JPH05300043A - Attenuator circuit - Google Patents
Attenuator circuitInfo
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- JPH05300043A JPH05300043A JP12963492A JP12963492A JPH05300043A JP H05300043 A JPH05300043 A JP H05300043A JP 12963492 A JP12963492 A JP 12963492A JP 12963492 A JP12963492 A JP 12963492A JP H05300043 A JPH05300043 A JP H05300043A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
- H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
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- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Attenuators (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電界強度が強すぎて過
大入力が発生した場合に、入力信号であるRF信号のレ
ベルを減衰させることによって相互変調妨害等の弊害を
解消するためのアッテネータ回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an attenuator for eliminating intermodulation interference or the like by attenuating the level of an RF signal which is an input signal when the electric field strength is too strong and excessive input occurs. Regarding the circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、ラジオ受信機におけるアンテ
ナからの入力信号であるRF信号の電界強度は、場所や
時間等で絶え間なく変化しており、電界強度が強すぎる
と過大入力により相互変調(IM)や混変調等の弊害を
招いてしまうことがある。2. Description of the Related Art Conventionally, the electric field strength of an RF signal, which is an input signal from an antenna in a radio receiver, is constantly changing depending on the place, time, etc. If the electric field strength is too strong, intermodulation due to excessive input ( IM) and intermodulation may occur.
【0003】図1は、このような弊害を解消するため
に、ピンダイオードの動作抵抗により信号通過量を制御
するようにしたラジオ受信機を模式的に示すもので、ア
ンテナ1からのRF信号の電界強度が強い場合、RF信
号はアッテネータ回路2aによってレベルが減衰された
後、同調及びインピーダンス整合をとるアンテナ回路3
を介して高周波増幅回路4に取込まれる。高周波増幅回
路4によって同調及び所定レベルまで増幅されたRF信
号は、MIX回路5によって局発回路6からの局発信号
と混合され、10.7MHZ の中間周波数とされる。FIG. 1 schematically shows a radio receiver in which a signal passing amount is controlled by an operating resistance of a pin diode in order to eliminate such a bad effect. When the electric field strength is strong, the level of the RF signal is attenuated by the attenuator circuit 2a, and then the antenna circuit 3 for tuning and impedance matching is performed.
Is taken into the high-frequency amplifier circuit 4 via. The RF signal tuned by the high frequency amplifier circuit 4 and amplified to a predetermined level is mixed with the local oscillator signal from the local oscillator circuit 6 by the MIX circuit 5 to have an intermediate frequency of 10.7 MHz.
【0004】アッテネータ回路2aには、RF信号の経
路に直列に挿入されたピンダイオードD2 が備えられて
いる。ピンダイオードD2 のアノード側とコンデンサC
1 との接続点には、RF信号阻止用のコイルL1 を介し
CPU8によってコントロールされている制御電圧発生
回路7aが接続されている。The attenuator circuit 2a is provided with a pin diode D2 inserted in series in the path of the RF signal. Anode side of pin diode D2 and capacitor C
A control voltage generating circuit 7a controlled by the CPU 8 is connected to a connection point with 1 through a coil L1 for blocking an RF signal.
【0005】ピンダイオードD2 のカソード側とコンデ
ンサC2 との接続点には、抵抗R1を介し接地されてい
る。ここで、ピンダイオードD2 は、順方向電流が大き
くなる程、その動作抵抗が低下する特性を有している。
また、コンデンサC1 ,C2は直流を阻止するためのも
のである。The connection point between the cathode side of the pin diode D2 and the capacitor C2 is grounded via the resistor R1. Here, the pin diode D2 has a characteristic that its operating resistance decreases as the forward current increases.
The capacitors C1 and C2 are for blocking direct current.
【0006】RF信号のレベルの減衰量を大きくする場
合には、制御電圧発生回路7aからの制御電圧の値が小
さくされ、逆にその減衰量を小さくする場合にはその制
御電圧の値が大きくされるようになっている。When the attenuation of the level of the RF signal is increased, the value of the control voltage from the control voltage generation circuit 7a is decreased, and conversely when the attenuation is decreased, the value of the control voltage is increased. It is supposed to be done.
