JPH0528826Y2 - - Google Patents

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JPH0528826Y2 JP1985160973U JP16097385U JPH0528826Y2 JP H0528826 Y2 JPH0528826 Y2 JP H0528826Y2 JP 1985160973 U JP1985160973 U JP 1985160973U JP 16097385 U JP16097385 U JP 16097385U JP H0528826 Y2 JPH0528826 Y2 JP H0528826Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 [考案の技術分野] 本考案は、複数の高周波信号を選択適に切換え
る高周波信号切換回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a high-frequency signal switching circuit that selectively and appropriately switches a plurality of high-frequency signals.

[従来技術とその欠点] 一般に、この種高周波信号切換回路の用途とし
ては、最近普及の著しいビデオ機器、例えばビデ
オ・テープ・レコーダ(VTR)、ビデオ・デイス
ク・プレーヤ(VDP)あるいはテレビ・ゲーム
等の高周波出力を、アンテナにより受信したテレ
ビジヨン信号と共に選択的に切換えて、一般のテ
レビジヨン受像機で画像を再生可能とする高周波
信号装置がある。
[Prior Art and Its Disadvantages] Generally, this type of high-frequency signal switching circuit is used in video equipment that has recently become popular, such as video tape recorders (VTRs), video disc players (VDPs), and television games. There is a high-frequency signal device that selectively switches the high-frequency output of a television signal along with a television signal received by an antenna, thereby making it possible to reproduce images on a general television receiver.

ところで、従来、この高周波信号切換技術とし
て知られているものとしては、(1)機械式接点スイ
ツチによる方法、(2)電磁式機械接点スイツチによ
る方法、(3)PINダイオード等の高周波ダイオード
をスイツチとして利用するダイオード・スイツチ
回路による方法等があり、それぞれ利用されてい
る。
By the way, conventionally known high-frequency signal switching technologies include (1) a method using a mechanical contact switch, (2) a method using an electromagnetic mechanical contact switch, and (3) a method using a high-frequency diode such as a PIN diode. There are methods using diode switch circuits, etc., which are used as diodes.

しかしながら、上記方法はいずれも下記のよう
な問題があつた。すなわち、(1)の方法の場合、高
周波信号の切換えの性能を維持しようとすると切
換接点機構が複雑となるので、耐久性や信頼性の
高いものが得にくい。
However, all of the above methods have the following problems. That is, in the case of method (1), the switching contact mechanism becomes complicated in order to maintain high frequency signal switching performance, making it difficult to obtain something with high durability and reliability.

(2)の方法の場合には高周波リレーを使つて信号
の切換えを行う方法であり、電気的特性や耐久性
に関しては優れているが、費用が高くつき価格的
に問題がある。
In the case of method (2), signals are switched using high-frequency relays, and although it has excellent electrical characteristics and durability, it is expensive and poses a problem in terms of price.

(3)の方法は、電気的性能や経済性、耐久性に優
れていることや電気信号により接点の切換えがで
きる等優れた特徴を有しているが、切換接点(ダ
イオード・スイツチ)の数の増加に伴つて、回路
の消費電流即ち消費電力が増加するという問題が
あつた。これを第3図及び第4図により説明す
る。
Method (3) has excellent features such as excellent electrical performance, economy, and durability, and the ability to switch contacts using electrical signals, but the number of switching contacts (diodes/switches) There has been a problem in that the current consumption, that is, the power consumption of the circuit increases as the number of circuits increases. This will be explained with reference to FIGS. 3 and 4.

第3図はダイオード・スイツチの基本回路を示
すものである。この回路においては、端子P2
正極性電圧を印加し、端子P1、端子P3を零電位
にすると、矢印Aで示す方向に電流が流れること
により、ダイオードD1は導通状態になり、端子
Q1に与えられた高周波信号はダイオードD1を通
つて端子Q2に送られる。
FIG. 3 shows the basic circuit of a diode switch. In this circuit, when a positive polarity voltage is applied to the terminal P 2 and the terminals P 1 and P 3 are brought to zero potential, a current flows in the direction shown by arrow A, and the diode D 1 becomes conductive. terminal
The high frequency signal applied to Q 1 is sent to terminal Q 2 through diode D 1 .

