス基板との間に設けられてあり、該バリスタ素子を介し
て駆動する液晶表示装置において、少なくとも可視領域
で透明な平滑層が該下側ガラス基板の該バリスタ素子部
と電極端子部とを除く全面に設けられ、かつ可視領域で
透明な該平滑層の厚さが該バリスタ素子の厚みと所定セ
ルギャップ値との差以上の範囲であることを特徴とする
液晶表示装置である。
The means provided by the present invention for solving the above-mentioned problems are as follows. That is, the varistor element serves as an active matrix element and connects the scanning electrode and the pixel electrode on the lower glass substrate. The liquid crystal layer is formed between the upper glass substrate and the lower glass substrate facing each other, and is transparent in at least the visible region in a liquid crystal display device driven through the varistor element. A smooth layer is provided on the entire surface of the lower glass substrate excluding the varistor element portion and the electrode terminal portion, and the thickness of the smooth layer transparent in the visible region is the thickness of the varistor element and the predetermined cell gap value. The liquid crystal display device is characterized by having a range not less than the difference.

【0015】あるいは、バリスタ素子がアクティブマト
リクス素子として、下側ガラス基板上の走査電極と画素
電極との間を接続する構造に形成されてあり、また液晶
層は対向する上側ガラス基板と該下側ガラス基板との間
に設けられてあり、該バリスタ素子を介して駆動する液
晶表示装置において、画素電極部が電気的に接続された
状態で上下に分割されてあり、少なくとも可視領域で透
明な平滑層が該下側ガラス基板の電極端子部の一部と該
バリスタ素子部とを除く全面に設けられ、かつ可視領域
で透明な該平滑層の厚さが該バリスタ素子の厚みと所定
セルギャップ値との差以上の範囲であり、かつ該画素電
極の一部は該平滑層上に設けられていることを特徴とす
る液晶表示装置である。
Alternatively, the varistor element is formed as an active matrix element in a structure for connecting the scanning electrode and the pixel electrode on the lower glass substrate, and the liquid crystal layer is opposed to the upper glass substrate and the lower glass substrate. In a liquid crystal display device provided between a glass substrate and driven via the varistor element, the pixel electrode portion is divided into upper and lower parts in an electrically connected state, and is transparent and smooth at least in a visible region. A layer is provided on the entire surface of the lower glass substrate except a part of the electrode terminal portion and the varistor element portion, and the thickness of the smooth layer transparent in the visible region is the thickness of the varistor element and the predetermined cell gap value. And a part of the pixel electrode is provided on the smoothing layer.

【0016】該液晶表示装置において、該画素電極中の
該バリスタ素子部が接続されている部分が、該走査電極
と同一の材質であることを特徴とする該の液晶表示装置
である。
In the liquid crystal display device, a portion of the pixel electrode to which the varistor element portion is connected is made of the same material as that of the scanning electrode.

【0017】さらに好ましくは、該少なくとも可視領域
で透明な平滑層の材質が、感光性高分子であることを特
徴とする該の液晶表示装置である。
More preferably, the liquid crystal display device is characterized in that the material of the smooth layer transparent at least in the visible region is a photosensitive polymer.

【0018】また別の好ましい態様としては、該少なく
とも可視領域で透明な平滑層の材質が、SiO2 を主成
分とするものであることを特徴とする該の液晶表示装置
である。
In another preferred embodiment, the liquid crystal display device is characterized in that the material of the smooth layer which is transparent in at least the visible region is SiO 2 as a main component.

【0019】ところで、該透明な平滑層を形成するに
は、フォトファブリケーション法を適用することが好適
である。また、該透明な平滑層は、ショートやクロスト
ークの防止の為に、通常は適度の電気絶縁性を有するこ
とが好ましい。尚、該SiO2を主成分とする平滑な透
明層を形成する場合でも、例えばリフトオフ法を応用す
ると比較的に容易に形成できる。
By the way, in order to form the transparent smooth layer, it is preferable to apply a photofabrication method. Further, it is preferable that the transparent smooth layer usually has an appropriate electric insulating property in order to prevent short circuit and crosstalk. Even when a smooth transparent layer containing SiO 2 as a main component is formed, it can be formed relatively easily by applying the lift-off method, for example.

【0020】[0020]

【作用】本発明では、可視領域で透明な平滑層を下側ガ
ラス基板のバリスタ部と電極端子部を除く全面に形成し
ておく、そして特に透明な平滑層の材質としては感光性
高分子からなる膜、あるいはガラスに代表されるSiO
2 を主成分とする膜を使用して、バリスタ素子厚みと所
定のセルギャップ値との差以上の膜厚で形成することに
よって、所定セルギャップ値用(極めて高精度の径に製
造され市販されている)のセルギャップ保持用スペーサ
の使用によるセルギャップの保持が可能となり、セルギ
ャップの適切な値の確保と正確な制御とが容易に達成さ
れる。
In the present invention, the transparent smooth layer in the visible region is formed on the entire surface of the lower glass substrate excluding the varistor portion and the electrode terminal portion, and the transparent smooth layer is made of a photosensitive polymer. Film or SiO represented by glass
By using a film containing 2 as a main component and forming a film with a film thickness equal to or larger than the difference between the varistor element thickness and a predetermined cell gap value, it can be manufactured for a predetermined cell gap value (manufactured to an extremely high precision diameter and commercially available. The cell gap can be maintained by using the cell gap maintaining spacer described in (1) above, and it is possible to easily secure an appropriate value of the cell gap and accurately control the cell gap.

