JPH05291700A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH05291700A JPH05291700A JP11856292A JP11856292A JPH05291700A JP H05291700 A JPH05291700 A JP H05291700A JP 11856292 A JP11856292 A JP 11856292A JP 11856292 A JP11856292 A JP 11856292A JP H05291700 A JPH05291700 A JP H05291700A
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- Japan
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- semiconductor
- semiconductor layer
- layer
- quantum
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザと電界型変調器との集積化を容
易にし、駆動電圧を低下させることにより、高速で動作
させるようにする。 【構成】 部分的に回折格子２が形成されたｎ型ＩｎＰ
基板１上にＩｎＧａＡｓＰ光導波路層３が形成され、こ
のＩｎＧａＡｓＰ光導波路層３上に活性層となるＩｎＧ
ａＡｓＰ層４が形成され、変調器Ｍにおいて半導体レー
ザＬのＩｎＧａＡｓＰ層４と同一半導体層に光が進行す
る方向に対して垂直に複数の線幅１０ｎｍの半導体量子
細線５が形成されている。
易にし、駆動電圧を低下させることにより、高速で動作
させるようにする。 【構成】 部分的に回折格子２が形成されたｎ型ＩｎＰ
基板１上にＩｎＧａＡｓＰ光導波路層３が形成され、こ
のＩｎＧａＡｓＰ光導波路層３上に活性層となるＩｎＧ
ａＡｓＰ層４が形成され、変調器Ｍにおいて半導体レー
ザＬのＩｎＧａＡｓＰ層４と同一半導体層に光が進行す
る方向に対して垂直に複数の線幅１０ｎｍの半導体量子
細線５が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザと光変調
器とが同一半導体基板上に集積して形成された光半導体
装置に関するものである。
器とが同一半導体基板上に集積して形成された光半導体
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来のこの種の光半導体装置の
構成を示す斜視図である。同図において、１はｎ型Ｉｎ
Ｐ基板、２は回折格子、３はＩｎＧａＡｓＰ光導波路
層、４はＩｎＧａＡｓ活性層、９はｐ型ＩｎＰ層、１０
はｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層、１１は活性領域側のｐ型電
極、１２は変調器側のｐ型電極、１３はＩｎＧａＡｓ活
性層４よりもバンドギャップの大きい半導体層である。
構成を示す斜視図である。同図において、１はｎ型Ｉｎ
Ｐ基板、２は回折格子、３はＩｎＧａＡｓＰ光導波路
層、４はＩｎＧａＡｓ活性層、９はｐ型ＩｎＰ層、１０
はｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層、１１は活性領域側のｐ型電
極、１２は変調器側のｐ型電極、１３はＩｎＧａＡｓ活
性層４よりもバンドギャップの大きい半導体層である。
【０００３】このように構成される光半導体装置は、ｎ
型ＩｎＰ基板１上に半導体レーザＬと、この半導体レー
ザＬのＩｎＧａＡｓ活性層４よりもバンドギャップエネ
ルギーのより大きな半導体層１３を有する変調器Ｍとを
同一基板上に集積した構造となっている。
型ＩｎＰ基板１上に半導体レーザＬと、この半導体レー
ザＬのＩｎＧａＡｓ活性層４よりもバンドギャップエネ
ルギーのより大きな半導体層１３を有する変調器Ｍとを
同一基板上に集積した構造となっている。
【０００４】なお、このように構成される光半導体装置
は、例えば文献（M.Suzuki, et al,"Monolithic integr
ation of InGaAsP/InP distributed feedback laser an
d electro-absorption modulator by vapor phase epit
axy,"J.Lightwave Technol.,vol.LT-5,pp.1277-1285,19
87)に提案されている。
は、例えば文献（M.Suzuki, et al,"Monolithic integr
