JPH05266519A - Production of information recording medium - Google Patents

Production of information recording medium

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Publication number
JPH05266519A
JPH05266519A JP4065676A JP6567692A JPH05266519A JP H05266519 A JPH05266519 A JP H05266519A JP 4065676 A JP4065676 A JP 4065676A JP 6567692 A JP6567692 A JP 6567692A JP H05266519 A JPH05266519 A JP H05266519A
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JP
Japan
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film
sputtering
layer
information recording
reflective
Prior art date
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Pending
Application number
JP4065676A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadashi Kobayashi
忠 小林
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a reflection film consisting of an Al alloy having good quality by maintaining an atmosphere mixture composed of argon and nitrogen as the atmosphere in a sputtering chamber. CONSTITUTION:The inside of a vacuum vessel 10 is discharged by a discharge device 13 down to, for example, 3/1000000Torr. The gaseous argon and gaseous nitrogen are then introduced into the vessel 10 so as to attain prescribed mixing ratios to maintain 3/1000Torr in the vessel 10. Further, the gas mixing ratios are gradually changed and the sputtering is executed by using Al-3atom% Zr, Al-2atom% Mo, Al-2atom%, Zr-1atom% Mo alloys, by which the Al alloy film is formed. The formation of the Al alloy film as a reflection layer is well executed when the ratio of mixing the nitrogen with the gaseous argon is <=20%.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録及び再生に
用いられる光ディスク、光カード、光テープ等の情報記
録媒体の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an information recording medium such as an optical disk, an optical card, an optical tape used for recording and reproducing information.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、基板上に薄膜を設け、この薄膜に
記録すべき情報を有する光ビームを照射することによ
り、薄膜に局所的に光学特性の変化を生じさせ、これに
より情報の記録を行なうことが可能な情報記録媒体が広
く用いられるようになっている。このような情報記録媒
体には、例えば基板上に反射層が設けられるものがあ
る。この反射層として通常アルミニウム(Al)が適用
される。しかしながら、Al単独で形成された膜は、耐
蝕性が悪く、酸化して劣化しやすい。このため、最近は
アルミニウム反射層の初期反射率、耐蝕性、及び記録再
生の繰り返し特性を改良する目的で、アルミニウム(A
l)等に、ジルコニウム(Zr)またはモリブデン(M
o)等を添加してなる材料からなる反射層を使用した情
報記録媒体用いたものとして以下のような提案がなされ
ている。
2. Description of the Related Art Recently, by forming a thin film on a substrate and irradiating the thin film with a light beam having information to be recorded, a local change in optical characteristics is caused in the thin film, thereby recording information. Information recording media that can be used have been widely used. Some such information recording media have, for example, a reflective layer provided on a substrate. Aluminum (Al) is usually applied as the reflective layer. However, a film formed of Al alone has poor corrosion resistance and is easily oxidized and deteriorated. Therefore, recently, in order to improve the initial reflectance, corrosion resistance, and repetitive recording / reproducing characteristics of the aluminum reflective layer, aluminum (A
l) etc., zirconium (Zr) or molybdenum (M
The following proposals have been made as an information recording medium using a reflective layer made of a material to which o) or the like is added.

【0003】特許出願公開平2−128332には、記
録用ビームの照射を受けて変化を生ずる情報記録用薄膜
を有する記録媒体において、情報記録用薄膜に隣接して
形成された無機物および有機物のうち少なくとも一種か
らなる保護層に接して、Al、Cu,Ag、およびAu
よりなるA群より選ばれた少なくとも一者と、Ti、
V,Cr,Fe、Co,Ni、Zn,Zr,Nb、M
o、Rh、Pd,Sn,Sb,Te、Ta、W,Ir、
Pt,Pb,Bi、およびCよりなるB群より選ばれた
少なくとも一者を主成分とする層を設けた情報記録用部
材が記載されている。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-128332 discloses a recording medium having an information recording thin film which changes upon irradiation with a recording beam, among inorganic and organic substances formed adjacent to the information recording thin film. Al, Cu, Ag, and Au in contact with at least one protective layer
At least one selected from the group A consisting of
V, Cr, Fe, Co, Ni, Zn, Zr, Nb, M
o, Rh, Pd, Sn, Sb, Te, Ta, W, Ir,
An information recording member provided with a layer containing at least one selected from the group B consisting of Pt, Pb, Bi, and C as a main component is described.

