JPH05304451A - 直流高圧固体スイッチ装置 - Google Patents
直流高圧固体スイッチ装置Info
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- JPH05304451A JPH05304451A JP4151090A JP15109092A JPH05304451A JP H05304451 A JPH05304451 A JP H05304451A JP 4151090 A JP4151090 A JP 4151090A JP 15109092 A JP15109092 A JP 15109092A JP H05304451 A JPH05304451 A JP H05304451A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】本発明は、直流高圧固体スイッチ装置の小形化
と経済性を図つたものである。 【構成】直列に複数個直列接続された固体スイッチ素子
８のゲート回路としてリングコア形パルストランス５を
同数個使用し、高絶縁を施した１次導体で貫通連結し、
入力信号を同期された高周波クロックパルスに分解し、
その１次導体にパルス電流として流し、各パルストラン
ス５の２次電圧を整流及びリセット回路７で整流し各ス
イッチ素子のゲート信号としたもの。 【効果】（１）標準化ができる。（２）小型、経済的で
ある。（３）ユニットの増減のみで使用する電圧用のス
イッチができかつ特性の向上にもなる。（４）メンテナ
ンス上も得策である。等の効果がある。
と経済性を図つたものである。 【構成】直列に複数個直列接続された固体スイッチ素子
８のゲート回路としてリングコア形パルストランス５を
同数個使用し、高絶縁を施した１次導体で貫通連結し、
入力信号を同期された高周波クロックパルスに分解し、
その１次導体にパルス電流として流し、各パルストラン
ス５の２次電圧を整流及びリセット回路７で整流し各ス
イッチ素子のゲート信号としたもの。 【効果】（１）標準化ができる。（２）小型、経済的で
ある。（３）ユニットの増減のみで使用する電圧用のス
イッチができかつ特性の向上にもなる。（４）メンテナ
ンス上も得策である。等の効果がある。
Description
【産業上の利用分野】本発明は、高電圧パルス器等に用
いられる直流高圧スイッチの固体化に関するものであ
る。
いられる直流高圧スイッチの固体化に関するものであ
る。
【従来の技術】図７，図８に従来より使用されている直
流高圧固体スイッチ素子を含んだパルス発生回路図を示
す。図７に示す回路は固体スイッチ素子３を複数個直列
に接続し、ゲート電源１より各パルストランス２を介し
て各々の固体スイッチ素子に同時に駆動パルスを伝達
し、スイッチング動作させるものである。パルス発生動
作は、直流高圧電源５と負荷抵抗４および複数個の直列
接続された固体スイッチ素子３より構成され、そのスイ
ッチ素子のスイッチング動作により負荷抵抗４にパルス
電圧を印加する。図８に示す回路は図７に於いて説明し
た複数個の直列固体スイッチ素子３を動作させるゲート
回路７を設け、そのゲート回路用直流電源１およびパル
ス伝達用光フアイバー回路６を各々に設けたものでその
パルス発生動作は各光フアイバーにパルス信号を同時に
伝達しスイッチングさせるものである。
流高圧固体スイッチ素子を含んだパルス発生回路図を示
す。図７に示す回路は固体スイッチ素子３を複数個直列
に接続し、ゲート電源１より各パルストランス２を介し
て各々の固体スイッチ素子に同時に駆動パルスを伝達
し、スイッチング動作させるものである。パルス発生動
作は、直流高圧電源５と負荷抵抗４および複数個の直列
接続された固体スイッチ素子３より構成され、そのスイ
ッチ素子のスイッチング動作により負荷抵抗４にパルス
電圧を印加する。図８に示す回路は図７に於いて説明し
た複数個の直列固体スイッチ素子３を動作させるゲート
回路７を設け、そのゲート回路用直流電源１およびパル
ス伝達用光フアイバー回路６を各々に設けたものでその
パルス発生動作は各光フアイバーにパルス信号を同時に
伝達しスイッチングさせるものである。
【発明が解決しようとする課題】前記にて説明した従来
形の固体スイッチ回路は下記のような欠点がある。図７
に於いては （１）ゲート信号のパルス幅を可変にしたい場合，各ゲ
ート用パルストランスの特性上およびその製作上にも問
題がある。 （２）同一特性をもつパルストランスを製作することが