一方、ダイオードD2に対しては逆バイアスの
状態となるため、ダイオードD2は不導通となり、
端子Q1→接続点a→接続点b→端子Q2の高周波
信号の経路に対しては影響を及ぼさない。即ち、
スイツチがオンに相当する状態となる。次に、端
子P3に正極性電圧Vを印加し、P1,P2を零電位
に落とすと、電流は破線で示す矢印Bで示す方向
に流れ、ダイオードD2は導通状態となり、高周
波的にa点はバイパス用キヤパシタCPにより接
地電位に短絡される。一方、ダイオードD1は逆
バイアス状態となるので、a,b間は不導通状態
となり、端子Q1からQ2への高周波信号の伝達が
阻止される。すなわち、スイツチがオフに相当す
る状態となる。抵抗R1,R2はそれぞれダイオー
ドD1,D2を流れる電流を制限するもので、今、
その電流をIDとすると、その電流値は、ID=(V
−VF)/Rで与えられる。
On the other hand, diode D 2 is in a reverse bias state, so diode D 2 becomes non-conducting.
It does not affect the high frequency signal path of terminal Q 1 → connection point a → connection point b → terminal Q 2 . That is,
The switch is in a state equivalent to being turned on. Next, when a positive polarity voltage V is applied to the terminal P 3 and P 1 and P 2 are reduced to zero potential, the current flows in the direction shown by the broken arrow B, and the diode D 2 becomes conductive, and the high frequency Point a is short-circuited to ground potential by bypass capacitor C P. On the other hand, since the diode D1 is reverse biased, there is no conduction between a and b, and transmission of the high frequency signal from the terminal Q1 to Q2 is blocked. In other words, the switch is in a state equivalent to being turned off. Resistors R 1 and R 2 limit the current flowing through diodes D 1 and D 2 , respectively.
If that current is I D , the current value is I D = (V
−V F )/R.

ここで、VFはダイオードD1,D2の順方向の電
圧である。又、L1,L2はそれぞれ高周波信号阻
止用のインダクタ、C1,C2は直流電流阻止用の
キヤパシタ、CPは高周波電流バイパス用のキヤ
パシタである。
Here, V F is the forward voltage of the diodes D 1 and D 2 . Further, L 1 and L 2 are inductors for blocking high frequency signals, C 1 and C 2 are capacitors for blocking DC current, and CP is a capacitor for bypassing high frequency current.

ダイオードの導通時における高周波抵抗を考え
ると、これはダイオードの特性上、順方向電流が
大きい程小さくすることができる。すなわち、ダ
イオード・スイツチの通過損失を減らすことがで
きるので、ダイオードの許容損失や電源消費等の
許す限りできるだけ大きい順方向電流を流すこと
が望ましい。一般的には、この順方向電流は15〜
20mA程度に設定する。
Considering the high frequency resistance when the diode is conductive, this can be reduced as the forward current increases due to the characteristics of the diode. That is, since the passing loss of the diode switch can be reduced, it is desirable to flow as large a forward current as possible, as long as the allowable loss of the diode, power consumption, etc. allow. Generally, this forward current is 15~
Set to about 20mA.

以上説明したように、ダイオード・スイツチ回
路を動作させるためには、オン、オフに係わりな
く、常時15〜20mA程度の電流を流すことが必要
である。したがつて、このようなダイオード・ス
イツチ回路(N)を複数個接続して信号切換回路
を構成した場合、第4図に示すようにダイオー
ド・スイツチの回路数に比例して消費電流が多く
なる(全消費電流I=Id×N)ことがわかる。こ
こで、DS1,DS2…はそれぞれダイオード・ス
イツチ回路、Idはダイオード・スイツチ回路1個
当りの消費電流を示す。
As explained above, in order to operate the diode switch circuit, it is necessary to constantly flow a current of about 15 to 20 mA regardless of whether it is on or off. Therefore, when a signal switching circuit is constructed by connecting multiple such diode switch circuits (N), the current consumption increases in proportion to the number of diode switch circuits, as shown in Figure 4. It can be seen that (total current consumption I=Id×N). Here, DS1, DS2, . . . indicate diode switch circuits, and Id indicates current consumption per diode switch circuit.

[考案の目的] 本考案は上記実情に鑑みてなされたもので、そ
の目的は、消費電流を大幅に増加するとなく、ダ
イオード・スイツチを複数個組合わせて実現でき
る高周波信号切換回路を提供することにある。
[Purpose of the invention] The present invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to provide a high-frequency signal switching circuit that can be realized by combining multiple diode switches without significantly increasing current consumption. It is in.

[考案の要点] 本考案は、複数の高周波信号を選択的に切換え
るため、複数のダイオード・スイツチ回路をその
各出力を共通に接続して、選択された1信号のみ
が選択的に出力されるよう構成した高周波信号切
換回路に於いて、前記各ダイオード・スイツチ回
路を流れるスイツチング・ダイオードの順方向電
流の電流路が、各ダイオード・スイツチ回路間に
対し、常に直列的に接続されるよう構成したもの
である。
[Key Points of the Invention] In order to selectively switch multiple high-frequency signals, the present invention connects multiple diode switch circuits with their respective outputs in common, so that only one selected signal is selectively output. In the high frequency signal switching circuit configured as above, the current path of the forward current of the switching diode flowing through each diode switch circuit is always connected in series between each diode switch circuit. It is something.

[考案の実施例] 以下、図面を参照して本考案の一実施例を説明
する。第1図に示す高周波信号切換回路は、4つ
の入力端子IN1,IN2,IN3,IN4から入力した高
周波信号をダイオード・スイツチ回路により選択
的に切換えるよう構成したものである。すなわ
ち、各入力端子IN1,IN2,IN3,IN4にはそれぞ
れダイオード・スイツチ回路111,112,11
,114が接続されている。前記ダイオード・ス
イツチ回路111,112,113,114は、並列
ダイオード・スイツチD1,D2,D3,D4と、直列
ダイオード・スイツチD5,D6,D7,D8と、電流
切換スイツチS1,S2,S3,S4により構成される。
直列ダイオード・スイツチD5,D6,D7,D8は、
信号入力端子IN1,IN2,IN3,IN4と信号出力端
子OUTとの間に直列に設けられ、電流の供給に
より選択されて高周波信号を通過させる。並列ダ
イオード・スイツチD1,D2,D3,D4は、信号入
力端子IN1,IN2,IN3,IN4に並列に設けられ、
電流の供給により高周波信号を短絡して非選択信
号が信号出力端子OUTに出力されないようにす
る。電流切換スイツチS1,S2,S3,S4は、少なく
とも2回路以上の連動する接点回路を有するスイ
ツチ、例えば2回路2接点のスイツチで、スイツ
チS1の接点a1,a2はb側に設定されている。他の
スイツチS2,S3,S4の接点a1,a2はc側に設定さ
れている。これらスイツチS1,S2,S3,S4は例え
ば押圧操作により接点が切替わる連動式押釦スイ
ツチであり、いずれか一つのスイツチのみロツク
可能なダブルロツク禁止型のものである。なお、
L1〜L8は高周波電流阻止用のインダクタ、C1
C8は直流電流阻止用のキヤパシタ、C9〜C13は高
周波電流バイパス用キヤパシタである。
[Embodiment of the invention] An embodiment of the invention will be described below with reference to the drawings. The high frequency signal switching circuit shown in FIG. 1 is configured to selectively switch high frequency signals inputted from four input terminals IN 1 , IN 2 , IN 3 and IN 4 using a diode switch circuit. That is, each input terminal IN 1 , IN 2 , IN 3 , IN 4 is connected to a diode switch circuit 11 1 , 11 2 , 11 , respectively.
3 , 11 4 are connected. The diode switch circuits 11 1 , 11 2 , 11 3 , 11 4 include parallel diode switches D 1 , D 2 , D 3 , D 4 and series diode switches D 5 , D 6 , D 7 , D 8 . and current changeover switches S 1 , S 2 , S 3 , and S 4 .
The series diode switches D 5 , D 6 , D 7 , D 8 are
They are provided in series between the signal input terminals IN 1 , IN 2 , IN 3 , IN 4 and the signal output terminal OUT, and are selected by supplying current to pass high-frequency signals. Parallel diode switches D 1 , D 2 , D 3 , D 4 are provided in parallel with signal input terminals IN 1 , IN 2 , IN 3 , IN 4 ,
By supplying current, the high frequency signal is short-circuited to prevent the non-selected signal from being output to the signal output terminal OUT. The current changeover switches S 1 , S 2 , S 3 , and S 4 are switches having at least two or more interlocking contact circuits, for example, switches with two circuits and two contacts, and the contacts a 1 and a 2 of the switch S 1 are b It is set on the side. Contacts a 1 and a 2 of the other switches S 2 , S 3 , and S 4 are set on the c side. These switches S 1 , S 2 , S 3 , and S 4 are, for example, interlocking push button switches whose contacts are switched by pressing, and are of the double lock prohibition type in which only one switch can be locked. In addition,
L 1 ~ L 8 are inductors for high frequency current blocking, C 1 ~
C 8 is a capacitor for blocking direct current, and C 9 to C 13 are capacitors for bypassing high frequency current.