【0007】また、図2は、上述した弊害を解消するた
めに、ピンダイオードの動作抵抗によりRF信号をシャ
ントさせて減衰するようにしたラジオ受信機を模式的に
示すものである。ピンダイオードD2 は、アノード側が
RF信号経路に接続され、カソード側は接地されてい
る。ピンダイオードD2 のアノード側には、RF信号阻
止用のコイルL1 を介しCPU8によってコントロール
されている制御電圧発生回路7aによって制御された電
流が供給される。Further, FIG. 2 schematically shows a radio receiver in which an RF signal is shunted and attenuated by an operating resistance of a pin diode in order to eliminate the above-mentioned harmful effects. The pin diode D2 has its anode side connected to the RF signal path and its cathode side grounded. A current controlled by the control voltage generation circuit 7a controlled by the CPU 8 is supplied to the anode side of the pin diode D2 via the coil L1 for blocking the RF signal.
【0008】そして、ピンダイオードD1 に流れる順方
向電流値に応じたピンダイオードD1 の動作抵抗によ
り、RF信号が減衰される。The RF signal is attenuated by the operating resistance of the pin diode D1 corresponding to the forward current value flowing in the pin diode D1.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】図3は、図1のアッテ
ネータ回路2bにおける減衰量を、0dBから10d
B,15dB,20dBの3段階に可変した場合のIM
特性の実測例である。FIG. 3 shows the attenuation amount in the attenuator circuit 2b of FIG. 1 from 0 dB to 10 dB.
IM when variable in 3 steps of B, 15 dB, 20 dB
It is an example of actual measurement of characteristics.
【0010】同図において横軸は、妨害周波数の受信周
波数に対する差(Δf)であり、たとえば0dBのカー
ブは、妨害波が離れるに従い許容レベルが高いことを意
味する。In the figure, the horizontal axis represents the difference (Δf) in the interference frequency with respect to the reception frequency. For example, a curve of 0 dB means that the allowable level is higher as the interference wave is separated.
【0011】通常、受信周波数に対して妨害周波数が遠
い場合には妨害波の許容レベルが高く、逆に近い場合に
は妨害波の許容レベルが低くなっており、これは、ラジ
オ受信機のアンテナ回路の同調特性によるものである。
理想的なアッテネータ回路であれば、このカーブが減衰
量に一致して上方に平行移動するはずであるが、図3に
おいては減衰量が大きいときの許容レベルが低下し、Δ
fのプラス側においては逆転が発生している。Generally, when the interference frequency is far from the reception frequency, the allowable level of the interference wave is high, and when the interference frequency is close to the reception frequency, the allowable level of the interference wave is low, which is the antenna of the radio receiver. This is due to the tuning characteristics of the circuit.
In the case of an ideal attenuator circuit, this curve should move parallel in parallel with the attenuation amount, but in FIG. 3, the allowable level when the attenuation amount is large decreases and Δ
Reverse rotation occurs on the plus side of f.
【0012】これは、図1に示したラジオ受信機のアッ
テネータ回路2aでは、減衰量を増すために制御電圧発
生回路7aからの制御電圧を低下させて、ピンダイオー
ドD2 の入力インピーダンスを上げてもピンダイオード
D2 のアノードとカソードとの間のストレーCや空中で
の電磁的な結合により妨害電波が飛び付いたり、またピ
ンダイオードD2 のインピーダンスが上がることによ
り、アンテナ回路3とのインピーダンスの不整合が生じ
てしまい、RF信号の反射による定在波の発生すること
等が要因となりIMが発生しやすくなるからである。In the attenuator circuit 2a of the radio receiver shown in FIG. 1, even if the input voltage of the pin diode D2 is increased by lowering the control voltage from the control voltage generating circuit 7a in order to increase the attenuation amount. The stray C between the anode and the cathode of the pin diode D2 or electromagnetic coupling in the air causes interference radio waves to fly in, and the impedance of the pin diode D2 rises, resulting in impedance mismatch with the antenna circuit 3. This is because IM is likely to occur due to the occurrence of a standing wave due to the reflection of the RF signal.
