JPH05281254A - Semiconductor acceleration sensor - Google Patents
Semiconductor acceleration sensorInfo
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- JPH05281254A JPH05281254A JP10547292A JP10547292A JPH05281254A JP H05281254 A JPH05281254 A JP H05281254A JP 10547292 A JP10547292 A JP 10547292A JP 10547292 A JP10547292 A JP 10547292A JP H05281254 A JPH05281254 A JP H05281254A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、感歪ゲージ抵抗を用い
た半導体加速度センサに係り、特に感歪ゲージ抵抗ブリ
ッジと共に出力増幅回路を一体に半導体基板に集積した
集積型の加速度センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor acceleration sensor using a strain sensitive gauge resistor, and more particularly to an integrated acceleration sensor in which an output amplifier circuit is integrally integrated with a strain sensitive gauge resistor bridge on a semiconductor substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】シリコンのカンチレバーやダイヤフラム
に感歪ゲージ抵抗を形成し、これをブリッジに組んで構
成される半導体加速度センサが知られている。この種の
半導体加速度センサにおいて、広い温度範囲で高精度が
要求される場合、感度と零点の温度補償が必要である。
具体的な温度補償の方法には種々あるが、簡単には抵抗
器を外付けする方法がある。2. Description of the Related Art A semiconductor acceleration sensor is known in which a strain sensitive gauge resistor is formed on a silicon cantilever or a diaphragm and is assembled into a bridge. In this type of semiconductor acceleration sensor, if high accuracy is required in a wide temperature range, sensitivity and temperature compensation of the zero point are required.
Although there are various specific temperature compensation methods, there is a method of attaching a resistor externally.
【0003】図5は、外付け抵抗により温度補償を行っ
た感歪抵抗ブリッジの回路構成例を示している。Ra ,
Rb ,Rc ,Rd が一枚のシリコン基板に形成された感
歪ゲージ抵抗であり、これが組み合わされてブリッジを
構成している。一つの感歪ゲージ抵抗Ra の並列に外付
け抵抗Rp が接続され、またブリッジ入力をショートす
るように外付け抵抗RL が設けられている。抵抗Rp は
温度特性に応じて逆の辺の感歪ゲージ抵抗Rb に並列に
接続される。一方の外付け抵抗Rp は、ブリッジの零点
(オフセット電圧)の温度補償用であり、他方の外付け
抵抗RL は感度の温度補償用である。抵抗Rp は、オフ
セット電圧の温度特性に応じてブリッジ片の電流の一部
をバイパスしてオフセットを与えることにより、オフセ
ット電圧の温度補償を行うものである。抵抗RL は、定
電流源からブリッジに供給される全電流量を制御するこ
とにより、感度の温度補償を行うものである。FIG. 5 shows an example of the circuit configuration of a strain-sensitive resistor bridge whose temperature is compensated by an external resistor. Ra,
Rb, Rc, and Rd are strain sensitive gauge resistors formed on a single silicon substrate, and these are combined to form a bridge. An external resistor Rp is connected in parallel with one strain sensitive gauge resistor Ra, and an external resistor RL is provided so as to short-circuit the bridge input. The resistor Rp is connected in parallel to the strain sensitive gauge resistor Rb on the opposite side according to the temperature characteristics. One external resistor Rp is for temperature compensation of the zero point (offset voltage) of the bridge, and the other external resistor RL is for temperature compensation of sensitivity. The resistor Rp compensates the temperature of the offset voltage by bypassing a part of the current of the bridge piece according to the temperature characteristic of the offset voltage and giving an offset. The resistor RL controls the total amount of current supplied from the constant current source to the bridge to perform temperature compensation of sensitivity.
【0004】この方式は、外付け素子に特別の感温素子
や能動素子を用いることがないため、比較的簡単にある
程度高精度の補償ができるという利点がある反面、外付
け抵抗として広い抵抗値範囲のものが必要になる。一般
的な加速度センサの場合、抵抗Rp には300kΩ〜
1.5MΩが必要であり、抵抗RL には15kΩ〜10
0kΩが必要である。Since this method does not use a special temperature sensitive element or an active element as an external element, it has an advantage that compensation can be performed with a high degree of accuracy relatively easily, but it has a wide resistance value as an external resistor. You need something in the range. In the case of a general acceleration sensor, the resistance Rp is 300 kΩ to
1.5 MΩ is required, and the resistance RL is 15 kΩ to 10 kΩ
0 kΩ is required.
【0005】一方最近、加速度センサの小型化の要望に
応えて、感歪抵抗ブリッジとその出力増幅回路(温度補
償や各種調整回路を含む)を同一半導体チップ上に集積
する集積化加速度センサが開発されている。この様な集
積化加速度センサでは、上述した温度補償用の抵抗器と
して、金属薄膜による薄膜抵抗をチップ上に形成するこ
とが考えられる。しかし、薄膜抵抗で数百kΩ台の抵抗
を形成することは、大きな面積を必要とするため実用的
に困難である。また、数種類の抵抗値を持つ薄膜抵抗体
をチップ上に形成することも、やはり実用的ではない。On the other hand, recently, in response to the demand for miniaturization of the acceleration sensor, an integrated acceleration sensor has been developed in which the strain-sensitive resistance bridge and its output amplification circuit (including temperature compensation and various adjustment circuits) are integrated on the same semiconductor chip. Has been done. In such an integrated acceleration sensor, it is conceivable to form a thin film resistor of a metal thin film on a chip as the temperature compensation resistor described above. However, it is practically difficult to form a resistor on the order of several hundred kΩ with a thin film resistor because it requires a large area. Also, it is not practical to form a thin film resistor having several resistance values on a chip.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】以上のように、集積化
半導体加速度センサでは、ブリッジ部分でオフセット電
圧の温度補償等を行おうとすると、広範囲の抵抗値の薄
膜抵抗を必要とすることになり、技術的に集積化が難し
いという問題があった。本発明はこの様な事情を考慮し
てなされたもので、簡単な構成でセンサ全体のオフセッ
ト電圧温度特性を補償することを可能とした集積化型の
半導体加速度センサを提供することを目的とする。As described above, in the integrated semiconductor acceleration sensor, if temperature compensation of the offset voltage is performed in the bridge portion, a thin film resistor having a wide range of resistance values is required, There was a problem that it was technically difficult to integrate. The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an integrated semiconductor acceleration sensor capable of compensating the offset voltage temperature characteristic of the entire sensor with a simple configuration. ..
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板に
形成された感歪ゲージ抵抗を組合わせて感歪抵抗ブリッ
ジが形成され、これと共に基板に感歪抵抗ブリッジの出
力を増幅する差動型演算増幅回路を用いた出力増幅回路
が形成された集積化半導体加速度センサにおいて、差動
型演増幅回路に、チップ段階で外部からそのオフセット
電圧の調整が可能な補償用回路が設けられていることを
特徴とする。According to the present invention, a strain sensitive resistance bridge is formed by combining strain sensitive gauge resistors formed on a semiconductor substrate, and a differential amplifier for amplifying the output of the strain sensitive resistance bridge is also formed on the substrate. In an integrated semiconductor acceleration sensor in which an output amplifier circuit using a type operational amplifier circuit is formed, the differential amplifier circuit is provided with a compensation circuit capable of externally adjusting its offset voltage at the chip stage. It is characterized by
【0008】[0008]
【作用】差動型演算増幅回路には一般に入力オフセット
電圧があり、そのオフセット電圧の温度ドリフトがあ
る。また、オフセット電圧が異なると、オフセット電圧
の温度特性も異なる。つまり差動型演算増幅回路に、そ
のオフセット電圧をチップの段階で調整可能な補償用回
路を設けると、差動型演算増幅回路のオフセット電圧の
温度特性を任意に発生させることができる。したがって
本発明のように、感歪抵抗ブリッジと共に集積される出
力増幅用の差動型演算増幅回路にこの様な補償用回路を
設ければ、この差動型演算増幅回路のオフセット電圧の
温度ドリフトを、ブリッジ出力の温度ドリフトを相殺す
るように発生させることにより、センサ全体としてオフ
セット電圧の温度補償が行われることになる。しかも、
補償用回路が能動素子が含まれる差動増幅回路内に設け
られるために、能動素子がない感歪抵抗ブリッジ部分で
温度補償を行う場合のような広い範囲の抵抗値を持つ薄
膜抵抗を設ける必要はない。すなわち補償用回路に、チ
ップの段階でトリミングにより調整可能な薄膜抵抗を設
けることにより、簡単かつ確実に温度補償を行うことが
できる。The differential type operational amplifier circuit generally has an input offset voltage, and the offset voltage has a temperature drift. Further, when the offset voltage is different, the temperature characteristic of the offset voltage is also different. That is, when the differential type operational amplifier circuit is provided with a compensation circuit capable of adjusting the offset voltage at the chip stage, the temperature characteristic of the offset voltage of the differential type operational amplifier circuit can be arbitrarily generated. Therefore, as in the present invention, if such a compensating circuit is provided in the differential-type operational amplifier circuit for output amplification integrated with the strain-sensitive resistive bridge, the temperature drift of the offset voltage of the differential-type operational amplifier circuit will occur. Is generated so as to cancel the temperature drift of the bridge output, the temperature of the offset voltage is compensated for as a whole sensor. Moreover,
Since the compensation circuit is provided in the differential amplifier circuit that includes active elements, it is necessary to provide thin-film resistors with a wide range of resistance values, such as when performing temperature compensation in the strain-sensitive resistor bridge section without active elements. There is no. That is, by providing the compensation circuit with a thin film resistor that can be adjusted by trimming at the chip stage, temperature compensation can be performed easily and reliably.
