JPH05304089A - Method and device of removing resist from surface of substrate - Google Patents
Method and device of removing resist from surface of substrateInfo
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- JPH05304089A JPH05304089A JP13575292A JP13575292A JPH05304089A JP H05304089 A JPH05304089 A JP H05304089A JP 13575292 A JP13575292 A JP 13575292A JP 13575292 A JP13575292 A JP 13575292A JP H05304089 A JPH05304089 A JP H05304089A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイスや電
子デバイスの製造工程において、例えばポリシリコン膜
をリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）処理し
た後、或いは高濃度のイオン注入（インプランテーショ
ン）処理した後などに、基板の表面に被着形成されてい
るレジスト膜を剥離させ基板表面から除去する方法、並
びにその方法を実施するのに使用される装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process of manufacturing a semiconductor device or an electronic device, for example, after performing a reactive ion etching (RIE) process on a polysilicon film or a high-concentration ion implantation process. The present invention relates to a method for removing a resist film formed on a surface of a substrate after the removal and removing the resist film from the surface of the substrate, and an apparatus used for carrying out the method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスや電子デバイスの製造工
程において、例えば、表面に所要の回路パターンのマス
ク（レジスト膜）が被着形成されたポリシリコン膜をＲ
ＩＥ処理したり高濃度のイオン注入を行なった後に、基
板の表面からレジスト膜を剥離させ除去する場合、従来
は、酸素プラズマを利用してレジストを灰化して除去す
る方法（プラズマアッシング法）が広く用いられてい
る。しかしながら、プラズマによりレジストを灰化する
方法によった場合でも、基板表面からレジストの残渣な
どを完全に除去することはできなかった。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device or an electronic device, for example, a polysilicon film on which a mask (resist film) having a desired circuit pattern is adhered and formed on an R
When removing and removing the resist film from the surface of the substrate after performing the IE treatment or performing high-concentration ion implantation, conventionally, a method of removing the resist by ashing using oxygen plasma (plasma ashing method) has been used. Widely used. However, even if the method of ashing the resist with plasma was used, it was not possible to completely remove the residue of the resist and the like from the substrate surface.
【０００３】図２の（ａ）は、シリコンウエハ１の表面
にシリコン熱酸化膜２を被着形成し、そのシリコン熱酸
化膜２の表面にポリシリコン膜３を被着形成し、さら
に、ポリシリコン膜３の表面に所要の回路パターンのレ
ジスト膜４を被着形成した状態を示している。この図２
（ａ）に示した状態の基板をドライエッチングした後、
プラズマアッシングによりレジスト膜４を剥離した状態
を図２の（ｂ）に示す。この図２（ｂ）に示すように、
プラズマアッシング後に、ポリシリコン膜３’のエッチ
ング除去部の側壁にシリコンの酸化物５が生成され残存
する。In FIG. 2A, a silicon thermal oxide film 2 is deposited on the surface of a silicon wafer 1, and a polysilicon film 3 is deposited on the surface of the silicon thermal oxide film 2. A state in which a resist film 4 having a required circuit pattern is adhered and formed on the surface of the silicon film 3 is shown. This Figure 2
After dry etching the substrate in the state shown in (a),
The state where the resist film 4 has been peeled off by plasma ashing is shown in FIG. As shown in FIG. 2 (b),
After the plasma ashing, the oxide 5 of silicon is generated and remains on the side wall of the etching removed portion of the polysilicon film 3 '.
【０００４】そこで、基板上からシリコンの酸化物５を
除去し、その他のレジスト残渣も基板上から完全に除去
するために、レジスト灰化後に、希フッ化水素酸（希フ
ッ酸）やバッファードフッ酸、硝酸、硫酸、硫酸と過酸
化水素との混合液、アンモニアと過酸化水素との混合液
などを使用して、基板表面に対しウェット処理が施され
ていた。これにより、図２の（ｃ）に示すように、表面
からシリコンの酸化物等が完全に除去された基板を得る
ようにしていた。Therefore, in order to remove the silicon oxide 5 from the substrate and completely remove other resist residues from the substrate, dilute hydrofluoric acid (dilute hydrofluoric acid) or a buffered solution is used after the resist ashing. The substrate surface has been subjected to a wet treatment using hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide, or the like. Thereby, as shown in FIG. 2C, a substrate in which silicon oxide and the like are completely removed from the surface is obtained.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように、プラズマアッシングによりレジスト膜を剥離し
た後に、基板表面をウェット処理する方法では、レジス
ト除去のための処理工程が２段階となって効率が悪く、
また、２つの処理室を必要とし、それらの処理室間にお
ける基板搬送のための搬送装置を必要とするなど、装置
構成が複雑化し、設置スペースも多く必要とする、とい
った問題点がある。However, in the conventional method in which the substrate surface is wet-treated after the resist film is removed by plasma ashing, the treatment process for removing the resist is performed in two stages, and the efficiency is improved. Bad,
Further, there are problems that the apparatus configuration is complicated and a large installation space is required, such as requiring two processing chambers and a transfer device for transferring substrates between the processing chambers.
