JPH05303740A - Substrate for magnetic disk and its production and magnetic disk formed by using the substrate - Google Patents
Substrate for magnetic disk and its production and magnetic disk formed by using the substrateInfo
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- JPH05303740A JPH05303740A JP13152792A JP13152792A JPH05303740A JP H05303740 A JPH05303740 A JP H05303740A JP 13152792 A JP13152792 A JP 13152792A JP 13152792 A JP13152792 A JP 13152792A JP H05303740 A JPH05303740 A JP H05303740A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、磁気デイスク用基板お
よびその製造方法ならびに前記基板を用いた磁気デイス
クに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic disk substrate, a method of manufacturing the same, and a magnetic disk using the substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】磁気デイスクの表面状態は、磁性膜形成
前の基板に施されるテキスチャー加工によって決定され
る。テキスチャー加工は、基板の表面に設けた下地膜に
鏡面(ポリッシュ)加工を施した後、下地膜の表面に極
めて微小な凹凸を付与するために行われる機械加工であ
る。近年、磁気デイスク装置の高密度化が進むにつれ、
磁気デイスク装置に搭載されている磁気ヘッドの飛行高
さが小さくなってきている。斯かる状況に対応するため
には、磁気デイスク用基板の表面は極めて平滑でなけれ
ばならず、上記のテキスチャー加工においては、多段階
からなる仕上げ加工が行われている。上記のテキスチャ
ー加工による条痕パターンは、通常、円周状パターンで
あり、また、加工後の基板の表面粗さRaは50〜14
0Åが一般的である。2. Description of the Related Art The surface condition of a magnetic disk is determined by a texture process applied to a substrate before forming a magnetic film. The texture processing is a mechanical processing that is performed to give extremely fine irregularities to the surface of the base film after performing a mirror surface (polishing) process on the base film provided on the surface of the substrate. In recent years, as the density of magnetic disk devices has increased,
The flying height of the magnetic head mounted on the magnetic disk device is becoming smaller. In order to deal with such a situation, the surface of the magnetic disk substrate must be extremely smooth, and in the above-mentioned texture processing, multi-step finish processing is performed. The streak pattern formed by the above-described texture processing is usually a circumferential pattern, and the surface roughness Ra of the processed substrate is 50-14.
0Å is common.
【0003】また、上記の多段階テキスチャーを回避す
るため、テキスチャー加工以外の手段により上記の凹凸
を付与する方法も知られている。例えば、ケミカルエッ
チングを利用した方法(特開昭62−239425号公
報、特開平1−307921号公報)、スパッタエッチ
ングを利用した方法(特開昭62−234237号公
報、特開平1−201825号公報)等が提案されてい
る。Further, in order to avoid the above-mentioned multi-step texture, a method of imparting the above-mentioned unevenness by means other than the texture processing is also known. For example, a method using chemical etching (JP-A-62-239425, JP-A-1-307921), a method using sputter etching (JP-A-62-234237, JP-A-1-201825). ) Etc. have been proposed.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、テキス
チャー加工による方法は、機械加工であるために如何に
仕上げ加工を行ってもバリやカエリ等の加工不良が残存
し、また、仕上げ過ぎて加工基板の表面粗さ自体が小さ
くなり過ぎる欠点がある。そして、加工不良が残存する
場合は、磁気デイスク装置駆動時のヘッドの安定飛行の
妨げとなったり、或いは、磁気デイスク装置起動時や停
止時におけるコンタクトスタートストップ(CSS)に
おいてヘッドクラッシュ(H.C.)が発生し易くな
る。また、加工基板の表面粗さ自体が小さくなり過ぎた
場合は、吸着特性が不良となるため、磁気デイスク装置
停止時においてヘッドとデイスクが吸着して動かなくな
るトラブルが発生し易くなる。特に、テキスチャー加工
による条痕パターンが円周状パターンの場合、ヘッドと
デイスク間の吸着が発生し易い。上述のように、バリや
カエリを残さず且つ仕上げ過ぎとならないようにテキス
チャー加工を行うのは容易ではなく、現在のテキスチャ
ー加工の工程管理において、仕上げ程度のバランスを図
ることは、非常な困難を伴い殆ど不可能に近い。However, since the method by the texture processing is mechanical processing, processing defects such as burrs and burrs remain even if the finishing processing is performed, and the finished substrate is too finished. There is a drawback that the surface roughness itself becomes too small. When the processing defect remains, it hinders stable flight of the head when the magnetic disk device is driven, or a head crash (HC) occurs at a contact start stop (CSS) when the magnetic disk device is started or stopped. .) Easily occurs. Also, if the surface roughness of the processed substrate itself becomes too small, the adsorption characteristics will be poor, and the problem that the head and disk will stick to each other and become immobile when the magnetic disk device is stopped is likely to occur. In particular, when the streak pattern formed by the texturing is a circumferential pattern, adsorption between the head and the disk is likely to occur. As described above, it is not easy to perform texture processing without leaving burrs and burrs and not overfinishing, and it is very difficult to balance the finishing degree in the current process control of texture processing. With that, it is almost impossible.
【0005】一方、ケミカルエッチングやスパッタエッ
チングによる方法では適切な凹凸の形成が困難である。
例えば、ニッケル下地アルミニウム基板の場合、ケミカ
ルエッチングにより形成される凹凸はニッケルのピッチ
ングであり、その孔はニッケル層を貫通して基板のアル
ミニウムまで達する。この場合、磁性層の磁気特性は激
しく劣化し磁気デイスクとしては使いものにはならな
い。スパッタエッチングで凹凸を形成する場合には、上
記のピッチングは発生しないもののエッチングに長時間
を要し、また、スパッタチャンバー内の電位分布のコン
トロールが難しいためにエッチングのかかり具合いにム
ラが生じる等の生産性上の問題点がある。また、上記の
エッチング処理だけによる凹凸の場合は、前記テキスチ
ャー加工による磁気特性の形状異方性が発現せず、従っ
て、テキスチャー加工された基板を使用した磁気デイス
クに比し、磁気特性、電磁変換特性が劣り、磁気デイス
クとしての性能は劣る。On the other hand, it is difficult to form appropriate irregularities by the method using chemical etching or sputter etching.
For example, in the case of a nickel-base aluminum substrate, the unevenness formed by chemical etching is nickel pitting, and the holes reach the aluminum of the substrate through the nickel layer. In this case, the magnetic characteristics of the magnetic layer are severely deteriorated and it cannot be used as a magnetic disk. When unevenness is formed by sputter etching, the above-mentioned pitching does not occur, but it takes a long time for etching, and it is difficult to control the potential distribution in the sputter chamber. There are productivity issues. Further, in the case of unevenness only by the above-mentioned etching treatment, the shape anisotropy of the magnetic characteristics due to the texture processing does not appear, so that the magnetic characteristics and the electromagnetic conversion are higher than those of the magnetic disk using the texture-processed substrate. Poor characteristics and poor performance as a magnetic disk.