【0009】[0009]
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図1は、本発明の一実施例に係る集積化半導
体加速度センサの要部等価回路を示している。x,y,
z方向の多次元加速度センサの場合にはこのような回路
がx,y,z方向それぞれに設けられることになる。感
歪抵抗ブリッジ1は、感歪ゲージ抵抗Ra ,Rb ,Rc
,Rd を用いたフルブリッジ形式である。この感歪抵
抗ブリッジ1の電源回路2としてこの実施例では、演算
増幅回路OP1 を用いた電流源回路を用いている。R1
,R2 は電源回路2のバイアス回路を構成する抵抗で
ある。感歪抵抗ブリッジ1には、オフセット補償用の外
付け抵抗Rp ,Rr が設けられている。外付け抵抗RL
は抵抗R3 と共に電源回路2の利得を調整するためのも
ので、これにより感度補償がなされる。図では、感歪抵
抗ブリッジ1の低レベル側を抵抗RL とR3 の接続ノー
ドに接続しているが、これを接地電位としてもよい。こ
の感歪抵抗ブリッジ1の出力増幅回路3は、ブリッジの
各出力端子に入力端子が接続された二つの差動型演算増
幅回路OP2 ,OP3 と、これらの利得設定用の抵抗R
4 ,R5 ,R6 により構成されている。以上の感歪抵抗
ブリッジ1、電源回路2および出力増幅回路3は、シリ
コン基板上に集積形成される。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an equivalent circuit of a main part of an integrated semiconductor acceleration sensor according to an embodiment of the present invention. x, y,
In the case of a multi-dimensional acceleration sensor in the z direction, such a circuit is provided in each of the x, y and z directions. The strain-sensitive resistance bridge 1 includes strain-sensitive gauge resistors Ra, Rb, Rc.
, Rd is a full-bridge type. In this embodiment, a current source circuit using the operational amplifier circuit OP1 is used as the power supply circuit 2 of the strain-sensitive resistor bridge 1. R1
, R2 are resistors forming a bias circuit of the power supply circuit 2. The strain-sensitive resistor bridge 1 is provided with external resistors Rp and Rr for offset compensation. External resistor RL
Is for adjusting the gain of the power supply circuit 2 together with the resistor R3, whereby sensitivity compensation is performed. In the figure, the low-level side of the strain-sensitive resistor bridge 1 is connected to the connection node of the resistors RL and R3, but this may be the ground potential. The output amplifier circuit 3 of the strain-sensitive resistor bridge 1 includes two differential type operational amplifier circuits OP2 and OP3 each having an input terminal connected to each output terminal of the bridge, and a resistor R for setting these gains.
It is composed of 4, R5 and R6. The strain sensitive resistance bridge 1, the power supply circuit 2, and the output amplifier circuit 3 described above are integrated and formed on a silicon substrate.