技術的に困難である。特にパルス電圧の立上りの速い波
形を発生したい場合に問題を生ずる。 （３）パルストランスの１次−２次間の静電容量、およ
び各々直列結線された固体スイッチ素子の配置上から生
ずる各対地静電容量の値によるパルス波形の立上り立下
り特性、および各固体スイッチ素子の負担電圧の相違に
よる各素子の耐圧破壊のおそれ。 図８に於いては （１）各々のゲート回路７の直流電源が必要であり、又
その対地電圧も高電圧側になる程高くなる。 （２）その直流電源に絶縁変圧器を用いた場合、図７に
於ける（３）項に記述した問題点が生ずる。
形の固体スイッチ回路は下記のような欠点がある。図７
に於いては （１）ゲート信号のパルス幅を可変にしたい場合，各ゲ
ート用パルストランスの特性上およびその製作上にも問
題がある。 （２）同一特性をもつパルストランスを製作することが
技術的に困難である。特にパルス電圧の立上りの速い波
形を発生したい場合に問題を生ずる。 （３）パルストランスの１次−２次間の静電容量、およ
び各々直列結線された固体スイッチ素子の配置上から生
ずる各対地静電容量の値によるパルス波形の立上り立下
り特性、および各固体スイッチ素子の負担電圧の相違に
よる各素子の耐圧破壊のおそれ。 図８に於いては （１）各々のゲート回路７の直流電源が必要であり、又
その対地電圧も高電圧側になる程高くなる。 （２）その直流電源に絶縁変圧器を用いた場合、図７に
於ける（３）項に記述した問題点が生ずる。
【課題を解決するための手段】本発明は上記の如く固体
スイッチ素子を多数直列接続してなる直流高圧スイッチ
装置に於いて、その各素子のゲート信号としてリングコ
ア形のパルストランスを使用し、その１次導体を高絶縁
を施したケーブル状のもので各パルストランスを貫通連
絡し、入力信号に同期した短いパルス幅信号に分解した
クロックパルス電流を流し、各パルストランスの２次側
にパルス電圧を誘起させ、整流回路およびリセット回路
を介し元の入力信号のパルス幅のゲート電圧を各素子に
伝達し、同時にスイッチング動作させ従来形方式の問題
点を解決しようとするものである。
スイッチ素子を多数直列接続してなる直流高圧スイッチ
装置に於いて、その各素子のゲート信号としてリングコ
ア形のパルストランスを使用し、その１次導体を高絶縁
を施したケーブル状のもので各パルストランスを貫通連
絡し、入力信号に同期した短いパルス幅信号に分解した
クロックパルス電流を流し、各パルストランスの２次側
にパルス電圧を誘起させ、整流回路およびリセット回路
を介し元の入力信号のパルス幅のゲート電圧を各素子に
伝達し、同時にスイッチング動作させ従来形方式の問題
点を解決しようとするものである。
【作用】一般に各々のリングコア形パルストランスを絶
縁ケーブルで貫通連絡することは一次巻線として数回巻
く従来形に比較して （１）絶縁耐力上製作が容易である。 （２）対地静電容量が小さく出力波形への影響もなく又
各スイッチ素子間の電圧分担にも影響がない。 一方入力信号に同期したクロックパルス信号を使用する
ことにより （３）クロック周波数を１ＭＨｚ以上にすればリングコ
アは小さくなり装置の小形となる。 （４）同期したクロックパルス信号なる故スイッチング
動作のジッターは全くない。 （５）１８０゜位相ずらした同期したクロック信号を追
加し、各ユニット回路にパルストランスを２個使用し、
各々２次電圧を整流回路を介し整合すれば理論的にはＤ
Ｃまで伝達することができる。即ち、入力信号のパルス
幅によりパルストランスの仕様を変える必要はない。 等の効果を有し小形の高電圧の固体スイッチ装置が容易
に実現できる。
縁ケーブルで貫通連絡することは一次巻線として数回巻
く従来形に比較して （１）絶縁耐力上製作が容易である。 （２）対地静電容量が小さく出力波形への影響もなく又
各スイッチ素子間の電圧分担にも影響がない。 一方入力信号に同期したクロックパルス信号を使用する
ことにより （３）クロック周波数を１ＭＨｚ以上にすればリングコ
アは小さくなり装置の小形となる。 （４）同期したクロックパルス信号なる故スイッチング
動作のジッターは全くない。 （５）１８０゜位相ずらした同期したクロック信号を追
加し、各ユニット回路にパルストランスを２個使用し、
各々２次電圧を整流回路を介し整合すれば理論的にはＤ
Ｃまで伝達することができる。即ち、入力信号のパルス
幅によりパルストランスの仕様を変える必要はない。 等の効果を有し小形の高電圧の固体スイッチ装置が容易