【0006】本発明は、上記実情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、磁気ヘッドの飛行安定性、CSS特
性、吸着特性の優れた磁気デイスク用基板およびその製
造方法ならびに前記基板を用いた磁気デイスクを提供す
ることにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to use a magnetic disk substrate excellent in flight stability of a magnetic head, CSS characteristics, and adsorption characteristics, a method for manufacturing the same, and the above-mentioned substrate. To provide a magnetic disk.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、磁
気デイスク用基板およびその製造方法ならびに前記基板
を用いた磁気デイスクに関し、各発明の要旨は、次の通
りである。第1の要旨は、下地膜を施した非磁性材料か
ら成る基板であって、下地膜の表面に中心線平均粗さR
aが30〜100Åで且つ最大突起高さRpが300Å
未満の凹凸とCSSゾーンにおけるクロス角度が5〜3
0°の条痕パターンを形成して成ることを特徴とする磁
気デイスク用基板に存する。第2の要旨は、非磁性材料
から成る基板に下地膜を施した後、テキスチャー加工に
より、中心線平均粗さRaが30〜100Åで且つ最大
突起高さRpが150〜600Åの凹凸とCSSゾーン
におけるクロス角度が5〜30°の条痕パターンを下地
膜表面に形成し、次いで、下地膜表面にケミカルエッチ
ング処理を施し、中心線平均粗さRaを実質的に変化さ
せることなく最大突起高さRpを300Å未満にするこ
とを特徴とする磁気デイスク用基板の製造方法に存す
る。第3の要旨は、基板上に、順次、下地膜、磁性膜お
よび保護膜を形成して成る磁気デイスクであって、下地
膜の表面に中心線平均粗さRaが30〜100Åで且つ
最大突起高さRpが300Å未満の凹凸とCSSゾーン
におけるクロス角度が5〜30°の条痕パターンを形成
して成ることを特徴とする磁気デイスクに存する。That is, the present invention relates to a magnetic disk substrate, a method for manufacturing the same, and a magnetic disk using the substrate, and the gist of each invention is as follows. The first gist is a substrate made of a non-magnetic material on which an underlayer film is formed, and the centerline average roughness R on the surface of the underlayer film.
a is 30 to 100Å and the maximum protrusion height Rp is 300Å
And the cross angle in the CSS zone is 5 to 3
A magnetic disk substrate is characterized by being formed with a 0 ° streak pattern. The second point is that after applying a base film on a substrate made of a non-magnetic material, a texture process is applied to form unevenness and a CSS zone having a center line average roughness Ra of 30 to 100Å and a maximum protrusion height Rp of 150 to 600Å. A streak pattern having a cross angle of 5 to 30 ° is formed on the surface of the undercoating film, and then the surface of the undercoating film is subjected to a chemical etching treatment so that the maximum protrusion height is substantially unchanged without changing the center line average roughness Ra. A method for manufacturing a magnetic disk substrate is characterized in that Rp is less than 300Å. A third gist is a magnetic disk in which a base film, a magnetic film, and a protective film are sequentially formed on a substrate, the center line average roughness Ra of which is 30 to 100Å and the maximum protrusion is formed on the surface of the base film. The magnetic disk is characterized by being formed by forming unevenness having a height Rp of less than 300Å and a striation pattern having a cross angle of 5 to 30 ° in the CSS zone.
【0008】以下、本発明を詳細に説明する。先ず、本
発明の磁気デイスク用基板およびその製造方法について
説明する。本発明の磁気デイスク用基板は、下地膜を施
した非磁性材料から成る基板であって、下地膜の表面に
中心線平均粗さRaが30〜100Åで且つ最大突起高
さRpが300Å未満の凹凸とCSSゾーンにおけるク
ロス角度が5〜30°の条痕パターンを形成して成る。The present invention will be described in detail below. First, a magnetic disk substrate of the present invention and a method for manufacturing the same will be described. The magnetic disk substrate of the present invention is a substrate made of a non-magnetic material provided with an undercoating film, and the centerline average roughness Ra of the undercoating film is 30 to 100 Å and the maximum protrusion height Rp is less than 300 Å. It is formed by forming a streak pattern having an unevenness and a cross angle of 5 to 30 ° in the CSS zone.
【0009】上記の磁気デイスク用基板は、本発明の製
造方法に従い、非磁性材料から成る基板に下地膜を施し
た後、テキスチャー加工により、中心線平均粗さRaが
30〜100Åで且つ最大突起高さRpが150〜60
0Åの凹凸とCSSゾーンにおけるクロス角度が5〜3
0°の条痕パターンを下地膜表面に形成し、次いで、下
地膜表面にケミカルエッチング処理を施し、中心線平均
粗さRaを実質的に変化させることなく最大突起高さR
pを300Å未満にすることにより得ることが出来る。According to the manufacturing method of the present invention, the above-mentioned magnetic disk substrate is formed by applying a base film on a substrate made of a non-magnetic material and then performing texture processing to obtain a center line average roughness Ra of 30 to 100 Å and a maximum protrusion. Height Rp is 150-60
The unevenness of 0Å and the cross angle in the CSS zone are 5 to 3
A 0 ° streak pattern is formed on the surface of the undercoating film, and then the surface of the undercoating film is subjected to a chemical etching treatment so that the maximum protrusion height R is substantially unchanged without changing the center line average roughness Ra.
It can be obtained by setting p to less than 300Å.
【0010】本発明において、非磁性材料から成る基板
の材質としては、アルミニウム又はAl−Mgに代表さ
れるようなアルミニウム合金が使用される。また、下地
膜の材質としては、基板より硬質の金属または合金が使
用され、Ni−Pの無電解メッキ膜より成る下地膜が代
表的である。通常、基板の厚さは約1〜3mm、下地膜
の厚さは約20〜30μmである。Al−Mg合金基板
の表面にNi−Pの無電解メッキ膜の下地膜を設け更に
下地膜に鏡面加工を施した下地膜形成基板は、サブスト
レイトと呼ばれて市販されている。本発明においては、
上記のサブストレイトをそのまま利用することが出来
る。In the present invention, aluminum or an aluminum alloy represented by Al--Mg is used as the material of the nonmagnetic material substrate. Further, as the material of the base film, a metal or an alloy harder than the substrate is used, and a base film made of a Ni-P electroless plating film is typical. Usually, the thickness of the substrate is about 1 to 3 mm, and the thickness of the base film is about 20 to 30 μm. An underlayer film-formed substrate in which an underlayer film of a Ni-P electroless plating film is provided on the surface of an Al-Mg alloy substrate and the underlayer film is mirror-finished is commercially available as Subrate. In the present invention,
The above Substrate can be used as it is.
