JPH05281149A - Apparatus and method for inspecting micro-crack - Google Patents

Apparatus and method for inspecting micro-crack

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Publication number
JPH05281149A
JPH05281149A JP7958292A JP7958292A JPH05281149A JP H05281149 A JPH05281149 A JP H05281149A JP 7958292 A JP7958292 A JP 7958292A JP 7958292 A JP7958292 A JP 7958292A JP H05281149 A JPH05281149 A JP H05281149A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
light beam
microcrack
photodetector
crack
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP7958292A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuo Iijima
宣夫 飯島
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To obtain a micro-crack inspecting apparatus, which can accurately detect the micro-cracks of a wafer based on automatic control with regard to the inspecting apparatus for inspecting the micro-cracks generated when the rear surface of the wafer is polished. CONSTITUTION:This apparatus is constituted of a light-beam generating device 1, a light-beam scanning means 3, which scans the light beam generated in the light-beam generating device 1 on a wafer 5, a photodetector 7, which detects the image focusing position of the reflected light of the light beam that is scanned on the wafer 5 with the light beam scanning means 3, and a micro-crack-judging means 8, which detects the recess part on the wafer 5 and detects the micro-crack based on the deviation of the image focusing position of the light beam that is detected by the photodetector 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハの背面研磨時
に発生するマイクロクラックの検査装置と検査方法とに
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inspection apparatus and an inspection method for microcracks generated during polishing of the back surface of a wafer.

【0002】近年ウェーハの背面研磨工程は、テープを
ウェーハ表面に貼付し、このテープを介してウェーハを
ウェーハチャックに固定して実施されるので、ウェーハ
とチャックとの間にシリコン片等の研磨残渣が挟まれて
も、研磨残渣がテープ内にめり込むことによってウェー
ハにクラックが発生するのが防止される効果があり、ク
ラックの発生数は減少しているが絶滅するまでには至っ
ていない。そのため、マイクロクラックの検査は半導体
製造工程の中の重要な工程の一つである。
In recent years, the back surface polishing process of a wafer is carried out by attaching a tape to the surface of the wafer and fixing the wafer to the wafer chuck through the tape. Even if it is sandwiched, it has an effect of preventing cracks from being generated in the wafer due to the polishing residue penetrating into the tape, and the number of cracks is reduced, but it is not yet extinct. Therefore, the inspection of microcracks is one of the important steps in the semiconductor manufacturing process.

【0003】[0003]

【従来の技術】マイクロクラックの検査は従来は肉眼に
よってなされている。この方法は、クラックの発生して
いる部位で光が散乱することを利用するもので、作業者
がウェーハを傾けながらウェーハ面を観察してクラック
発生部位を探し、さらにそのクラック発生部位に対応す
るチップの位置を特定している。
2. Description of the Related Art Conventionally, microcracks are inspected by the naked eye. This method utilizes the fact that light is scattered at the part where the crack is generated, and the operator observes the wafer surface while tilting the wafer to search for the part where the crack is generated, and further corresponds to the part where the crack is generated. The position of the chip is specified.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】マイクロクラックの検
査を人手に頼るということは、クラックを見落とした
り、作業者によって異なった判断をするという可能性が
ある。また、マイクロクラックの発生部位に対応するチ
ップの位置を特定することも極めて難しく熟練を要す
る。
Relying on human inspection for microcracks may overlook the cracks or make different judgments depending on the operator. Further, it is extremely difficult to specify the position of the chip corresponding to the site where the microcracks are generated, and skill is required.

【0005】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、ウェーハのマイクロクラックを自動制御に
よって正確に検出できるマイクロクラック検査装置と検
出方法とを提供することにある。
An object of the present invention is to eliminate these drawbacks, and it is an object of the present invention to provide a microcrack inspection apparatus and a detection method capable of accurately detecting microcracks on a wafer by automatic control.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的のうちマイク
ロクラック検査装置は、光ビーム発生装置(1)と、こ
の光ビーム発生装置(1)の発生する光ビームをウェー
ハ(5)上に走査する光ビーム走査手段(3)と、この
光ビーム走査手段(3)によって前記のウェーハ(5)
上に走査された光ビームの反射光の結像位置を検出する
フォトデテクター(7)と、このフォトデテクター
(7)の検出する光ビームの結像位置のずれから、前記
のウェーハ(5)上の凹部を検出してマイクロクラック
と判定するマイクロクラック判定手段(8)とを有する
マイクロクラック検査装置によって達成される。
Among the above-mentioned objects, a microcrack inspecting apparatus comprises a light beam generator (1) and a light beam generated by the light beam generator (1) scanning on a wafer (5). A light beam scanning means (3) for performing the above-mentioned wafer (5) by the light beam scanning means (3).
The photodetector (7) for detecting the image forming position of the reflected light of the light beam scanned above and the deviation of the image forming position of the light beam detected by this photodetector (7) are used to detect the image on the wafer (5). This is achieved by a microcrack inspecting apparatus having a microcrack determining means (8) for detecting the concave portion of the above and determining it as a microcrack.