ation of InGaAsP/InP distributed feedback laser an
d electro-absorption modulator by vapor phase epit
axy,"J.Lightwave Technol.,vol.LT-5,pp.1277-1285,19
87)に提案されている。
【０００５】このように構成された光半導体装置におい
て、半導体レーザＬのｐ型電極１１から電流を注入する
ことにより、レーザ発振が起こり、レーザ光が半導体層
に沿って出射される。また、変調器Ｍでは、ｐ型電極１
２に逆バイアスの条件で電圧を印加することにより、半
導体層１３の光吸収係数および屈折率が変化するため、
変調器Ｍ側から出射するレーザ光の強度および位相を変
調することが可能となる。
て、半導体レーザＬのｐ型電極１１から電流を注入する
ことにより、レーザ発振が起こり、レーザ光が半導体層
に沿って出射される。また、変調器Ｍでは、ｐ型電極１
２に逆バイアスの条件で電圧を印加することにより、半
導体層１３の光吸収係数および屈折率が変化するため、
変調器Ｍ側から出射するレーザ光の強度および位相を変
調することが可能となる。
【０００６】また、変調器Ｍにおける半導体層１３を多
数の極薄膜からなる多重量子井戸構造で構成すると、電
圧を印加した際に量子閉じ込めシュタルク効果により大
きな吸収係数および屈折率の変化が得られることが文献
（K.Wakita, et al,"High-speed and low-drive-voltag
e monolithic multiple Quantum-well modulator/DBFla
ser light source,"IEEE Photnics. Technol. Lett., v
ol. 4, pp.16-18 1992）に示されている。
数の極薄膜からなる多重量子井戸構造で構成すると、電
圧を印加した際に量子閉じ込めシュタルク効果により大
きな吸収係数および屈折率の変化が得られることが文献
（K.Wakita, et al,"High-speed and low-drive-voltag
e monolithic multiple Quantum-well modulator/DBFla
ser light source,"IEEE Photnics. Technol. Lett., v
ol. 4, pp.16-18 1992）に示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された光半導体装置では、活性層と、この活性
層とは組成の異なる半導体層とを同一基板上に形成する
ために少なくとも２回の結晶成長が必要であった。ま
た、組成の異なる２つの半導体層を横方向に滑らかに結
合することが光の散乱損失を低減する上で重要である
が、前述した構造では、本質的な困難性を有していた。
また、変調するための駆動電圧は２〜３Ｖ以上必要であ
り、駆動用の高速電子回路の電圧が制限されることか
ら、高速動作が困難であった。
うに構成された光半導体装置では、活性層と、この活性
層とは組成の異なる半導体層とを同一基板上に形成する
ために少なくとも２回の結晶成長が必要であった。ま
た、組成の異なる２つの半導体層を横方向に滑らかに結
合することが光の散乱損失を低減する上で重要である
が、前述した構造では、本質的な困難性を有していた。
また、変調するための駆動電圧は２〜３Ｖ以上必要であ
り、駆動用の高速電子回路の電圧が制限されることか
ら、高速動作が困難であった。
【０００８】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、半
導体レーザと電界型変調器との集積化を容易にし、駆動
電圧を低下させることにより高速で動作させることがで
きる光半導体装置を提供することにある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、半
導体レーザと電界型変調器との集積化を容易にし、駆動
電圧を低下させることにより高速で動作させることがで
きる光半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明による光半導体装置は、変調器において
半導体レーザの活性層と同一組成の半導体層が光が進行
する方向に対して垂直方向または水平方向に複数の線幅
１００ｎｍ以下の半導体細線を有しているか、または複
数の一辺が１００ｎｍ以下の箱構造を有して構成されて
いる。
るために本発明による光半導体装置は、変調器において
半導体レーザの活性層と同一組成の半導体層が光が進行
する方向に対して垂直方向または水平方向に複数の線幅