【0011】先ず、本発明の製造方法においては、テキ
スチャー加工により、下地膜表面に特定の凹凸と条痕パ
ターンを形成する。テキスチャー加工は、研磨パッドや
遊離砥粒を使用する方法、研磨テープを使用する方法な
どの公知の方法によって行うことが出来る。図1は、テ
キスチャー加工に使用される研磨装置の一例の平面説明
図であり、図2は、図1に示した研磨装置の部分断面説
明図である。図3は、テキスチャーの条痕パターンの要
部の拡大平面説明図である。図中、(1)は下地膜形成
基板、(2)はCSSゾーン、(3)は押圧部材、
(4)は研磨パッド、(θ)はCSSゾーンにおけるク
ロス角度を表す。First, in the manufacturing method of the present invention, specific unevenness and streak patterns are formed on the surface of the base film by texture processing. The texture processing can be performed by a known method such as a method using a polishing pad or free abrasive grains, a method using a polishing tape, or the like. FIG. 1 is a plan explanatory view of an example of a polishing apparatus used for texture processing, and FIG. 2 is a partial sectional explanatory view of the polishing apparatus shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged plan view of a main portion of the texture streak pattern. In the figure, (1) is a base film forming substrate, (2) is a CSS zone, (3) is a pressing member,
(4) represents a polishing pad, and (θ) represents a cross angle in the CSS zone.
【0012】研磨テープとしては、代表的には、250
0〜6000#程度のアルミナ砥粒を担持した研磨テー
プ、遊離砥粒としては、代表的には、(株)フジインコ
ーポレーテッド製の商品「ポリプラ700」や「ポリプ
ラ103」(いずれも、アルミナ系スラリー)、研磨パ
ッドとしては、代表的には、(株)フジインコーポレー
テッド製の商品「Surfin100」や「Surfi
nΧΧΧ−5」が挙げられる。The polishing tape is typically 250
As a polishing tape carrying alumina abrasive grains of about 0 to 6000 # and free abrasive grains, typically, "Polypla 700" and "Polypla 103" manufactured by Fuji Incorporated Co., Ltd. Slurries) and polishing pads are typically manufactured by Fuji Incorporated "Surfin 100" and "Surfi".
n ΧΧΧ-5 ".
【0013】上記のテキスチャー加工においては、中心
線平均粗さRaが30〜100Åで且つ最大突起高さR
pが150〜600Åの凹凸とCSSゾーンにおけるク
ロス角度が5〜30°の条痕パターンを下地膜表面に形
成する。なお、CSSゾーンにおけるクロス角度(θ)
とは、ヘッドのシッピングゾーンでのテキスチャーの条
痕が交差する角度を意味する。In the above texturing, the center line average roughness Ra is 30 to 100Å and the maximum protrusion height R is
An uneven pattern having p of 150 to 600Å and a scratch pattern having a cross angle of 5 to 30 ° in the CSS zone are formed on the surface of the base film. The cross angle (θ) in the CSS zone
Means the angle at which the texture streaks intersect at the head shipping zone.
【0014】上記の中心線平均粗さRa及び最大突起高
さRpは、例えば、スラリーの希釈濃度、加工時間、加
圧時間、スピンドルの回転数等を調整することにより達
成することが出来る。最大突起高さRpが150〜60
0Åの状態は、中心線平均粗さRaが30〜100Åの
状態を形成せんとした場合に不可避的に形成されるバリ
やカエリに基づいて生じる。バリやカエリは、平均的な
表面に対する微小突起である。なお、中心線平均粗さR
a及び最大突起高さRpは、先端が0.2μm角の触針
を有する表面粗さ計(ランクテーラーホブソン社製「タ
リステップ」)により、計測長250μmで測定して評
価することが出来る。The above centerline average roughness Ra and maximum protrusion height Rp can be achieved by adjusting, for example, the dilution concentration of the slurry, the processing time, the pressurizing time, the rotation speed of the spindle, and the like. Maximum protrusion height Rp is 150-60
The state of 0 Å occurs due to burrs and burrs that are inevitably formed when the state where the center line average roughness Ra is 30 to 100 Å is not formed. Burrs and burrs are small protrusions on the average surface. The center line average roughness R
The a and the maximum protrusion height Rp can be evaluated by measuring with a surface roughness meter (“Taristep” manufactured by Rank Taylor Hobson Co., Ltd.) having a tip with a 0.2 μm square tip at a measurement length of 250 μm.
【0015】一方、上記のクロスパターンの条痕は、デ
イスク回転数と例えば研磨パッドの押し付け回転数とを
適当な比率に調整することにより達成することが出来
る。テキスチャー加工における条痕パターンは、通常、
円周状パターンであるが、本発明においては、CSSゾ
ーンにおけるクロス角度が5〜30°のクロスパターン
にすることより吸着特性の向上を図ることが出来る。そ
して、好ましいクロス角度は、10〜25°である。On the other hand, the above-mentioned striation of the cross pattern can be achieved by adjusting the disk rotation speed and the polishing pad pressing rotation speed to an appropriate ratio. The streak pattern in texture processing is usually
Although it is a circular pattern, in the present invention, the adsorption characteristic can be improved by forming the cross pattern in which the cross angle in the CSS zone is 5 to 30 °. And a preferable cross angle is 10 to 25 °.
【0016】次に、本発明の製造方法においては、下地
膜表面にケミカルエッチング処理を施す。ケミカルエッ
チング処理は、テキスチャー加工基板をエッチング液に
浸漬することによって行うことが出来る。エッチング液
としては、硫酸、硝酸、フッ素化合物溶液等が使用され
る。Next, in the manufacturing method of the present invention, the surface of the base film is subjected to chemical etching treatment. The chemical etching treatment can be performed by immersing the textured substrate in an etching solution. As the etching liquid, sulfuric acid, nitric acid, a fluorine compound solution or the like is used.