に実現できる。
【実施例】以下本発明による実施例を図１，図２，図
３，図４および各回路の出力波形例を示す図５，図６に
基づき説明する。なお、図３，図５は図１の回路図の説
明図、図４，図６は図２の回路図の説明図を示す。図１
において図５に示す入力信号をゲート制御クロックパル
ス発生回路１およびＮＡＮＤ回路２に伝達すると、回路
２の出力波形は図５の２に示すクロックパルスとなり、
次段のインバータ回路３の出力も図５の３に示す波形と
なり、スイッチ素子（ＭＯＳ ＦＥＴ）４のゲートに伝
達される。なお、ＦＥＴのドレインは各スイッチ素子駆
動用リングコア形パルストランス５の貫通１次導体で直
流電源６に接続されている。ゲートに伝達された図５の
３の信号波形により１次導体にもクロックパルス電流が
流れ、各パルストランスの２次電圧は図５の５に示す電
圧波形となる。整流回路，リセット回路を示す７によ
り、その出力波形は図５の７に示すリップル電圧を含ん
だ入力信号波形のパルス幅に相当したゲートパルス電圧
を発生する。なお、スイッチング素子（ＭＯＳ ＦＥ
Ｔ）８のゲート，ソース間には入力容量が存在する故平
滑用コンデンサの役目をなし、図５の７に示すゲートパ
ルス波形となる。なお、回路７は図３に示す整流素子１
およびトランジスタ３，抵抗２で構成された整流および
リセット回路を使用すればクロックパルス信号が停止す
ればその時点でトランジスタ３が導通し、スイッチ素子
８の入力容量に充電された電荷は放電され立下り時間を
短くできる。以上の如く直列に接続された各スイッチ素
子８のゲートに同時に入力信号を伝達することができ、
直流高圧電源１２、負荷抵抗１１、および上記各直列ス
イッチ素子８より構成された高電圧パルス発生回路の出
力に図５に示すパルス波形を発生させることができる。
図２は各スイッチ素子８のゲート駆動にリングコア形パ
ルストランスを２個使用した場合の回路構成図で、その
動作原理は図１に示す回路と大差なく、その基本動作は
１８０゜位相ずらした同期したクロック信号を並列動作
させ、又整流回路およびリセット回路を有する７ＡＢを
図４に示す回路構成とすれば図６の７ＡＢに示すリップ
ル電圧が図５の７に示すパルストランス１個の場合に比
べてリップル電圧が小さく、より入力信号波形に近いゲ
ートパルスを得ることができる。この場合はスイッチ素
子８の入力容量が小さくても、より忠実な入力信号に近
いゲートパルスとなる。なお、図２に示す各点の出力波
形は図６に示す波形となり、その動作原理は上述以外図
１の場合と同じである。また、図１，図２に示す分圧抵
抗９および分圧コンデンサ１０は各スイッチ素子８の分
担電圧の均一化を図る役目をする。
３，図４および各回路の出力波形例を示す図５，図６に
基づき説明する。なお、図３，図５は図１の回路図の説
明図、図４，図６は図２の回路図の説明図を示す。図１
において図５に示す入力信号をゲート制御クロックパル
ス発生回路１およびＮＡＮＤ回路２に伝達すると、回路
２の出力波形は図５の２に示すクロックパルスとなり、
次段のインバータ回路３の出力も図５の３に示す波形と
なり、スイッチ素子（ＭＯＳ ＦＥＴ）４のゲートに伝
達される。なお、ＦＥＴのドレインは各スイッチ素子駆
動用リングコア形パルストランス５の貫通１次導体で直
流電源６に接続されている。ゲートに伝達された図５の
３の信号波形により１次導体にもクロックパルス電流が
流れ、各パルストランスの２次電圧は図５の５に示す電
圧波形となる。整流回路，リセット回路を示す７によ
り、その出力波形は図５の７に示すリップル電圧を含ん
だ入力信号波形のパルス幅に相当したゲートパルス電圧
を発生する。なお、スイッチング素子（ＭＯＳ ＦＥ
Ｔ）８のゲート，ソース間には入力容量が存在する故平
滑用コンデンサの役目をなし、図５の７に示すゲートパ
ルス波形となる。なお、回路７は図３に示す整流素子１
およびトランジスタ３，抵抗２で構成された整流および
リセット回路を使用すればクロックパルス信号が停止す
ればその時点でトランジスタ３が導通し、スイッチ素子
８の入力容量に充電された電荷は放電され立下り時間を
短くできる。以上の如く直列に接続された各スイッチ素
子８のゲートに同時に入力信号を伝達することができ、
直流高圧電源１２、負荷抵抗１１、および上記各直列ス
イッチ素子８より構成された高電圧パルス発生回路の出
力に図５に示すパルス波形を発生させることができる。
図２は各スイッチ素子８のゲート駆動にリングコア形パ
ルストランスを２個使用した場合の回路構成図で、その