【0021】さらに、画素電極中の画素部をなす部分は
前記透明な平滑層上に設けることにより、液晶に印加さ
れる電圧の降下を低減することができる。
Further, by providing the portion of the pixel electrode forming the pixel portion on the transparent smooth layer, it is possible to reduce the voltage drop applied to the liquid crystal.

【0022】また、画素電極部が前記のように上下に分
割された構造である場合には、画素電極中の下側にあり
バリスタ素子部と接する部分を形成する際に、次のよう
な好都合なことが得られる。すなわち、走査電極を形成
する際に、前記バリスタ素子部と接する部分を走査電極
と同じ材質からなる薄膜を用いて、かつフォトリソグラ
フィ法も同時に施してパターニングすることにより、バ
リスタギャップ値の精度が高く、素子間でもより均一な
ものを製造することが可能となる。
Further, in the case where the pixel electrode portion is divided into the upper and lower portions as described above, the following convenient method is provided when forming a portion which is on the lower side of the pixel electrode and is in contact with the varistor element portion. You can get something. That is, when forming the scan electrode, by using a thin film made of the same material as the scan electrode in the portion in contact with the varistor element portion, and by performing the photolithography method at the same time, the varistor gap value is highly accurate. Thus, it becomes possible to manufacture a more uniform device among the elements.

【0023】[0023]

【実施例】【Example】

<実施例1>本発明に係る液晶表示装置の一実施例を図
面を用いて具体的に説明する。(図1)は本発明による
液晶表示装置を示す断面図であり、(図2)はそのバリ
スタ素子部の一帯の平面図である。(図1)に示すよう
にSiO2 コートを施したソーダガラスを基材とした下
側ガラス基板10上にマグネトロンスパッタリング装置
を用いて導電性薄膜としてCr膜を厚さ1000Åに成
膜する。尚、導電性薄膜の種類としては、Crに限ら
ず、Al、Ta、Ni、Cu等の各種金属やITO等の
透明導電膜の使用が可能である。この時のシート抵抗は
2Ω/□であった。これにフォトファブリケーション法
によりレジストパターンを形成して、硝酸セリウムアン
モニウム系のエッチング液にて、走査電極11を形成す
る。この時、走査電極11の線巾は50μmであった。
<Embodiment 1> An embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention will be specifically described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a part of the varistor element part. As shown in FIG. 1, a Cr film as a conductive thin film having a thickness of 1000 Å is formed on a lower glass substrate 10 made of soda glass coated with SiO 2 as a base material by using a magnetron sputtering apparatus. The type of the conductive thin film is not limited to Cr, but various metals such as Al, Ta, Ni and Cu, and a transparent conductive film such as ITO can be used. The sheet resistance at this time was 2Ω / □. A resist pattern is formed on this by a photofabrication method, and the scanning electrode 11 is formed with a cerium ammonium nitrate-based etching solution. At this time, the line width of the scanning electrode 11 was 50 μm.

【0024】次に、マグネトロンスパッタリング装置を
用いてITO製透明導電膜を形成した。この時、膜厚は
1000Åであり、膜のシート抵抗値は40Ω/□であ
った。更に、フォトファブリケーション法を用いて、レ
ジストパターンを形成して、画素電極12を形成する。
この時、先に形成した走査電極11と画素電極12間の
バリスタギャップDは20μmであり、精度は±2.5
μm以内であった。
Next, an ITO transparent conductive film was formed using a magnetron sputtering device. At this time, the film thickness was 1000Å and the sheet resistance value of the film was 40 Ω / □. Further, a resist pattern is formed using the photofabrication method to form the pixel electrode 12.
At this time, the varistor gap D between the scan electrode 11 and the pixel electrode 12 formed previously is 20 μm, and the accuracy is ± 2.5.
It was within μm.

【0025】尚、バリスタ素子13のしきい値電圧は、
バリスタギャップD間に存在するバリスタ粒子数により
決まるため、バリスタギャップDの値で素子のしきい値
の制御を行う。従って、バリスタギャップDは、使用す
る液晶や液晶表示装置の駆動条件により3〜100μm
の範囲で設定される。さらに、バリスタギャップDの寸
法バラツキの範囲は、使用するバリスタ粒子の粒径以下
に制御することが素子のしきい値電圧のバラツキを抑え
るために必要である。本例では、バリスタ粒子の粒径が
5μmであるので、精度は±2.5μm以内が要求され
る。
The threshold voltage of the varistor element 13 is
Since it is determined by the number of varistor particles existing between the varistor gaps D, the value of the varistor gap D controls the element threshold value. Therefore, the varistor gap D is 3 to 100 μm depending on the liquid crystal used and the driving conditions of the liquid crystal display device.
It is set in the range of. Further, it is necessary to control the dimensional variation range of the varistor gap D to be equal to or smaller than the grain size of the varistor particles used in order to suppress the variation in the threshold voltage of the element. In this example, since the varistor particle size is 5 μm, the accuracy is required to be within ± 2.5 μm.