【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、ポリシリコン膜のＲＩＥ処理後やイ
オン注入処理後などにおいて基板上からレジスト膜を剥
離させる場合に、１つの処理工程でレジスト及びシリコ
ンの酸化物を同時に基板上から完全に除去することがで
きる方法、並びに、その方法を実施するのに使用される
装置を提供することを技術的課題とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and is one processing step when the resist film is peeled off from the substrate after the RIE process of the polysilicon film or the ion implantation process. It is a technical object to provide a method capable of completely removing a resist and a silicon oxide from a substrate at the same time, and an apparatus used for carrying out the method.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明では、レジスト
膜が被着形成された基板の表面に無水硫酸の蒸気とフッ
化水素を含む蒸気とを供給するようにした。According to the present invention, the vapor of sulfuric anhydride and the vapor containing hydrogen fluoride are supplied to the surface of the substrate on which the resist film is formed.
【０００８】この発明に係る方法では、無水硫酸の蒸気
とフッ化水素を含む蒸気中の水分とにより、ＲＩＥ等の
処理後のレジストが分解されてレジスト残渣を生じるこ
となく基板表面から除去されるとともに、フッ化水素を
含む蒸気中のＨＦ2 -により、レジスト膜剥離時に生成し
たシリコンの酸化物が分解除去される。従って、１つの
処理工程により、図２の（ａ）に示した状態の基板か
ら、図２の（ｃ）に示した状態の基板が得られることに
なる。尚、ポリシリコン膜等の表面に自然酸化膜が形成
されている場合には、フッ化水素を含む蒸気中のＨＦ2 -
によってその自然酸化膜も同時に除去される。また、無
水硫酸の酸化作用とＨＦ2 -の酸化物除去作用とにより、
金属汚染及びダメージが除去される。In the method according to the present invention, the resist after treatment such as RIE is decomposed by the steam of anhydrous sulfuric acid and the water in the steam containing hydrogen fluoride, and the resist is removed from the surface of the substrate without generating a resist residue. At the same time, HF 2 − in the vapor containing hydrogen fluoride decomposes and removes the oxide of silicon generated during the peeling of the resist film. Therefore, the substrate in the state shown in FIG. 2C can be obtained from the substrate in the state shown in FIG. 2A by one processing step. In the case where a natural oxide film on the surface of such a polysilicon film is formed, in the vapor containing hydrogen fluoride HF 2 -
As a result, the natural oxide film is also removed at the same time. Further, due to the oxidizing action of sulfuric anhydride and the oxide removing action of HF 2 − ,
Metal contamination and damage are removed.
【０００９】上記した方法において、基板表面に無水硫
酸の蒸気とフッ化水素を含む蒸気とを供給する前に、基
板表面に紫外線を照射するようにするとよい。このよう
にした場合は、紫外線照射により基板表面上のレジスト
の種々の化学結合が切断され、レジストの分解反応が促
進されるとともに、レジストが改質させられてその膜表
面が疎水性から親水性を呈するように変化し、無水硫酸
の蒸気やフッ化水素を含む蒸気がレジスト膜の表面に吸
着され易くなって、レジストの分解反応等が迅速に進
み、また、蒸気が基板表面の全体にわたって吸着され、
レジストの分解反応が基板の全面にわたって均一に進行
することになる。In the above method, it is preferable to irradiate the surface of the substrate with ultraviolet rays before supplying the vapor of sulfuric anhydride and the vapor containing hydrogen fluoride to the surface of the substrate. In such a case, various chemical bonds of the resist on the surface of the substrate are broken by the irradiation of ultraviolet rays, the decomposition reaction of the resist is promoted, and the resist is modified so that the film surface is changed from hydrophobic to hydrophilic. The vapor of sulfuric anhydride or vapor containing hydrogen fluoride is easily adsorbed on the surface of the resist film, the decomposition reaction of the resist progresses rapidly, and vapor is adsorbed over the entire substrate surface. Was
The decomposition reaction of the resist will proceed uniformly over the entire surface of the substrate.