【0013】したがって、この種のアッテネータ回路
は、名目上減衰量が20dB程度とれてもIMの改善は
10dB程度にとどまってしまう。一方、図2に示した
アッテネータ回路2bにおいては、ピンダイオードD1
の動作抵抗を十分に下げても零にはなり得ないから、減
衰量自体が10dB程度に留まり、したがってIM改善
も10dB程度である。Therefore, in this type of attenuator circuit, even if the nominal amount of attenuation is about 20 dB, the improvement in IM is limited to about 10 dB. On the other hand, in the attenuator circuit 2b shown in FIG. 2, the pin diode D1
Even if the operating resistance of is sufficiently reduced, it cannot be zero. Therefore, the attenuation amount itself remains at about 10 dB, and the IM improvement is about 10 dB.
【0014】また、この図2のアッテネータ回路2bで
は、RF信号の減衰をピンダイオードD1 を介してアー
ス側に引き込むことにより行う構成であるため、たとえ
ばアンテナ1を他の受信機と共有(共聴アンテナ)して
いる場合には、信号系に対して不整合の弊害を与えた
り、他の受信機側へのRF信号も減衰されてしまうとい
う不具合がある。In the attenuator circuit 2b of FIG. 2, the RF signal is attenuated by pulling it to the ground side through the pin diode D1. Therefore, the antenna 1 is shared with other receivers (co-listening). When the antenna is used, there is a problem that the signal system is adversely affected by mismatching and the RF signal to the other receiver side is also attenuated.
【0015】本発明は、このような事情に対処してなさ
れたもので、入力信号の電界強度が極めて高い場合にお
いて、IMの悪化を招くことなく入力信号の減衰量を大
きくすることができ、しかも共聴アンテナとした場合で
も他の受信機側への悪影響を軽減することができるアッ
テネータ回路を提供することを目的とする。The present invention has been made in consideration of such circumstances, and when the electric field strength of the input signal is extremely high, the attenuation amount of the input signal can be increased without deteriorating the IM. Moreover, it is an object of the present invention to provide an attenuator circuit that can reduce adverse effects on other receivers even when a co-listening antenna is used.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ラジオ受信機に入力される入力信号のレ
ベルを所定量減衰させるアッテネータ回路において、前
記入力信号の通過量を第1の制御信号に応じて制御する
信号通過量制御手段と、この信号通過量制御手段により
入力信号の通過量が小さくされたとき、前記信号通過量
制御手段の入力側におけるインピーダンスを第2の制御
信号に応じて所定値まで下げるインピーダンス制御手段
とを具備することを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a first attenuator circuit for attenuating a level of an input signal input to a radio receiver by a predetermined amount. And a signal passage amount control means for controlling the impedance at the input side of the signal passage amount control means when the passage amount of the input signal is reduced by the signal passage amount control means. And impedance control means for reducing the impedance to a predetermined value in accordance with the above.
【0017】[0017]
【作用】本発明のアッテネータ回路では、減衰量を大き
くする場合、信号通過量制御手段により入力信号の通過
量が小さくされたとき、インピーダンス制御手段により
入力側のインピーダンスを第2の制御電圧に応じて所定
値まで下げるようにしたので、インピーダンス整合を悪
化させずに出力側への飛び付きを防止できる。In the attenuator circuit of the present invention, when the attenuation amount is increased, the impedance control unit adjusts the impedance on the input side to the second control voltage when the signal passage amount control unit reduces the passage amount of the input signal. Since it is lowered to a predetermined value by the above, jumping to the output side can be prevented without deteriorating the impedance matching.
【0018】[0018]
【実施例】以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づい
て説明する。なお、以下に説明する図において、図1及
び図2と共通する部分には同一符号を付し重複する説明
を省略する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In the drawings described below, parts common to those in FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted.
【0019】図4は、本発明のアッテネータ回路の一実
施例を示すもので、アンテナ1からのRF信号はアッテ
ネータ回路2A、アンテナ回路3、高周波増幅回路4及
び局発回路6からの局発信号との混合を行うMIX回路
5を経て10.7MHZ の中間周波数とされる。FIG. 4 shows an embodiment of the attenuator circuit of the present invention. The RF signal from the antenna 1 is a local signal from the attenuator circuit 2A, the antenna circuit 3, the high frequency amplifier circuit 4 and the local oscillator circuit 6. An intermediate frequency of 10.7 MHz is set via the MIX circuit 5 for mixing with.