【0026】次に、原料となるZnO粉を1200℃で
1時間焼成した後に、これをボールミルで粉砕してエア
分級して平均粒径5μmのZnO単結晶粉を形成し、こ
れにCo2 3 を0.5モル%及びMnCO3 を0.5
モル%を加えて再度1150℃で1時間焼成してバリス
タ特性を有するバリスタ粉とした。このバリスタ粉にガ
ラスフリットを25重量部およびエチルセルロース(粘
度50cps)を10重量部加えてカルビトールを溶剤
としてペースト化し、このペーストを下側ガラス基板1
0上にシルクスクリーン印刷法を用いて焼結体素子13
のパターンに印刷法する。この後、ロールプレス装置を
用いて印刷法された素子厚みの平坦化処理を行った。更
に、460℃で1時間焼成し、焼結体素子13を完成す
る。この時、完成したバリスタ素子13の厚みを測定し
たところ、平均膜厚は11.0μmであった。
Next, ZnO powder as the raw material after firing for 1 hour at 1200 ° C., which was pulverized in a ball mill with air classifier to form a ZnO single crystal powder having an average grain size of 5 [mu] m, this Co 2 O 3 to 0.5 mol% and MnCO 3 to 0.5
Mol% was added and fired again at 1150 ° C. for 1 hour to obtain varistor powder having varistor characteristics. To this varistor powder, 25 parts by weight of glass frit and 10 parts by weight of ethyl cellulose (viscosity 50 cps) were added to form a paste using carbitol as a solvent, and the paste was used as the lower glass substrate 1
Sintered body element 13 using silk screen printing method
Print on the pattern. Then, the flattening process of the element thickness printed by the printing method was performed using the roll press apparatus. Further, the sintered body element 13 is completed by firing at 460 ° C. for 1 hour. At this time, when the thickness of the completed varistor element 13 was measured, the average film thickness was 11.0 μm.

【0027】次に、バリスタ素子を形成した下側ガラス
基板10に、可視領域(波長400〜700nm)で透
明な感光性高分子膜として、感光性アクリル系樹脂(富
士薬品工業(株)製:商品名 FVR)を塗布した。塗
布膜厚は、バリスタ素子13の素子厚み11.0μmと
設定セルギャップ値8.5μmとの差が2.5μmとな
るので、これ以上の値になるように考慮して3.5μm
に設定した。次に、マスクを介して紫外線ランプにより
露光後、FVR現像液(メチルエチルケトンとイソプロ
ピルアルコールとの混合物)で現像及びリンスを施した
後、180℃で60分のポストベークを行って、電極端
子部とバリスタ素子部を除く全面に平滑層20を形成し
た。
Next, a photosensitive acrylic resin (manufactured by Fuji Yakuhin Kogyo Co., Ltd.) as a photosensitive polymer film transparent in the visible region (wavelength 400 to 700 nm) was formed on the lower glass substrate 10 on which the varistor element was formed. Product name FVR) was applied. The coating film thickness is 2.5 μm because the difference between the device thickness of the varistor device 13 of 11.0 μm and the set cell gap value of 8.5 μm is 2.5 μm.
Set to. Next, after exposure with an ultraviolet lamp through a mask, development and rinsing with an FVR developer (mixture of methyl ethyl ketone and isopropyl alcohol) were performed, and post baking was performed at 180 ° C. for 60 minutes to form an electrode terminal portion. The smoothing layer 20 was formed on the entire surface except the varistor element portion.

【0028】尚、ここで適用可能な感光性高分子膜材料
の例として、該感光性アクリル系樹脂の他に、感光性を
有するエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、カゼイン及びゼ
ラチン等の天然タンパク樹脂があり、状況に応じて適宜
使い分けてよい。
Examples of the photosensitive polymer film material applicable here include, in addition to the photosensitive acrylic resin, photosensitive epoxy resins, polyimide resins, natural protein resins such as casein and gelatin. However, it may be used properly according to the situation.

【0029】しかる後、上側ガラス基板17、及び下側
ガラス基板10両方に配向剤(日立化成工業製、商品
名:HL1110)を約700Åの膜厚で塗布し、ラビ
ング方向が互いに約90°の角度を成すようにローラー
ラビング装置を用いてラビングを行い、配向膜15を形
成する。尚、平滑層20の材料に感光性ポリイミド樹脂
を使用した場合には、下側ガラス基板10へ配向材の塗
布を省略し、平滑層20で配向膜15を兼ねることも可
能である。
Thereafter, an aligning agent (product name: HL1110, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is applied to both the upper glass substrate 17 and the lower glass substrate 10 to a film thickness of about 700Å, and the rubbing directions are about 90 ° to each other. Rubbing is performed using a roller rubbing device so as to form an angle, and the alignment film 15 is formed. When a photosensitive polyimide resin is used as the material of the smoothing layer 20, it is possible to omit the application of the alignment material to the lower glass substrate 10 and use the smoothing layer 20 as the alignment film 15.