【0004】この提案には、アルミニウムに対してジル
コニウムを添加して形成された反射膜を有する情報記録
媒体の繰り返し特性については記述されているが、その
製造方法については発明となる説明はなされていない。
This proposal describes the repetitive characteristics of an information recording medium having a reflective film formed by adding zirconium to aluminum, but does not explain the invention as to the manufacturing method. Absent.

【0005】また、特許出願公開平3−216829に
は、光ディスクに形成される反射膜がAl−Zr及び/
またはHf合金からなり、この反射膜を鋳造ターゲット
をスパッタすることによって形成した場合について記載
されている。
Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-216829, the reflection film formed on the optical disk is formed of Al-Zr and / or
Alternatively, it is described that the reflective film is made of Hf alloy and is formed by sputtering a casting target.

【0006】しかしながら、Al−Zr合金ターゲッ
ト、Al−Mo合金ターゲット、Al−Zr−Mo合金
ターゲットを用いてスパッタするときの、その製造方法
については、詳細な説明はなされていない。
However, a detailed description has not been given on the manufacturing method for sputtering using an Al-Zr alloy target, an Al-Mo alloy target, or an Al-Zr-Mo alloy target.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来
は、アルミニウムに、ジルコニウムまたはモリブデン等
を添加して得られた反射膜を有する情報記録媒体の特性
については記述されているが、その製造方法については
詳細な説明はなされていない。情報記録媒体の基板上
に、このような反射層をスパッタ法を用いて形成する場
合、得られるAl合金反射膜の膜特性は、スパッタ条件
に大きく依存する。
As described above, the characteristics of an information recording medium having a reflective film obtained by adding zirconium, molybdenum, or the like to aluminum have been described in the related art. The method is not described in detail. When such a reflection layer is formed on the substrate of the information recording medium by the sputtering method, the film characteristics of the obtained Al alloy reflection film largely depend on the sputtering conditions.

【0008】そこで、本発明は、基板上に少なくとも反
射層を有する情報記録媒体において、アルミニウムに、
ジルコニウム及び/またはモリブデンが添加された材料
を用い、スパッタ法を使用して、良質なAl合金反射膜
を得ることができる情報記録媒体の製造方法を提供する
ものである。
Therefore, the present invention provides an information recording medium having at least a reflective layer on a substrate, in which aluminum is
It is intended to provide a method for manufacturing an information recording medium, which is capable of obtaining a high quality Al alloy reflective film by using a sputtering method using a material to which zirconium and / or molybdenum is added.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の情報記録媒体の
製造方法は、スパッタ室内をArと20atom%以下
のN2 との混合ガス雰囲気とする条件下で、アルミニウ
ム(Al)と、ジルコニウム(Zr)及びモリブデン
(Mo)からなる群から選択された少なくとも1種とを
ターゲットとし、スパッタリングを行なうことにより基
板上に反射層を形成する工程を具備することを特徴とす
る。N2 ガスが、20atom%を越えると、良好な反
射膜が得られない。
According to the method of manufacturing an information recording medium of the present invention, aluminum (Al) and zirconium (zirconium) are formed under the condition that a mixed gas atmosphere of Ar and N 2 of 20 atom% or less is used in the sputtering chamber. Zr) and at least one selected from the group consisting of molybdenum (Mo) as a target, and a step of forming a reflective layer on the substrate by performing sputtering. If the N 2 gas exceeds 20 atom%, a good reflective film cannot be obtained.

【0010】また、N2 ガスは、好ましくは混合ガス雰
囲気の0.001〜20atom%であり、0.001
atom%未満であると、N2 ガスを混合した効果が十
分に得られず、良好な反射膜が得られない傾向があり、
20atom%を越えると、反射層材料が窒化され、半
透明膜となり、十分な反射が行われない傾向がある。
Further, the N 2 gas is preferably 0.001 to 20 atom% of the mixed gas atmosphere, and 0.001
If it is less than atom%, the effect of mixing N 2 gas may not be sufficiently obtained, and a good reflective film may not be obtained.
If it exceeds 20 atom%, the reflective layer material is nitrided to form a semi-transparent film, and sufficient reflection tends not to be performed.

