JPH05302966A - 超伝導検出コイル - Google Patents
超伝導検出コイルInfo
- Publication number
- JPH05302966A JPH05302966A JP4157764A JP15776492A JPH05302966A JP H05302966 A JPH05302966 A JP H05302966A JP 4157764 A JP4157764 A JP 4157764A JP 15776492 A JP15776492 A JP 15776492A JP H05302966 A JPH05302966 A JP H05302966A
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- JP
- Japan
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- detection coil
- superconducting
- coil
- accuracy
- wiring pattern
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １次微分ボビン型超伝導検出コイルおよび高
次微分ボビン型超伝導検出コイルにおいて、各コイルの
面積精度、形状精度、相互の位置精度、相互の平行精度
などを向上し、磁場勾配感度を向上させ、製造を容易に
する。 【構成】 フレキシブル基板１上に超伝導配線パターン
２を形成し、Ａで示した部分とＢで示した部分が重なる
ようにフレキシブル基板１を円筒状に丸めることにより
１次微分型検出コイルを構成する。
次微分ボビン型超伝導検出コイルにおいて、各コイルの
面積精度、形状精度、相互の位置精度、相互の平行精度
などを向上し、磁場勾配感度を向上させ、製造を容易に
する。 【構成】 フレキシブル基板１上に超伝導配線パターン
２を形成し、Ａで示した部分とＢで示した部分が重なる
ようにフレキシブル基板１を円筒状に丸めることにより
１次微分型検出コイルを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高感度磁気センサに応
用する超伝導量子干渉素子（Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔ
ｉｎｇ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ
Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＱＵＩＤと略す）を使用した磁気セン
サ用検出コイルの構造に関する。
用する超伝導量子干渉素子（Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔ
ｉｎｇ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ
Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＱＵＩＤと略す）を使用した磁気セン
サ用検出コイルの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＱＵＩＤは従来から微小磁場の検出に
応用されている。ＳＱＵＩＤ磁束計では超伝導線で構成
したボビン型の検出コイルが多く用いられている。図１
０は従来の１次微分ボビン型検出コイルの構成を表した
図である。１１はボビン、１２は超伝導コイル線、１３
は電極、１４はダンピング抵抗で、ボビン１１に形成さ
れた溝中に、上下２つのコイルが互いに逆巻となるよう
に超伝導コイル線１２が配置され、ダンピング抵抗１４
が接続された電極１３に超伝導コイル線１２が接続され
ている構造を表している。
応用されている。ＳＱＵＩＤ磁束計では超伝導線で構成
したボビン型の検出コイルが多く用いられている。図１
０は従来の１次微分ボビン型検出コイルの構成を表した
図である。１１はボビン、１２は超伝導コイル線、１３
は電極、１４はダンピング抵抗で、ボビン１１に形成さ
れた溝中に、上下２つのコイルが互いに逆巻となるよう
に超伝導コイル線１２が配置され、ダンピング抵抗１４
が接続された電極１３に超伝導コイル線１２が接続され
ている構造を表している。
【０００３】図１１は従来の２次微分ボビン型検出コイ
ルの構成を表した図である。上下２つのコイルは同方向
に巻かれ、中間のコイルは上下のコイルに対して倍の巻
数で逆巻されている。１次微分ボビン型検出コイル、２
次微分ボビン型検出コイルともにコイル以外の配線はよ
り線とし、配線中に磁束が鎖交するのを防止する構造と
なっている。１次微分ボビン型検出コイルは上部のコイ