【0030】次に、上側ガラス基板17に所定の粒径値
のセルギャップ保持用スペーサ19(日本電気硝子製、
商品名:マイクロ・ロッド、品番PF−90、平均粒径
9.00±0.05μm、標準偏差0.16μm以下)
を混入したシール用エポキシ樹脂をシルクスクリーン印
刷法により印刷し、シール部を形成する。また、同時に
セル中央部にもギャップ保持用スペーサ19を散布す
る。更に、下側ガラス基板10を正確に位置合わせをし
た後に、加圧治具を用いて該セルを均一に加圧・加熱し
シール材を硬化した。この時の加圧圧力は、1kg/c
2 程度で行なった。
Next, on the upper glass substrate 17, a cell gap holding spacer 19 (made by Nippon Electric Glass,
Product name: Micro rod, product number PF-90, average particle size 9.00 ± 0.05 μm, standard deviation 0.16 μm or less)
An epoxy resin for sealing mixed with is printed by a silk screen printing method to form a sealing portion. At the same time, the gap holding spacers 19 are also scattered in the center of the cell. Furthermore, after accurately aligning the lower glass substrate 10, the cell was uniformly pressed and heated using a pressure jig to cure the sealing material. Pressurized pressure at this time is 1 kg / c
It was carried out at about m 2 .

【0031】最後に、TN液晶(メルクジャパン製、商
品名:ZLI−4472、尚Δn=0.1178)を注
入し、セル外側両面に偏光板19を貼り合わせ液晶表示
装置を完成する。
Finally, TN liquid crystal (manufactured by Merck Japan, trade name: ZLI-4472, where Δn = 0.1178) is injected, and polarizing plates 19 are attached to both outer surfaces of the cell to complete a liquid crystal display device.

【0032】完成した液晶表示装置の評価を行ったとこ
ろ、セルギャップの精度は、従来法によるものが11±
1μmだったことに対して、本発明によると8.7±
0.25μmへと大幅に向上し、すなわちバラツキが小
さくなった。また同時に、セルギャップ値も従来よりも
適切な厚みに向けて大幅に薄くすることができた。この
ことから、応答速度は従来法に対して1.67倍に高速
化し、さらに視野角度は従来の左右35°から45°へ
と改善された。すなわち、応答速度が速く、視野角が広
く、表示ムラのない高画質の液晶表示装置を得られた。
When the completed liquid crystal display device was evaluated, the accuracy of the cell gap was 11 ± 10 when the conventional method was used.
According to the present invention, it was 8.7 ±.
It was significantly improved to 0.25 μm, that is, the variation was reduced. At the same time, the cell gap value was able to be greatly reduced toward an appropriate thickness as compared with the conventional one. From this, the response speed is 1.67 times faster than the conventional method, and the viewing angle is improved from the conventional left-right 35 ° to 45 °. That is, a liquid crystal display device having a high response speed, a wide viewing angle, and high image quality without display unevenness was obtained.

【0033】<実施例2>(図3)に示すようにSiO
2 コートを施したソーダガラスを基材とした下側ガラス
基板10上にマグネトロンスパッタリング装置を用いて
導電性薄膜としてCr膜を厚さ1000Åに成膜する。
尚、導電性薄膜の種類としては、Crに限らず、Al、
Ta、Ni、Cu等の各種金属やITO等の透明導電膜
の使用が可能である。この時のシート抵抗は2Ω/□で
あった。これにフォトファブリケーション法によりレジ
ストパターンを形成して、硝酸セリウムアンモニウム系
のエッチング液にて、走査電極11を形成する。この
時、走査電極11の線巾は50μmであった。
Example 2 As shown in FIG. 3 (FIG. 3), SiO
A Cr film as a conductive thin film having a thickness of 1000 Å is formed on the lower glass substrate 10 whose base is soda glass coated with 2 coats, by using a magnetron sputtering apparatus.
The type of the conductive thin film is not limited to Cr, but Al,
Various metals such as Ta, Ni and Cu and transparent conductive films such as ITO can be used. The sheet resistance at this time was 2Ω / □. A resist pattern is formed on this by a photofabrication method, and the scanning electrode 11 is formed with a cerium ammonium nitrate-based etching solution. At this time, the line width of the scanning electrode 11 was 50 μm.