【0017】テキスチャー加工で発生したバリやカエリ
は、比表面積が大きくて活性であるために周囲の部分よ
りも先にエッチング液に溶解する。その結果、エッチン
グ処理により、下地膜表面の状態は、バリやカエリが選
択的に除去され、中心線平均粗さRaを実質的に変化さ
せることなく最大突起高さRpを300Å未満にするこ
とが出来る。そして、従来技術で発生していたピッチン
グは発生しない。Burrs and burrs generated by the texturing process have a large specific surface area and are active, so that they are dissolved in the etching solution before the surrounding portions. As a result, by the etching process, the state of the surface of the base film is such that burrs and burrs are selectively removed, and the maximum protrusion height Rp can be made less than 300Å without substantially changing the center line average roughness Ra. I can. And, the pitching that occurs in the conventional technique does not occur.
【0018】エッチング処理の条件としては、エッチン
グ液の種類により、適切な処理温度および処理時間が選
択される。例えば、濃度2〜40体積%の硫酸水溶液を
使用した場合は、20〜60℃、1〜60分の処理条件
が適当である。そして、テキスチャー加工基板は、バリ
やカエリが溶解したところでエッチング液から引き上げ
られ、適当な条件で洗浄処理される。Appropriate processing temperature and processing time are selected as conditions for the etching processing depending on the kind of the etching solution. For example, when an aqueous solution of sulfuric acid having a concentration of 2 to 40% by volume is used, treatment conditions of 20 to 60 ° C. and 1 to 60 minutes are suitable. Then, the textured substrate is pulled out of the etching solution when burr and burrs are dissolved, and is washed under appropriate conditions.
【0019】本発明の磁気デイスク用基板の表面状態
は、中心線平均粗さRaが30〜100Åで且つ最大突
起高さRpが300Å未満、好ましくは、200〜25
0Åである。斯かる表面状態は、ヘッドの安定浮上とC
SS特性の向上に大きく寄与する。The surface state of the magnetic disk substrate of the present invention has a center line average roughness Ra of 30 to 100 Å and a maximum protrusion height Rp of less than 300 Å, preferably 200 to 25.
It is 0Å. Such surface condition is stable flying of the head and C
It greatly contributes to the improvement of SS characteristics.
【0020】図4〜7は、後記の実施例および比較例の
結果を示した説明図である。図4は、下地膜形成基板の
表面状態を示す説明図であり、横軸は中心線平均粗さR
a、縦軸は最大突起Rpを表す。そして、図中の□印は
テキスチャー1段加工品、△印1段加工品に仕上げテキ
スチャーを施したテキスチャー2段加工品、○印は1段
加工品にケミカルエッチング処理を施したエッチング処
理品である。そして、各印において、白抜き印は円周状
パターンの条痕品、黒塗り印はクロスパターンの条痕品
を表す。4 to 7 are explanatory views showing the results of Examples and Comparative Examples described later. FIG. 4 is an explanatory diagram showing the surface state of the base film forming substrate, where the horizontal axis represents the center line average roughness R.
a, the vertical axis represents the maximum protrusion Rp. In the figure, □ is a textured one-step processed product, △ is a one-step processed product with a finish textured two-step processed product, and ○ is a one-step processed product subjected to a chemical etching treatment. is there. In each mark, a white mark represents a line pattern product with a circumferential pattern, and a black mark represents a line pattern product with a cross pattern.
【0021】図5は、図4に示した3種類の加工基板か
ら得られた各磁気デイスクの静止摩擦係数をテキスチャ
ー加工の条痕パターン毎に区別して示す説明図であり、
縦軸は静止摩擦係数を表す。図6は、図4に示した3種
類の加工基板から得られた各磁気デイスクのCSS2万
回後の摩擦係数をテキスチャー加工の条痕パターン毎に
区別して示す説明図であり、縦軸は摩擦係数を表す。そ
して、図6中の「H.C.」はヘッドクラッシュを意味
する。図7は、図4に示した3種類の加工基板から得ら
れた各磁気デイスクに対するヘッドの安定飛行高さをテ
キスチャー加工の条痕パターン毎に区別して示す説明図
であり、縦軸はヘッドの安定飛行高さ(μm)を表す。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the coefficient of static friction of each magnetic disk obtained from the three types of processed substrates shown in FIG. 4 in distinction for each line pattern of texture processing.
The vertical axis represents the coefficient of static friction. FIG. 6 is an explanatory diagram showing the friction coefficient of each magnetic disk after CSS 20,000 times obtained from the three types of processed substrates shown in FIG. Represents a coefficient. Further, “HC” in FIG. 6 means head crash. FIG. 7 is an explanatory diagram showing the stable flight height of the head for each magnetic disk obtained from the three types of processed substrates shown in FIG. 4 by distinguishing for each stripe pattern of texture processing, and the vertical axis represents the head. It represents the stable flight height (μm).
【0022】図4に示すように、テキスチャー1段加工
品と2段加工品とを比較した場合、2段加工品は、仕上
げテキスチャーにより、Rpが小さく、従って、微小突
起が小さくなっているが同時にRaも小さくなってい
る。これに対し、エッチング処理品は、Raは変化せず
にRpのみが小さくなっている。As shown in FIG. 4, when the texture one-step processed product and the two-step processed product are compared, the two-step processed product has a small Rp due to the finish texture, and therefore the minute protrusions are small. At the same time, Ra is also small. On the other hand, in the etched product, Ra does not change and only Rp is small.
【0023】以上の結果は、テキスチャー2段加工品で
は表面そのものが平滑化されて微小突起が減少している
のに対し、エッチング処理品では表面そのものの平滑化
は起こっていないが微小突起だけが減少していることを
示している。即ち、ケミカルエッチング処理により、テ
キスチャー1段加工品に発生していた微小突起が選択的
に除去されたことを示している。The above results show that the surface itself is smoothed in the textured two-step processed product and the fine projections are reduced, whereas the surface itself is not smoothed in the etched product, but only the fine projections are produced. It shows that it is decreasing. That is, it indicates that the fine protrusions generated in the one-step textured product were selectively removed by the chemical etching treatment.