このような構成において、入力端子IN1からの
入力を選択し、出力する場合の動作について第1
図により説明する。スイツチS1,S2,S3,S4の各
接点が上記のように位置している場合には、電流
は同図に矢印Aで示すような経路で流れる。すな
わち、電源Eから、ダイオードD4→インダクタ
L4→D3→L3→D2→L2→L5→D5→L1から抵抗器R
の経路で流れる。これにより、ダイオードD5
導通状態となると共に、ダイオードD1は不導通
状態となり、その結果このダイオード・スイツチ
回路111はオン状態となる。残りのダイオー
ド・スイツチ回路112,113,114はダイオ
ードD2,D3,D4が導通、ダイオードD6,D7,D8
が逆バイアス状態となり不導通状態となるので、
全てオフ状態となる。
In such a configuration, the first section describes the operation when selecting and outputting the input from input terminal IN 1 .
This will be explained using figures. When the contacts of switches S 1 , S 2 , S 3 , and S 4 are positioned as described above, current flows along the path shown by arrow A in the figure. That is, from power supply E, diode D 4 → inductor
L 4 →D 3 →L 3 →D 2 →L 2 →L 5 →D 5 →L 1 to resistor R
flows along the route of As a result, diode D5 becomes conductive and diode D1 becomes non-conductive, resulting in the diode switch circuit 111 being turned on. In the remaining diode switch circuits 11 2 , 11 3 , 11 4 , diodes D 2 , D 3 , D 4 are conductive, and diodes D 6 , D 7 , D 8 are conductive.
becomes a reverse bias state and becomes non-conducting, so
All are turned off.

前記ダイオードを流れる電流は最終的に抵抗器
Rに供給され、熱として消費される。前述したよ
うに、ダイオードには15〜20mAの電流を流す必
要があるので、本実施例においては15mAの電流
を流すこととして、第2図に従来の方法と本考案
の方法の場合についてその消費電力を比較する。
同図はそれをダイオード・スイツチ回路の数に対
して比較したものである。
The current flowing through the diode is ultimately supplied to the resistor R and is dissipated as heat. As mentioned above, it is necessary to pass a current of 15 to 20 mA through the diode, so in this example, a current of 15 mA is passed, and Figure 2 shows the consumption for the conventional method and the method of the present invention. Compare power.
The figure compares it with the number of diode switch circuits.