【００１０】また、上記した方法において、レジスト膜
の剥離が終わった後に、基板表面に純水を供給して基板
表面を洗浄（リンス処理）し、基板表面を完全に清浄化
するようにするとよい。In the above method, after the resist film has been stripped off, pure water is supplied to the substrate surface to wash (rinse) the substrate surface so that the substrate surface is completely cleaned. ..
【００１１】上記方法を実施するための装置は、内部に
基板を収容保持する表面処理室に、無水硫酸の蒸気を基
板表面に供給する無水硫酸蒸気供給手段、及び、フッ化
水素を含む蒸気を基板表面に供給するフッ化水素蒸気供
給手段を付設することにより構成される。また、表面処
理室の内部に収容保持された基板の表面に紫外線を照射
する紫外線照射手段を配設したり、表面処理室に、基板
表面に純水を供給する純水供給手段を付設したりしても
よい。The apparatus for carrying out the above method comprises a sulfuric acid vapor supply means for supplying vapor of sulfuric anhydride to the surface of the substrate and a vapor containing hydrogen fluoride into a surface treatment chamber which accommodates and holds the substrate therein. It is configured by additionally providing hydrogen fluoride vapor supply means for supplying to the surface of the substrate. Further, an ultraviolet irradiation means for irradiating the surface of the substrate housed and held inside the surface treatment chamber with ultraviolet rays is arranged, or a pure water supply means for supplying pure water to the surface of the substrate is additionally provided in the surface treatment chamber. You may.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１３】図１は、この発明に係る方法を実施するの
に使用される装置の構成の１例を示す模式図である。こ
の装置は、気密に密閉可能であり、カセット12に収納さ
れた基板10を内部に収容保持する表面処理室14、液体無
水硫酸（液体三酸化硫黄：ＳＯ3）16を収容する密閉容
器18、フッ酸（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）20を収容する密閉容器22
などを備えている。FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the configuration of an apparatus used for carrying out the method according to the present invention. This apparatus can be hermetically sealed, and has a surface treatment chamber 14 for accommodating and holding the substrate 10 accommodated in a cassette 12, a hermetically sealed container 18 for accommodating liquid anhydrous sulfuric acid (liquid sulfur trioxide: SO 3 ) 16, Airtight container 22 containing hydrofluoric acid (HF / H 2 O) 20
And so on.
【００１４】表面処理室14と無水硫酸16を収容した密閉
容器18及びフッ酸20を収容した密閉容器22とは、それぞ
れ蒸気供給管24、26を介して連通接続している。また、
無水硫酸16を収容した密閉容器18及びフッ酸20を収容し
た密閉容器22は、それぞれ窒素ガス導入管28、30を介し
て窒素ガス供給源に連通接続している。そして、窒素ガ
ス供給源から各窒素ガス導入管28、30を介して各密閉容
器18、22内へ窒素ガスをそれぞれ供給することにより、
密閉容器18、22の内部で無水硫酸の蒸気及びフッ酸蒸気
をそれぞれ発生させ、無水硫酸の蒸気及びフッ酸蒸気
を、窒素ガスをキャリアガスとして、各蒸気供給管24、
26を通し表面処理室14内へそれぞれ供給するようになっ
ている。また、表面処理室14と窒素ガス供給源とは、窒
素ガス供給管32を介して連通接続しており、窒素ガス供
給源から窒素ガス供給管32を通して表面処理室14内へ窒
素ガスが供給されるようになっている。The surface treatment chamber 14 and the closed container 18 containing the anhydrous sulfuric acid 16 and the closed container 22 containing the hydrofluoric acid 20 are connected to each other through vapor supply pipes 24 and 26, respectively. Also,
The closed container 18 containing the anhydrous sulfuric acid 16 and the closed container 22 containing the hydrofluoric acid 20 are connected to a nitrogen gas supply source through nitrogen gas introduction pipes 28 and 30, respectively. Then, by supplying the nitrogen gas from the nitrogen gas supply source through the nitrogen gas introduction pipes 28, 30 into the closed containers 18, 22, respectively,
The sulfuric acid vapor and hydrofluoric acid vapor are generated inside the closed containers 18 and 22, respectively, and the vapor of sulfuric acid anhydride and the hydrofluoric acid vapor are used as nitrogen gas as a carrier gas.