ルで検出した磁場信号と下部のコイルで検出した磁場信
号の差、すなわち磁場勾配を検出するものである。２次
微分ボビン型検出コイルは上部のコイルと中間のコイル
で検出した磁場勾配と中間のコイルと下部のコイルで検
出した磁場勾配の差の磁場勾配を検出するものである。
従って、コイルの面積精度、形状精度、相互の位置精
度、相互の平行精度などが磁場勾配感度に影響を与え
る。
ルの構成を表した図である。上下２つのコイルは同方向
に巻かれ、中間のコイルは上下のコイルに対して倍の巻
数で逆巻されている。１次微分ボビン型検出コイル、２
次微分ボビン型検出コイルともにコイル以外の配線はよ
り線とし、配線中に磁束が鎖交するのを防止する構造と
なっている。１次微分ボビン型検出コイルは上部のコイ
ルで検出した磁場信号と下部のコイルで検出した磁場信
号の差、すなわち磁場勾配を検出するものである。２次
微分ボビン型検出コイルは上部のコイルと中間のコイル
で検出した磁場勾配と中間のコイルと下部のコイルで検
出した磁場勾配の差の磁場勾配を検出するものである。
従って、コイルの面積精度、形状精度、相互の位置精
度、相互の平行精度などが磁場勾配感度に影響を与え
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の１次微分ボ
ビン型検出コイルでは、超伝導コイル線を配置するため
のボビンの溝に加工精度が要求され、また超伝導コイル
線を配置する際、円形のコイル部分とより線の境界部分
に三角形状の隙間が形成され、上下２つのコイルの面積
精度、形状精度、相互の位置精度、相互の平行精度を向
上させることは容易ではなく、磁場勾配感度および特性
の再現性が低下する問題や、製造作業に熟練が要求され
るため製造が容易ではない問題があった。また検出コイ
ルと並列にダンピング抵抗を接続する際、検出コイルに
直接抵抗を接続することは困難であり、ＳＱＵＩＤと検
出コイルを接続する部分の付近に抵抗を接続していたた
め、作業性が良くなかった。
ビン型検出コイルでは、超伝導コイル線を配置するため
のボビンの溝に加工精度が要求され、また超伝導コイル
線を配置する際、円形のコイル部分とより線の境界部分
に三角形状の隙間が形成され、上下２つのコイルの面積
精度、形状精度、相互の位置精度、相互の平行精度を向
上させることは容易ではなく、磁場勾配感度および特性
の再現性が低下する問題や、製造作業に熟練が要求され
るため製造が容易ではない問題があった。また検出コイ
ルと並列にダンピング抵抗を接続する際、検出コイルに
直接抵抗を接続することは困難であり、ＳＱＵＩＤと検
出コイルを接続する部分の付近に抵抗を接続していたた
め、作業性が良くなかった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため、一部に略コの字状の配線部を有する超伝
導配線パターン、あるいはその超伝導配線パターンと抵
抗を形成したフレキシブル基板を円筒状に丸め、略コの
字状の配線部が円筒状の配線パターンを形成するよう構
成し、超伝導検出コイルとしたものである。
解決するため、一部に略コの字状の配線部を有する超伝
導配線パターン、あるいはその超伝導配線パターンと抵
抗を形成したフレキシブル基板を円筒状に丸め、略コの
字状の配線部が円筒状の配線パターンを形成するよう構
成し、超伝導検出コイルとしたものである。
【０００６】
【作用】上記のような超伝導検出コイルの構造によれ
ば、通常の基板配線パターン形成技術で検出コイル配線
パターンおよび抵抗パターンを形成し、フレキシブル基
板を円筒状に形成することで容易に超伝導検出コイルを
製造することができ、上下２つのコイルの面積精度、形
状精度、相互の位置精度、相互の平行精度を向上させる
ことができ、かつ、抵抗値の絶対精度および複数の超伝
導検出コイル間での相対精度を向上させることができ
る。
ば、通常の基板配線パターン形成技術で検出コイル配線
パターンおよび抵抗パターンを形成し、フレキシブル基
板を円筒状に形成することで容易に超伝導検出コイルを
製造することができ、上下２つのコイルの面積精度、形
状精度、相互の位置精度、相互の平行精度を向上させる
ことができ、かつ、抵抗値の絶対精度および複数の超伝
導検出コイル間での相対精度を向上させることができ
る。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の実施例１を示す１次微分ボ
ビン型検出コイルのフレキシブル基板上配線パターンを
表した図である。１はフレキシブル基板、２は超伝導配
線パターン、３は電極、４は抵抗配線で、フレキシブル
基板１としてはポリイミド基板、超伝導配線パターン２
および電極３としては鉛錫（Ｐｂ−Ｓｎ）メッキ配線、
