JPH07262614A - Information recording medium - Google Patents
Information recording mediumInfo
- Publication number
- JPH07262614A JPH07262614A JP6054132A JP5413294A JPH07262614A JP H07262614 A JPH07262614 A JP H07262614A JP 6054132 A JP6054132 A JP 6054132A JP 5413294 A JP5413294 A JP 5413294A JP H07262614 A JPH07262614 A JP H07262614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- film
- recording film
- substrate
- information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録再生に用い
られる相変化型の情報記録媒体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase change type information recording medium used for recording and reproducing information.
【０００２】[0002]
【従来の技術】情報の記録再生に用いられる相変化型の
光ディスクとして、カルコゲナイド系材料を記録膜に用
いた光ディスクが検討されている。この相変化型光ディ
スクの従来技術については、「書換え可能光ディスク材
料」奥田昌宏著、株式会社工業調査会発行、１９８９年
５月２０日初版発行、に詳細に記載されている。かかる
相変化型光ディスクは、カルコゲナイド系記録膜の結晶
相、非晶質相の相変化を利用して情報の記録再生を行な
うものであり、その動作は次のように行なわれている。2. Description of the Related Art As a phase change type optical disk used for recording and reproducing information, an optical disk using a chalcogenide material as a recording film has been studied. The prior art of this phase change type optical disk is described in detail in "Rewritable Optical Disk Material" by Masahiro Okuda, published by Kogyo Kenkyukai Co., Ltd., published on May 20, 1989, first edition. Such a phase-change type optical disk records / reproduces information by utilizing the phase change of the crystalline phase and the amorphous phase of the chalcogenide recording film, and its operation is performed as follows.
【０００３】（１）スパッタ、蒸着などで成膜された記
録膜は非晶質であるので、加熱アニール処理または光ビ
ーム照射などで、記録膜を結晶相とする。これを初期
（結晶）化という。(1) Since the recording film formed by sputtering, vapor deposition or the like is amorphous, the recording film is made into a crystalline phase by heat annealing treatment or light beam irradiation. This is called initial (crystallization).
【０００４】（２）短パルス、高パワーの記録パルスで
結晶相の記録膜を溶融した後急冷し、非晶質化して記録
マークとする。 （３）長パルス、低パワーの消去パルスで非晶質相の記
録マークを結晶化し、記録マークを消去する。(2) A recording film in a crystalline phase is melted by a short pulse and a high power recording pulse and then rapidly cooled to be amorphized to form a recording mark. (3) Amorphous recording marks are crystallized by a long pulse and low power erasing pulse to erase the recording marks.
【０００５】また、消去パワーに記録パワーを重畳させ
て、オーバーライトを行なうことも検討されている。相
変化型光ディスクの層構成としては、光ディスク基板上
に、誘電体保護膜、相変化記録膜、誘電体保護膜、金属
または合金反射膜を順次積層した構造のものが一般に用
いられている。Further, it is also considered to overwrite by superposing the recording power on the erasing power. As a layer structure of a phase change type optical disc, a structure in which a dielectric protective film, a phase change recording film, a dielectric protective film, and a metal or alloy reflective film are sequentially laminated on an optical disc substrate is generally used.
【０００６】光ディスク基板と相変化記録膜との間に金
属膜を設けた層構成について、特開昭６２−２２６４４
６号、特開平４−２６５５４１号公報に記載されている
ものがある。すなわち、特開昭６２−２２６４４６号公
報には、光ディスク基板と相変化記録膜との間に半透明
の金属膜を設けた層構成で、記録膜の記録感度を向上さ
せるために光吸収層として半透明の金属膜を設けること
が記載されている。また、特開平４−２６５５４１号公
報には、光ディスク基板と相変化記録膜との間に金属膜
を設けた層構成とし、ディスクの光反射率を高めること
が記載されている。しかし、これら公報に記載されてい
る光ディスクは、金属膜にＡｕを用いたものであり、高
融点の金属膜を用いることについては言及していない。A layer structure in which a metal film is provided between an optical disk substrate and a phase change recording film is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-22644.