【0024】図5から明らかなように、表面そのものが
平滑化したテキスチャー2段加工品は、静止摩擦係数が
0.4〜0.5前後であり、テキスチャー1段加工品、
エッチング処理品に比べて高く、非常に吸着し易いこと
が分かる。円周状パターンの条痕品とクロスパターンの
条痕品との対比では、テキスチャー1段加工品では差が
殆ど認められないが、テキスチャー2段加工品とエッチ
ング処理品においては、クロスパターンの条痕品の静止
摩擦係数がいずれも小さい。テキスチャー1段加工品で
は、円周状パターン品の条痕もクロスパターンの条痕品
も微小突起が除去されていないためにヘッドとの真実接
触面積が極めて小さくなり、静止摩擦係数の差異がみら
れない。テキスチャー2段加工品とエッチング処理品で
は、微小突起が減少ないし除去されているためにクロス
パターンの条痕品におけるヘッドとの真実接触面積が円
周状パターンの条痕品のそれよりも小さくなり、静止摩
擦係数は小さくなる。As is apparent from FIG. 5, the textured two-step processed product having the surface itself smoothed has a static friction coefficient of about 0.4 to 0.5, and the textured one-step processed product,
It can be seen that it is higher than the etching-treated product and is very easily adsorbed. In the comparison between the circumferential pattern streak product and the cross pattern streak product, there is almost no difference between the texture one-step processed product and the texture two-step processed product and the etching processed product. The static friction coefficient of all the traces is small. In the textured one-step processed product, the actual contact area with the head is extremely small because the minute protrusions are not removed in both the circumferential pattern product and the cross pattern product, and the difference in static friction coefficient is observed. I can't. In the textured two-step processed product and the etched product, since the fine protrusions are reduced or removed, the actual contact area with the head in the cross pattern striation product is smaller than that in the circumferential pattern striation product. , The coefficient of static friction becomes smaller.
【0025】図6から次のことが分かる。すなわち、テ
キスチャー1段加工品(A)は、ヘッドクラッシュが発
生し易く且つ摩擦係数も高い。これは、テキスチャー加
工で生じた多数の微小突起部分がヘッドとの摺動により
摩耗するためである。テキスチャー2段加工品ではヘッ
ドクラッシュの発生は見られないが吸着が発生し易く摩
擦係数も高い。円周状パターンの条痕品とクロスパター
ンの条痕品の比較では、後者がやや吸着し難く摩擦係数
も低くなっている。テキスチャー2段加工品は、CSS
によって更に表面が平滑化するためにヘッドとデイスク
間の真実接触面積が増加し吸着傾向となるのである。円
周状パターンの条痕品とクロスパターンの条痕品の比較
では、CSSによって表面が平滑化しても、ヘッドとデ
イスク間の真実接触面積は、クロスパターンの条痕品の
方が円周状パターンの条痕品に比べて小さく、CSS後
の摩擦係数は小さい。エッチング処理品は、ヘッドクラ
ッシュ傾向も吸着傾向も示さず、CSS2万回後の摩擦
係数も0.4前後と低い。これはヘッドクラッシュの発
生原因である微小突起がエッチングにより選択的に除去
されただけで、表面そのものは平滑化していないためで
ある。円周状パターンの条痕品とクロスパターンの条痕
品との差は、テキスチャー2段加工品のところで述べた
のと同じ理由による。The following can be seen from FIG. That is, the one-step textured product (A) is likely to cause a head crash and has a high friction coefficient. This is because a large number of minute protrusions generated by the texture processing are worn by sliding with the head. In the two-step textured product, no head crash is observed, but adsorption is likely to occur and the friction coefficient is high. A comparison between the circumferential pattern striations and the cross pattern striations shows that the latter is somewhat difficult to adsorb and the friction coefficient is low. The textured two-stage processed product is CSS
As a result, the surface is further smoothed, so that the true contact area between the head and the disk is increased and the adsorption tends to occur. In comparison between the circular pattern striations and the cross pattern striations, the true contact area between the head and the disk is more circular in the cross pattern striations even if the surface is smoothed by CSS. It is smaller than the scratched product of the pattern, and the friction coefficient after CSS is small. The etching treated product shows neither head crash nor adsorption tendency, and the friction coefficient after CSS 20,000 times is as low as about 0.4. This is because the fine projections that are the cause of the head crash are selectively removed by etching, and the surface itself is not smoothed. The difference between the circumferential pattern striations and the cross pattern striations is due to the same reason as described for the textured two-step processed product.
【0026】図7に示すように、テキスチャー1段加工
品の安定飛行高さは、0.12μm前後であり、テキス
チャー2段加工品、エッチング処理品の安定飛行高さに
比べて約0.05μmも高く、高密度記録用の磁気デイ
スク装置には不向きである。テキスチャー2段加工品の
場合は表面そのものが平滑化したため、エッチング処理
品の場合は微小突起のみが除去されたため、いずれも、
安定飛行高さは0.07μm前後でありヘッドが安定飛
行することが出来る。また、円周状パターンの条痕品と
クロスパターンの条痕品との差は、テキスチャー1段加
工品、2段加工品、エッチング処理品のいずれにおいて
も認められない。これは、円周状パターン品の条痕でも
クロスパターンの条痕品でも微小突起の高さは殆ど等し
いことによる。As shown in FIG. 7, the stable flight height of the textured one-step processed product is about 0.12 μm, which is about 0.05 μm compared with the stable flight height of the textured two-step processed product and the etched product. It is also high and is not suitable for a magnetic disk device for high density recording. In the case of the textured two-step processed product, the surface itself was smoothed, and in the case of the etching-processed product, only the minute projections were removed.
The stable flight height is around 0.07 μm, and the head can fly stably. Further, the difference between the circumferential pattern streak product and the cross pattern streak product is not recognized in any of the texture one-step processed product, the two-step processed product, and the etched product. This is because the heights of the micro-protrusions are almost the same in both the circumferentially patterned product and the cross pattern product.
【0027】以上のように、ヘッドの飛行安定性、吸着
特性、CSS特性のいずれもが良好な基板は、エッチン
グ処理品だけであり、テキスチャー1段加工品は、CS
Sとヘッドの飛行安定性が不良であり、またテキスチャ
ー2段加工品は吸着特性とCSS特性が不良である。ま
た、円周状パターンの条痕品とクロスパターンの条痕品
とではヘッドの飛行安定性においては殆ど差がないが、
吸着特性およびCSS特性において後者が良好である。As described above, the substrate having good head flight stability, adsorption property, and CSS property is only the etching-processed product, and the one-step textured product is the CS-processed product.
The flight stability of S and the head is poor, and the two-step textured product has poor adsorption properties and CSS properties. Further, there is almost no difference in flight stability of the head between the circumferential pattern striations and the cross pattern striations,
The latter is good in terms of adsorption characteristics and CSS characteristics.