Through 26, they are supplied into the surface treatment chamber 14 respectively. The surface treatment chamber 14 and the nitrogen gas supply source are connected to each other through a nitrogen gas supply pipe 32, and the nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply source into the surface treatment chamber 14 through the nitrogen gas supply pipe 32. It has become so.
【００１５】表面処理室14の内部には、基板10の上方に
低圧水銀灯等の紫外線照射ランプ34が配設されており、
その紫外線照射ランプ34から基板10の表面に紫外線が照
射されるようになっている。また、表面処理室14の下部
には、排気管36及びドレン38が設けられている。さら
に、図示を省略しているが、表面処理室14内には、基板
10の表面に噴出口から純水を供給する純水供給管が配設
されている。Inside the surface treatment chamber 14, an ultraviolet irradiation lamp 34 such as a low pressure mercury lamp is arranged above the substrate 10.
The surface of the substrate 10 is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet ray irradiation lamp 34. An exhaust pipe 36 and a drain 38 are provided below the surface treatment chamber 14. Further, although not shown in the drawing, in the surface treatment chamber 14, the substrate
A pure water supply pipe for supplying pure water from the ejection port is provided on the surface of 10.
【００１６】上記した構成の装置を使用し、例えばＲＩ
Ｅ処理後の基板のレジスト膜剥離処理を行なうには、カ
セット12に収納した基板10を表面処理室14内へ搬入して
表面処理室14を密封した後、紫外線照射ランプ34から基
板10の表面に紫外線を照射する。この紫外線照射によ
り、基板表面に被着したＲＩＥレジストが分解され易く
なるとともに、レジスト膜の表面が改質して親水性を呈
するようになる。この状態で、紫外線照射ランプ34から
基板10の表面に紫外線を照射しながら、表面処理室14内
へ無水硫酸の蒸気とフッ酸蒸気とを供給する。無水硫酸
の蒸気とフッ酸蒸気とが基板10の表面に供給されると、
親水性を呈するようになったレジスト膜の表面にそれら
の蒸気が吸着され、無水硫酸とフッ酸中の水とにより、
分解され易くなっているレジストの分解が速やかにかつ
基板全面にわたって均一に進行する。また、同時に、フ
ッ酸中のＨＦ2 -により、レジスト膜の剥離に際して生成
したシリコンの酸化物が分解除去される。また、基板上
のポリシリコン膜等の表面にシリコン自然酸化膜が形成
されている場合には、ＨＦ2 -によりその自然酸化膜も同
時に除去されてポリシリコン膜表面が露出し、さらに、
無水硫酸の酸化作用とＨＦ2 -の酸化物除去作用とによ
り、金属汚染やダメージが除去される。Using the apparatus having the above-mentioned structure, for example, RI
In order to remove the resist film from the substrate after the E treatment, the substrate 10 stored in the cassette 12 is carried into the surface treatment chamber 14 and the surface treatment chamber 14 is sealed, and then the surface of the substrate 10 is removed from the ultraviolet irradiation lamp 34. Irradiate with ultraviolet rays. By this ultraviolet irradiation, the RIE resist deposited on the surface of the substrate is easily decomposed, and the surface of the resist film is modified to be hydrophilic. In this state, while irradiating the surface of the substrate 10 with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation lamp 34, the sulfuric acid vapor and the hydrofluoric acid vapor are supplied into the surface treatment chamber 14. When sulfuric acid anhydride vapor and hydrofluoric acid vapor are supplied to the surface of the substrate 10,
Those vapors are adsorbed on the surface of the resist film which has become hydrophilic, and by sulfuric acid anhydride and water in hydrofluoric acid,
Decomposition of the resist, which is easily decomposed, progresses rapidly and uniformly over the entire surface of the substrate. At the same time, HF 2 − in hydrofluoric acid decomposes and removes the oxide of silicon generated during the peeling of the resist film. Further, when a silicon natural oxide film is formed on the surface of the polysilicon film or the like on the substrate, the natural oxide film is also removed by HF 2 − at the same time to expose the surface of the polysilicon film.