【0020】アッテネータ回路2AのピンダイオードD
2 のアノード側及びカソード側には、コンデンサC1 ,
C2 が接続されている。ピンダイオードD2 のアノード
側とコンデンサC1 との接続点には、コイルL1 を介し
て制御電圧発生回路7Bが接続されている。ピンダイオ
ードD2 のカソード側とコンデンサC2 との接続点は、
抵抗R1 で接地されるとともに、コンデンサC4 、抵抗
R4 及びピンダイオードD1 を直列に介して接地されて
いる。Pin diode D of attenuator circuit 2A
On the anode side and the cathode side of 2, a capacitor C1,
C2 is connected. A control voltage generating circuit 7B is connected to a connection point between the anode side of the pin diode D2 and the capacitor C1 via a coil L1. The connection point between the cathode side of the pin diode D2 and the capacitor C2 is
The resistor R1 is grounded, and the capacitor C4, the resistor R4 and the pin diode D1 are grounded in series.
【0021】ピンダイオードD1 のアノード側と抵抗R
4 との接続点には、コイルL2 を介して制御電圧発生回
路7Aが接続されている。各制御電圧発生回路7A,7
Bの動作はCPU8によってコントロールされている。Anode side of pin diode D1 and resistance R
A control voltage generating circuit 7A is connected to a connection point with 4 via a coil L2. Each control voltage generation circuit 7A, 7
The operation of B is controlled by the CPU 8.
【0022】制御電圧発生回路7Aは、ピンダイオード
D1 をオン/オフさせるためにそれぞれハイレベル、ロ
ーレベルの電圧を供給するものであり、たとえばトラン
ジスタ回路で構成されている。制御電圧発生回路7B
は、ピンダイオードD2 に減衰量に応じた電流を供給す
るものであり、たとえばD/Aコンバータである。The control voltage generating circuit 7A supplies a high-level voltage and a low-level voltage to turn on / off the pin diode D1, respectively, and is composed of, for example, a transistor circuit. Control voltage generation circuit 7B
Is for supplying a current corresponding to the amount of attenuation to the pin diode D2, and is, for example, a D / A converter.
【0023】なお、図中L1 ,L2 はRF信号阻止用の
コイル、C1 ,C2 は直量阻止用のコンデンサである。
このような構成のアッテネータ回路では、減衰量を大き
くする場合、制御電圧発生回路7Bからの制御電圧が低
くされピンダイオードD2 の動作抵抗値が高くされる。
これにより、ピンダイオードD2 におけるRF信号の通
過量は小さくされる。In the figure, L1 and L2 are RF signal blocking coils, and C1 and C2 are direct amount blocking capacitors.
In the attenuator circuit having such a configuration, when the attenuation amount is increased, the control voltage from the control voltage generation circuit 7B is lowered and the operating resistance value of the pin diode D2 is raised.
As a result, the amount of RF signal passing through the pin diode D2 is reduced.
【0024】このとき、制御電圧発生回路7Aからの制
御電圧がハイレベルとされピンダイオードD1 がオンし
てRF信号はコンデンサC4 、抵抗R4 及びピンダイオ
ードD1 を経てアース側に引き込まれるので、アッテネ
ータ回路2Aの入力側のインピーダンスが所定の値(概
略R4 +D1 のオン抵抗)まで下げられる。At this time, the control voltage from the control voltage generating circuit 7A is set to the high level, the pin diode D1 is turned on, and the RF signal is drawn to the ground side through the capacitor C4, the resistor R4 and the pin diode D1. The impedance on the input side of 2A is lowered to a predetermined value (generally the on-resistance of R4 + D1).
【0025】これにより、RF信号はコンデンサC4 、
抵抗R4 及びピンダイオードD1 を経てアース側に引き
込まれるので、アッテネータ回路2Aの入力側のインピ
ーダンスが下げられる。ここで、抵抗R4 はアンテナ側
への支障のない100Ω程度とされている。As a result, the RF signal is transmitted to the capacitor C4,
The impedance on the input side of the attenuator circuit 2A is lowered because it is drawn to the ground side via the resistor R4 and the pin diode D1. Here, the resistance R4 is set to about 100Ω which does not hinder the antenna side.