No. 6 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-265541. That is, Japanese Patent Laid-Open No. 62-226446 discloses a layer structure in which a semitransparent metal film is provided between an optical disk substrate and a phase change recording film, and a light absorbing layer is used to improve the recording sensitivity of the recording film. It is described that a semitransparent metal film is provided. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-265541 discloses that a metal film is provided between an optical disk substrate and a phase change recording film to increase the optical reflectance of the disk. However, the optical disks described in these publications use Au for the metal film, and do not mention the use of the metal film having a high melting point.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の相
変化型光ディスクでは、オーバーライトでの繰り返し
は、繰り返し回数が千回から１０万回程度が限界であっ
た。しかし、計算機の補助記憶装置としての使用を考え
ると、更に繰り返し回数の向上した相変化型光ディスク
が望まれている。In the conventional phase change type optical disk as described above, the number of repetitions in overwriting is limited to about 1,000 to 100,000 times. However, considering the use as an auxiliary storage device of a computer, a phase change type optical disc having a further improved number of repetitions is desired.
【０００８】そこで、本発明の目的は、繰り返し記録消
去での信頼性が向上し、繰り返し回数が更に向上した相
変化型情報記録媒体を提供することを目的とする。本発
明の他の目的は、上記相変化型情報記録媒体を製造する
方法を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a phase change type information recording medium having improved reliability in repeated recording and erasing and further improved number of repetitions. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing the phase change type information recording medium.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）は、
基板と、この基板上に形成され、光ビームの照射により
状態の変化を生じさせて情報を記録する相変化型の記録
膜と、この記録膜上及び／又は前記基板と記録膜との間
に形成された誘電体保護膜とを具備する情報記録媒体で
あって、前記保護膜と前記記録膜との間に、記録膜材料
よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶しない金属、合
金又は金属間化合物からなる境界層を有することを特徴
とする情報記録媒体を提供する。The present invention (Claim 1) includes:
A substrate, a phase change type recording film formed on the substrate for changing the state by irradiation of a light beam to record information, and on the recording film and / or between the substrate and the recording film. An information recording medium comprising a formed dielectric protective film, wherein a metal or an alloy having a melting point higher than that of the recording film material and not forming a solid solution with the recording film material is provided between the protective film and the recording film. Alternatively, an information recording medium having a boundary layer made of an intermetallic compound is provided.
【００１０】また、本発明（請求項２）は、基板と、こ
の基板上に形成され、光ビームの照射により状態の変化
を生じさせて情報を記録する相変化型の記録膜と、この
記録膜上及び／又は前記基板と記録膜との間に接して形
成された、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料と
は固溶しない金属、合金又は金属間化合物からなる金属
膜とを具備することを特徴とする情報記録媒体を提供す
る。According to the present invention (claim 2), a substrate, a phase change type recording film which is formed on the substrate and changes state by irradiation of a light beam to record information, and this recording film. A metal film formed on the film and / or in contact with the substrate and the recording film, the metal film having a melting point higher than that of the recording film material and not forming a solid solution with the recording film material, an alloy or an intermetallic compound. An information recording medium characterized by being provided.
【００１１】また、本発明（請求項３）は、基板と、こ
の基板上に形成され、光ビームの照射により状態の変化
を生じさせて情報を記録する相変化型の記録膜と、この
記録膜上及び／又は前記基板と記録膜との間に形成され
た誘電体保護膜とを具備し、前記保護膜と前記記録膜と
の間に、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは
固溶しない金属、合金又は金属間化合物からなる境界層
を有する情報記録媒体の製造方法であって、記録膜材
料、誘電体保護膜材料、及び境界層材料を、気相法によ
り、大気に曝すことなく真空中で連続して成膜すること
を特徴とする情報記録媒体の製造方法を提供する。The present invention (Claim 3) is directed to a substrate, a phase change recording film formed on the substrate for recording information by causing a state change by irradiation of a light beam, and the recording film. A dielectric protective film formed on the film and / or between the substrate and the recording film, and having a melting point higher than that of the recording film material between the protective film and the recording film; Is a method of manufacturing an information recording medium having a boundary layer composed of a metal, an alloy or an intermetallic compound which does not form a solid solution, wherein a recording film material, a dielectric protective film material, and a boundary layer material are formed into an atmosphere by a gas phase method. Provided is a method for manufacturing an information recording medium, which is characterized in that a film is continuously formed in a vacuum without being exposed to light.