【0034】次に、マグネトロンスパッタリング装置を
用いてITO製の透明導電膜を形成した。このとき、膜
厚は1000Åであり、膜のシート抵抗値は40Ω/□
であった。さらに、フォトファブリケーション法を用い
て、レジストパターンを形成して、画素電極12を形成
する。このとき、先に形成した走査電極11と画素電極
12との間のバリスタギャップ値Dは20μmであり、
精度は±1μm以内であった。
Next, a transparent conductive film made of ITO was formed using a magnetron sputtering device. At this time, the film thickness is 1000Å and the sheet resistance value of the film is 40Ω / □.
Met. Further, a resist pattern is formed by using the photofabrication method to form the pixel electrode 12. At this time, the varistor gap value D between the scan electrode 11 and the pixel electrode 12 formed previously is 20 μm,
The accuracy was within ± 1 μm.

【0035】尚、バリスタ素子13のしきい値電圧は、
バリスタギャップの領域に存在するバリスタ粒子数によ
り決まるため、バリスタギャップ値Dで素子のしきい値
の制御を行う。従って、バリスタギャップ値Dは、使用
する液晶や液晶表示装置の駆動条件により3〜100μ
mの範囲で設定される。さらに、バリスタギャップ値D
の寸法バラツキの範囲は、素子のしきい値電圧のバラツ
キを抑えるために、使用するバリスタ粒子の粒径以下に
制御することが必要である。本実施例では、バリスタ粒
子の粒径が約5μmであることから、精度は±2.5μ
m以内が要求される。
The threshold voltage of the varistor element 13 is
Since it is determined by the number of varistor particles existing in the varistor gap region, the varistor gap value D controls the threshold value of the device. Therefore, the varistor gap value D is 3 to 100 μm depending on the liquid crystal used and the driving conditions of the liquid crystal display device.
It is set in the range of m. Furthermore, the varistor gap value D
It is necessary to control the range of the dimensional variation of (1) to the particle size of the varistor particles to be used or less in order to suppress the variation of the threshold voltage of the device. In this embodiment, the varistor particle size is about 5 μm, so the accuracy is ± 2.5 μm.
Within m is required.

【0036】次に、原料となるZnO粉を1200℃で
1時間焼成した後に、これをボールミルで粉砕した後に
エア分級して平均粒径5μmのZnO単結晶粉を形成
し、これにCo2 3 を0.5モル%及びMnCO3
0.5モル%を加えて再度1150℃の温度で1時間焼
成して、好ましいバリスタ特性を有するバリスタ粉とし
た。このバリスタ粉にガラスフリットを25重量部およ
びエチルセルロース(粘度50cps)を10重量部加
えてカルビトールを溶剤としてペースト化し、このペー
ストを下側ガラス基板10上にシルクスクリーン印刷法
を用いて焼結体素子13のパターンに印刷法する。この
後、ロールプレス装置を用いて印刷法された素子厚みの
平坦化処理を行った。更に、460℃で1時間焼成し、
焼結体素子13を完成する。この時、完成したバリスタ
素子13の厚みを測定したところ、平均膜厚は11.0
μmであった。
[0036] Next, ZnO powder as the raw material after firing for 1 hour at 1200 ° C., which was air-classified to form a ZnO single crystal powder having an average grain size of 5μm after pulverized by a ball mill, to which Co 2 O 0.5 mol% of 3 and 0.5 mol% of MnCO 3 were added and fired again at a temperature of 1150 ° C. for 1 hour to obtain a varistor powder having preferable varistor characteristics. To this varistor powder, 25 parts by weight of glass frit and 10 parts by weight of ethyl cellulose (viscosity 50 cps) were added to form carbitol as a solvent into a paste, and this paste was sintered on the lower glass substrate 10 using a silk screen printing method. The pattern of the element 13 is printed. After that, flattening treatment of the element thickness printed by the printing method was performed using a roll press machine. Further, calcination at 460 ℃ for 1 hour,
The sintered body element 13 is completed. At this time, when the thickness of the completed varistor element 13 was measured, the average film thickness was 11.0.
was μm.

【0037】次に、バリスタ素子を形成した下側ガラス
基板10に、可視光領域(詳細には波長400乃至70
0nm)で透明な感光性高分子膜として、感光性アクリ
ル系樹脂(富士薬品工業製、商品名:FVR)を塗布し
た。塗布膜厚は、バリスタ素子13の素子厚み11.0
μmと設定セルギャップ値8.5μmとの差が2.5μ
mとなるので、これ以上の値になるように考慮して3.
5μmに設定した。次に、所定パターンを有するフォト
マスクを介して紫外線ランプにより露光後、FVR用現
像液(メチルエチルケトンとイソプロピルアルコールと
からなる混合物)で現像とリンスとを施した後、180
℃で60分間のポストベークを行い、画素電極中のバリ
スタ素子形成部22側上に画素電極12との導通用のス
ルーホール21を形成すると同時に、電極端子部とバリ
スタ素子部を除く全面に平滑層20を形成した。
Next, on the lower glass substrate 10 on which the varistor element is formed, the visible light region (specifically, wavelengths 400 to 70).
A photosensitive acrylic resin (trade name: FVR manufactured by Fuji Yakuhin Kogyo Co., Ltd.) was applied as a transparent photosensitive polymer film having a thickness of 0 nm). The coating film thickness is the element thickness 11.0 of the varistor element 13.
The difference between μm and the set cell gap value of 8.5 μm is 2.5 μm
Since m is set to 3, m should be set to a value larger than 3.
It was set to 5 μm. Next, after exposing with an ultraviolet lamp through a photomask having a predetermined pattern, development with a FVR developing solution (mixture of methyl ethyl ketone and isopropyl alcohol) and rinsing are performed, and then 180
Post-baking is performed at 60 ° C. for 60 minutes to form a through hole 21 for conduction with the pixel electrode 12 on the varistor element forming portion 22 side in the pixel electrode, and at the same time smooth the entire surface except the electrode terminal portion and the varistor element portion. Layer 20 was formed.