【0011】Alに対するZr及びMoの添加量には、
適当な値がある。Zr及びMoはAlに比べ反射率が低
いので、余り多く入れすぎると、反射率が低下する傾向
がある。
The amount of Zr and Mo added to Al is
There is an appropriate value. Since Zr and Mo have a lower reflectance than Al, if too much is added, the reflectance tends to decrease.

【0012】Alに対するZrの添加量は、0.05〜
80atom%が好ましく、0.05atom%未満で
あると、耐蝕性がAl単独の場合と大差なく、Zr添加
の効果が十分に得られない傾向があり、80atom%
を越えると、反射率の低いZrの影響が強くなり、所定
の反射率が得られなくなる傾向がある。Alに対するM
oの添加量は0.02〜40atom%が好ましく、
0.02atom%未満であると、耐蝕性がAl単独の
場合と大差なく、Mo添加の効果が十分に得られない傾
向があり、40atom%を越えると、反射率の低いM
oの影響が強くなり、所定の反射率が得られなくなる傾
向がある。
The amount of Zr added to Al is 0.05 to
80 atom% is preferable, and when it is less than 0.05 atom%, the corrosion resistance is not so different from that of Al alone, and the effect of Zr addition tends not to be sufficiently obtained.
When it exceeds, the influence of Zr having a low reflectance becomes strong, and it tends that the predetermined reflectance cannot be obtained. M for Al
The addition amount of o is preferably 0.02 to 40 atom%,
If it is less than 0.02 atom%, the corrosion resistance is not so different from that of Al alone, and there is a tendency that the effect of adding Mo is not sufficiently obtained, and if it exceeds 40 atom%, M having a low reflectance is obtained.
There is a tendency that the influence of o becomes strong and a predetermined reflectance cannot be obtained.

【0013】また、AlにZrとMoの両方を添加する
場合、ZrとMoの組成比は30:1〜1:20が好ま
しく、この範囲外であると、ZrとMoの相乗効果によ
る耐蝕性の向上が得られない傾向がある。
When both Zr and Mo are added to Al, the composition ratio of Zr and Mo is preferably 30: 1 to 1:20, and if it is out of this range, the corrosion resistance due to the synergistic effect of Zr and Mo is obtained. There is a tendency that no improvement can be obtained.

【0014】[0014]

【作用】本発明によれば、アルミニウムと、ジルコニウ
ム及び/またはモリブデン等をターゲットとしてスパッ
タリングを行なう場合に、スパッタ室内をArと20a
tom%以下のN2 の混合ガス雰囲気とすることによ
り、活性を有するAlを一部窒化物として安定化させる
ことが可能である。このため、スパッタリングを行なう
ときに、この雰囲気の不純物となる有害ガス成分の発生
を低減することができる。混合ガス雰囲気の不純物が少
ないと、得られた反射層のピンホール、酸化膜の発生が
低減されるため、良質な反射膜を形成することが可能と
考えられる。
According to the present invention, when aluminum, zirconium and / or molybdenum or the like is used as a target for sputtering, Ar and 20a are contained in the sputtering chamber.
By setting a mixed gas atmosphere of N 2 of tom% or less, active Al can be partially stabilized as a nitride. Therefore, when sputtering is performed, it is possible to reduce the generation of harmful gas components that become impurities in this atmosphere. When the mixed gas atmosphere contains few impurities, the generation of pinholes and oxide films in the obtained reflection layer is reduced, and it is considered possible to form a high-quality reflection film.

【0015】この反射膜は、Al単独ではなく、Zr及
び/またはMoが添加されていることから、Alの結晶
粒が微細化し、緻密な膜となる。このため、記録再生の
繰り返しでも劣化が起きず、信頼性が向上する。また、
Zr及びMoは、Alの耐蝕性の向上に効果があり、A
lの酸化劣化を防止することができる。
Since this reflective film contains Zr and / or Mo instead of Al alone, the crystal grains of Al become fine and become a dense film. Therefore, deterioration does not occur even when recording and reproduction are repeated, and reliability is improved. Also,
Zr and Mo are effective in improving the corrosion resistance of Al, and A
It is possible to prevent the oxidative deterioration of l.