動作原理は図１に示す回路と大差なく、その基本動作は
１８０゜位相ずらした同期したクロック信号を並列動作
させ、又整流回路およびリセット回路を有する７ＡＢを
図４に示す回路構成とすれば図６の７ＡＢに示すリップ
ル電圧が図５の７に示すパルストランス１個の場合に比
べてリップル電圧が小さく、より入力信号波形に近いゲ
ートパルスを得ることができる。この場合はスイッチ素
子８の入力容量が小さくても、より忠実な入力信号に近
いゲートパルスとなる。なお、図２に示す各点の出力波
形は図６に示す波形となり、その動作原理は上述以外図
１の場合と同じである。また、図１，図２に示す分圧抵
抗９および分圧コンデンサ１０は各スイッチ素子８の分
担電圧の均一化を図る役目をする。
【発明の効果】以上の如く、図７、図８に示した従来形
に比べて、
に比べて、
【作用】項に記述した（１）（２）（３）（４）（５）
の内特に下記の効果が大きい。 （１）リングコア形パルストランスの１次導体に高絶縁
のケーブル等を使用すれば絶縁耐力上大変有利となり小
形化となる。 （２）入力信号に同期したクロックパルスを使用する
故、ジッタはなく電気的特性の向上となる。 （３）クロックパルスをより高周波（１０ＭＨｚ程度）
化すればパルストランスの小形となり、装置全体の小形
化にもなり特性も上がる。 等の効果を生じ、工業的ならびに実用的価値は高い。
の内特に下記の効果が大きい。 （１）リングコア形パルストランスの１次導体に高絶縁
のケーブル等を使用すれば絶縁耐力上大変有利となり小
形化となる。 （２）入力信号に同期したクロックパルスを使用する
故、ジッタはなく電気的特性の向上となる。 （３）クロックパルスをより高周波（１０ＭＨｚ程度）
化すればパルストランスの小形となり、装置全体の小形
化にもなり特性も上がる。 等の効果を生じ、工業的ならびに実用的価値は高い。
【図１】
【図２】は、本発明による直流高圧固体スイッチ装置の
回路図を示す。
回路図を示す。
【図３】
【図４】は、
【図１】
【図２】の回路図中の記入番号７および７ＡＢの回路例
を示す。
を示す。
【図５】
【図６】は、
【図１】
【図２】の回路図中の各点の出力波形を示す。
【図７】
【図８】は、従来用いられている直流高圧固体スイッチ
装置の回路図を示す。
装置の回路図を示す。
【図１】
【図２】に於いて １………………………ゲート制御クロックパルス発生回
路 ２、２Ａ、２Ｂ………ＮＡＮＤ回路 ３、３Ａ、３Ｂ………インバータ回路 ４、４Ａ、４Ｂ………スイッチ素子（ＭＯＳ ＦＥＴ） ５、５Ａ、５Ｂ………リングコア形パルストランス ６………………………直流電源 ７、７ＡＢ……………整流回路、リセット回路 ８………………………スイッチ素子（ＭＯＳ ＦＥＴ） ９………………………分圧抵抗 １０……………………分圧コンデンサ １１……………………負荷抵抗 １２……………………直流高圧電源
路 ２、２Ａ、２Ｂ………ＮＡＮＤ回路 ３、３Ａ、３Ｂ………インバータ回路 ４、４Ａ、４Ｂ………スイッチ素子（ＭＯＳ ＦＥＴ） ５、５Ａ、５Ｂ………リングコア形パルストランス ６………………………直流電源 ７、７ＡＢ……………整流回路、リセット回路 ８………………………スイッチ素子（ＭＯＳ ＦＥＴ） ９………………………分圧抵抗 １０……………………分圧コンデンサ １１……………………負荷抵抗 １２……………………直流高圧電源
【図３】
【図４】に於いて １………………………整流素子 ２………………………抵抗 ３………………………トランジスター
【図５】
【図６】に於いて 入力……………………入力信号波形 出力……………………出力波形
【図７】
【図８】に於いて １………………………ゲート電源 ２………………………パルストランス ３………………………スイッチ素子 ４………………………負荷抵抗 ５………………………直流高圧電源 ６………………………光フアイバー ７………………………ゲート回路
Claims (1)
- 【請求項１】１個または２個以上並列に接続した固体ス
イッチ素子ユニットを、２ユニット以上直列に接続され
た高電圧固体スイッチ装置に於いて、その各ユニットの
ゲート回路にリングコア形のパルストランスを使用し、
その１次導体を高絶縁を施したケーブル状のもので各パ
ルストランスを貫通連結し、各々の２次電圧を各ユニッ
トに供給し、各ユニットを同時にスイッチング動作させ
る方式で、その入力信号をゲートとしたゲート制御クロ
ックパルス発生回路により数１００ｋＨｚ以上のクロッ