【0038】尚、ここで適用可能な感光性高分子膜材料
の例として、該感光性アクリル系樹脂の他に、感光性を
有するエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、カゼイン及びゼ
ラチン等の天然タンパク樹脂があり、状況に応じて適宜
使い分けが可能である。
Examples of the photosensitive polymer film material applicable here include, in addition to the photosensitive acrylic resin, photosensitive epoxy resins, polyimide resins, natural protein resins such as casein and gelatin. It is possible to use them properly according to the situation.

【0039】次に、前記基板上にポジ型フォトレジスト
(シプレイファーイースト製、商品名:MP1400)
を用いたフォトリソグラフィ法により、画素電極のパタ
ーン部分を除いて基板全面を覆うリフトオフ用のフォト
レジストパターンを形成した。さらに、マグネトロンス
パッタリング装置を用いて、ITO製の透明導電膜を厚
さ1000Åに形成した。このとき、透明導電膜のシー
ト抵抗値は80Ω/□であった。さらに、この基板をフ
ォトレジスト剥離用のリムーバ(シプレイファーイース
ト製、商品名:MPリムーバ140)中に浸漬し、フォ
トレジストを除去すると同時に画素電極部12を形成し
た。
Next, a positive photoresist (manufactured by Shipley Far East, trade name: MP1400) is formed on the substrate.
A photoresist pattern for lift-off covering the entire surface of the substrate except the pattern portion of the pixel electrode was formed by a photolithography method using. Further, a transparent conductive film made of ITO was formed to a thickness of 1000Å using a magnetron sputtering device. At this time, the sheet resistance value of the transparent conductive film was 80 Ω / □. Further, this substrate was dipped in a remover for removing photoresist (manufactured by Shipley Far East, trade name: MP remover 140) to remove the photoresist and simultaneously form the pixel electrode portion 12.

【0040】しかる後、上側ガラス基板17、及び下側
ガラス基板10両方に配向剤(日立化成工業製、商品
名:HL1110)を約700Åの膜厚で塗布し、ラビ
ング方向が互いに約90°の角度を成すようにローラー
ラビング装置を用いてラビングを行い、配向膜15を形
成する。
Then, an aligning agent (Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name: HL1110) is applied to both the upper glass substrate 17 and the lower glass substrate 10 in a film thickness of about 700Å, and the rubbing directions are about 90 ° to each other. Rubbing is performed using a roller rubbing device so as to form an angle, and the alignment film 15 is formed.

【0041】次に、上側ガラス基板17に所定の粒径値
のセルギャップ保持用スペーサ19(日本電気硝子製、
商品名:マイクロ・ロッド。尚、品番PF−90、平均
粒径9. 00±0.05μm、標準偏差0.16μm以
下)を混入したシール用エポキシ樹脂をシルクスクリー
ン印刷法により所定パターンとして設け、シール部を形
成する。また、同時にセル中央部にもギャップ保持用ス
ペーサ19を散布する。更に、下側ガラス基板10を正
確に位置合わせをした後に、加圧治具を用いて該セルを
均一に加圧・加熱しシール材を硬化した。この時の加圧
圧力は、1kg/cm2 程度で行なった。
Next, on the upper glass substrate 17, a cell gap holding spacer 19 (made by Nippon Electric Glass,
Product name: Micro rod. An epoxy resin for sealing containing a product number PF-90, an average particle size of 9.00 ± 0.05 μm, and a standard deviation of 0.16 μm or less) is provided as a predetermined pattern by a silk screen printing method to form a seal portion. At the same time, the gap holding spacers 19 are also scattered in the center of the cell. Furthermore, after accurately aligning the lower glass substrate 10, the cell was uniformly pressed and heated using a pressure jig to cure the sealing material. The pressure applied at this time was about 1 kg / cm 2 .

【0042】最後に、TN液晶(メルクジャパン製、商
品名:ZLI−4472。尚、Δn=0.1178)を
注入し、セル外側両面に偏光板19を貼り合わせ液晶表
示装置を完成した。
Finally, TN liquid crystal (manufactured by Merck Japan, trade name: ZLI-4472, Δn = 0.1178) was injected, and polarizing plates 19 were attached to both outer surfaces of the cell to complete a liquid crystal display device.