【0016】[0016]

【実施例】以下、図面を参照し、本発明を具体的に説明
する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0017】図1は、本発明の適用が可能な相変化光デ
ィスクの層構成の一例を模式的に示す図である。図1に
示すように、本発明の適用が可能な相変化光ディスク
は、光ディスク基板6上に、保護層2、記録層1、保護
層3、反射層4、及び保護層5、が積層された構成を有
する。この層構成は単板の場合の例であり、記録層1の
ある面を内側にしてこの単板光ディスク2枚を貼り合わ
せ両面使用の光ディスクとすることも可能である。ま
た、用途に応じて保護層2、保護層3、保護層5はそれ
ぞれ省略することも可能である。
FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of the layer structure of a phase change optical disc to which the present invention can be applied. As shown in FIG. 1, a phase change optical disc to which the present invention is applicable has an optical disc substrate 6 on which a protective layer 2, a recording layer 1, a protective layer 3, a reflective layer 4, and a protective layer 5 are laminated. Have a configuration. This layer structure is an example in the case of a single plate, and it is also possible to bond two optical disks of this single plate with the surface having the recording layer 1 inside so as to form an optical disk for double-sided use. In addition, the protective layer 2, the protective layer 3, and the protective layer 5 can be omitted depending on the application.

【0018】光ディスク基板6は、透明で経時変化が少
ない材料、例えばポリメチルメタクリレート(PMM
A)のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で形成され
る。基板6には、記録フォーマットに応じて連続溝、サ
ンプルサーボマーク、フリーフォーマットマーク等が形
成される。
The optical disk substrate 6 is made of a material that is transparent and has little change over time, such as polymethylmethacrylate (PMM).
It is made of acrylic resin such as A), polycarbonate resin, epoxy resin, styrene resin, or glass. On the substrate 6, continuous grooves, sample servo marks, free format marks, etc. are formed according to the recording format.

【0019】記録層1は、少なくともTe、Sb,Ge
及びInから選ばれる3種以上を主成分とし、光ビーム
による熱的エネルギーの賦与により光学定数が変化する
相変化材料で形成されている。このような相変化材料と
して、例えばGeSbTe系、InSbTe系、GeT
eIn系等の3元系の材料を用いることができる。これ
らの光学特性が変化する材料は、真空蒸着法、スパッタ
法などで形成できる。この記録層1の膜厚は、実用上数
nm〜数μmの範囲であることが好ましい。
The recording layer 1 is at least Te, Sb, Ge.
And In as a main component, three or more selected from In and In are formed of a phase change material whose optical constant is changed by imparting thermal energy by a light beam. Examples of such phase change materials include GeSbTe-based, InSbTe-based, GeT
A ternary material such as an eIn-based material can be used. These materials whose optical characteristics change can be formed by a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or the like. The thickness of the recording layer 1 is preferably in the range of several nm to several μm for practical use.

【0020】保護層2及び3は、記録層1を挟むように
配設されており、記録ビームの照射により記録層1が、
飛散したり、穴があいてしまうことを防止する役割を有
している。また記録のときの記録層の加熱、冷却の熱拡
散を制御する役割もある。
The protective layers 2 and 3 are arranged so as to sandwich the recording layer 1, and the recording layer 1 is irradiated with a recording beam to
It has the role of preventing scattering and making holes. It also has a role of controlling heat diffusion of heating and cooling of the recording layer at the time of recording.

【0021】この保護層2、3は、Si02 、Si0、
AlN、Al2 3 、Zr02 、ZrO2 、Ta
2 3 、ZnS、Si、Geまたはこれらの混合膜等か
らなり、真空蒸着法やスパッタリング法等により形成さ
れる。保護層2及び3の膜厚は、実用上数nm〜数μm
であることが好ましい。
The protective layers 2 and 3 are made of Si0 2 , Si0,
AlN, Al 2 O 3, Zr0 2, ZrO 2, Ta
It is made of 2 O 3 , ZnS, Si, Ge or a mixed film thereof, and is formed by a vacuum deposition method, a sputtering method or the like. The thickness of the protective layers 2 and 3 is practically several nm to several μm.
Is preferred.