ク信号とし、その信号と入力信号を同期させ、上記パル
ストランスの動作時間を短いパルス幅に分解し、高周波
のクロック信号となし、リングコア形のパルストランス
の１次導体にそのクロックパルス電流を流し、各パルス
トランスを同時に動作させ各々の２次電圧を整流回路お
よびリセット回路を介し、元の入力信号の動作時間に相
当するパルス信号を各固体スイッチ素子ユニットのゲー
ト端子に伝達し、同時スイッチング動作させる上記回路
を１回路または２回路用いてなる直流高圧固体スイッチ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4151090A JPH05304451A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 直流高圧固体スイッチ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4151090A JPH05304451A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 直流高圧固体スイッチ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304451A true JPH05304451A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=15511116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4151090A Pending JPH05304451A (ja) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | 直流高圧固体スイッチ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05304451A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09139660A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体スイッチ回路 |
| JP2010284027A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波交流電源装置 |
| JPWO2017122276A1 (ja) * | 2016-01-12 | 2018-05-31 | 株式会社島津製作所 | 飛行時間型質量分析装置 |
| US10593531B2 (en) | 2016-08-22 | 2020-03-17 | Shimadzu Corporation | Time-of-flight mass spectrometer |
| US11101127B2 (en) | 2017-11-02 | 2021-08-24 | Shimadzu Corporation | Time-of-flight mass spectrometer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6220417A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Hitachi Ltd | Ｍｏｓｆｅｔのドライブ回路 |
| JPS63294122A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 自己消弧形素子駆動回路 |
| JPH03265310A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 高電圧用半導体スイッチ |
-
1992
- 1992-04-24 JP JP4151090A patent/JPH05304451A/ja active Pending
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| US10593531B2 (en) | 2016-08-22 | 2020-03-17 | Shimadzu Corporation | Time-of-flight mass spectrometer |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |