JPH0528654A - 再生パルス補償回路およびpll回路 - Google Patents

再生パルス補償回路およびpll回路

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JPH0528654A
JPH0528654A JP18610191A JP18610191A JPH0528654A JP H0528654 A JPH0528654 A JP H0528654A JP 18610191 A JP18610191 A JP 18610191A JP 18610191 A JP18610191 A JP 18610191A JP H0528654 A JPH0528654 A JP H0528654A
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JP
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pulse
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JP18610191A
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Inventor
Reijirou Tsuchiya
鈴二朗 土屋
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は磁気ディスク装置等の磁気記録装置に
関し、特に再生信号の弁別において時間基準となる再生
クロックの位相ゆらぎを低減する回路並びにPLL(Phase
Locked Loop) 回路を提供することにある。 【構成】再生符号(21)が、予めメモリ(23)に記
憶された位相変動の大きな符号パタンと等しいか否か
を、コンパレータ(24)で評価し、この結果に応じて
遅延回路(25)で数種の位相に調整された再生パルス
(11)の1つをゲート回路(26)で選択的に通過さ
せて補正パルスを得ることにより達成される。 【効果】補正パルスは再生パルスに伴う予想可能な位相
変動を低減したパルスとなり、この補正パルスをPLL
回路に入力することにより、位相ゆらぎの小さな再生ク
ロックを得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク,磁気テー
プ等のディジタル磁気記録装置に係り、特に再生信号の
弁別において時間基準となる再生クロックの位相ゆらぎ
低減のために用いられる回路並びにPLL(Phase Locke
dLoop)回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図1は、従来の磁気ディスク装置の信号
処理系における情報チャネルの一構成例を示している。
まず、記録情報は符号器1により磁気記録に適したNR
Z−I符号などに変換される。その後、記録補償回路2
を経てライトアンプ3により記録電流波形に変換され
る。記録電流は記録ヘッド4によって記録磁界に変換さ
れ、ディスク5上に形成された記録媒体に磁化反転の有
無を形成し、それぞれ記録符号1,0に対応して情報を
記録する。また、再生過程では、記録媒体上の磁化反転
部から漏れる磁束を磁気ヘッド4で検出し、電気信号に
変換する。誘導型の磁気ヘッドでは記録符号の1に対応
してピークが現われる。この再生信号は、アンプ6,A
GCアンプ7,波形等化器8,微分回路9を経てパルス
化回路10により再生信号のピーク対応した再生パルス
11に変換される。さらに、再生パルス11はPLL回
路12の出力である再生クロック13と比較して、弁別
回路14により1,0の再生符号に変換された後、復号
器15により記録情報に戻される。なお、記録補償回路
2,波形等化器8は再生トラックの半径位置情報を入力
して処理条件を変えているが、図1では省略している。
【0003】この記録再生チャネルの再生パルス11
は、ディスク5の回転変動に起因する位相変動,隣接磁
化反転の干渉に起因する位相変動と、再生信号に含まれ
るノイズに起因する位相変動などを受けている。したが
って、正しい再生情報を得るためには、上記の位相変動
を出来るだけ小さくすることが重要となる。そこで、P