１００ｎｍ以下の半導体細線を有しているか、または複
数の一辺が１００ｎｍ以下の箱構造を有して構成されて
いる。
【００１０】
【作用】本発明における光半導体装置では、半導体細線
あるいは箱構造になっている領域において、量子力学的
な効果により最小のエネルギー準位が増大する。図６
は、浅田等の文献（"Gain and Threshold of Three-Dim
ensional Quantum-Box Lasers,"IEEE Journal of Quant
um Electronics, Vol.QE-22,No.9,pp1915-1921 1988）
によるエネルギーと状態密度との関係を模式的に示した
ものであり、図６（ａ）はバルク，量子井戸における状
態密度とエネルギーとの関係を、図６（ｂ）は量子細線
における状態密度とエネルギーとの関係を、図（ｃ）は
量子箱における状態密度とエネルギーとの関係を示して
いる。これらの図から明かなように半導体層を量子細線
構造および量子箱構造にすることにより、図中矢印で示
す最小のエネルギー準位が増大することが分かる。
あるいは箱構造になっている領域において、量子力学的
な効果により最小のエネルギー準位が増大する。図６
は、浅田等の文献（"Gain and Threshold of Three-Dim
ensional Quantum-Box Lasers,"IEEE Journal of Quant
um Electronics, Vol.QE-22,No.9,pp1915-1921 1988）
によるエネルギーと状態密度との関係を模式的に示した
ものであり、図６（ａ）はバルク，量子井戸における状
態密度とエネルギーとの関係を、図６（ｂ）は量子細線
における状態密度とエネルギーとの関係を、図（ｃ）は
量子箱における状態密度とエネルギーとの関係を示して
いる。これらの図から明かなように半導体層を量子細線
構造および量子箱構造にすることにより、図中矢印で示
す最小のエネルギー準位が増大することが分かる。
【００１１】この結果、同一半導体層を部分的に細線あ
るいは箱構造に加工することにより、エネルギーの異な
る領域が横方向に結合した構造が新たに結晶成長を要せ
ず実現可能となる。また、両者の結合は、ほとんど異常
なく、滑らかになる。また、量子細線あるいは量子箱構
造に加工された部分に電圧を印加すると、量子閉じ込め
シュタルク効果は、量子効果が高いために、より顕著に
なる。
るいは箱構造に加工することにより、エネルギーの異な
る領域が横方向に結合した構造が新たに結晶成長を要せ
ず実現可能となる。また、両者の結合は、ほとんど異常
なく、滑らかになる。また、量子細線あるいは量子箱構
造に加工された部分に電圧を印加すると、量子閉じ込め
シュタルク効果は、量子効果が高いために、より顕著に
なる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１〜図４は、本発明による光半導体装置の
一実施例による構成を製作工程順にしたがって説明する
工程の斜視図である。まず、図１に示すように部分的に
回折格子（ピッチ：２４０ｎｍ）２が形成されたｎ型Ｉ
ｎＰ基板１の上に１．１μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ光導
波路層３を０．５μｍ，活性層となるＩｎＧａＡｓ層４
を約１０ｎｍ成長する。ここでは成長法としてＭｅｔａ
ｌ ＯｒｇａｎｉｃＶａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔ
ａｘｙ（略してＭＯＶＰＥ）法を用いた。
説明する。図１〜図４は、本発明による光半導体装置の
一実施例による構成を製作工程順にしたがって説明する
工程の斜視図である。まず、図１に示すように部分的に
回折格子（ピッチ：２４０ｎｍ）２が形成されたｎ型Ｉ
ｎＰ基板１の上に１．１μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰ光導
波路層３を０．５μｍ，活性層となるＩｎＧａＡｓ層４
を約１０ｎｍ成長する。ここでは成長法としてＭｅｔａ
ｌ ＯｒｇａｎｉｃＶａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔ
ａｘｙ（略してＭＯＶＰＥ）法を用いた。
【００１３】その後、図２に示すようにＩｎＧａＡｓ層
４上に電子ビーム露光法，干渉露光法または電子ビーム
露光法を用いて作製したタンタルマスクを用いたＸ線露
光法を用いて周期約１５ｎｍで１０ｎｍ幅の量子細線５
のパターンを、回折格子２の存在しない成長ウエハ面に
形成し、ＩｎＧａＡｓ層４のみを選択的にエッチングす
るエッチング液によりＩｎＧａＡｓの細線を形成する。
４上に電子ビーム露光法，干渉露光法または電子ビーム
露光法を用いて作製したタンタルマスクを用いたＸ線露
光法を用いて周期約１５ｎｍで１０ｎｍ幅の量子細線５
のパターンを、回折格子２の存在しない成長ウエハ面に
形成し、ＩｎＧａＡｓ層４のみを選択的にエッチングす
るエッチング液によりＩｎＧａＡｓの細線を形成する。
【００１４】図３では、前述した量子細線５に代えて縦
１０ｎｍ，横１０ｎｍのＩｎＧａＡｓの量子箱６の構造
を二次元状に形成したものである。なお、作製法は前述
した量子細線５を形成する方法と同じである。その後、
図４に示すように量子細線５上に１．１μｍ組成のＩｎ
ＧａＡｓＰ光導波路層７を０．１μｍ成長し、この量子
細線５を完全に埋め込む。なお、図４では、量子細線５
を埋め込んだ構造を示したが、ＩｎＧａＡｓの量子箱６
を埋め込む場合にも同様である。
１０ｎｍ，横１０ｎｍのＩｎＧａＡｓの量子箱６の構造
を二次元状に形成したものである。なお、作製法は前述
した量子細線５を形成する方法と同じである。その後、
図４に示すように量子細線５上に１．１μｍ組成のＩｎ
ＧａＡｓＰ光導波路層７を０．１μｍ成長し、この量子
細線５を完全に埋め込む。なお、図４では、量子細線５
を埋め込んだ構造を示したが、ＩｎＧａＡｓの量子箱６
を埋め込む場合にも同様である。
【００１５】次にこのＩｎＧａＡｓＰ光導波路層７上に
１．３μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰガイド層８を０．１２
μｍ，ｐ型ＩｎＰ層９を１．２μｍ，ｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層１０を０．３μｍにそれぞれ成長する。その後、成
長ウエハ上面に回折格子２上の活性領域と、量子細線５
あるいは量子箱６領域とに分離されたｐ型電極１１，１
２を形成する。
１．３μｍ組成のＩｎＧａＡｓＰガイド層８を０．１２
μｍ，ｐ型ＩｎＰ層９を１．２μｍ，ｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層１０を０．３μｍにそれぞれ成長する。その後、成
長ウエハ上面に回折格子２上の活性領域と、量子細線５
あるいは量子箱６領域とに分離されたｐ型電極１１，１
２を形成する。
【００１６】このような構成において、活性領域では、
ｐ−ｎ接合に順方向に電流を注入することで、レーザ発
振が得られ、また、回折格子２の存在により、単一縦モ
ード発振が可能である。量子細線５あるいは量子箱６の
領域では、エネルギー準位が増大し、レーザ光は透過す
ることができる。また、ｐ−ｎ接合に逆バイアスを印加
することで量子細線５あるいは量子箱６の吸収係数と屈
折率とが変化し、レーザ光の強度および位相が変調され
る。
ｐ−ｎ接合に順方向に電流を注入することで、レーザ発
振が得られ、また、回折格子２の存在により、単一縦モ
ード発振が可能である。量子細線５あるいは量子箱６の
領域では、エネルギー準位が増大し、レーザ光は透過す
ることができる。また、ｐ−ｎ接合に逆バイアスを印加
することで量子細線５あるいは量子箱６の吸収係数と屈
折率とが変化し、レーザ光の強度および位相が変調され
る。
【００１７】このような構成によれば、量子細線５ある
いは量子箱６の構造に加工された部分に電圧を印加する
と、量子閉じ込めシュタルク効果は、薄膜の量子井戸に
比べて量子細線５では、約２倍，量子箱６では約３倍に
増大させることができた。これによって光変調器の駆動
電圧をそれぞれ１／２，１／３に低減でき、約１Ｖ以下
の駆動電圧が可能となった。
いは量子箱６の構造に加工された部分に電圧を印加する
と、量子閉じ込めシュタルク効果は、薄膜の量子井戸に
比べて量子細線５では、約２倍，量子箱６では約３倍に
増大させることができた。これによって光変調器の駆動
電圧をそれぞれ１／２，１／３に低減でき、約１Ｖ以下
の駆動電圧が可能となった。
【００１８】なお、前述した実施例では、量子細線５の
線幅あるいは量子箱６の縦横寸法を、１０ｎｍとした場
合について説明したが、この寸法は、１０ｎｍ以下で
も、量子効果が得られるが、製作が難しいという問題が
あり、また、１００ｎｍを超えると、製作し易いが、量
子効果が得られない。したがって量子効果が得られ、し
かも製作し易さの両者を満足させるためには１０ｎｍ以
上１００ｎｍ以下の範囲が望ましい。
線幅あるいは量子箱６の縦横寸法を、１０ｎｍとした場
合について説明したが、この寸法は、１０ｎｍ以下で
も、量子効果が得られるが、製作が難しいという問題が