ニオブ（Ｎｂ）スパッタ膜配線、鉛インジウム（Ｐｂ−
Ｉｎ）蒸着膜配線が用いられるが、他の超伝導薄膜配
線、超伝導厚膜配線でもよい。Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜のバ
ッファー層として、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）な
どの抵抗材料が用いられるが、他の高抵抗材料を用いる
こともできる。抵抗配線４は、前記Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜
のバッファー層と同様な抵抗材料が用いられる。
て説明する。図１は本発明の実施例１を示す１次微分ボ
ビン型検出コイルのフレキシブル基板上配線パターンを
表した図である。１はフレキシブル基板、２は超伝導配
線パターン、３は電極、４は抵抗配線で、フレキシブル
基板１としてはポリイミド基板、超伝導配線パターン２
および電極３としては鉛錫（Ｐｂ−Ｓｎ）メッキ配線、
ニオブ（Ｎｂ）スパッタ膜配線、鉛インジウム（Ｐｂ−
Ｉｎ）蒸着膜配線が用いられるが、他の超伝導薄膜配
線、超伝導厚膜配線でもよい。Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜のバ
ッファー層として、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）な
どの抵抗材料が用いられるが、他の高抵抗材料を用いる
こともできる。抵抗配線４は、前記Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜
のバッファー層と同様な抵抗材料が用いられる。
【０００８】図１のＡで示した部分とＢで示した部分が
重なるように１巻することにより、図３に示す構成の１
巻の１次微分型検出コイルを構成することができる。図
３の矢印はコイルの巻方向を示している。また、図１の
ＡとＣとＢが重なるように２巻することにより、図４に
示す構成の２巻の１次微分型検出コイルを構成すること
ができる。図４の矢印はコイルの巻方向を示している。
重なるように１巻することにより、図３に示す構成の１
巻の１次微分型検出コイルを構成することができる。図
３の矢印はコイルの巻方向を示している。また、図１の
ＡとＣとＢが重なるように２巻することにより、図４に
示す構成の２巻の１次微分型検出コイルを構成すること
ができる。図４の矢印はコイルの巻方向を示している。
【０００９】図２は本発明の実施例１を示す１次微分ボ
ビン型検出コイルの構成を表した断面図である。６はボ
ビン、７はカバーである。図１に示した超伝導配線パタ
ーンを形成したフレキシブル基板１をボビン６に巻付
け、円筒型のカバー７を配置した構成を示している。ボ
ビン６の材料としてはＦＲＰ，ガラス、テフロン等の円
筒材、円柱材が用いられ、カバー７の材料としてはＦＲ
Ｐ，ガラス、テフロン等の円筒材が用いられる。
ビン型検出コイルの構成を表した断面図である。６はボ
ビン、７はカバーである。図１に示した超伝導配線パタ
ーンを形成したフレキシブル基板１をボビン６に巻付
け、円筒型のカバー７を配置した構成を示している。ボ
ビン６の材料としてはＦＲＰ，ガラス、テフロン等の円
筒材、円柱材が用いられ、カバー７の材料としてはＦＲ
Ｐ，ガラス、テフロン等の円筒材が用いられる。
【００１０】図５は、本発明の実施例２を示す２次微分
ボビン型検出コイルのフレキシブル基板上配線パターン
を表した図である。フレキシブル基板１、超伝導配線パ
ターン２、Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜のバッファー層、電極
３、抵抗配線４の材質は、実施例１と変わるところはな
い。図５のＡで示した配線パターンが交差する部分は導
通しないようにする。例えば、下側の超伝導膜配線を作
製後、ウレタン等の絶縁材料でカバーする。
ボビン型検出コイルのフレキシブル基板上配線パターン
を表した図である。フレキシブル基板１、超伝導配線パ
ターン２、Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜のバッファー層、電極
３、抵抗配線４の材質は、実施例１と変わるところはな
い。図５のＡで示した配線パターンが交差する部分は導
通しないようにする。例えば、下側の超伝導膜配線を作
製後、ウレタン等の絶縁材料でカバーする。
【００１１】図５のＡとＢとＣが重なるように２巻する
ことにより、図６に示す構成の上、中、下の巻数が１
巻、２巻、１巻の２次微分型検出コイルを構成すること
ができる。図６中の矢印はコイルの巻方向を示してい
る。図５のＡとＢとＣが重なるように４巻することによ