LL回路12は、上記位相変動の中でディスクの回転変
動等に起因する比較的ゆっくりとした変動を補償する目
的で適用されており、ゆっくりとした位相変動を伴う再
生信号に同期した再生クロック13を出力するように構
成されている。弁別回路14は、再生クロック13を時
間基準として再生パルス11の位相を相対評価すること
により、ゆっくりとした位相変動の影響を排除して再生
信号の弁別を行うことが出来る。
【0004】次に、従来用いられているPLL回路の概
略(「PLL応用回路:柳沢健編,総合電子出版社(昭
和52年)」参照)を、図2により説明する。PLL回
路12の入力信号は、記録媒体に記録された磁化反転に
対応する再生パルス11である。位相比較器16で再生
クロック13と再生パルス11の位相差を検出し、位相
差信号17を発生する。制御電圧発生器18は、位相差
信号17を増幅し、適切なローパスフィルタにより高周
波成分を除くことにより作られた周波数制御信号19を
出力する。電圧制御発振器20は周波数制御信号19に
より補正された再生クロック13を出力する。この帰還
構成により、入力である再生パルス11に位相の同期し
た再生クロック13が得られる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、PLL
回路12は再生パルス11のある程度ゆっくりした位相
変動に追従した再生クロック13を出力することにな
る。再生パルス11の位相変動は既に述べたように、第
1にディスクの回転変動等に起因するゆっくりとした位
相変動,第2に隣接磁化反転の干渉に起因する位相変
動,第3に再生信号に含まれる媒体ノイズや回路ノイズ
に起因する不規則な位相変動がある。したがって、これ
ら3つの位相変動のなかで、第1の変動に追従するよう
にPLL回路12は調整される。これに対して、第2,
第3の比較的早い変動には追従しないように調整され
る。しかし、第2,第3の早い位相変動が入力される
と、これに起因して再生クロック13に不規則な位相ゆ
らぎが発生する。ところが、再生クロック13は弁別回
路14の時間基準となるため、再生クロック13の位相
ゆらぎにより弁別誤りが起こりやすくなり、装置の動作
マージンが低下することがある。したがって、位相ゆら
ぎを極力小さくすることが望ましい。
【0006】再生クロック13の位相ゆらぎの大きさ
は、PLL回路12の入力である再生パルス11の位相
変動の早さや大きさとPLL回路12の帰還回路特性で
決まってしまう。したがって従来は、再生クロック13
の位相ゆらぎを低下するために信号処理による再生信号
のS/N向上や、PLL回路の帰還特性の最適化が行わ
れている。しかし、近年のディジタル磁気記録装置の高
記録密度化による再生信号のSN比と分解能の低下のた
めに、第2,第3の要因による再生パルス11の位相変
動が相対的に増大し、この結果、再生クロック13の位
相ゆらぎは増加傾向にあり、従来の対策では装置の動作
マージンを確保するのに十分で無くなってきている。
【0007】本発明は再生クロックの位相ゆらぎをさら
に低減することを目的に、PLL回路に入力される再生
パルスの位相変動を予め小さくする再生パルス補償回路
を提供し、また、位相ゆらぎの小さな再生クロックを出
力するPLL回路を提供し、さらに、これらを用いた信
頼性の高い磁気ディスク装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ため、本発明の再生パルス補償回路では上記の第2の位
相変動要因である隣接磁化反転の干渉に起因する位相変
動を予め推定し、再生パルスに含まれるこの変動量を補
償したパルス信号を出力する。さらに、この再生パルス
補償回路の出力を、従来のPLL回路の入力信号とす
る。
【0009】本発明の再生パルス補償回路は、図3に示
すように、弁別回路出力の再生符号21と再生クロック
13を入力とするシフトレジスタ22と、数種のパタン
を記憶するメモリ23と、シフトレジスタ22内のデー
タとメモリ23内のパタンを比較するコンパレータ24
と、再生パルス11を入力して位相の異なる数種のパル
スを出力する遅延回路25あるいは遅延素子25と、遅
延回路25あるいは遅延素子25の出力とコンパレータ