【0007】上記の目的のうちマイクロクラック検査方
法は、前記のマイクロクラック検査装置を使用して光ビ
ームをウェーハ(5)の全面に走査し、前記のウェーハ
(5)からの反射光の結像位置をフォトデテクター
(7)で検出し、このフォトデテクター(7)における
結像位置が前記のウェーハ(5)に形成された凹部にお
いて周辺部分と比較して顕著に変化することを利用して
マイクロクラック判定手段(8)によってマイクロクラ
ックと判定するマイクロクラック検査方法によって達成
される。
Among the above-mentioned objects, the micro-crack inspection method uses the micro-crack inspection device described above to scan the entire surface of the wafer (5) with a light beam to form an image of reflected light from the wafer (5). The position is detected by the photodetector (7), and the image formation position on the photodetector (7) is remarkably changed in the recess formed in the wafer (5) as compared with the peripheral portion. This is achieved by a microcrack inspection method in which the crack determination means (8) determines a microcrack.

【0008】[0008]

【作用】図5に示すように、ウェーハの背面研磨時に、
テープ14の貼付されたウェーハ5とチャック9との間に
異物10が挟まれると、ウェーハ5の裏面に凸部が発生す
る。この状態においてカッター11によって裏面を平坦に
切削してウェーハ5をチャック9から離脱すると、ウェ
ーハ5には図6に示すように凹部12が形成される。
As shown in FIG. 5, when the back surface of the wafer is polished,
When the foreign matter 10 is sandwiched between the wafer 5 to which the tape 14 is attached and the chuck 9, a convex portion is generated on the back surface of the wafer 5. In this state, when the back surface is cut flat by the cutter 11 and the wafer 5 is removed from the chuck 9, a recess 12 is formed in the wafer 5 as shown in FIG.

【0009】本発明の発明者は、ウェーハの厚さがこの
凹部において局部的に薄くなり、また切削時にこゝに大
きなストレスが加わるので、この凹部12には図7に示す
ようにクラック13が発生しているか、仮に発生していな
くても熱処理等の工程を経る段階でクラックが発生する
確率が高いことを見出した。
The inventor of the present invention has found that the thickness of the wafer is locally thinned in this concave portion and a great stress is applied to this during cutting, so that the concave portion 12 has cracks 13 as shown in FIG. It has been found that cracks are likely to occur at the stage of passing through a process such as heat treatment even if they do occur or if they do not occur.

【0010】本発明はこの研究結果を応用したものであ
り、ウェーハ表面に発生した凹部を検出することによっ
てマイクロクラックの発生部位またはマイクロクラック
の発生確率の高い部位を検出するものである。
The present invention applies the results of this research, and detects a microcrack occurrence site or a site with a high probability of microcrack occurrence by detecting a recess formed on the wafer surface.

【0011】図1に示すように、ウェーハ5上に光ビー
ムを走査してその反射光の結像位置をフォトデテクター
7で検出すると、凹部においては光ビームの反射角度が
その他の部分と異なるため、図2に示すように、反射光
の結像位置が凹部周辺部分と比較して顕著にずれるの
で、このずれを検出することによりウェーハ表面の凹部
の検出が可能である。なお、ウェーハ全体が大きなうね
りを持っていても、図2に示すように結像位置が凹部に
おいて顕著にずれるので容易に検出可能である。
As shown in FIG. 1, when the light beam is scanned on the wafer 5 and the image forming position of the reflected light is detected by the photodetector 7, the reflection angle of the light beam in the concave portion is different from the other portions. As shown in FIG. 2, the image formation position of the reflected light is significantly shifted compared with the peripheral portion of the recess, so that the recess on the wafer surface can be detected by detecting this shift. Even if the entire wafer has a large undulation, it can be easily detected because the image forming position is significantly displaced in the concave portion as shown in FIG.