り、上、中、下の巻数が２巻、４巻、２巻の２次微分型
検出コイルを構成することもできる。
ことにより、図６に示す構成の上、中、下の巻数が１
巻、２巻、１巻の２次微分型検出コイルを構成すること
ができる。図６中の矢印はコイルの巻方向を示してい
る。図５のＡとＢとＣが重なるように４巻することによ
り、上、中、下の巻数が２巻、４巻、２巻の２次微分型
検出コイルを構成することもできる。
【００１２】図７は、本発明の実施例３を示す１次微分
ボビン型検出コイルのフレキシブル基板上配線パターン
を表した図である。図７でＢ−Ｄ間の配線の長さとＥ−
Ｆ間の配線の長さは等しい。フレキシブル基板１、超伝
導配線パターン２、Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜のバッファー
層、電極３、抵抗配線４の材質は、実施例１と変わると
ころはない。図７のＡとＢのちょうど中間の位置Ｃに、
Ｄが重なるように１巻することにより１巻の１次微分型
検出コイル、２巻することにより２巻の１次微分型検出
コイルを構成することができる。
ボビン型検出コイルのフレキシブル基板上配線パターン
を表した図である。図７でＢ−Ｄ間の配線の長さとＥ−
Ｆ間の配線の長さは等しい。フレキシブル基板１、超伝
導配線パターン２、Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜のバッファー
層、電極３、抵抗配線４の材質は、実施例１と変わると
ころはない。図７のＡとＢのちょうど中間の位置Ｃに、
Ｄが重なるように１巻することにより１巻の１次微分型
検出コイル、２巻することにより２巻の１次微分型検出
コイルを構成することができる。
【００１３】図７の超伝導配線パターン２のＡ−Ｅ間の
配線を斜めにして、Ｂ−Ｄ間の配線の長さとＥ−Ｆ間の
配線の長さを等しくすることにより、検出コイルを構成
した時の上下のコイルの面積を正確に一致させることが
できる。また、図７のＡ−Ｅ間の配線のちょうど中間の
位置にＤ−Ｆ間の配線のちょうど中間の位置が重なるよ
うに巻くことにより、検出コイルの横方向の雑音を除去
することができる。
配線を斜めにして、Ｂ−Ｄ間の配線の長さとＥ−Ｆ間の
配線の長さを等しくすることにより、検出コイルを構成
した時の上下のコイルの面積を正確に一致させることが
できる。また、図７のＡ−Ｅ間の配線のちょうど中間の
位置にＤ−Ｆ間の配線のちょうど中間の位置が重なるよ
うに巻くことにより、検出コイルの横方向の雑音を除去
することができる。
【００１４】図８は、本発明の実施例４を示す１次微分
ボビン型検出コイルのフレキシブル基板上配線パターン
を表した図である。フレキシブル基板１、超伝導配線パ
ターン２、Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜のバッファー層、電極
３、抵抗配線４の材質は、実施例１と変わるところはな
い。超伝導配線パターン２はフレキシブル基板１の両面
又は異なるレイヤーに配線されている。両面又は異なる
レイヤーの超伝導配線パターン間の導通は、バッファー
層およびフレキシブル基板１にコンタクトホール５をあ
けて超伝導体で導通をとっている。図８のＡにＢが重な
るように１巻することで１巻の１次微分型検出コイル、
２巻することで２巻の１次微分型検出コイルが構成され
る。
ボビン型検出コイルのフレキシブル基板上配線パターン
を表した図である。フレキシブル基板１、超伝導配線パ
ターン２、Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜のバッファー層、電極
３、抵抗配線４の材質は、実施例１と変わるところはな
い。超伝導配線パターン２はフレキシブル基板１の両面
又は異なるレイヤーに配線されている。両面又は異なる
レイヤーの超伝導配線パターン間の導通は、バッファー
層およびフレキシブル基板１にコンタクトホール５をあ
けて超伝導体で導通をとっている。図８のＡにＢが重な
るように１巻することで１巻の１次微分型検出コイル、
２巻することで２巻の１次微分型検出コイルが構成され
る。
【００１５】図９は、本発明の実施例５を示す１次微分
ボビン型検出コイルのフレキシブル基板上配線パターン
を表した図である。フレキシブル基板１、超伝導配線パ
ターン２、Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜のバッファー層、電極
３、抵抗配線４の材質は、実施例１と変わるところはな
い。超伝導配線パターン２は実施例４と同様の方法でフ
レキシブル基板１の両面又は異なるレイヤーに配線され
ている。
ボビン型検出コイルのフレキシブル基板上配線パターン
を表した図である。フレキシブル基板１、超伝導配線パ