【0010】図2(a) (b) は、この加速度センサ回路の
集積化構造を示す断面図とチップ平面図である。シリコ
ン基板11がセンサ本体である。シリコン基板11は図
のように溝が加工されて、中央に作用部13,その周囲
に薄肉の可撓部12が形成され、可撓部12に、感歪ゲ
ージ抵抗14が所定のレイアウトで拡散形成されてい
る。図2(b) において、Rx1〜Rx4がx方向加速度を検
出するための感歪ゲージ抵抗であり、Ry1〜Ry4がy方
向加速度を検出するための感歪ゲージ抵抗、Rz1〜Rz4
がz方向加速度を検出するための感歪ゲージ抵抗であ
る。シリコン基板11はその周辺部が台座16に取り付
けられ、中央の作用部13には重錘体15が取り付けら
れている。このセンサ本体は、その上下に作用部13の
振動を制限するためのガラスからなる振動ストッパ1
7,18が取り付けられて、パッケージ19に収納され
ている。シリコン基板11上には、図では省略している
が、上述した感歪ゲージ抵抗の他に、図1に示した周辺
回路が集積形成されている。シリコン基板11上のボン
ディングパッドとパッケージリード20の間はボンディ
ングワイヤ21により接続されている。2A and 2B are a sectional view and a chip plan view showing an integrated structure of the acceleration sensor circuit. The silicon substrate 11 is the sensor body. As shown in the figure, the silicon substrate 11 has a groove formed therein, a working portion 13 is formed in the center thereof, and a thin flexible portion 12 is formed around the working portion 13, and a strain sensitive gauge resistor 14 is diffused in the flexible portion 12 in a predetermined layout. Has been formed. In FIG. 2 (b), Rx1 to Rx4 are strain sensitive gauge resistors for detecting x-direction acceleration, Ry1 to Ry4 are strain sensitive gauge resistors for detecting y-direction acceleration, and Rz1 to Rz4.
Is a strain sensitive gauge resistor for detecting the z-direction acceleration. A peripheral portion of the silicon substrate 11 is attached to the pedestal 16, and a weight body 15 is attached to the central action portion 13. This sensor main body has a vibration stopper 1 made of glass for limiting the vibration of the action portion 13 above and below the sensor body.
7, 18 are attached and housed in a package 19. Although not shown in the drawing, the peripheral circuit shown in FIG. 1 is integratedly formed on the silicon substrate 11 in addition to the above-described strain sensitive gauge resistor. Bonding pads 21 on the silicon substrate 11 and the package leads 20 are connected by bonding wires 21.
【0011】図3は、図1の出力増幅回路3における差
動型演算増幅回路OP2 ,OP3 の回路構成例である。
バイアス回路31,差動回路本体32および出力バッフ
ァ33の基本構成は、バイポーラトランジスタを用いた
一般的な演算増幅回路として知られている。差動回路本
体32は、差動対を構成する入力用のpnpトランジス
タQ1 ,Q2 、カレントミラー回路すなわち能動負荷を
構成するnpnトランジスタQ3 ,Q4 ,Q5 、および
電流源用pnpトランジスタQ6 等により構成されてい
る。この差動回路本体32の一方の入力トランジスタQ
1 のコレクタに、破線で示したような、npnトランジ
スタQ7 と抵抗R13からなる補償用回路34が接続され
ている。この補償用回路34は、二つの入力トランジス
タQ1 ,Q2 のコレクタ電流比を任意に設定することに
より、差動回路に意図的にオフセット電圧を発生させる
ためのものである。抵抗R13は、集積回路チップ上に形
成された薄膜抵抗であり、レーザトリミングにより抵抗
値が調整できるようになっているものとする。FIG. 3 is a circuit configuration example of the differential type operational amplifier circuits OP2 and OP3 in the output amplifier circuit 3 of FIG.
The basic configuration of the bias circuit 31, the differential circuit main body 32, and the output buffer 33 is known as a general operational amplifier circuit using bipolar transistors. The differential circuit body 32 includes input pnp transistors Q1 and Q2 forming a differential pair, current mirror circuits, that is, npn transistors Q3, Q4 and Q5 forming an active load, and a current source pnp transistor Q6. ing. One input transistor Q of this differential circuit body 32
To the collector of 1 is connected a compensating circuit 34 composed of an npn transistor Q7 and a resistor R13 as shown by a broken line. This compensating circuit 34 is for intentionally generating an offset voltage in the differential circuit by arbitrarily setting the collector current ratio of the two input transistors Q1 and Q2. The resistor R13 is a thin film resistor formed on the integrated circuit chip, and its resistance value can be adjusted by laser trimming.