【0012】[0012]

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係るマイクロクラック検査装置及び検査方法について説
明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A microcrack inspection apparatus and inspection method according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0013】図3参照 図3にマイクロクラック検査装置の構成図を示す。図に
おいて、1はレーザビーム発生装置であり、2はレーザ
ビーム径を調節するエキスパンダであり、3はレーザビ
ームを走査させるポリゴンミラー等の光ビーム走査手段
であり、4はミラーであり、5はウェーハであり、6は
対物レンズであり、7は例えばPSD(position sense
detector )等のフォトデテクターであり、8はフォト
デテクター7の検出波形を処理して凹部を検出し、マイ
クロクラックと判定するマイクロクラック判定手段であ
る。
See FIG. 3. FIG. 3 shows a block diagram of the microcrack inspection apparatus. In the figure, 1 is a laser beam generator, 2 is an expander for adjusting the laser beam diameter, 3 is a light beam scanning means such as a polygon mirror for scanning a laser beam, 4 is a mirror, 5 Is a wafer, 6 is an objective lens, and 7 is, for example, PSD (position sense).
A photodetector such as a detector), and 8 is a microcrack determining means for processing the detection waveform of the photodetector 7 to detect a concave portion and determining a microcrack.

【0014】ポリゴンミラー3を回転することによって
レーザビームをウェーハ5のX軸方向に走査し、また、
ウェーハ5をY軸方向に移転することによってレーザビ
ームをウェーハ5の全面に走査する。対物レンズ6によ
って結像されたウェーハ5からの反射光の結像位置をフ
ォトデテクター7で検出する。
The laser beam is scanned in the X-axis direction of the wafer 5 by rotating the polygon mirror 3, and
The laser beam is scanned over the entire surface of the wafer 5 by moving the wafer 5 in the Y-axis direction. The photodetector 7 detects the image formation position of the reflected light from the wafer 5 formed by the objective lens 6.

【0015】図4・図2参照 ウェーハ5に凹部があると、凹部からの反射光の反射角
度θ1 は図4の光路図に示すように凹部の存在しない場
所からの反射光の反射角θ0 と異なるのでフォトデテク
ター7における反射光の結像位置がずれる。その様子を
図2に示す。図2におけるゆるやかなずれはウェーハの
うねりによるものである。
4 and 2, when the wafer 5 has a concave portion, the reflection angle θ 1 of the reflected light from the concave portion is the reflection angle θ of the reflected light from the location where the concave portion does not exist as shown in the optical path diagram of FIG. Since it is different from 0 , the image forming position of the reflected light on the photo detector 7 is displaced. The situation is shown in FIG. The gentle shift in FIG. 2 is due to the waviness of the wafer.

【0016】図8参照 図8にマイクロクラック判定手段のブロック図を示す。
フォトデテクター7によるウェーハ5からの反射光の結
像位置信号を増幅器15において増幅し、これをバンドパ
スフィルタ16を通して低周波及び高周波ノイズを除去し
た後、二値化装置17によって二値化する。ポリゴンミラ
ー3の回転角度に対応してパルスを発生するポリゴンミ
ラー回転角度パルス発生装置18からのパルスと前記の二
値化された結像位置のずれ信号とを凹部X方向位置決定
装置19に入力して凹部のX方向位置を決定する。なお、
凹部のY方向の位置はステージ(図示せず。)の移動距
離から求めることができる。このようにして検出された
凹部の位置を、作用の項において説明したようにマイク
ロクラックの位置と判定するものである。
FIG. 8 shows a block diagram of the microcrack determining means.
An image forming position signal of the reflected light from the wafer 5 by the photodetector 7 is amplified by an amplifier 15, low-frequency and high-frequency noise is removed through a bandpass filter 16, and then binarized by a binarizing device 17. The pulse from the polygon mirror rotation angle pulse generator 18 for generating a pulse corresponding to the rotation angle of the polygon mirror 3 and the binarized image forming position shift signal are input to the recess X direction position determining device 19. Then, the position of the recess in the X direction is determined. In addition,
The position of the recess in the Y direction can be obtained from the moving distance of the stage (not shown). The position of the recess thus detected is determined as the position of the microcrack as described in the section of the action.

【0017】なお、このマイクロクラック位置データを
ステッパの露出データと組み合わせることによって、マ
イクロクラックの位置に対応するチップの位置を簡単に
判別することができる。
By combining the microcrack position data with the stepper exposure data, the chip position corresponding to the microcrack position can be easily determined.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るマイ
クロクラック検査装置及び検査方法においては、ウェー
ハ上に光ビームを走査してその反射光の結像位置のずれ
からウェーハ上の凹部を検出してマイクロクラックと判
定しているので、人手に頼ることなく自動制御によって
確実にマイクロクラックを検査することができる。
As described above, in the microcrack inspecting apparatus and the inspecting method according to the present invention, the concave portion on the wafer is detected from the deviation of the image formation position of the reflected light by scanning the light beam on the wafer. Since it is determined to be a microcrack, the microcrack can be reliably inspected by automatic control without relying on human hands.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】原理説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of the principle.