Metallic contamination and damage are removed by the oxidizing action of sulfuric anhydride and the oxide removing action of HF 2 − .
【００１７】基板表面からのレジスト膜の剥離が終了
し、シリコンの酸化物の分解除去が終わると、表面処理
室14内への無水硫酸蒸気及びフッ酸蒸気の供給を停止さ
せた後に、純水供給管を通して純水を供給しその噴出口
から基板表面へ純水を吹き付け、基板表面に対し洗浄処
理（リンス処理）を施して基板表面を清浄にする。そし
て、最後に、基板表面を乾燥させることにより、レジス
トが完全に除去され、シリコンの酸化物の付着も見られ
ない基板表面が得られる。When the peeling of the resist film from the surface of the substrate is completed and the decomposition and removal of the silicon oxide is completed, the supply of anhydrous sulfuric acid vapor and hydrofluoric acid vapor into the surface treatment chamber 14 is stopped, and then pure water is added. Pure water is supplied through the supply pipe, and pure water is sprayed from the ejection port onto the substrate surface, and the substrate surface is cleaned (rinsing treatment) to clean the substrate surface. Then, finally, by drying the surface of the substrate, the resist is completely removed, and the surface of the substrate is obtained without adhesion of silicon oxide.
【００１８】尚、上記実施例では、無水硫酸の蒸気とフ
ッ酸蒸気とを個別に表面処理室内へ同時に供給するよう
にしているが、無水硫酸の蒸気とフッ酸蒸気とを合流さ
せた後にその混合蒸気を表面処理室内へ供給するように
してもよく、また、無水硫酸の蒸気又はフッ酸蒸気の何
れか一方を先に表面処理室内へ供給した後、他方の蒸気
を表面処理室内へ供給するようにしてもよい。さらに、
フッ酸蒸気の代わりに、密閉容器に収容されたフッ化水
素の液体から発生させた無水フッ化水素ガスを、別の供
給源から供給される水蒸気と混合して表面処理室内へ供
給するようにしてもよい。また、装置の型式は、枚葉処
理又はバッチ処理の何れであっても構わないし、さら
に、上記実施例では、カセットに基板を収納して表面処
理室内に収容保持するようにしているが、表面処理室内
に配設された回転保持テーブル等の保持手段に基板を載
置し保持するようにしてもよい。In the above embodiment, the sulfuric acid anhydride vapor and the hydrofluoric acid vapor are separately supplied into the surface treatment chamber at the same time. However, after the sulfuric acid anhydride vapor and the hydrofluoric acid vapor are merged, The mixed vapor may be supplied into the surface treatment chamber, or either the sulfuric anhydride vapor or the hydrofluoric acid vapor may be supplied into the surface treatment chamber first, and then the other vapor may be supplied into the surface treatment chamber. You may do it. further,
Instead of the hydrofluoric acid vapor, the anhydrous hydrogen fluoride gas generated from the liquid hydrogen fluoride contained in the closed container is mixed with the water vapor supplied from another source to be supplied into the surface treatment chamber. May be. Further, the type of the apparatus may be either a single-wafer processing or a batch processing. Further, in the above-mentioned embodiment, the substrate is housed in the cassette and housed and held in the surface processing chamber. The substrate may be placed and held on a holding means such as a rotation holding table arranged in the processing chamber.
【００１９】[0019]
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、この発明に係る方法によれば、また
この発明に係る装置を使用すれば、ポリシリコン膜のＲ
ＩＥ処理後やイオン注入処理後などの基板の表面からレ
ジスト膜を剥離する場合に、１つの処理工程でレジスト
を基板表面から完全に除去するとともにシリコンの酸化
物も分解除去することができ、従って、従来の方法に比
べて作業効率を向上させることができるとともに、装置
構成を簡略化させ、省スペース化を図ることができる。Since the present invention is constructed and operates as described above, according to the method of the present invention and the use of the apparatus of the present invention, the R of the polysilicon film is reduced.