23の出力と再生クロック13を入力としていずれかの
パルスを通過させるゲート回路26からなる。また、磁
気ディスク装置に適用する場合には再生トラック位置に
より補償すべき位相量が異なるため、遅延回路25は再
生トラック位置により制御可能であることが望ましい。
【0010】
【作用】再生クロックの位相ゆらぎの主な要因である上
記第2,第3の位相変動のうち、第3の位相変動は、主
にランダムノイズに由来しているために、変動量は再生
パルス毎にランダムである。これに対して、上記第2の
要因による位相変動は、隣接磁化反転の干渉に由来して
いるために、記録符号のパタンが解かればあらかじめ推
定することができる。弁別回路出力の再生符号21の弁
別誤り率は非常に小さなものであるから、この再生符号
により記録符号のパタンを代用できる。すなわち、再生
符号21をシフトレジスタ22により再生クロック13
に同期させて順次送り、シフトレジスタ22内の符号パ
タンとメモリ23に記憶させた符号パタンをコンパレー
タ24で比較する。メモリ23内には、隣接磁化反転の
干渉などに由来して位相変動が起こりやすく、かつ、変
動量が推定できる符号パタンを記憶しておく。これによ
り、再生符号21が位相変動しやすい符号パタンと一致
した場合に、コンパレータ24からゲート回路26へ制
御信号を送る。ここでは、符号が一致した場合に制御信
号がハイレベル,それ以外の場合にローレベルであると
する。
【0011】一方、遅延回路25は弁別回路等による制
御信号の遅れやゲート回路の遅れを相殺するように遅延
された標準再生パルスを出力すると共に、メモリ23の
数種の符号パタンに対応した位相補償量だけ相対的に位
相のずれた数種の再生パルスを出力するように構成され
ている。ゲート回路26に入力される制御信号は全てロ
ーレベルであるか、或いは1つの制御信号だけがハイレ
ベルになっている。制御信号が全てローレベルの場合に
は、再生クロック13の次の一周期の期間、標準再生パ
ルスを通過させ、ハイレベルになっている制御信号があ
る場合にはそれに対応した再生パルスを通過させる。以
上の結果、再生パルス11に含まれる前記第2の要因に
よる位相変動を低減したパルス信号を、再生パルス補償
回路の出力27として得ることができる。
【0012】そして、上記の再生パルス補償回路の出力
27をPLL回路の入力信号とすることにより、位相ゆ
らぎの小さな再生クロックを得ることが出来る。
【0013】
【実施例】本発明の再生パルス補償回路の実施例を図4
により説明する。再生パルス補償回路の入力の再生パル
ス11は、第1の遅延素子28を通過し第1の論理素子
31及び第2の遅延素子29に入力される。第2の遅延
素子29を通過した再生パルスは第2の論理素子32及
び第3の遅延素子30に入力される。第3の遅延素子3
0を通過した再生パルスは第3の論理素子33に入力さ
れる。再生符号21はシフトレジスタ22に入力され、
同じくシフトレジスタ22に入力される再生クロック1
3に同期して順次シフトレジスタ22の出力端子Q0,
Q1,Q2,…,Q8へとシフトされる。シフトレジス
タ22の出力端子に接続された論理回路35,36,3
7の出力は、同期をとるためのフリップフロップ38,
39,40を介して前記の第1,第2,第3の論理素子
31,32,33に入力される。前記論理素子の出力は
最終段の論理素子34に入力され、補正パルス27を出
力する。
【0014】本実施例では、(1−7)符号を採用した
磁気ディスク装置に適用した場合を例にとっており、隣
接磁化反転の干渉に起因して位相変動の起こりやすい符
号パタンである2ビットパタン(0010100)の前
側の1に対応する再生パルスを遅らせ(遅らせる時間=
τ3)、後側の1に対応する再生パルスを早める(早め
る時間=τ2)ように構成されている。これは、図5に
実測例を示すように隣接磁化反転間の干渉に起因する位
相変動量が2ビットパタン部で大きくなり、前側の1が
進み、後側の1が遅れるためである。それゆえ、図5の
系に対して2ビットパタン部に着目して前側の1を遅ら
せ、後側の1を進ませることは、再生パルスの位相変動
減少に効果的である。また、図3におけるゲート回路
は、論理素子31,32,33,34,37,38,3
9,40を用いて構成されている。さらに、図3におけ