【図2】ウェーハ表面からの反射光の結像位置の出力波
形である。
FIG. 2 is an output waveform at an image forming position of reflected light from the wafer surface.

【図3】マイクロクラック検査装置の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a microcrack inspection device.

【図4】凹部における反射角度の変化を説明する光路図
である。
FIG. 4 is an optical path diagram for explaining a change in reflection angle at a concave portion.

【図5】マイクロクラック発生メカニズムの説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a microcrack generation mechanism.

【図6】ウェーハに形成された凹部を示す図である。FIG. 6 is a view showing a concave portion formed on a wafer.

【図7】ウェーハの凹部とクラックとの対応図である。FIG. 7 is a correspondence diagram between a concave portion of a wafer and a crack.

【図8】マイクロクラック判定手段のブロック図であ
る。
FIG. 8 is a block diagram of a microcrack determining means.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光ビーム発生装置 2 エキスパンダ 3 光ビーム走査手段(ポリゴンミラー) 4 ミラー 5 ウェーハ 6 対物レンズ 7 フォトデテクター 8 マイクロクラック判定手段 9 チャック 10 残渣 11 カッター 12 凹部 13 クラック 14 テープ 15 増幅器 16 バンドパスフィルタ 17 二値化装置 18 ポリゴンミラー回転角度パルス発生装置 19 凹部X方向位置決定装置 1 Light Beam Generator 2 Expander 3 Light Beam Scanning Means (Polygon Mirror) 4 Mirror 5 Wafer 6 Objective Lens 7 Photo Detector 8 Micro Crack Judging Means 9 Chuck 10 Residue 11 Cutter 12 Recess 13 Crack 14 Tape 15 Amplifier 16 Band Pass Filter 17 Binarization device 18 Polygon mirror rotation angle pulse generator 19 Positioning device for recess X direction

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光ビーム発生装置(1)と、 該光ビーム発生装置(1)の発生する光ビームをウェー
ハ(5)上に走査する光ビーム走査手段(3)と、 該光ビーム走査手段(3)によって前記ウェーハ(5)
上に走査された光ビームの反射光の結像位置を検出する
フォトデテクター(7)と、 該フォトデテクター(7)の検出する光ビームの結像位
置のずれから、前記ウェーハ(5)上の凹部を検出して
マイクロクラックと判定するマイクロクラック判定手段
(8)とを有することを特徴とするマイクロクラック検
査装置。
1. A light beam generator (1), a light beam scanning means (3) for scanning a light beam generated by the light beam generator (1) onto a wafer (5), and the light beam scanning means. The wafer (5) according to (3)
The photodetector (7) for detecting the image forming position of the reflected light of the light beam scanned upward, and the deviation of the image forming position of the light beam detected by the photodetector (7) from the photodetector (7) on the wafer (5) A microcrack inspecting device, comprising: a microcrack determining means (8) for detecting a recess to determine a microcrack.
【請求項2】 請求項1記載のマイクロクラック検査装
置を使用して光ビームをウェーハ(5)の全面に走査
し、 前記ウェーハ(5)からの反射光の結像位置をフォトデ
テクター(7)で検出し、 該フォトデテクター(7)における結像位置が前記ウェ
ーハ(5)に形成された凹部において周辺部分と比較し
て顕著に変化することを利用してマイクロクラック判定
手段(8)によってマイクロクラックと判定することを
特徴とするマイクロクラック検査方法。
2. The microcrack inspection device according to claim 1, wherein a light beam is scanned over the entire surface of the wafer (5), and the image formation position of reflected light from the wafer (5) is detected by a photodetector (7). The micro-crack determining means (8) uses the fact that the image formation position on the photodetector (7) changes remarkably in the concave portion formed on the wafer (5) as compared with the peripheral portion. A method for inspecting microcracks, characterized in that it is judged as a crack.
JP7958292A 1992-04-01 1992-04-01 Apparatus and method for inspecting micro-crack Withdrawn JPH05281149A (en)

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JP (1) JPH05281149A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3326000A1 (en) * 1982-07-19 1984-01-19 Murata Kikai K.K., Kyoto TRANSPORTATION DEVICE FOR DIFFERENT COPIES
KR20000051506A (en) * 1999-01-22 2000-08-16 윤종용 Apparatus for sensing a crack of a substrate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3326000A1 (en) * 1982-07-19 1984-01-19 Murata Kikai K.K., Kyoto TRANSPORTATION DEVICE FOR DIFFERENT COPIES
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Effective date: 19990608