【００１２】また、本発明（請求項４）は、基板と、こ
の基板上に形成され、光ビームの照射により状態の変化
を生じさせて情報を記録する相変化型の記録膜と、この
記録膜上及び／又は前記基板と記録膜との間に形成され
た誘電体保護膜とを具備する情報記録媒体であって、前
記保護膜と前記記録膜との間に、記録膜材料の融点（摂
氏）の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは固溶しな
い金属、合金又は金属間化合物からなる境界層を有する
ことを特徴とする情報記録媒体を提供する。According to the present invention (claim 4), a substrate, a phase change type recording film which is formed on the substrate and changes state by irradiation of a light beam to record information, and the recording film. An information recording medium comprising a dielectric protective film formed on a film and / or between the substrate and a recording film, wherein a melting point ( (EN) An information recording medium having a boundary layer made of a metal, an alloy or an intermetallic compound which has a melting point three times or more than that of Celsius) and which does not form a solid solution with a recording film material.
【００１３】また、本発明（請求項５）は、基板と、こ
の基板上に形成され、光ビームの照射により状態の変化
を生じさせて情報を記録する相変化型の記録膜と、この
記録膜に接して形成された、記録膜材料の融点（摂氏）
の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは固溶しない金
属、合金又は金属間化合物からなり、前記光ビ−ムを実
質的に透過しない膜厚の金属膜とを具備することを特徴
とする情報記録媒体を提供する。According to the present invention (claim 5), a substrate, a phase change type recording film which is formed on the substrate and changes state by irradiation of a light beam to record information, and the recording film. Melting point of recording film material formed in contact with the film (Celsius)
A metal film having a melting point three times or more that of the above, which does not form a solid solution with the recording film material, and which has a film thickness that does not substantially transmit the optical beam. Provided is a characteristic information recording medium.
【００１４】また、本発明（請求項６）は、基板と、こ
の基板上に形成され、光ビームの照射により状態の変化
を生じさせて情報を記録する相変化型の記録膜と、この
記録膜に接して形成された、記録膜材料の融点（摂氏）
の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは固溶しない金
属、合金又は金属間化合物からなり、前記光ビ−ムを実
質的に透過しない膜厚の金属膜と、この金属膜の前記記
録膜とは反対側の面に形成された誘電体保護膜とを具備
することを特徴とする情報記録媒体を提供する。According to the present invention (claim 6), a substrate, a phase change type recording film which is formed on the substrate and changes state by irradiation of a light beam to record information, and the recording film. Melting point of recording film material formed in contact with the film (Celsius)
Of a metal, an alloy or an intermetallic compound which has a melting point three times or more than that of the recording film material and does not form a solid solution with the recording film material, and has a film thickness that does not substantially transmit the optical beam. An information recording medium comprising: a dielectric protective film formed on a surface opposite to the recording film.
【００１５】[0015]
【作用】一般に、相変化型光ディスクの層構成は、基板
上に誘電体保護膜、相変化型記録膜、誘電体保護膜、金
属または合金の反射膜、及び紫外線硬化樹脂膜を順次積
層したものである。この層構成の相変化型光ディスクに
対し、繰り返しオーバーライトを行なうと、誘電体保護
膜と記録膜との境界で剥離を生じ、そのため繰り返し特
性が劣化している。これは誘電体保護膜と記録膜との付
着性がよくないためである。In general, the layer structure of a phase change type optical disc is such that a dielectric protective film, a phase change type recording film, a dielectric protective film, a metal or alloy reflective film, and an ultraviolet curable resin film are sequentially laminated on a substrate. Is. When a phase change type optical disc having this layer structure is repeatedly overwritten, peeling occurs at the boundary between the dielectric protective film and the recording film, which deteriorates the repeating characteristics. This is because the adhesion between the dielectric protective film and the recording film is not good.