【0028】次に、本発明の磁気デイスクについて説明
する。本発明の磁気デイスクは、前記の下地膜を施した
磁気デイスク用基板上に、順次、磁性膜および保護膜を
形成し、更に、必要に応じて、保護膜の上に潤滑剤を塗
布して得られる。そして、磁性膜および保護膜の形成
は、スパッタ、メッキ、蒸着等の公知のプロセスに従っ
て行なうことが出来る。磁性膜としては、CoCr,C
oNiCr,CoTaCr,CoPt,CoCrPt,
CoCrB,CoCrTaB,CoCrPtB,Co
P,CoNiP,CoZnP,CoNiZnP,CoN
iO等Co系磁性膜またはフェライト、窒化鉄等Fe系
磁性膜を使用することが出来る。そして、磁性膜は、面
内磁化膜または垂直磁化膜のどちらでもよい。保護膜と
しては、C,SiO2 ,ZrO2 等を使用することが出
来る。また、潤滑剤としては、固体または液体の市販の
潤滑剤を使用することが出来る。Next, the magnetic disk of the present invention will be described. In the magnetic disk of the present invention, a magnetic film and a protective film are sequentially formed on a magnetic disk substrate provided with the above-mentioned undercoat film, and further, a lubricant is applied on the protective film, if necessary. can get. The formation of the magnetic film and the protective film can be performed according to a known process such as sputtering, plating and vapor deposition. As the magnetic film, CoCr, C
oNiCr, CoTaCr, CoPt, CoCrPt,
CoCrB, CoCrTaB, CoCrPtB, Co
P, CoNiP, CoZnP, CoNiZnP, CoN
A Co-based magnetic film such as iO or a Fe-based magnetic film such as ferrite and iron nitride can be used. The magnetic film may be either an in-plane magnetized film or a perpendicular magnetized film. As the protective film, C, SiO 2 , ZrO 2 or the like can be used. As the lubricant, a solid or liquid commercially available lubricant can be used.
【0029】[0029]
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。なお、以下の諸例にお
いて各測定は、次の方法によって行った。 (1)突起高さ及び突起高さの均一性 基板上の内周部、中央部、外周部における任意の直線上
の突起について半径方向に測定し、測定値の平均値を突
起高さとし、測定値の幅を突起高さの均一性とした。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to examples below, but the present invention is not limited to the following examples unless it exceeds the gist thereof. In addition, in the following examples, each measurement was performed by the following method. (1) Height of protrusion and uniformity of height of protrusion Measured in a radial direction for protrusions on arbitrary straight lines in the inner peripheral portion, the central portion, and the outer peripheral portion on the substrate, and the average value of the measured values is defined as the protrusion height. The width of the value was defined as the uniformity of the protrusion height.
【0030】(2)CSS特性 9.5g加重のCaTiO3 ヘッドスライダーを使用
し、2万回CSSを実施した後の摩擦係数を測定するこ
とにより評価した。 (3)ヘッドスティック合否 温度25℃、湿度80%の雰囲気中にヘッドと磁気デイ
スクを静止接触状態で1時間放置し、起動時の摩擦系数
を測定することにより評価した。 (4)ヘッドの安定飛行高さ 市販のグライドテスターにより測定を行い、ヘッドが突
起1個に衝突し始める高さをヘッドの安定飛行高さと定
義した。(2) CSS characteristics Evaluation was carried out by using a CaTiO 3 head slider with a weight of 9.5 g and measuring the friction coefficient after 20,000 CSS cycles. (3) Pass / Fail of Head Stick Evaluation was performed by leaving the head and the magnetic disk in a static contact state for 1 hour in an atmosphere having a temperature of 25 ° C. and a humidity of 80%, and measuring the friction coefficient at startup. (4) Stable flying height of head The height at which the head started to collide with one protrusion was defined as the stable flying height of the head, which was measured by a commercially available glide tester.
【0031】実施例1 (株)フジインコーポレーテッド製の研磨砥粒「ポリプ
ラ700」と研磨パッド「Surfin100」を使用
し、4枚の市販のNi−P合金メッキデイスク基盤にテ
キスチャー加工を行った。加工条件は、いずれも、デイ
スク回転数:125rpm、研磨パッド押し付け回転
数:40rpm、研磨パッド押し付け圧力:10ps
i、加工時間:20秒とした。テキスチャー加工基盤の
表面状態(図4中の黒塗り□印に相当)は、平均Ra:
70Å、平均Rp:425Å、平均クロス角度:25°
であった(各数値は、4枚の基盤の平均値である。以
下、同じ)。上記の各テキスチャー加工基盤を濃度20
体積%の硫酸水溶液に25℃で30分間浸漬してエッチ
ング処理を施し、次いで、水洗、乾燥を行った。エッチ
ング処理基盤の表面状態(図4中の黒塗り○印に相当)
は、平均Ra:68Å、平均Rp:245Å、平均クロ
ス角度:25°であった。上記の各エッチング処理基盤
の表面にスパッタにより順次Cr下地膜(1000
Å)、Co−Cr−Ta磁性膜(700Å)、C保護膜
(300Å)を形成した後、0.5mmのアルミナテー
プでクリーニング処理し、更に、市販のフロロカーボン
系潤滑剤を厚さ25Åに塗布して磁気デイスクを作成し
た。得られた各磁気デイスクの性能試験の結果を表1に
示す。Example 1 Four commercially available Ni-P alloy-plated disk substrates were textured using polishing abrasives "Polypla 700" and polishing pad "Surfin 100" manufactured by Fuji Incorporated. The processing conditions are as follows: disk rotation speed: 125 rpm, polishing pad pressing rotation speed: 40 rpm, polishing pad pressing pressure: 10 ps
i, processing time: 20 seconds. The surface state of the textured substrate (corresponding to the black square in FIG. 4) is an average Ra:
70Å, average Rp: 425Å, average cross angle: 25 °
(Each value is an average value of four substrates. The same applies hereinafter.). Each of the above textured substrates has a concentration of 20
The plate was immersed in a volume% sulfuric acid aqueous solution at 25 ° C. for 30 minutes for etching treatment, and then washed with water and dried. Surface condition of etching-treated substrate (corresponding to black circle in Figure 4)
The average Ra was 68Å, the average Rp was 245Å, and the average cross angle was 25 °. The Cr base film (1000
Å), Co-Cr-Ta magnetic film (700 Å), C protective film (300 Å), cleaning treatment with 0.5 mm alumina tape, and further applying commercially available fluorocarbon lubricant to a thickness of 25 Å I made a magnetic disk. Table 1 shows the results of the performance tests of the obtained magnetic disks.