ターン２、Ｐｂ−Ｓｎメッキ膜のバッファー層、電極
３、抵抗配線４の材質は、実施例１と変わるところはな
い。超伝導配線パターン２は実施例４と同様の方法でフ
レキシブル基板１の両面又は異なるレイヤーに配線され
ている。
【００１６】図９に示すように電極３からＡおよびＢの
間の超伝導配線パターンは、横方向の雑音を除去させる
ために、たがいちがいにフレキシブル基板１の表裏又は
異なるレイヤーに配線している。図９のＡとＢのちょう
ど中間の位置Ｃに、Ｄが重なるように１巻することによ
り１巻の１次微分型検出コイル、２巻することにより２
巻の１次微分型検出コイルを構成することができる。
間の超伝導配線パターンは、横方向の雑音を除去させる
ために、たがいちがいにフレキシブル基板１の表裏又は
異なるレイヤーに配線している。図９のＡとＢのちょう
ど中間の位置Ｃに、Ｄが重なるように１巻することによ
り１巻の１次微分型検出コイル、２巻することにより２
巻の１次微分型検出コイルを構成することができる。
【００１７】上記のような超伝導検出コイルの構造によ
れば、コイル配線パターンを形成したフレキシブル基板
を円筒状に形成することで、容易に任意の巻数で１次お
よび高次微分型の超伝導検出コイルを製造することがで
き、各コイルの面積精度、形状精度、相互の位置精度、
相互の平行精度を向上させることができる。また、ダン
ピング抵抗の絶対精度および複数の超伝導検出コイル間
での相対精度を向上させることができる。上記により、
磁場勾配感度および特性の再現性を向上させることが可
能となる。
れば、コイル配線パターンを形成したフレキシブル基板
を円筒状に形成することで、容易に任意の巻数で１次お
よび高次微分型の超伝導検出コイルを製造することがで
き、各コイルの面積精度、形状精度、相互の位置精度、
相互の平行精度を向上させることができる。また、ダン
ピング抵抗の絶対精度および複数の超伝導検出コイル間
での相対精度を向上させることができる。上記により、
磁場勾配感度および特性の再現性を向上させることが可
能となる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、超
伝導膜配線および抵抗配線を形成したフレキシブル基板
を円筒状に配置して超伝導検出コイルを構成することに
より、容易に超伝導検出コイルを製造することができ、
上下２つのコイルの面積精度、形状精度、相互の位置精
度、相互の平行精度を向上させることができ、またダン
ピング抵抗の絶対精度および複数の超伝導検出コイル間
での相対精度を向上させることができ、磁場勾配感度お
よび特性の再現性を向上させることが可能となる。
伝導膜配線および抵抗配線を形成したフレキシブル基板
を円筒状に配置して超伝導検出コイルを構成することに
より、容易に超伝導検出コイルを製造することができ、
上下２つのコイルの面積精度、形状精度、相互の位置精
度、相互の平行精度を向上させることができ、またダン
ピング抵抗の絶対精度および複数の超伝導検出コイル間
での相対精度を向上させることができ、磁場勾配感度お
よび特性の再現性を向上させることが可能となる。
【図１】本発明の実施例１を示す１次微分ボビン型検出
コイルのフレキシブル基板上配線パターンである。
コイルのフレキシブル基板上配線パターンである。
【図２】本発明の実施例１を示す１次微分ボビン型検出
コイルの構成を表した断面図である。
コイルの構成を表した断面図である。
【図３】１巻の１次微分型検出コイルの構成を示した図
である。
である。
【図４】２巻の１次微分型検出コイルの構成を示した図
である。
である。
【図５】本発明の実施例２を示す１次微分ボビン型検出
コイルのフレキシブル基板上配線パターンである。
コイルのフレキシブル基板上配線パターンである。
【図６】上、中、下の検出コイルが１巻、２巻、１巻の
２次微分型検出コイルの構成を示した図である
２次微分型検出コイルの構成を示した図である
【図７】本発明の実施例３を示す１次微分ボビン型検出
コイルのフレキシブル基板上配線パターンである。
コイルのフレキシブル基板上配線パターンである。
【図８】本発明の実施例４を示す１次微分ボビン型検出
コイルのフレキシブル基板上配線パターンである。
コイルのフレキシブル基板上配線パターンである。
【図９】本発明の実施例５を示す１次微分ボビン型検出
コイルのフレキシブル基板上配線パターンである。
コイルのフレキシブル基板上配線パターンである。
【図１０】従来の１次微分ボビン型検出コイルの構成を
表した図である。
表した図である。
【図１１】従来の２次微分ボビン型検出コイルの構成を
表した図である。
表した図である。