るコンパレータ,メモリ部分は、論理回路35,36を
用いて構成されている。
【0015】本実施例において、2ビットパタン(00
10100)の前側の1がシフトレジスタ22の出力端
子Q4にシフトしたときに、Q6=0,Q4=1,Q2
=1,Q0=0となるため素子35の出力がハイレベル
になる。また、後側の1がシフトレジスタ22の出力端
子Q4にシフトしたときに、Q8=0,Q6=1,Q4
=1,Q2=0となるため素子36の出力がハイレベル
になる。素子35と素子36の出力が同時にローレベル
のときに素子37の出力はハイレベルになる。したがっ
て、2ビットパタン(0010100)の前側の1がシ
フトレジスタ22の出力端子Q4にシフトしたときに、
論理素子31,32,33,34で構成される論理回路
により第3の遅延素子30の出力が出力端子27へ出力
される。同様に、2ビットパタン(0010100)の
後側の1がシフトレジスタ22の出力端子Q4にシフト
したときに、第1の遅延素子28の出力が出力端子27
へ出力され、上記以外のときに第2の遅延素子29の出
力が出力端子27へ出力されることになる。一方、目的
とする再生パルスを通過させるように第1の遅延素子2
8の遅延時間τ1が決められており、第1,第2の遅延
素子による遅れ(τ1+τ2)が、弁別回路や再生パル
ス補償回路内部の遅れを相殺している。以上の動作によ
り、再生パルス11に対して出力27では、2ビットパ
タン(0010100)の前側の1に対応する再生パル
スを時間τ3だけ遅らせ、後側の1に対応する再生パル
スを時間τ2だけ進めた信号を得ることができる。図6
に、τ2=τ3=1nsとしたときに再生パルス補償回
路出力で実測された隣接磁化反転間の干渉に起因する位
相変動量を示した。図5と比較してパルスの位相変動量
が十分低減されている。
【0016】なお、本発明の再生パルス補償回路を磁気
ディスク装置に適用する場合、再生トラックの半径位置
による分解能の違いに応じて補償量が変化することがあ
るため、シリンダを任意の領域に分けて各々の領域に応
じた補償量が得られるようにする必要がある。このため
には、遅延時間の異なるタップ出力を持つ遅延素子と論
理回路の組合せにより可変遅延回路を構成して遅延素子
部に使用する。或いは、プログラマブル遅延素子を遅延
素子部に用いることが望ましい。
【0017】次に本発明の再生パルス補償回路を入力段
にもつPLL回路に関する実施例を図7を用いて説明す
る。本発明のPLL回路入力である再生パルス11及び
再生符号21は、再生パルス補償回路41に入力され
る。再生パルス補償回路41は、再生パルス11,再生
符号21及び再生クロック13を入力して補正パルス2
7を出力する。位相比較器16で再生クロック13と補
正パルス27の位相差を検出し、位相差信号17を発生
する。制御電圧発生器18は、周波数制御信号19を出
力する。電圧制御発振器20は周波数制御信号19によ
り補正された再生クロック13を出力する。なお、磁気
ディスク装置に適用する場合には上記同様、再生トラッ
ク位置により補償すべき位相が異なるため、補償量可変
な再生パルス補償回路を入力段に使用し、半径位置情報
を入力する。
【0018】本発明のPLL回路の効果を、再生クロッ
クの位相ゆらぎで評価した。再生パルス補償回路には図
4の回路を用いた。効果は記録符号のパタンに大きく依
存するが、符号パタンが2ビットパタンの繰返しである
場合に最大の効果が得られ、再生クロックの位相ゆらぎ
幅を、従来のPLL回路(入力段に再生パルス補償回路
を持たない回路)と比較して約30%減少できた。
【0019】最後に、本発明の再生パルス補償回路及び
本発明のPLL回路を磁気ディスク信号処理系に適用し
た時の構成例を、それぞれ図8,図9に示す。図8で
は、本発明の再生パルス補償回路41がPLL回路12
の前段に挿入され、PLL回路12の出力である再生ク
ロック13と弁別回路14の出力である再生符号21が
再生パルス補償回路41に入力される。図9では、本発
明のPLL回路42が従来のPLL回路12の代わりに
用いられるが、弁別回路14の出力である再生符号21
がPLL回路42に入力される。図8及び図9に構成を
示した磁気ディスク信号処理系では、従来の磁気ディス