【0032】比較例1 実施例1と同様にして4枚の市販のNi−P合金メッキ
デイスク基盤にテキスチャー加工を行った。加工条件
は、いずれも、デイスク回転数:125rpm、研磨パ
ッド押し付け回転数:3rpm、研磨パッド押し付け圧
力:20psi、加工時間:20秒とした。テキスチャ
ー加工基盤の表面状態(図4中の□印に相当)は、平均
Ra:70Å、平均Rp:400Å、平均クロス角度:
0°であった。上記の各テキスチャー加工基盤を濃度1
5体積%の硫酸水溶液に40℃で15分間浸漬してエッ
チング処理を施し、次いで、水洗、乾燥を行った。エッ
チング処理基盤の表面状態(図4中の○印に相当)は、
平均Ra:67Å、平均Rp:240Å、平均クロス角
度:0°であった。上記の各エッチング処理基盤の表面
に実施例1と同様にして順次Cr下地膜、Co−Cr−
Ta磁性膜、C保護膜を形成した後、実施例1と同様に
クリーニング処理し、更に、市販のフロロカーボン系潤
滑剤を厚さ20Åに塗布して磁気デイスクを作成した。
得られた各磁気デイスクの性能試験の結果を表1に示
す。Comparative Example 1 In the same manner as in Example 1, four commercially available Ni-P alloy plated disk substrates were textured. The processing conditions were as follows: disk rotation speed: 125 rpm, polishing pad pressing rotation speed: 3 rpm, polishing pad pressing pressure: 20 psi, processing time: 20 seconds. The surface condition of the textured substrate (corresponding to the □ mark in FIG. 4) has an average Ra: 70Å, an average Rp: 400Å, an average cross angle:
It was 0 °. Concentration of each of the above textured substrates is 1
It was immersed in a 5% by volume aqueous solution of sulfuric acid at 40 ° C. for 15 minutes for etching, and then washed with water and dried. The surface condition of the etched substrate (corresponding to the circle in Fig. 4) is
The average Ra was 67Å, the average Rp was 240Å, and the average cross angle was 0 °. On the surface of each of the above-mentioned etching-treated substrates, a Cr underlayer and a Co—Cr— film were sequentially formed in the same manner as in Example 1.
After forming the Ta magnetic film and the C protective film, cleaning treatment was performed in the same manner as in Example 1, and then a commercially available fluorocarbon lubricant was applied to a thickness of 20Å to prepare a magnetic disk.
Table 1 shows the results of the performance tests of the obtained magnetic disks.
【0033】比較例2 実施例1において、エッチング処理を省略して2段目の
テキスチャー加工を施し、そして、フロロカーボン系潤
滑剤の塗布厚さを28Åに変更した以外は、実施例1と
同様にして磁気デイスクを作成した。2段目のテキスチ
ャー加工は、(株)フジインコーポレーテッド製の研磨
砥粒「ポリプラ103」と研磨パッド「Surfin1
00」を使用し、デイスク回転数:125rpm、研磨
パッド押し付け回転数:40rpm、研磨パッド押し付
け圧力:5psi、加工時間:30秒の加工条件で行な
った。テキスチャー2段加工基板の表面状態(図4中の
黒塗り△印に相当)は、平均Ra:40Å、平均Rp:
235Å、平均クロス角度:25°であった。得られた
磁気デイスクの性能試験の結果を表1に示す。Comparative Example 2 The same as Example 1 except that the etching treatment was omitted, the second-stage texture processing was performed, and the coating thickness of the fluorocarbon lubricant was changed to 28 Å. Created a magnetic disk. The second step of the texture processing is polishing abrasive grains "Polypla 103" and polishing pad "Surfin 1" manufactured by Fuji Incorporated.
00 "was used, the disk rotation speed was 125 rpm, the polishing pad pressing rotation speed was 40 rpm, the polishing pad pressing pressure was 5 psi, and the processing time was 30 seconds. The surface state of the textured two-step processed substrate (corresponding to the black-painted Δ mark in FIG. 4) has an average Ra: 40Å and an average Rp:
235Å, average cross angle: 25 °. The results of the performance test of the obtained magnetic disk are shown in Table 1.
【0034】比較例3 比較例1において、エッチング処理を省略して2段目の
テキスチャー加工を施し、そして、フロロカーボン系潤
滑剤の塗布厚さを24Åに変更した以外は、比較例1と
同様にして磁気デイスクを作成した。2段目のテキスチ
ャー加工は、比較例2と同様に行なった。テキスチャー
2段加工基板の表面状態(図4中の△印に相当)は、エ
ッチング処理基盤の表面状態は、平均Ra:42Å、平
均Rp:240Å、平均クロス角度:0°であった。得
られた各磁気デイスクの性能試験の結果を表1に示す。Comparative Example 3 Comparative Example 1 was carried out in the same manner as Comparative Example 1 except that the etching treatment was omitted, the second-stage texture processing was performed, and the coating thickness of the fluorocarbon lubricant was changed to 24 Å. Created a magnetic disk. The second texturing process was performed in the same manner as in Comparative Example 2. Regarding the surface state of the textured two-step processed substrate (corresponding to the mark Δ in FIG. 4), the surface state of the etching-treated substrate was Ra: 42Å, Rp: 240Å, and average cross angle: 0 °. Table 1 shows the results of the performance tests of the obtained magnetic disks.
【0035】[0035]
【表1】 ──────────────────────────────────── CSS2万回後 25℃、80%R.H. ヘッド安定浮 摩擦係数 放置後摩擦係数 上高さ( μm ) ──────────────────────────────────── 実施例1 0.33 0.16 0.065 0.36 0.16 0.067 0.38 0.18 0.071 0.32 0.17 0.072 ─────────────────────────────────── 比較例1 0.81 0.24 0.073 0.71 0.28 0.066 0.76 0.23 0.070 0.78 0.26 0.069 ──────────────────────────────────── 比較例2 0.83 0.37 0.079 1.21 0.44 0.078 10000回で吸着 0.41 0.073 0.95 0.42 0.074 ──────────────────────────────────── 比較例3 1.41 0.51 0.080 5000回で吸着 0.46 0.072 10000回で吸着 0.53 0.075 8000回で吸着 0.48 0.078 ────────────────────────────────────[Table 1] ──────────────────────────────────── After CSS 20,000 times 25 ℃, 80% R . H. Stable head floating coefficient of friction Frictional coefficient after standing Upper height (μm) ──────────────────────────────────── -Example 1 0.33 0.16 0.065 0.36 0.16 0.067 0.38 0.18 0.071 0.32 0.17 0.072 ─────────── ───────────────────────── Comparative Example 1 0.81 0.24 0.073 0.71 0.28 0.066 0.76 0 .23 0.070 0.78 0.26 0.069 ───────────────────────────────────── Comparative Example 2 0.83 0.37 0.079 1.21 0.44 0.078 Adsorption after 10,000 times 0.41 0.073 0.95 0.42 0.074 ─────────── ───────── ───────────────── Comparative Example 3 1.41 0.51 0.080 Adsorption at 5000 times 0.46 0.072 Adsorption at 10,000 times 0.53 0.075 8000 0.48 0.078 ────────────────────────────────────
【0036】[0036]
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、従来の磁
気デイスクよりもヘッドが低く且つ安定に飛行でき、吸
着特性およびCSS特性が良好であり、従って、信頼性
の高い磁気デイスクが提供される。As described above, according to the present invention, a magnetic head having a lower head and more stable flight than the conventional magnetic disk, good adsorption characteristics and CSS characteristics, and thus a highly reliable magnetic disk is provided. It
【図1】テキスチャー加工に使用される研磨装置の一例
の平面説明図である。FIG. 1 is an explanatory plan view of an example of a polishing apparatus used for texture processing.