【0012】差動回路本体32では、補償用回路34が
ないものとした場合、能動負荷回路によって二つの入力
トランジスタQ1 ,Q2 には、常に等しいコレクタ電流
が流れる。補償用回路34によって入力トランジスタQ
1 側の電流の一部をバイパスさせると、二つの入力トラ
ンジスタQ1 ,Q2 のコレクタ電流を異なる値に設定す
ることができる。したがって、補償用回路34の抵抗R
13を、トリミングにより調整することにより、容易に入
力オフセット電圧を与えることができる。そして入力オ
フセット電圧の温度特性は、オフセットの大きさにより
異なるから、適当な入力オフセット電圧を与えることに
よって、感歪抵抗ブリッジ1のオフセットの温度ドリフ
トを相殺するように、出力増幅回路に意図的にオフセッ
ト温度ドリフトを与えて、センサ回路全体としてのオフ
セットの温度ドリフトを補償することができる。In the differential circuit main body 32, if the compensation circuit 34 is not provided, the same collector current always flows through the two input transistors Q1 and Q2 due to the active load circuit. The input transistor Q by the compensation circuit 34
By bypassing part of the current on the first side, the collector currents of the two input transistors Q1 and Q2 can be set to different values. Therefore, the resistance R of the compensation circuit 34
The input offset voltage can be easily applied by adjusting 13 by trimming. Since the temperature characteristic of the input offset voltage varies depending on the magnitude of the offset, an appropriate input offset voltage is applied to the output amplifier circuit intentionally so as to cancel the temperature drift of the offset of the strain sensing resistance bridge 1. An offset temperature drift can be provided to compensate for the offset temperature drift of the sensor circuit as a whole.
【0013】以上のことを、より具体的に説明する。い
ま、補償用回路34がないとした場合の差動回路本体3
2の能動負荷を構成するトランジスタQ3 ,Q4 のコレ
クタ電流が等しくIc であるとする。補償用回路34に
流れるコレクタ電流をΔIとすると、一方の入力トラン
ジスタQ1 のコレクタ電流は、Ic +ΔIであり、他方
の入力トランジスタQ2 のコレクタ電流はIc である。
入力トランジスタQ1,Q2 の利得が十分大きく、コレ
クタ電流とエミッタ電流が等しいとすると、これら入力
トランジスタQ1 ,Q2 のベース・エミッタ間電圧VBE
1 ,VBE2 はそれぞれ、 VBE1 =(kT/q)ln{(Ic +ΔI)/Is } VBE2 =(kT/q)ln(Ic /Is ) である。kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは素電
荷、Is は飽和電流である。差動回路本体の入力オフセ
ット電圧VIDは、これらのベース・エミッタ間電圧の差
に相当するから、 VID=VBE1 −VBE2 =(kT/q)[ln{(Ic +ΔI)/Is }−ln(Ic /Is )] となる。すなわち差動回路の入力オフセット電圧VID
は、温度特性を持ち、かつその温度特性は、補償用回路
34の電流ΔIを調整することにより調整可能である。The above will be described more specifically. Now, assuming that the compensation circuit 34 is not provided, the differential circuit body 3
It is assumed that the collector currents of the transistors Q3 and Q4 forming the active load of 2 are equal to Ic. When the collector current flowing through the compensation circuit 34 is .DELTA.I, the collector current of one input transistor Q1 is Ic + .DELTA.I and the collector current of the other input transistor Q2 is Ic.
If the gains of the input transistors Q1 and Q2 are sufficiently large and the collector current and the emitter current are equal, the base-emitter voltage VBE of these input transistors Q1 and Q2 is
1 and VBE2 are respectively VBE1 = (kT / q) ln {(Ic + ΔI) / Is} VBE2 = (kT / q) ln (Ic / Is). k is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature, q is the elementary charge, and Is is the saturation current. Since the input offset voltage VID of the differential circuit body corresponds to the difference between these base-emitter voltages, VID = VBE1−VBE2 = (kT / q) [ln {(Ic + ΔI) / Is} −ln (Ic / Is)]. That is, the input offset voltage VID of the differential circuit
Has a temperature characteristic, and the temperature characteristic can be adjusted by adjusting the current ΔI of the compensation circuit 34.
【0014】なお実際の使用においては、この様な演算
増幅回路を、図1に示すように二つ用いて出力増幅回路
3を構成し、各々の演算増幅回路に上述のようなオフセ
ット電圧の温度特性を任意に設定できる補償用回路を設
ける。これにより、センサ回路全体として、オフセット
の温度補償が容易に可能となる。In actual use, two such operational amplifier circuits are used to construct the output amplifier circuit 3 as shown in FIG. 1, and each operational amplifier circuit has a temperature of the offset voltage as described above. Provide a compensation circuit whose characteristics can be set arbitrarily. As a result, the temperature compensation of the offset can be easily performed in the entire sensor circuit.