【００１６】そこで本発明では、誘電体保護膜と記録膜
の付着力の改善をめざし、誘電体保護膜と記録膜との間
に、記録膜材料よりも融点が高い金属、合金又は金属間
化合物からなる境界層を設けるものである。Therefore, in the present invention, in order to improve the adhesive force between the dielectric protective film and the recording film, a metal, an alloy or an intermetallic compound having a melting point higher than that of the recording film material is provided between the dielectric protective film and the recording film. A boundary layer consisting of
【００１７】このように金属膜からなる境界層を誘電体
保護膜と記録膜との間に設けることにより、これらの間
の付着性が向上し、繰り返し特性の優れた相変化光ディ
スクを得ることが可能である。By thus providing the boundary layer made of the metal film between the dielectric protective film and the recording film, the adhesion between them is improved, and a phase change optical disk having excellent repeatability can be obtained. It is possible.
【００１８】また、相変化型の記録膜と接して記録膜材
料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶しない金属、
合金又は金属間化合物からなり、かつ光ビ−ムを実質的
に透過しない膜厚の金属膜を設けることによって、この
金属膜は反射膜を兼ねるとともに、記録膜上の誘電体保
護膜を省略することも可能となる。Further, a metal which is in contact with the phase change type recording film and has a higher melting point than the recording film material and does not form a solid solution with the recording film material,
By providing a metal film made of an alloy or an intermetallic compound and having a thickness that does not substantially transmit a light beam, this metal film also serves as a reflection film, and the dielectric protective film on the recording film is omitted. It is also possible.
【００１９】更に、本発明の方法では、記録膜材料、誘
電体保護膜材料、及び境界層材料を、気相法により、大
気に曝すことなく真空中で連続して成膜している。その
ため、これら各材料からなる金属膜は酸化されることが
なく、良好な膜質の相変化型光ディスクを製造すること
が可能である。Further, according to the method of the present invention, the recording film material, the dielectric protective film material, and the boundary layer material are continuously formed in a vacuum by a vapor phase method without being exposed to the atmosphere. Therefore, the metal film made of each of these materials is not oxidized, and it is possible to manufacture a phase-change type optical disc with good film quality.
【００２０】[0020]
【実施例】以下、本発明の種々の実施例を示し、本発明
をより具体的に説明する。 （実施例１）図１に本発明の一実施例に係る相変化光デ
ィスクの層構成の一例を模式的に示す。図１において、
相変化光ディスクは、光ディスク基板６、保護層３、記
録層１、境界層７、保護層２、反射層４及び保護層５か
ら構成されている。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically by showing various examples of the present invention. (Embodiment 1) FIG. 1 schematically shows an example of the layer structure of a phase change optical disk according to an embodiment of the present invention. In FIG.
The phase change optical disk is composed of an optical disk substrate 6, a protective layer 3, a recording layer 1, a boundary layer 7, a protective layer 2, a reflective layer 4 and a protective layer 5.
【００２１】この層構成は単板型の場合の例であり、記
録層１のある面を内側にしてこの単板型光ディスク２枚
を貼り合わせ、両面使用の光ディスクとすることも可能
である。また、用途に応じて、保護層３，５はそれぞれ
省略することも可能である。This layer structure is an example in the case of a single plate type, and it is also possible to bond two single plate type optical discs with the surface having the recording layer 1 inside to form a double-sided optical disc. Further, the protective layers 3 and 5 may be omitted depending on the application.
【００２２】光ディスク基板６は、透明で経時変化が少
ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で構成され
る。この光ディスク基板６には、記録フォーマットに応
じて連続溝、サンプルサーボマーク、プリフォーマット
マーク等が形成される。The optical disk substrate 6 is made of a transparent material that does not easily change with time, such as polymethylmethacrylate (PMM).