【0043】完成した液晶表示装置の評価を行ったとこ
ろ、セルギャップ値の精度は、従来のものによると11
±1μmだったことに対して、本発明によると8.7±
0.25μmへと大幅に向上し、すなわちバラツキが小
さくなった。また同時に、セルギャップ値も従来よりも
適切な厚みに向けて大幅に薄くすることができた。この
ことから、応答速度は従来法に対して1.67倍に高速
化し、さらに視野角度は従来は左右35°だったものか
ら45°へと改善された。さらに、液晶に印加される実
効電圧が増加したため、液晶表示装置のコントラスト
は、従来40:1だったものから50:1へと改善され
た。すなわち、応答速度が速く、視野角が広く、表示ム
ラのない高画質の液晶表示装置を得られた。
When the completed liquid crystal display device was evaluated, the accuracy of the cell gap value was 11 according to the conventional one.
According to the present invention, it was 8.7 ±.
It was significantly improved to 0.25 μm, that is, the variation was reduced. At the same time, the cell gap value was able to be greatly reduced toward an appropriate thickness as compared with the conventional one. From this, the response speed was 1.67 times faster than the conventional method, and the viewing angle was improved from 45 ° in the conventional method to 45 ° in the left and right. Further, since the effective voltage applied to the liquid crystal is increased, the contrast of the liquid crystal display device is improved from 40: 1 to 50: 1. That is, a liquid crystal display device having a high response speed, a wide viewing angle, and high image quality without display unevenness was obtained.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明に係わる液晶表示装置によると、
可視光領域で透明な平滑層が、前記のように設けられて
いることから、精度の高い(例えば市販の所定セルギャ
ップ値用の)セルギャップ保持用スペーサと併用するこ
とによって、セルギャップ値を適切な薄い値で高い精度
で設けることが容易に可能となり、さらには平滑層上に
画素電極を設けることにより液晶に印加される電圧の降
下も低減することができ、また画素電極をバリスタ形成
部側と画素電極形成部側とに内部で分割した構造に形成
する際には、バリスタ形成部側を走査電極と共に形成す
る製造方法を好都合に使用できることにからバリスタギ
ャップのばらつきを低減することが可能な状況を得られ
る。これらのことから、高画質であり、応答速度も速
く、視野角が広く、表示ムラが無く、しかも容易に製造
することが可能な液晶表示装置を提供することができ
た。
According to the liquid crystal display device of the present invention,
Since the smooth layer that is transparent in the visible light region is provided as described above, the cell gap value can be reduced by using it together with a highly accurate (for example, commercially available predetermined cell gap value) cell gap holding spacer. It is possible to easily provide an appropriate thin value with high accuracy. Furthermore, by providing the pixel electrode on the smoothing layer, the drop of the voltage applied to the liquid crystal can be reduced, and the pixel electrode can be provided in the varistor formation part. When forming a structure in which the varistor formation portion side is formed with the scanning electrodes, it is possible to reduce variations in the varistor gap when forming a structure in which the varistor formation portion side is formed together with the scanning electrodes. Can be obtained. From these things, it was possible to provide a liquid crystal display device which has high image quality, a high response speed, a wide viewing angle, no display unevenness, and can be easily manufactured.

【0045】[0045]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にかかわる液晶表示装置の一実施例につ
いて、断面図を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing a sectional view of an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】本発明にかかわる液晶表示装置の一実施例につ
いて、平面図を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a plan view of one embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図3】本発明にかかわる液晶表示装置の他の実施例に
ついて、断面図を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view showing a sectional view of another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図4】本発明にかかわる液晶表示装置の他の実施例に
ついて、平面図を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing a plan view of another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図5】本発明にかかわる液晶表示装置の通常の実施例
について、バリスタ素子要部を拡大して示す説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory view showing an enlarged main part of a varistor element in a normal embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図6】本発明にかかわる液晶表示装置の通常の実施例
について、バリスタ粒子の断面を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view showing a cross section of varistor particles in a normal example of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図7】本発明にかかわる液晶表示装置の通常の実施例
の、等価回路図を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit diagram of a normal embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図8】本発明にかかわる液晶表示装置の通常の実施例
について、バリスタ素子部を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory view showing a varistor element part in a normal embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図9】本発明にかかわる液晶表示装置の通常の実施例
について、バリスタ素子の電圧−電流特性を示すグラフ
である。
FIG. 9 is a graph showing a voltage-current characteristic of a varistor element in a normal example of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図10】従来の液晶表示装置の一例を、断面図((図
11)A−A部)を用いて示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing an example of a conventional liquid crystal display device using a cross-sectional view (portion AA in FIG. 11).