【0026】図5は、図4のアッテネータ回路の構成を
変えた場合の他の実施例を示すものである。同図に示す
アッテネータ回路2Bでは、ピンダイオードD2 ,D3
がアノード同士を接続して互いに逆向きにRF信号経路
に直列に介挿されている。FIG. 5 shows another embodiment in which the configuration of the attenuator circuit of FIG. 4 is changed. In the attenuator circuit 2B shown in the figure, the pin diodes D2 and D3 are
Are connected in series in the RF signal path in opposite directions with the anodes connected to each other.
【0027】ピンダイオードD2 のカソード側にはコイ
ルL3 を介して制御電圧発生回路7Bが接続されてい
る。ピンダイオードD3 のカソード側にはコイルL1 を
介して制御電圧発生回路7Cが接続されている。A control voltage generating circuit 7B is connected to the cathode side of the pin diode D2 via a coil L3. A control voltage generating circuit 7C is connected to the cathode side of the pin diode D3 via a coil L1.
【0028】ピンダイオードD2 ,D3 のアノード側に
は、抵抗R7 を介して電源+Bが加えられるとともに、
抵抗R1 を介して接地されている。ピンダイオードD2
には、コンデンサC5 及び抵抗R5 の直列回路が並列に
接続されている。ピンダイオードD3 には、コンデンサ
C6 及び抵抗R6 の直列回路が並列に接続されている。A power source + B is applied to the anode side of the pin diodes D2 and D3 via a resistor R7, and
It is grounded via a resistor R1. Pin diode D2
A series circuit of a capacitor C5 and a resistor R5 is connected in parallel with. A series circuit of a capacitor C6 and a resistor R6 is connected in parallel to the pin diode D3.
【0029】ピンダイオードD2 のカソード側とコンデ
ンサC2 との接続点は、コンデンサC4 、抵抗R4 及び
ピンダイオードD1 の直列回路を介して接地されてい
る。ピンダイオードD1 のアノード側と抵抗R4 との接
続点には、コイルL2 を介して制御電圧発生回路7Aが
接続されている。 各制御電圧発生回路7A,7B,7C
の動作はCPU8によってコントロールされており、そ
れぞれはハイレベル又はローレベルの電圧を出力する。The connection point between the cathode side of the pin diode D2 and the capacitor C2 is grounded via the series circuit of the capacitor C4, the resistor R4 and the pin diode D1. A control voltage generating circuit 7A is connected to a connection point between the anode side of the pin diode D1 and the resistor R4 via a coil L2. Control voltage generation circuits 7A, 7B, 7C
Are controlled by the CPU 8, and each outputs a high level voltage or a low level voltage.
【0030】なお、図中L1 ,L2 ,L3 はRF信号阻
止用のコイル、C1 ,C2 ,C3 は直流阻止用のコンデ
ンサである。このような構成のアッテネータ回路では、
減衰量を最大にする場合、制御電圧発生回路7B,7C
の出力をハイレベルとし、ピンダイオードD2 ,D3 が
オフされると、RF信号はコンデンサC5 、抵抗R5 、
抵抗R6 、コンデンサC6 を流れ、これら抵抗R5 及び
抵抗R6 によって減衰される。In the figure, L1, L2 and L3 are RF signal blocking coils, and C1, C2 and C3 are DC blocking capacitors. In the attenuator circuit with such a configuration,
When maximizing the amount of attenuation, the control voltage generation circuits 7B and 7C
When the output of is set to a high level and the pin diodes D2 and D3 are turned off, the RF signal is a capacitor C5, a resistor R5,
It flows through the resistor R6 and the capacitor C6 and is attenuated by these resistors R5 and R6.
【0031】そして、減衰量を大きくする場合には、制
御電圧発生回路7Aの出力をハイレベルとし、ピンダイ
オードD2 をオンとしてRF信号がコンデンサC4 、抵
抗R4 及びピンダイオードD1 を経てアース側に引き込
まれるようにし、アッテネータ回路2Bの入力側インピ
ーダンスを下げる。また、制御電圧発生回路7B又は7
Cの出力がローレベルとなると、ピンダイオードD2 又
はD3 がオンするので、抵抗R5 又は抵抗R6 がバイパ
スされ、バイパスされない方の抵抗により所定の減衰量
が得られる。To increase the amount of attenuation, the output of the control voltage generating circuit 7A is set to a high level, the pin diode D2 is turned on, and the RF signal is pulled to the ground side through the capacitor C4, the resistor R4 and the pin diode D1. The input impedance of the attenuator circuit 2B is lowered. In addition, the control voltage generation circuit 7B or 7
When the output of C becomes low level, the pin diode D2 or D3 is turned on, so that the resistor R5 or the resistor R6 is bypassed, and a predetermined amount of attenuation is obtained by the non-bypassed resistor.