When the resist film is peeled off from the surface of the substrate after the IE treatment or the ion implantation treatment, the resist can be completely removed from the substrate surface and the silicon oxide can be decomposed and removed in one treatment step. The work efficiency can be improved as compared with the conventional method, the device configuration can be simplified, and the space can be saved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】この発明に係る、基板表面からのレジストの除
去方法を実施するのに使用される装置の構成の１例を示
す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of the configuration of an apparatus used to carry out a method for removing a resist from a substrate surface according to the present invention.
【図２】従来の、基板表面からのレジストの除去方法に
おける問題点について説明するための、基板の一部拡大
縦断面図である。FIG. 2 is a partially enlarged vertical cross-sectional view of a substrate for explaining problems in a conventional method of removing a resist from a substrate surface.
10 基板 14 表面処理室 16 液体無水硫酸（液体三酸化硫黄） 18、22 密閉容器 20 フッ酸 24、26 蒸気供給管 28、30 窒素ガス導入管 34 紫外線照射ランプ 10 Substrate 14 Surface treatment chamber 16 Liquid sulfuric anhydride (liquid sulfur trioxide) 18, 22 Closed container 20 Hydrofluoric acid 24, 26 Steam supply pipe 28, 30 Nitrogen gas introduction pipe 34 UV irradiation lamp
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｐ 8518−4Ｍ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/302 P 8518-4M
Claims (6)
に無水硫酸の蒸気とフッ化水素を含む蒸気とを供給し、
基板表面からレジスト膜を剥離させて除去することを特
徴とする、基板表面からのレジストの除去方法。1. A vapor of anhydrous sulfuric acid and a vapor containing hydrogen fluoride are supplied to a surface of a substrate on which a resist film is formed,
A method of removing a resist from the surface of a substrate, which comprises removing the resist film from the surface of the substrate to remove it.
素を含む蒸気とを供給する前に、基板表面に紫外線を照
射するようにする請求項１記載の、基板表面からのレジ
ストの除去方法。2. The resist removal from the substrate surface according to claim 1, wherein the substrate surface is irradiated with ultraviolet rays before supplying the vapor of sulfuric anhydride and the vapor containing hydrogen fluoride to the surface of the substrate. Method.
素を含む蒸気とを供給した後に、基板表面に純水を供給
して基板表面を洗浄するようにする請求項１又は請求項
２記載の、基板表面からのレジストの除去方法。3. The method according to claim 1, wherein after the vapor of sulfuric anhydride and the vapor containing hydrogen fluoride are supplied to the surface of the substrate, pure water is supplied to the surface of the substrate to clean the surface of the substrate. The method for removing a resist from a substrate surface as described above.
に収容保持する表面処理室に、無水硫酸の蒸気を前記基
板の表面に供給する無水硫酸蒸気供給手段、及び、フッ
化水素を含む蒸気を前記基板の表面に供給するフッ化水
素蒸気供給手段を付設したことを特徴とする、基板表面
からのレジストの除去装置。4. A surface treatment chamber for accommodating and holding a substrate on which a resist film has been deposited is contained, and a sulfuric anhydride vapor supply means for supplying vapor of sulfuric anhydride to the surface of the substrate, and hydrogen fluoride. An apparatus for removing a resist from the surface of a substrate, further comprising a hydrogen fluoride vapor supply means for supplying vapor to the surface of the substrate.
の表面に紫外線を照射する紫外線照射手段を配設した請
求項４記載の、基板表面からのレジストの除去装置。5. The apparatus for removing a resist from the surface of a substrate according to claim 4, further comprising ultraviolet irradiation means for irradiating the surface of the substrate housed and held inside the surface treatment chamber with ultraviolet light.
た基板の表面に純水を供給する純水供給手段を付設した
請求項４又は請求項５記載の、基板表面からのレジスト
の除去装置。6. The resist removal from the substrate surface according to claim 4 or 5, wherein the surface treatment chamber is provided with pure water supply means for supplying pure water to the surface of the substrate housed and held therein. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13575292A JPH05304089A (en) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | Method and device of removing resist from surface of substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13575292A JPH05304089A (en) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | Method and device of removing resist from surface of substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304089A true JPH05304089A (en) | 1993-11-16 |
Family
ID=15159043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13575292A Pending JPH05304089A (en) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | Method and device of removing resist from surface of substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05304089A (en) |
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