【0022】反射層4には、記録層の光学的変化を光学
的にエンハンスして再生信号を増大させる効果と記録層
の冷却効果とがある。本発明では、特にこの反射層4
に、アルミニウム(Al)に少なくともジルコニウム
(Zr)またはモリブデン(Mo)を添加してなる材料
を用い、該反射層4をスパッタ法で形成するときに、A
rと20atom%以下のN2 の混合ガス雰囲気で反射
層材料の原料となるターゲットをスパッタするものであ
る。反射層の膜厚は、実用上数nm〜数μmであること
が好ましい。
The reflective layer 4 has the effect of optically enhancing the optical change of the recording layer to increase the reproduction signal and the effect of cooling the recording layer. In the present invention, in particular, this reflective layer 4
And a material obtained by adding at least zirconium (Zr) or molybdenum (Mo) to aluminum (Al) is used, and when the reflective layer 4 is formed by the sputtering method, A
The target, which is a raw material of the reflective layer material, is sputtered in a mixed gas atmosphere of r and N 2 of 20 atom% or less. The thickness of the reflective layer is preferably several nm to several μm for practical use.

【0023】保護層5は、相変化光ディスクを取り扱う
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成される。この
保護層5は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法に
より反射層4の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化さ
せて形成する。この保護層5の膜厚としては、実用上数
μm〜数百μmの範囲であることが好ましい。
The protective layer 5 is provided to prevent scratches and dust when handling the phase change optical disk, and is usually made of an ultraviolet curable resin or the like. The protective layer 5 is formed, for example, by coating an ultraviolet curable resin on the surface of the reflective layer 4 by a spin coating method and irradiating it with ultraviolet rays to cure it. The thickness of the protective layer 5 is practically preferably in the range of several μm to several hundreds of μm.

【0024】特に、この発明においては層構成を急冷構
造とすることが望ましく、保護層2または保護層3に熱
伝導率の大きな材料を用いることが望ましい。また、記
録層1の光学特性が変化する材料も、非晶質化し易い材
料であることが好ましい。さらに、記録層1の膜厚を薄
くすること、反射層4側の保護層3の膜厚を薄くするこ
とも有効である。
In particular, in the present invention, it is desirable that the layer structure has a rapid cooling structure, and it is desirable that the protective layer 2 or the protective layer 3 is made of a material having a large thermal conductivity. Further, it is preferable that the material that changes the optical characteristics of the recording layer 1 is also a material that easily becomes amorphous. Further, it is also effective to reduce the thickness of the recording layer 1 and the thickness of the protective layer 3 on the reflective layer 4 side.

【0025】さらに、大きな信号を得るためには、光学
特性が変化する材料の光学変化量が大きいことが、また
オーバーライト動作を行なうためには高速消去が可能で
なければならない。このような材料として、少なくと
も、Te、Sb,Ge及びInからなる群から選ばれる
3種以上を主成分とする材料が有効である。例えば、G
eSbTe系、InSbTe系、GeTeIn系の少な
くとも3元系の材料をあげることができる。
Furthermore, in order to obtain a large signal, the amount of optical change of the material whose optical characteristics change must be large, and high speed erasing must be possible in order to perform the overwrite operation. As such a material, a material containing at least three or more selected from the group consisting of Te, Sb, Ge and In as a main component is effective. For example, G
At least ternary materials such as eSbTe system, InSbTe system, and GeTeIn system can be used.

【0026】ここでは、記録層1としてGe−Sb−T
e系材料を用い、反射層4としてAl−4atom%Z
r合金膜を用い、保護層2、3としてZnS−20mo
l%SiO2混合膜を用い、保護層5としてUV硬化膜
を用い、光ディスク基板6としてPC(ポリカーボネー
ト)基板を用いた。以下、図2及び図3を参照しながら
この実施例に係わる情報記録媒体の製造方法の一例につ
いて説明する。
Here, Ge-Sb-T is used as the recording layer 1.
Using an e-based material, Al-4 atom% Z as the reflective layer 4
ZnS-20mo is used as the protective layers 2 and 3 using an r alloy film.
A 1% SiO 2 mixed film was used, a UV cured film was used as the protective layer 5, and a PC (polycarbonate) substrate was used as the optical disc substrate 6. An example of a method of manufacturing the information recording medium according to this embodiment will be described below with reference to FIGS.