【0032】減衰量を0dB〜20dBとした場合の各
ピンダイオードD1 ,D2 ,D3 の動作をたとえば図6
に示す。つまり、減衰量を0dBとした場合にはピンダ
イオードD2 ,D3 がオンされる。減衰量を10dBと
した場合には、ピンダイオードD3 のみがオンされる。
減衰量を15dBとした場合には、ピンダイオードD1
,D2 がオンされる。減衰量を20dBとした場合に
は、ピンダイオードD1 のみがオンされる。The operation of each pin diode D1, D2, D3 when the attenuation amount is 0 dB to 20 dB is shown in FIG.
Shown in. That is, when the attenuation amount is 0 dB, the pin diodes D2 and D3 are turned on. When the attenuation amount is 10 dB, only the pin diode D3 is turned on.
If the attenuation is 15 dB, the pin diode D1
, D2 are turned on. When the attenuation amount is 20 dB, only the pin diode D1 is turned on.
【0033】この場合のIM特性の実測例を図7に示
す。上記の図3のIM特性との対比から解る通り、特に
減衰量20dBの特性において、妨害波の許容レベルが
改善されており、約20dBのIM改善が得られた。FIG. 7 shows an example of actual measurement of IM characteristics in this case. As can be seen from the comparison with the IM characteristic of FIG. 3, the allowable level of the interfering wave is improved, especially in the characteristic of the attenuation amount of 20 dB, and the IM improvement of about 20 dB is obtained.
【0034】このように以上の各実施例では、RF信号
経路に直列に介挿されたピンダイオードD2 及び/又は
D3 をオンさせたとき、アッテネータ回路の入力側イン
ピーダンスを下げることにより、信号の飛び付きや戻り
の影響が低減されると同時にアンテナ1側からみたアッ
テネータ回路2Bのインピーダンスの変動が小さくなる
ため、インピーダンスの不整合が解消され、RF信号の
反射が低減される。As described above, in each of the above embodiments, when the pin diodes D2 and / or D3 inserted in series in the RF signal path are turned on, the impedance of the input side of the attenuator circuit is lowered to make the signal jump. At the same time, the influence of noise and return is reduced, and at the same time, the impedance variation of the attenuator circuit 2B viewed from the antenna 1 side is reduced, so that impedance mismatch is eliminated and RF signal reflection is reduced.
【0035】これにより、電界レベルが特に強い場合で
あってもIMの悪化を招くことなく減衰量を大きくとる
ことができる。更には、入力側インピーダンスを下げる
場合には、ショートさせることはせず抵抗値を所定値ま
で下げるのみであるから、たとえばアンテナ1を他の受
信機と共有(共聴アンテナ)している場合でも他の受信
機側へのRF信号の減衰がなくなる。As a result, even if the electric field level is particularly strong, the amount of attenuation can be increased without deteriorating the IM. Furthermore, when lowering the input impedance, the resistance value is only reduced to a predetermined value without short-circuiting. Therefore, for example, even when the antenna 1 is shared with other receivers (co-listening antenna). There is no attenuation of the RF signal to the other receiver side.
【0036】なお、図4及び図5においては、ピンダイ
オードD1 のインピーダンスをアナログ的に制御しても
よく、その場合は抵抗R4 を省略することもできる。ま
た、図5のピンダイオードD2 ,D3 の向きは制御電圧
発生回路7B,7Cのロジックを反転させれば逆向きと
してもよい。In FIGS. 4 and 5, the impedance of the pin diode D1 may be controlled in an analog manner, and in that case, the resistor R4 may be omitted. The directions of the pin diodes D2 and D3 in FIG. 5 may be reversed if the logics of the control voltage generating circuits 7B and 7C are inverted.