【図2】図1に示した研磨装置の部分断面説明図であ
る。FIG. 2 is a partial cross-sectional explanatory view of the polishing apparatus shown in FIG.
【図3】テキスチャーの条痕パターンの要部の拡大平面
説明図である。FIG. 3 is an enlarged plan view of a main portion of a texture streak pattern.
【図4】下地膜形成基板の表面状態を示す説明図であ
り、横軸は中心線平均粗さRa、縦軸は最大突起Rpを
表す。図中の□印はテキスチャー1段加工品、△印1段
加工品に仕上げテキスチャーを施したテキスチャー2段
加工品、○印は1段加工品にケミカルエッチング処理を
施したエッチング処理品である。そして、各印におい
て、白抜き印は円周状パターンの条痕品、黒塗り印はク
ロスパターンの条痕品を表す。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a surface state of a base film forming substrate, in which a horizontal axis represents a center line average roughness Ra and a vertical axis represents a maximum protrusion Rp. In the figure, □ indicates a textured one-step processed product, Δ mark a one-step processed product with a finish textured two-step processed product, and ○ mark an etching processed product obtained by subjecting the one-step processed product to a chemical etching treatment. In each mark, a white mark represents a line pattern product with a circumferential pattern, and a black mark represents a line pattern product with a cross pattern.
【図5】図4に示した3種類の加工基板から得られた各
磁気デイスクの静止摩擦係数をテキスチャー加工の条痕
パターン毎に区別して示す説明図であり、縦軸は静止摩
擦係数を表す。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the static friction coefficient of each magnetic disk obtained from the three types of processed substrates shown in FIG. 4 separately for each line pattern of texture processing, and the vertical axis represents the static friction coefficient. ..
【図6】図4に示した3種類の加工基板から得られた各
磁気デイスクのCSS2万回後の摩擦係数をテキスチャ
ー加工の条痕パターン毎に区別して示す説明図であり、
縦軸は摩擦係数を表す。6 is an explanatory diagram showing the friction coefficient of each magnetic disk obtained from the three types of processed substrates shown in FIG. 4 after CSS 20,000 times, separately for each line pattern of texture processing;
The vertical axis represents the coefficient of friction.
【図7】図4に示した3種類の加工基板から得られた各
磁気デイスクに対するヘッドの安定飛行高さをテキスチ
ャー加工の条痕パターン毎に区別して示す説明図であ
り、縦軸はヘッドの安定飛行高さ(μm)を表す。FIG. 7 is an explanatory view showing the stable flying height of the head for each magnetic disk obtained from the three types of processed substrates shown in FIG. 4 by distinguishing for each scratch pattern of texture processing, and the vertical axis represents the head. It represents the stable flight height (μm).
1:基板 2:CSSゾーン 3:押圧部材 4:研磨パッド 1: Substrate 2: CSS zone 3: Pressing member 4: Polishing pad
Claims (3)
であって、下地膜の表面に中心線平均粗さRaが30〜
100Åで且つ最大突起高さRpが300Å未満の凹凸
とCSSゾーンにおけるクロス角度が5〜30°の条痕
パターンを形成して成ることを特徴とする磁気デイスク
用基板。1. A substrate made of a non-magnetic material having an undercoating film, wherein the centerline average roughness Ra is 30 to 30 on the surface of the undercoating film.
A substrate for a magnetic disk, which is formed by forming irregularities having a maximum protrusion height Rp of less than 300Å and a striation pattern having a cross angle of 5 to 30 ° in the CSS zone.
た後、テキスチャー加工により、中心線平均粗さRaが
30〜100Åで且つ最大突起高さRpが150〜60
0Åの凹凸とCSSゾーンにおけるクロス角度が5〜3
0°の条痕パターンを下地膜表面に形成し、次いで、下
地膜表面にケミカルエッチング処理を施し、中心線平均
粗さRaを実質的に変化させることなく最大突起高さR
pを300Å未満にすることを特徴とする磁気デイスク
用基板の製造方法。2. A center line average roughness Ra of 30 to 100 Å and a maximum protrusion height Rp of 150 to 60 are formed by applying a base film on a substrate made of a non-magnetic material and then performing texture processing.
The unevenness of 0Å and the cross angle in the CSS zone are 5 to 3
A 0 ° streak pattern is formed on the surface of the undercoating film, and then the surface of the undercoating film is subjected to a chemical etching treatment so that the maximum protrusion height R is substantially unchanged without changing the center line average roughness Ra.
A method of manufacturing a substrate for a magnetic disk, wherein p is less than 300Å.
保護膜を形成して成る磁気デイスクであって、下地膜の
表面に中心線平均粗さRaが30〜100Åで且つ最大
突起高さRpが300Å未満の凹凸とCSSゾーンにお
けるクロス角度が5〜30°の条痕パターンを形成して
成ることを特徴とする磁気デイスク。3. A magnetic disk comprising a substrate, a base film, a magnetic film and a protective film which are sequentially formed on the surface of the base film having a center line average roughness Ra of 30 to 100Å and a maximum protrusion height. A magnetic disk characterized by being formed by forming a concavo-convex pattern having a roughness Rp of less than 300Å and a streak pattern having a cross angle of 5 to 30 ° in the CSS zone.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13152792A JPH05303740A (en) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | Substrate for magnetic disk and its production and magnetic disk formed by using the substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13152792A JPH05303740A (en) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | Substrate for magnetic disk and its production and magnetic disk formed by using the substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05303740A true JPH05303740A (en) | 1993-11-16 |
Family
ID=15060156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP13152792A Withdrawn JPH05303740A (en) | 1992-04-24 | 1992-04-24 | Substrate for magnetic disk and its production and magnetic disk formed by using the substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05303740A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5645472A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-08 | Speedfam Company Limited | Polishing device |
US5690542A (en) * | 1996-04-15 | 1997-11-25 | Speedfam Co., Ltd. | Disc streak pattern forming method and apparatus |
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1992
- 1992-04-24 JP JP13152792A patent/JPH05303740A/en not_active Withdrawn
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