【0027】図2は、この実施例の情報記録媒体を製造
するために用いられるスパッタリング装置の概略構成を
示す縦断面図、図3はその横断面図である。図中10は
真空容器を示し、この真空容器10は、その底面にガス
導入ポート11及びガス排気ポート12を有している。
ガス排出ポート12は排気装置13に接続されており、
この排気装置13により排出ポート12を介して真空容
器10内が排気される。またガス導入ポート11はアル
ゴンガスボンベ14に接続されており、このボンベ14
から真空容器10内にガス導入ポート11を介してスパ
ッタリングガスとしてのアルゴンガスが導入される。
FIG. 2 is a vertical sectional view showing a schematic structure of a sputtering apparatus used for manufacturing the information recording medium of this embodiment, and FIG. 3 is a transverse sectional view thereof. In the figure, 10 indicates a vacuum container, and this vacuum container 10 has a gas introduction port 11 and a gas exhaust port 12 on the bottom surface thereof.
The gas discharge port 12 is connected to the exhaust device 13,
The exhaust device 13 exhausts the inside of the vacuum container 10 through the exhaust port 12. Further, the gas introduction port 11 is connected to an argon gas cylinder 14, and this cylinder 14
Argon gas as a sputtering gas is introduced into the vacuum container 10 through the gas introduction port 11.

【0028】また図示してないが、アルゴンガス用と同
様に窒素ガス用のガス導入ポート及び窒素ガスボンベが
設けられており、反射層を成膜するときはこのポートか
ら窒素ガスが導入される。
Although not shown, a gas introduction port for nitrogen gas and a nitrogen gas cylinder are provided as in the case of argon gas, and nitrogen gas is introduced through this port when the reflective layer is formed.

【0029】真空容器10内の上部には、基板支持用の
円盤状の回転基台15がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に基板6が支持され、図示しないモータ
ーによって回転されるようになっている。また、真空容
器10内の底部近傍には、基台15に対向するように、
各層を構成する記録層1用のGe−Sb−Te系材料か
らなるスパッタリング源21、保護層2及び3用のZn
S−20mol%SiO2混合膜からなるスパッタリン
グ源22、及び本発明に係わる反射層4用のAl−3a
tom%Zr合金膜からなるスパッタリング源23が配
設されており、各スパッタリング源には図示しない高周
波電源が接続されている。これらのスパッタリング源2
1、22、23の上部には、それぞれモニタ装置24、
25、26が設けられており、これらモニタ装置により
各スパッタリング源からのスパッタリング量をモニタ
し、記録層が所定の組成になるように各スパッタリング
源に投入する電力量を調整するようになっている。この
ようなスパッタリング装置においては、まず排気装置に
より真空容器10内を、例えば百万分の1Torr台ま
で排気する。
A disk-shaped rotating base 15 for supporting the substrate is disposed in the upper part of the vacuum container 10 with its surface horizontal, and the substrate 6 is supported on the lower surface thereof and rotated by a motor (not shown). It is supposed to be done. Further, in the vicinity of the bottom of the vacuum container 10, so as to face the base 15,
Sputtering source 21 made of Ge—Sb—Te based material for recording layer 1 constituting each layer, Zn for protective layers 2 and 3
Sputtering source 22 made of S-20 mol% SiO2 mixed film, and Al-3a for the reflective layer 4 according to the present invention.
A sputtering source 23 made of a tom% Zr alloy film is provided, and a high-frequency power source (not shown) is connected to each sputtering source. These sputtering sources 2
Monitor devices 24,
25 and 26 are provided, and the amount of power supplied to each sputtering source is adjusted so that the amount of sputtering from each sputtering source is monitored by these monitoring devices and the recording layer has a predetermined composition. .. In such a sputtering apparatus, first, the inside of the vacuum container 10 is evacuated by the evacuation apparatus to, for example, a unit of 1 to 1 Torr.

【0030】次いで、ガス導入ポート11を介して容器
10内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置13の排
気量を調節して真空容器10内を所定のアルゴンガス雰
囲気に保持する。この状態で、基板6を回転させつつ、
各スパッタリング源に層構成の順番に所定時間、所定の
電力を印加する。これにより、基板6に所定の層構成を
形成することができる。
Next, while introducing argon gas into the container 10 through the gas introduction port 11, the exhaust amount of the exhaust device 13 is adjusted to maintain the inside of the vacuum container 10 in a predetermined argon gas atmosphere. In this state, while rotating the substrate 6,
A predetermined electric power is applied to each sputtering source in the order of layer structure for a predetermined time. As a result, a predetermined layer structure can be formed on the substrate 6.