It is made of acrylic resin such as A), polycarbonate resin, epoxy resin, styrene resin, or glass. On the optical disc substrate 6, continuous grooves, sample servo marks, preformat marks, etc. are formed according to the recording format.
【００２３】記録層１は、光ビームが照射されることに
より状態が変化する材料で構成されている。このような
相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、Ｇｅ
ＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系
等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料やＩｎＳ
ｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体材
料などを用いることができる。この記録層１は、真空蒸
着法やスパッタリング法等で形成することができる。こ
の記録層１の膜厚としては、実用上０．５ｎｍ〜１０μ
ｍの範囲であることが好ましい。The recording layer 1 is made of a material whose state changes when irradiated with a light beam. Examples of such phase change materials include GeTe-based, TeSe-based, Ge
SbSe-based, TeOx-based, InSe-based, GeSbTe-based chalcogenide-based amorphous semiconductor materials and InS
A compound semiconductor material such as b-based, GaSb-based, InSbTe-based, or the like can be used. The recording layer 1 can be formed by a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or the like. The thickness of the recording layer 1 is practically 0.5 nm to 10 μm.
It is preferably in the range of m.
【００２４】保護層２、３は、記録層１を挟むように配
設されており、記録ビームの照射により記録層１が、飛
散したり、穴があいてしまうことを防止する役割を有し
ている。また、記録のときの記録層の加熱、冷却の熱拡
散を制御する役割もある。この保護層２、３は、ＳｉＯ
2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ
2 、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはこれらの
混合材料等を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成
することができる。保護層２、３の膜厚は実用上０．１
ｎｍ〜５００μｍであることが好ましい。The protective layers 2 and 3 are arranged so as to sandwich the recording layer 1 and have a role of preventing the recording layer 1 from scattering or having holes due to the irradiation of the recording beam. ing. Further, it also has a role of controlling heat diffusion of heating and cooling of the recording layer at the time of recording. The protective layers 2 and 3 are made of SiO.
2 , SiO, AlN, Al 2 O 3 , ZrO 2 , TiO
2 , Ta 2 O 3 , ZnS, Si, Ge, a mixed material thereof, or the like can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. The thickness of the protective layers 2 and 3 is practically 0.1.
It is preferably from nm to 500 μm.
【００２５】反射層４は、記録層の光学的変化を光学的
にエンハンスして再生信号を増大させる効果と、記録層
の冷却効果とを有する。この反射層４は、Ａｕ、Ａｌ、
Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｒ、またはこれらを主成分とした合金等
の金属膜を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成す
ることができる。反射層の膜厚は、実用上１０ｎｍ以上
であることが好ましい。The reflective layer 4 has the effect of optically enhancing the optical change of the recording layer to increase the reproduction signal and the effect of cooling the recording layer. The reflective layer 4 is made of Au, Al,
A metal film such as Cu, Ni—Cr, or an alloy containing any of these as a main component can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. The thickness of the reflective layer is preferably 10 nm or more for practical use.
【００２６】保護層５は、相変化光ディスクを取り扱う
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常、紫外線硬化樹脂などにより構成される。こ
の保護層５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法
により反射層４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化
させて形成する。この保護層５の膜厚としては、実用
上、０．１μｍ〜５００μｍの範囲であることが好まし
い。The protective layer 5 is provided to prevent scratches and dust when handling the phase change optical disk, and is usually made of an ultraviolet curable resin or the like. The protective layer 5 is formed, for example, by applying an ultraviolet curable resin to the surface of the reflective layer 4 by a spin coating method and irradiating it with ultraviolet rays to cure it. Practically, the film thickness of the protective layer 5 is preferably in the range of 0.1 μm to 500 μm.
【００２７】境界層７は、記録膜材料よりも融点が高い
金属あるいは合金または金属間化合物から構成される。
このような境界層７は、保護層２と記録層１に固溶する
ことなく、かつ記録層１との濡れ性が良好であるので、
保護膜２と記録膜１との間の付着性を向上させることが
できる。The boundary layer 7 is made of a metal, an alloy or an intermetallic compound having a melting point higher than that of the recording film material.