同図において、電流が通過するダイオードの本
数は4本であるので、抵抗器Rの点における電圧
降下は4×(ダイオードの順方向電圧)である。
例えば、ダイオードの順方向電圧を0.7Vとする
と、電圧降下の値は2.8Vということになる。電
源電圧Eは、逆バイアスにおけるダイオードの接
合容量を小さくするため、10V以上が要求され
る。本実施例の場合、電源電圧を15Vとする。こ
の場合のダイオード・スイツチ回路の全消費電力
は15mA×15V=0.225Wである。そのうち、抵抗
器Rで消費される電力は、(15V−2.8V)×15mA
=0.183Wで、残り0.02WがダイオードD2,D3
D4を導通状態にするための消費電力となる。
In the figure, since the number of diodes through which current passes is four, the voltage drop at the point of resistor R is 4×(forward voltage of the diode).
For example, if the forward voltage of the diode is 0.7V, the voltage drop will be 2.8V. The power supply voltage E is required to be 10V or more in order to reduce the junction capacitance of the diode in reverse bias. In the case of this embodiment, the power supply voltage is 15V. The total power consumption of the diode switch circuit in this case is 15mA x 15V = 0.225W. Among them, the power consumed by resistor R is (15V - 2.8V) x 15mA
= 0.183W, the remaining 0.02W is the diodes D 2 , D 3 ,
This is the power consumption to make D4 conductive.

一方、従来の方法の場合の消費電力は、1つの
ダイオード・スイツチ回路で消費する消費電力が
15mA×15V=0.225Wであるので、4つのダイオ
ード・スイツチ回路の場合、0.9Wの電力を消費
することになる。
On the other hand, in the case of the conventional method, the power consumed by one diode switch circuit is
Since 15mA x 15V = 0.225W, a four diode switch circuit will consume 0.9W of power.

すなわち、従来の方法の場合、ダイオード・ス
イツチ回路の数がNの場合、その消費電力は1つ
の消費電力のN倍となる。それに対し、本考案の
場合、ほぼ1つのダイオード・スイツチ回路の消
費電力で済む。
That is, in the case of the conventional method, when the number of diode switch circuits is N, the power consumption thereof is N times the power consumption of one. In contrast, in the case of the present invention, the power consumption of approximately one diode switch circuit is sufficient.

厳密には、ダイオードを順方向に流れる電流に
よる電圧降下があるので、従来の方法と条件を等
しくすると、N×(ダイオードの順方向電圧)×
(ダイオードの順方向電流)分だけ、1つのダイ
オード・スイツチ回路の消費電力が余分に必要に
なる。本実施例の場合は、4×0.7V×15mA=
0.042Wの電力が余分に必要になる。したがつて、
先に計算した0.225Wとこの0.042Wを加えた
0.267Wが本実施例の場合の全消費電力となる。
Strictly speaking, there is a voltage drop due to the current flowing through the diode in the forward direction, so if the conditions are the same as in the conventional method, N x (forward voltage of the diode) x
(forward current of the diode), one diode switch circuit requires additional power consumption. In the case of this example, 4×0.7V×15mA=
An extra 0.042W of power is required. Therefore,
Added this 0.042W to the previously calculated 0.225W
The total power consumption in this example is 0.267W.