【0031】本発明では特に反射層を成膜するときにア
ルゴンガスのガス導入ポートと、窒素ガスのガス導入ポ
ートを両方開いて所定の混合比となるようにガス流量を
調整するものである。また、予め、所定の混合比のアル
ゴンと窒素の混合ガスボンベを用意しておき、ガス導入
ポートから混合ガスを導入してもよい。 [実験例]上述のスパッタリング装置を用い、まず排気
装置により真空容器10内を例えば百万分の8Torr
まで排気した。次に、所定の混合比となるようにアルゴ
ンガスと窒素ガスを導入し、真空容器内を千分の3To
rrとした。
In the present invention, particularly when forming the reflective layer, both the gas introduction port of argon gas and the gas introduction port of nitrogen gas are opened to adjust the gas flow rate so as to obtain a predetermined mixing ratio. Further, a mixed gas cylinder of argon and nitrogen having a predetermined mixing ratio may be prepared in advance, and the mixed gas may be introduced from the gas introduction port. [Experimental Example] Using the above-described sputtering apparatus, first, the inside of the vacuum container 10 was, for example, 8 Torr per million by an exhaust device.
Exhausted to. Next, argon gas and nitrogen gas were introduced so as to obtain a predetermined mixing ratio, and the inside of the vacuum container was heated to 3/1000 to
rr.

【0032】さらに、ガス混合比を順々に変化させ、ス
パッタリング源として、各々Al−3atom%Zr、
Al−2atom%Mo、Al−2atom%、Zr−
1atom%Mo合金を用いた場合について、スパッタ
リングを行なってAl合金膜が形成されるかどうか調べ
た。なお、用いた電力は、60〜150Wであった。表
1にその結果を示す。
Further, the gas mixture ratio was changed in sequence, and Al-3 atom% Zr, respectively, were used as sputtering sources.
Al-2 atom% Mo, Al-2 atom%, Zr-
In the case of using the 1 atom% Mo alloy, it was examined whether or not the Al alloy film was formed by performing the sputtering. The electric power used was 60 to 150 W. The results are shown in Table 1.

【0033】[0033]

【表1】 合金膜の状態 窒素量 Al−Zr Al−Mo Al−Mo−Zr [atom%] なし 形成せず 形成せず 形成せず 5.0 反射膜 反射膜 反射膜 10.0 反射膜 反射膜 反射膜 15.0 反射膜 反射膜 反射膜 20.0 反射膜 反射膜 反射膜 25.0 半透明膜 半透明膜 半透明膜 30.0 半透明膜 半透明膜 半透明膜 以上の実験結果から明らかなように反射層としてのAl
合金膜を形成するためには、アルゴンガスへの窒素の混
合量が20%以下であることが有効である。一方、窒素
の混合量が25%以上では、Al合金膜が半透明膜とな
り、反射層としては不適合であった。また、窒素ガスが
混合してない場合は、Al合金膜が形成されなかった。
[Table 1] State of alloy film Nitrogen amount Al-Zr Al-Mo Al-Mo-Zr [atom%] None Not formed Not formed Not formed 5.0 Reflective film Reflective film Reflective film 10.0 Reflective film Reflective Film Reflective film 15.0 Reflective film Reflective film Reflective film 20.0 Reflective film Reflective film Reflective film 25.0 Semi-transparent film Semi-transparent film Semi-transparent film 30.0 Semi-transparent film Semi-transparent film Semi-transparent film From the above experimental results As is clear, Al as the reflection layer
In order to form the alloy film, it is effective that the amount of nitrogen mixed with the argon gas is 20% or less. On the other hand, when the amount of nitrogen mixed was 25% or more, the Al alloy film became a semitransparent film and was not suitable as a reflective layer. Further, when the nitrogen gas was not mixed, the Al alloy film was not formed.

【0034】このようにして得られた反射膜は、ピンホ
ール、不純物の取り込み、酸化膜などの形成がなく、光
学的に十分な反射率を示した。また、この反射膜が形成
された情報記録媒体を相変化光ディスクとして用いたと
ころ、耐蝕性、記録再生及び繰り返し特性が良好であっ
た。
The reflection film thus obtained did not have pinholes, incorporation of impurities, formation of oxide film, etc., and showed a sufficient optical reflectance. Further, when the information recording medium having this reflective film formed thereon was used as a phase change optical disc, the corrosion resistance, recording / reproducing and repetitive characteristics were good.