あり、また、１００ｎｍを超えると、製作し易いが、量
子効果が得られない。したがって量子効果が得られ、し
かも製作し易さの両者を満足させるためには１０ｎｍ以
上１００ｎｍ以下の範囲が望ましい。
【００１９】また、前述した実施例においては、量子細
線５を光の進行方向に対して垂直方向に設けた場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、光の進行方向に対して同方向に設けた場合について
も前述と同様の効果が得られる。
線５を光の進行方向に対して垂直方向に設けた場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、光の進行方向に対して同方向に設けた場合について
も前述と同様の効果が得られる。
【００２０】また、前述した実施例において、半導体層
の構造は、他の結晶系、例えばＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ
系，ＧａＡｓＳｂ−ＧａＡｓＡｌＳｂ系またはＩｎＡｌ
ＧａＡｓ系などにも適用が可能であり、ｐ型とｎ型とを
逆にした構造および活性層の上のＩｎＧａＡｓＰ層上に
回折格子を形成した構造でも同様の効果が得られる。
の構造は、他の結晶系、例えばＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ
系，ＧａＡｓＳｂ−ＧａＡｓＡｌＳｂ系またはＩｎＡｌ
ＧａＡｓ系などにも適用が可能であり、ｐ型とｎ型とを
逆にした構造および活性層の上のＩｎＧａＡｓＰ層上に
回折格子を形成した構造でも同様の効果が得られる。
【００２１】また、前述した実施例においては、量子細
線，量子箱を一層の半導体で形成した場合について説明
したが、多重量子井戸構造、例えばＩｎＧａＡｓを５ｎ
ｍ，ＩｎＧａＡｓＰ（波長組成１．１μｍ）を１０ｎｍ
からなる４〜５周期の多重量子井戸構造によって形成し
た半導体層で量子細線または量子箱および活性層を構成
しても良い。
線，量子箱を一層の半導体で形成した場合について説明
したが、多重量子井戸構造、例えばＩｎＧａＡｓを５ｎ
ｍ，ＩｎＧａＡｓＰ（波長組成１．１μｍ）を１０ｎｍ
からなる４〜５周期の多重量子井戸構造によって形成し
た半導体層で量子細線または量子箱および活性層を構成
しても良い。
【００２２】
【発明の効果】以上、説明したように本発明による光半
導体装置は、第１の半導体層を部分的に半導体細線ある
いは箱構造に加工した領域により構成することにより、
エネルギーの異なる領域が横方向に結合した構造が新た
な結晶成長を要せずに作製できるとともに両者の結合が
ほとんど異常なく滑らかに形成できるので、その集積化
が極めて容易となる。また、第１の半導体層を部分的に
半導体細線あるいは箱構造に加工した領域により構成す
ることにより、量子閉じ込めシュタルク効果が増大し、
光変調器の駆動電圧を大幅に低減できるので、高速動作
が可能となるなどの極めて優れた効果が得られる。
導体装置は、第１の半導体層を部分的に半導体細線ある
いは箱構造に加工した領域により構成することにより、
エネルギーの異なる領域が横方向に結合した構造が新た
な結晶成長を要せずに作製できるとともに両者の結合が
ほとんど異常なく滑らかに形成できるので、その集積化
が極めて容易となる。また、第１の半導体層を部分的に
半導体細線あるいは箱構造に加工した領域により構成す
ることにより、量子閉じ込めシュタルク効果が増大し、
光変調器の駆動電圧を大幅に低減できるので、高速動作
が可能となるなどの極めて優れた効果が得られる。
【図１】本発明による光半導体装置の一実施例による構
成を製作工程順に説明するための初期の工程を示す斜視
図である。
成を製作工程順に説明するための初期の工程を示す斜視
図である。
【図２】図１に引き続く量子細線の構成を形成する工程
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図３】図１に引き続く量子箱の構成を形成する工程を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図４】図２または図３に引き続く製作工程により形成
された本発明による光半導体装置の構成を示す斜視図で
ある。
された本発明による光半導体装置の構成を示す斜視図で
ある。
【図５】従来の光半導体装置の構成を説明する斜視図で
ある。
ある。
【図６】（ａ）はバルク，量子井戸における状態密度と
エネルギーとの関係を示す図、（ｂ）は量子細線におけ
る状態密度とエネルギーとの関係を示す図、（ｃ）は量
子箱における状態密度とエネルギーとの関係を示す図で