【図11】従来の液晶表示装置の一例を、平面図を用い
て示す説明図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram showing an example of a conventional liquid crystal display device using a plan view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・信号電極群 2・・・走査電極群 3・・・バリスタ素子 4・・・液晶 10・・・下側ガラス基板 11・・・走査電極 12・・・画素電極 13・・・バリスタ素子 13a・・・バリスタ粒子 13b・・・ガラスフリット 14・・・液晶 15・・・配向膜 16・・・信号電極 17・・・上側ガラス基板 18・・・偏光板 19・・・ギャップ保持用スペーサ 20・・・平滑層 21・・・画素電極(スルーホール部) 22・・・バリスタ素子形成部側(画素電極) 131・・・ZnO単結晶粒子 132・・・無機絶縁膜 d・・・セルギャップ D・・・バリスタギャップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Signal electrode group 2 ... Scanning electrode group 3 ... Varistor element 4 ... Liquid crystal 10 ... Lower glass substrate 11 ... Scanning electrode 12 ... Pixel electrode 13 ... Varistor Element 13a ... Varistor particle 13b ... Glass frit 14 ... Liquid crystal 15 ... Alignment film 16 ... Signal electrode 17 ... Upper glass substrate 18 ... Polarizing plate 19 ... Gap holding Spacer 20 ... Smoothing layer 21 ... Pixel electrode (through hole part) 22 ... Varistor element formation part side (pixel electrode) 131 ... ZnO single crystal particle 132 ... Inorganic insulating film d ... Cell gap D ... Varistor gap

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】バリスタ素子がアクティブマトリクス素子
として、下側ガラス基板上の走査電極と画素電極との間
を接続する構造に形成されてあり、また液晶層は対向す
る上側ガラス基板と該下側ガラス基板との間に設けられ
てあり、該バリスタ素子を介して駆動する液晶表示装置
において、少なくとも可視領域で透明な平滑層が該下側
ガラス基板の該バリスタ素子部と電極端子部とを除く全
面に設けられ、かつ可視領域で透明な該平滑層の厚さが
該バリスタ素子の厚みと所定セルギャップ値との差以上
の範囲であることを特徴とする液晶表示装置。
1. A varistor element is formed as an active matrix element in a structure for connecting a scanning electrode and a pixel electrode on a lower glass substrate, and a liquid crystal layer is opposed to an upper glass substrate and the lower glass substrate. In a liquid crystal display device provided between the glass substrate and driven via the varistor element, a smooth layer transparent at least in the visible region excludes the varistor element portion and the electrode terminal portion of the lower glass substrate. A liquid crystal display device, wherein the thickness of the smooth layer provided over the entire surface and transparent in the visible region is in a range of a difference between the thickness of the varistor element and a predetermined cell gap value.
【請求項2】バリスタ素子がアクティブマトリクス素子
として、下側ガラス基板上の走査電極と画素電極との間
を接続する構造に形成されてあり、また液晶層は対向す
る上側ガラス基板と該下側ガラス基板との間に設けられ
てあり、該バリスタ素子を介して駆動する液晶表示装置
において、画素電極部が電気的に接続された状態で分割
されてあり、少なくとも可視領域で透明な平滑層が該下
側ガラス基板の電極端子部の一部と該バリスタ素子部と
を除く全面に設けられ、かつ可視領域で透明な該平滑層
の厚さが該バリスタ素子の厚みと所定セルギャップ値と
の差以上の範囲であり、かつ該画素電極の一部は該平滑
層上に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
2. A varistor element is formed as an active matrix element in a structure for connecting a scanning electrode and a pixel electrode on a lower glass substrate, and a liquid crystal layer is opposed to an upper glass substrate and the lower side. In a liquid crystal display device provided between the glass substrate and driven through the varistor element, the pixel electrode portion is divided in an electrically connected state, and at least a transparent smooth layer in the visible region is provided. The thickness of the smooth layer, which is provided on the entire surface of the lower glass substrate except for a part of the electrode terminal portion and the varistor element portion and is transparent in the visible region, is equal to the thickness of the varistor element and the predetermined cell gap value. A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display device has a difference or more and a part of the pixel electrode is provided on the smoothing layer.
【請求項3】前記液晶表示装置において、前記画素電極
中の前記バリスタ素子部が接続されている部分が、前記
走査電極と同一の材質であることを特徴とする請求項2
記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein a portion of the pixel electrode to which the varistor element portion is connected is made of the same material as that of the scanning electrode.
The described liquid crystal display device.
【請求項4】前記少なくとも可視領域で透明な平滑層の
材質が、感光性高分子であることを特徴とする請求項1
乃至3記載の液晶表示装置。
4. The material of the smooth layer transparent in at least the visible region is a photosensitive polymer.
4. The liquid crystal display device according to any one of 3 to 3.
【請求項5】前記少なくとも可視領域で透明な平滑層の
材質が、SiO2 を主成分とするものであることを特徴
とする請求項1乃至3記載の液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the material of the smooth layer which is transparent in at least the visible region is one containing SiO 2 as a main component.
JP12598192A 1992-03-04 1992-05-19 Liquid crystal display device Pending JPH05307196A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266479A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Tateyama Kagaku Kogyo Kk Protection element and manufacturing method thereof

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