Since such a boundary layer 7 does not form a solid solution with the protective layer 2 and the recording layer 1 and has good wettability with the recording layer 1,
The adhesiveness between the protective film 2 and the recording film 1 can be improved.
【００２８】記録層１への拡散を防止するために、境界
層７を構成する材料の融点は、記録層１の融点（摂氏）
の３倍以上の融点であることが望ましい。境界層７とし
てこのような材質を選択することにより、境界層７の融
点の半分以下の温度において、境界層７は冷間加工状態
となり、拡散が抑制されるためである。In order to prevent diffusion into the recording layer 1, the melting point of the material forming the boundary layer 7 is the melting point of the recording layer 1 (Celsius).
It is desirable that the melting point is 3 times or more. This is because by selecting such a material for the boundary layer 7, the boundary layer 7 is in a cold working state at a temperature equal to or lower than half the melting point of the boundary layer 7 and diffusion is suppressed.
【００２９】例えば、融点が約６００℃のＧｅＳｂＴｅ
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えば、Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｎｂ−
Ａｌなどが境界層７を構成する材料として適している。
また、境界層７を構成する材料として特に適切なもの
は、Ｗ，Ｔａ，Ｍｏである。For example, GeSbTe having a melting point of about 600 ° C.
For the recording layer of the system, the melting point of W is about 1800 ° C. or higher,
Ta, Re, Ir, Os, Hf, Mo, Nb, Ru, T
c, Rh, Zr, etc., and their alloys and other compounds such as Ta-W, W-Si, Mo-Si, Nb-.
Al or the like is suitable as a material forming the boundary layer 7.
Moreover, W, Ta, and Mo are particularly suitable as the material forming the boundary layer 7.
【００３０】境界層７は、それを構成する材料のスパッ
タまたは蒸着などの気相法で形成することができる。例
えば、スパッタ法では、境界層７を構成する材料である
金属または合金のターゲットを用いて行う。The boundary layer 7 can be formed by a vapor phase method such as sputtering or vapor deposition of the material forming the boundary layer 7. For example, the sputtering method is performed using a metal or alloy target that is a material forming the boundary layer 7.
【００３１】境界層７の膜厚は、実用上境界層としての
機能から、光記録の記録再生で使用される光ビームを完
全には遮断しない膜厚で、光学的及び熱的要件から１〜
１００ｎｍの範囲で設定されることが望ましい。１００
ｎｍを越えると、記録感度が低下するおそれがある。The film thickness of the boundary layer 7 is a film thickness that does not completely block the light beam used for recording / reproducing of optical recording from the function of the boundary layer in practical use, and is 1 to 1 from the optical and thermal requirements.
It is desirable to set in the range of 100 nm. 100
If it exceeds nm, the recording sensitivity may decrease.
【００３２】これら金属薄膜は活性で吸着性が高いの
で、真空を破ることなく、記録膜１、境界層７、保護膜
２を連続して成膜することが望ましい。 （実施例２）図２は、本発明の第２の実施例に係る相変
化型光ディスクの層構成の例を模式的に示す。この図で
は相変化型光ディスクは、光ディスク基板６、保護層
３、境界層７、記録層１、保護層２、反射層４、及び保
護層５から構成されている。Since these metal thin films are active and have high adsorptivity, it is desirable to continuously form the recording film 1, the boundary layer 7, and the protective film 2 without breaking the vacuum. (Embodiment 2) FIG. 2 schematically shows an example of the layer structure of a phase change optical disk according to a second embodiment of the present invention. In this figure, the phase change type optical disk is composed of an optical disk substrate 6, a protective layer 3, a boundary layer 7, a recording layer 1, a protective layer 2, a reflective layer 4 and a protective layer 5.