【0035】以上、相変化光ディスクの実施例について
説明したが、本発明は、それに限定されるものではな
く、情報の記録再生で用いられる光ディスク、光カー
ド、光テープなどの反射層を用いる情報記録媒体の製造
方法に関して適用できる。
Although the embodiments of the phase change optical disk have been described above, the present invention is not limited to this, and information recording using a reflective layer such as an optical disk, an optical card, an optical tape used for recording and reproducing information. It can be applied to a method of manufacturing a medium.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上のように、本発明の方法を用いる
と、基板上にアルミニウム(Al)と、少なくともジル
コニウムまたはモリブデンとを含む材料からなる反射層
をスパッタ法で形成するとき、スパッタ室内の雰囲気を
アルゴンと20atom%の窒素との混合雰囲気とする
ことにより、光学的に十分な反射率をもつ良質なAl合
金反射膜が得られる。また、このようにして得られた反
射膜を有する情報記録媒体は、耐蝕性、記録再生及び繰
り返し特性に優れている。
As described above, according to the method of the present invention, when the reflective layer made of a material containing aluminum (Al) and at least zirconium or molybdenum is formed on the substrate by the sputtering method, By setting the atmosphere to be a mixed atmosphere of argon and 20 atom% of nitrogen, a high-quality Al alloy reflective film having an optical sufficient reflectance can be obtained. In addition, the information recording medium having the reflection film thus obtained is excellent in corrosion resistance, recording / reproducing and repetitive characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にかかる相変化光ディスク記録媒体の一
例の断面図を模式的に示す図。
FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross-sectional view of an example of a phase change optical disc recording medium according to the present invention.

【図2】本発明に用いられるスパッタリング装置の一例
の概略構成を示す縦断面図。
FIG. 2 is a vertical sectional view showing a schematic configuration of an example of a sputtering apparatus used in the present invention.

【図3】図2に示す装置の横断面図。3 is a cross-sectional view of the device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…記録層、2…保護層、3…保護層、4…反射層、5
…保護層、6…光ディスク基板、10…真空容器、11
…ガス導入ポート、12…ガス排気ポート、13…排気
装置、14…アルゴンガスボンベ、15…回転基台、2
1…スパッタリング源、22…スパッタリング源、23
…スパッタリング源、24…モニタ装置、25…モニタ
装置、26…モニタ装置。
1 ... recording layer, 2 ... protective layer, 3 ... protective layer, 4 ... reflective layer, 5
... Protective layer, 6 ... Optical disc substrate, 10 ... Vacuum container, 11
... Gas introduction port, 12 ... Gas exhaust port, 13 ... Exhaust device, 14 ... Argon gas cylinder, 15 ... Rotation base, 2
1 ... Sputtering source, 22 ... Sputtering source, 23
... Sputtering source, 24 ... Monitor device, 25 ... Monitor device, 26 ... Monitor device.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 スパッタ室内をArと20atom%以
下のN2 との混合ガス雰囲気とする条件下で、アルミニ
ウム(Al)と、ジルコニウム(Zr)及びモリブデン
(Mo)からなる群から選択された少なくとも1種とを
ターゲットとし、スパッタリングを行なうことにより基
板上に反射層を形成する工程を具備することを特徴とす
る情報記録媒体の製造方法。
1. At least one selected from the group consisting of aluminum (Al), zirconium (Zr), and molybdenum (Mo) under a condition that the sputtering chamber is in a mixed gas atmosphere of Ar and N 2 of 20 atom% or less. A method of manufacturing an information recording medium, comprising the step of forming a reflective layer on a substrate by performing sputtering using one kind of target as a target.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0924316A1 (en) * 1997-12-18 1999-06-23 HARTEC GESELLSCHAFT FUR HARTSTOFFE UND DUNNSCHICHTTECHNIK MBH &amp; CO. KG Coating system, method for its fabrication, and its use
JP2013253278A (en) * 2012-06-06 2013-12-19 Geomatec Co Ltd Aluminum alloy film and method for producing the same

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EP0924316A1 (en) * 1997-12-18 1999-06-23 HARTEC GESELLSCHAFT FUR HARTSTOFFE UND DUNNSCHICHTTECHNIK MBH &amp; CO. KG Coating system, method for its fabrication, and its use
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