【0037】更に、以上の各実施例においては、RF信
号の減衰及び入力インピーダンス制御にピンダイオード
を使用した場合について説明したが、他の高周波特性の
良い半導体素子でもよく、またリレー等でもよい。更に
また、減衰量の制御は、使用者が適宜操作するマニュア
ルスイッチをCPUが読み取って行うようにしてもよ
く、またCPUを使わない方法でもよい。また、減衰量
の制御をAGC電圧やマルチパスの検出結果に応じて自
動的に行うようにしてもよい。また、放送周波数帯は限
定されるものではない。Furthermore, in each of the above embodiments, the case where the pin diode is used for the attenuation of the RF signal and the control of the input impedance has been described, but other semiconductor elements having good high frequency characteristics, such as a relay, may be used. Furthermore, the control of the amount of attenuation may be performed by the CPU reading a manual switch that is appropriately operated by the user, or by a method that does not use the CPU. Further, the control of the attenuation amount may be automatically performed according to the AGC voltage or the detection result of the multipath. Moreover, the broadcast frequency band is not limited.
【0038】[0038]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のアッテネ
ータ回路によれば、入力信号の電界強度が極めて高い場
合において、IMの悪化を招くことなく入力信号の減衰
量を大きくすることができ、しかも共聴アンテナとした
場合でも他の受信機側への悪影響を軽減することができ
る。As described above, according to the attenuator circuit of the present invention, when the electric field strength of the input signal is extremely high, the attenuation amount of the input signal can be increased without deteriorating the IM. Moreover, even when a co-listening antenna is used, it is possible to reduce adverse effects on other receivers.
【図1】従来のアッテネータ回路を使用したラジオ受信
機の一例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing an example of a radio receiver using a conventional attenuator circuit.
【図2】従来のアッテネータ回路を使用したラジオ受信
機の他の例を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing another example of a radio receiver using a conventional attenuator circuit.
【図3】図1のラジオ受信機におけるIM特性を示す図
である。FIG. 3 is a diagram showing IM characteristics in the radio receiver of FIG.
【図4】本発明のアッテネータ回路を使用したラジオ受
信機の一実施例を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing an embodiment of a radio receiver using the attenuator circuit of the present invention.
【図5】図4のアッテネータ回路の構成を変えた場合の
他の実施例を示すブロック図である。5 is a block diagram showing another embodiment in which the configuration of the attenuator circuit of FIG. 4 is changed.
【図6】図5のアッテネータ回路において減衰量に対応
するピンダイオードの動作状態を示す図である。6 is a diagram showing an operating state of a pin diode corresponding to an attenuation amount in the attenuator circuit of FIG.
【図7】図5のアッテネータ回路のIM特性を示す図で
ある。FIG. 7 is a diagram showing IM characteristics of the attenuator circuit of FIG.
1 アンテナ 2A,2B アッテネータ回路 3 アンテナ回路 4 高周波増幅回路 5 MIX回路 6 局発回路 7A,7B,7C 制御電圧発生回路 8 CPU D1 ,D2 ,D3 ピンダイオード 1 antenna 2A, 2B attenuator circuit 3 antenna circuit 4 high frequency amplification circuit 5 MIX circuit 6 local oscillator circuit 7A, 7B, 7C control voltage generation circuit 8 CPU D1, D2, D3 pin diode
Claims (1)
ベルを所定量減衰させるアッテネータ回路において、 前記入力信号の通過量を第1の制御信号に応じて制御す
る信号通過量制御手段と、 この信号通過量制御手段により入力信号の通過量が小さ
くされたとき、前記信号通過量制御手段の入力側におけ
るインピーダンスを第2の制御信号に応じて所定値まで
下げるインピーダンス制御手段とを具備することを特徴
とするアッテネータ回路。1. An attenuator circuit for attenuating a level of an input signal input to a radio receiver by a predetermined amount, and a signal passing amount control means for controlling a passing amount of the input signal according to a first control signal, Impedance control means for lowering the impedance at the input side of the signal passage amount control means to a predetermined value in response to the second control signal when the passage amount of the input signal is reduced by the signal passage amount control means. Characteristic attenuator circuit.
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- 1993-04-14 GB GB9307670A patent/GB2266422B/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-22 DE DE19934313211 patent/DE4313211C2/en not_active Expired - Fee Related
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