ク信号処理系(図1)に比べて、再生クロックの位相ゆ
らぎを低減できるため動作信頼性を向上できる。
【0020】
【発明の効果】本発明の再生パルス補償回路によれば、
再生パルスに含まれる隣接磁化反転の干渉のため発生す
る位相変動を低減できる。また、本発明のPLL回路に
よれば、再生パルスに含まれる隣接磁化反転の干渉のた
め発生する位相変動に起因した位相ゆらぎを低減した再
生クロックを得ることができる。さらに、本発明の再生
パルス補償回路及び本発明のPLL回路を適用した磁気
ディスク信号処理系によれば、再生クロックの位相ゆら
ぎを低減できるため、磁気ディスク装置の動作信頼性を
向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般的な磁気ディスク信号処理系の構成ブロッ
ク図である。
【図2】一般的なPLL回路の構成ブロック図である。
【図3】本発明の再生パルス補償回路の構成ブロック図
である。
【図4】本発明の再生パルス補償回路の実施例を示すブ
ロック図である。
【図5】隣接磁化反転の干渉による再生パルスの位相変
動量を示すグラフ図である。
【図6】再生パルス補償回路出力での干渉による位相変
動量を示すグラフ図である。
【図7】本発明のPLL回路の構成ブロック図である。
【図8】本発明の再生パルス補償回路を用いた磁気ディ
スク信号処理系の構成ブロック図である。
【図9】本発明のPLL回路を用いた磁気ディスク信号
処理系の構成図ブロックである。
【符号の説明】
10…パルス化回路、11…再生パルス、12…PLL
回路、13…再生クロック、14…弁別回路、16…位
相比較器、18…制御電圧発生器、20…電圧制御発振
器、21…再生符号、22…シフトレジスタ、23…メ
モリ、24…コンパレータ、25…遅延回路、26…ゲ
ート回路、27…補正パルス、41…再生パルス補償回
路、42…本発明のPLL回路。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】磁気記録装置の再生パルスと再生クロック
    と再生符号を入力とし、前記再生パルスを遅延する遅延
    回路あるいは遅延素子と、前記再生符号を前記再生クロ
    ックに同期してシフトするシフトレジスタと、数種の符
    号パタンを記憶する手段と、該符号パタンと前記シフト
    レジスタ内の符号パタンとを比較する手段と、該手段の
    出力信号と前記遅延回路あるいは前記遅延素子の出力と
    前記再生クロックを入力とするゲート回路からなり、前
    記再生パルスのうち前記符号パタンに対応したパルスの
    位相を補正して出力することを特徴とする再生パルス補
    償回路。
  2. 【請求項2】前記符号パタンは、少なくとも2ビットパ
    タン(1−7符号では0010100 )を含む請求項1に記載
    の再生パルス補償回路。
  3. 【請求項3】磁気ディスク装置の再生トラックの半径位
    置情報を入力とし、前記再生パルスを遅延する前記遅延
    回路あるいは前記遅延素子が前記半径位置情報により遅
    延時間を制御することを特徴とする請求項1あるいは請
    求項2に記載の再生パルス補償回路。
  4. 【請求項4】磁気記録装置の再生パルスと再生符号を入
    力とし、前記再生パルスと前記再生符号と再生クロック
    を入力して補正パルスを出力する請求項1〜3のうちい
    ずれかに記載の再生パルス補償回路と、前記補正パルス
    と前記再生クロックを入力して位相を比較する手段と、
    前記位相比較手段の出力から制御電圧を発生する手段
    と、該制御電圧発生手段の出力を入力して再生クロック
    を出力する電圧制御発振器からなることを特徴とするP
    LL回路。
  5. 【請求項5】請求項1〜3のうちいずれかに記載の再生
    パルス補償回路を用いて、前記補正パルスをPLL回路
    の入力とすることを特徴とする磁気ディスク装置。
  6. 【請求項6】請求項4に記載のPLL回路を用いること
    を特徴とする磁気ディスク装置。
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