【符号の説明】 １ フレキシブル基板 ２ 超伝導配線パターン ３ 電極 ４ 抵抗配線 ５ コンタクトホール ６ ボビン ７ カバー １１ 従来例によるボビン １２ 超伝導コイル線 １３ 従来例による電極 １４ 従来例によるダンピング抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも一部に略コの字状の配線部を有
する超伝導配線パターンを形成したフレキシブル基板を
円筒状に丸め、前記略コの字状の配線部が少なくとも上
下一対の円筒状配線パターンを形成するよう構成したこ
とを特徴とする超伝導検出コイル。 - 【請求項２】少なくとも一部に略コの字状の配線部を有
する超伝導配線パターンと、前記超伝導配線パターンと
電気的に並列に接続された抵抗をそれぞれ形成したフレ
キシブル基板を円筒状に丸め、前記略コの字状の配線部
が少なくとも上下一対の円筒状配線パターンを形成する
よう構成したことを特徴とする超伝導検出コイル。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/914,894 US5329229A (en) | 1991-07-25 | 1992-07-15 | Magnetic field detection coils with superconducting wiring pattern on flexible film |
| DE69222378T DE69222378T2 (de) | 1991-07-25 | 1992-07-16 | Supraleitende Detektionsspulen |
| EP92112177A EP0525533B1 (en) | 1991-07-25 | 1992-07-16 | Superconducting detection coils |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-186495 | 1991-07-25 | ||
| JP18649591 | 1991-07-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05302966A true JPH05302966A (ja) | 1993-11-16 |
| JP2909790B2 JP2909790B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=16189491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4157764A Expired - Fee Related JP2909790B2 (ja) | 1991-07-25 | 1992-06-17 | 超伝導検出コイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2909790B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292645A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Uchihashi Estec Co Ltd | 磁気インピーダンス効果センサ |
| JP2008047784A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Yokogawa Electric Corp | 平面型ｓｑｕｉｄセンサ |
-
1992
- 1992-06-17 JP JP4157764A patent/JP2909790B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292645A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Uchihashi Estec Co Ltd | 磁気インピーダンス効果センサ |
| JP4495635B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2010-07-07 | 内橋エステック株式会社 | 磁気インピーダンス効果センサ並びに磁気インピーダンス効果センサの使用方法 |
| JP2008047784A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Yokogawa Electric Corp | 平面型ｓｑｕｉｄセンサ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2909790B2 (ja) | 1999-06-23 |
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