[考案の効果] 以上のように本考案のダイオード・スイツチ回
路による高周波信号切換回路は、その信号切換数
Nの増加に対して、その消費電力の増加が従来の
方法に比べて極めて少なくて済み、消費電力を大
幅に低減できる。したがつて、常時、通電する信
号選択回路を含む装置や、電源容量を小さくして
装置を小形化するために採用すると極めて効果が
大である。
[Effects of the invention] As described above, the high-frequency signal switching circuit using the diode switch circuit of the invention has an extremely small increase in power consumption when the number of signal switches N increases compared to conventional methods. , power consumption can be significantly reduced. Therefore, it is extremely effective to employ it for devices including a signal selection circuit that is constantly energized, or for downsizing the device by reducing the power supply capacity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案の一実施例に係る高周波信号切
換回路の構成図、第2図は本考案と従来の方法の
消費電力を比較して示す図、第3図は従来のダイ
オード・スイツチ回路の基本回路図、第4図は従
来の回路の電流消費状態を説明するための図であ
る。 111,112,113,114……ダイオード・
スイツチ回路、IN1,IN2,IN3,IN4……入力端
子、L1〜L8……高周波電流阻止用のインダクタ、
C1〜C8……直流電流阻止用のキヤパシタ、C9
C13……高周波電流バイパス用キヤパシタ、E…
…電源。
Figure 1 is a block diagram of a high frequency signal switching circuit according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a diagram comparing the power consumption of the present invention and the conventional method, and Figure 3 is a conventional diode switch circuit. FIG. 4 is a diagram for explaining the current consumption state of the conventional circuit. 11 1 , 11 2 , 11 3 , 11 4 ...Diode
Switch circuit, IN 1 , IN 2 , IN 3 , IN 4 ... Input terminal, L 1 to L 8 ... Inductor for high frequency current blocking,
C 1 ~ C 8 ... Capacitor for DC current blocking, C 9 ~
C 13 ... Capacitor for high frequency current bypass, E...
…power supply.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 複数の高周波信号を選択的に切換えるため、複
数のダイオード・スイツチ回路をその各出力を共
通に接続して、選択された1信号のみが選択的に
出力されるように構成した高周波信号切換回路に
於いて、 前記ダイオード・スイツチ回路は、信号入力端
子と信号出力端子との間に直列に設けられ、電流
の供給により選択されて高周波信号を通過させる
直列ダイオード・スイツチ、前記信号入力端子に
並列に設けられ、電流の供給により高周波信号を
短絡して非選択信号が出力されないようにする並
列ダイオード・スイツチ、前記直列ダイオード・
スイツチ及び並列ダイオード・スイツチに供給す
る電流を切換えるための少なくとも2回路以上の
連動する接点回路を備えた電流切換スイツチ、か
らなり、 前記各ダイオード・スイツチ回路における電流
切換スイツチの一つの接点回路は、非選択の前記
ダイオード・スイツチ回路の並列ダイオード・ス
イツチ間を順方向、直列的に電流が流れるように
接続し、電流切換スイツチの他の接点回路は信号
選択時に前記直列ダイオード・スイツチに前記電
流が流れるように接続し、 前記ダイオード・スイツチ回路における直列ダ
イオード・スイツチあるいは並列ダイオード・ス
イツチの順方向電流の電流路が、各ダイオード・
スイツチ回路間に対して常に直列に接続されるこ
とを特徴とする高周波信号切換回路。
[Claims for Utility Model Registration] In order to selectively switch multiple high frequency signals, multiple diode switch circuits are connected to each other in common so that only one selected signal is selectively output. In the high-frequency signal switching circuit configured as above, the diode switch circuit is a series diode switch that is connected in series between a signal input terminal and a signal output terminal, and is selected by current supply to pass the high-frequency signal. , a parallel diode switch that is provided in parallel with the signal input terminal and short-circuits the high frequency signal by supplying current to prevent non-selected signals from being output;
A current changeover switch equipped with at least two or more interlocking contact circuits for switching the current supplied to the switch and the parallel diode switch, and one contact circuit of the current changeover switch in each of the diode switch circuits is: The parallel diode switches of the unselected diode switch circuit are connected so that current flows in the forward direction and in series, and the other contact circuit of the current selector switch connects the parallel diode switches of the unselected diode switch circuit so that the current flows through the series diode switch when a signal is selected. The current path of the forward current of the series diode switch or the parallel diode switch in the diode switch circuit is connected so that each diode
A high-frequency signal switching circuit characterized in that it is always connected in series between switch circuits.
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