【0015】本発明は、出力増幅回路の演算増幅回路と
して能動負荷を用いない場合にも適用可能である。すな
わち図4に示すように、抵抗負荷R21,R22を持つ差動
増幅回路において、抵抗負荷R21,R22を、上記実施例
と同様にトリミングにより調整できる薄膜抵抗により構
成する。このような差動増幅回路を用いた出力増幅回路
を構成し、チップ段階でこれらの負荷抵抗R21,R22の
抵抗値を調整して、上記実施例と同様に感歪抵抗ブリッ
ジの温度ドリフトを補償することができる。この場合に
も、能動素子がないブリッジ部分でオフセット補償を行
う場合に比べて、広範囲の抵抗を必要とせず、したがっ
て上記実施例と同様の効果を得ることができる。The present invention can be applied to the case where an active load is not used as the operational amplifier circuit of the output amplifier circuit. That is, as shown in FIG. 4, in the differential amplifier circuit having the resistance loads R21 and R22, the resistance loads R21 and R22 are formed by thin film resistors that can be adjusted by trimming as in the above-described embodiment. An output amplifier circuit using such a differential amplifier circuit is configured, and the resistance values of these load resistors R21 and R22 are adjusted at the chip stage to compensate for the temperature drift of the strain-sensitive resistor bridge as in the above embodiment. can do. Also in this case, as compared with the case where offset compensation is performed in the bridge portion having no active element, a wide range of resistance is not required, and therefore the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.
【0016】[0016]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、出
力増幅回路部に補償回路を設けることにより、簡単な構
成でセンサ全体のオフセット電圧温度特性を補償するこ
とを可能とした集積化型の半導体加速度センサを得るこ
とができる。As described above, according to the present invention, an offset voltage temperature characteristic of the entire sensor can be compensated with a simple structure by providing a compensation circuit in the output amplifier circuit section. The semiconductor acceleration sensor can be obtained.
【図1】本発明の一実施例に係る集積化加速度センサの
要部構成を示す等価回路図。FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing a main configuration of an integrated acceleration sensor according to an embodiment of the present invention.
【図2】同実施例の加速度センサの構造を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a structure of an acceleration sensor of the same embodiment.
【図3】同実施例の出力増幅回路部の演算増幅回路構成
を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an operational amplifier circuit of an output amplifier circuit section of the embodiment.
【図4】他の実施例の加速度センサにおける演算増幅回
路を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an operational amplifier circuit in an acceleration sensor according to another embodiment.
【図5】従来の加速度センサの温度補償法を説明するた
めの図。FIG. 5 is a diagram for explaining a temperature compensation method for a conventional acceleration sensor.
1…感歪抵抗ブリッジ、2…電源回路、3…出力増幅回
路、OP1 〜OP3 …差動型演算増幅回路、31…バイ
アス回路、32…差動回路本体、33…出力バッファ、
34…補償用回路。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Distortion resistance bridge, 2 ... Power supply circuit, 3 ... Output amplification circuit, OP1-OP3 ... Differential type operational amplification circuit, 31 ... Bias circuit, 32 ... Differential circuit main body, 33 ... Output buffer,
34 ... Compensation circuit.
Claims (1)
ゲージ抵抗を組合わせて構成された感歪抵抗ブリッジ
と、前記基板に形成された前記感歪抵抗ブリッジの出力
を増幅する差動型演算増幅回路とを有する半導体加速度
センサにおいて、前記差動型演算増幅回路に、チップ段
階で外部からそのオフセット電圧の調整が可能な補償用
回路が設けられていることを特徴とする半導体加速度セ
ンサ。1. A strain sensitive resistor bridge formed by combining a semiconductor substrate, a strain sensitive gauge resistor formed on the substrate, and a differential for amplifying an output of the strain sensitive resistor bridge formed on the substrate. Acceleration sensor having a type operational amplifier circuit, wherein the differential type operational amplifier circuit is provided with a compensation circuit capable of adjusting its offset voltage from the outside at the chip stage. ..
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10547292A JPH05281254A (en) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Semiconductor acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10547292A JPH05281254A (en) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Semiconductor acceleration sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05281254A true JPH05281254A (en) | 1993-10-29 |
Family
ID=14408540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10547292A Pending JPH05281254A (en) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Semiconductor acceleration sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05281254A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO1995027215A1 (en) * | 1994-04-05 | 1995-10-12 | Hitachi, Ltd. | Acceleration sensor |
US8165493B2 (en) | 2008-05-27 | 2012-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Process cartridge and electrophotographic image forming apparatus |
JP2014102095A (en) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Sensor threshold decision circuit |
CN105352565A (en) * | 2015-11-02 | 2016-02-24 | 智恒(厦门)微电子有限公司 | Differential-capacitor material level sensor |
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