ある。
エネルギーとの関係を示す図、（ｂ）は量子細線におけ
る状態密度とエネルギーとの関係を示す図、（ｃ）は量
子箱における状態密度とエネルギーとの関係を示す図で
ある。
１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２ 回折格子 ３ ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層 ４ ＩｎＧａＡｓ層 ５ 量子細線 ６ 量子箱 ７ ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層 ８ ＩｎＧａＡｓＰガイド層 ９ ｐ型ＩｎＰ層 １０ ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層 １１ 活性領域のｐ型電極 １２ 変調領域のｐ型電極 １３ 活性層よりもバンドギャップの大きい半導体層
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の半導体層が前記第１の半導体層よ
りも屈折率の小さい複数の第２の半導体層に挟持され、
前記第１の半導体層に沿って光が進行する方向に活性領
域を持つ半導体レーザ部分と、前記第１の半導体層が光
の進行する方向に対して垂直方向または水平方向に複数
の線幅が１００ｎｍ以下の半導体細線に加工された領域
からなる光変調器部分とが並列に配置され、かつ前記活
性領域上に設けられた第１の電極と前記半導体細線領域
上に設けられた第２の電極とが電気的に分離されている
ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 第１の半導体層が前記第１の半導体層よ
りも屈折率の小さい複数の第２の半導体層に挟持され、
前記第１の半導体層に沿って光が進行する方向に活性領
域を持つ半導体レーザ部分と、前記第１の半導体層が光
の進行する方向に対して複数の一辺が１００ｎｍ以下の
箱構造に加工された領域からなる光変調器部分とが並列
に配置され、かつ前記活性領域上に設けられた第１の電
極と前記半導体箱構造領域上に設けられた第２の電極と
が電気的に分離されていることを特徴とする光半導体装
置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２において、前記
第１の半導体層，半導体細線および箱構造を構成する半
導体層が多重量子井戸構造によって形成した半導体層よ
り構成されていることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１，請求項２または請求項３にお
いて、前記活性領域に回折格子を設けたことを特徴とす
る光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11856292A JPH05291700A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11856292A JPH05291700A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291700A true JPH05291700A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14739670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11856292A Pending JPH05291700A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291700A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6031859A (en) * | 1996-09-11 | 2000-02-29 | Nec Corporation | Mode-locked semiconductor laser |
-
1992
- 1992-04-13 JP JP11856292A patent/JPH05291700A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6031859A (en) * | 1996-09-11 | 2000-02-29 | Nec Corporation | Mode-locked semiconductor laser |
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