【００３３】この層構成は単板型の場合の例であり、記
録層１の一方の面を内側にして、単板光ディスク２枚を
貼り合せ、両面使用の光ディスクとすることも可能であ
る。また、用途に応じて、保護層３、保護層５、はそれ
ぞれ省略することも可能である。This layer structure is an example in the case of a single plate type, and it is also possible to bond two single plate optical disks with one surface of the recording layer 1 being the inner side to form a double-sided optical disk. The protective layer 3 and the protective layer 5 may be omitted depending on the application.
【００３４】光ディスク基板６は、透明で経時変化が少
ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で構成され
る。記録フォーマットに応じて連続溝、サンプルサーボ
マーク、プリフォーマットマーク等が形成される。The optical disk substrate 6 is made of a material that is transparent and does not easily change with time, such as polymethylmethacrylate (PMM).
It is made of acrylic resin such as A), polycarbonate resin, epoxy resin, styrene resin, or glass. Continuous grooves, sample servo marks, pre-format marks, etc. are formed according to the recording format.
【００３５】記録層１は、光ビームが照射されることに
より状態が変化する材料で構成されている。このような
相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、Ｇｅ
ＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系
等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料や、Ｉｎ
Ｓｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体
材料などを用いることができる。この記録層１は、真空
蒸着法やスパッタリング法等で形成することができる。
この記録層１の膜厚としては、実用上、０．５ｎｍ〜１
０μｍの範囲であることが好ましい。The recording layer 1 is made of a material whose state changes when irradiated with a light beam. Examples of such phase change materials include GeTe-based, TeSe-based, Ge
A chalcogenide-based amorphous semiconductor material such as SbSe-based, TeOx-based, InSe-based, GeSbTe-based, or In
A compound semiconductor material such as Sb-based, GaSb-based, InSbTe-based, or the like can be used. The recording layer 1 can be formed by a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or the like.
The thickness of the recording layer 1 is practically 0.5 nm to 1
It is preferably in the range of 0 μm.
【００３６】保護層２，３は、記録層１を挟むように配
設されており、記録ビームの照射により記録層１が、飛
散したり、穴があいてしまうことを防止する役割を有し
ている。また記録のときの記録層の加熱、冷却の熱拡散
を制御する役割もある。この保護層２、３は、ＳｉＯ
2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはこれら
の混合材料等を真空蒸着法やスパッタリング法などで形
成することができる。保護層２，３の膜厚は、実用上、
０．１ｎｍ〜５００μｍであることが好ましい。The protective layers 2 and 3 are arranged so as to sandwich the recording layer 1 and have a role of preventing the recording layer 1 from scattering or having holes due to irradiation of the recording beam. ing. It also has the role of controlling the thermal diffusion of heating and cooling of the recording layer during recording. The protective layers 2 and 3 are made of SiO.
2 , SiO, AlN, Al 2 O 3 , ZrO 2 , Ti
O 2 , Ta 2 O 3 , ZnS, Si, Ge, a mixed material thereof, or the like can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. The thickness of the protective layers 2 and 3 is practically
The thickness is preferably 0.1 nm to 500 μm.
【００３７】反射層４は、記録層の光学的変化を光学的
にエンハンスして再生信号を増大させる効果と記録層の
冷却効果とを有する。この反射層４は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ−Ｃｒ、またはこれらを主成分とした合金等の
金属膜を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成する
ことができる。反射層の膜厚は、実用上、１０ｎｍ以上
であることが好ましい。The reflective layer 4 has the effect of optically enhancing the optical change of the recording layer to increase the reproduced signal and the effect of cooling the recording layer. The reflective layer 4 is made of Au, Al, C
A metal film such as u, Ni-Cr, or an alloy containing these as a main component can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. In practice, the thickness of the reflective layer is preferably 10 nm or more.
【００３８】保護層５は、相変化光ディスクを取り扱う
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常、紫外線硬化樹脂などにより構成される。こ
の保護層５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法
により反射層４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化
させることにより形成される。この保護層５の膜厚は、
実用上、０．５μｍ〜５００μｍの範囲であることが好
ましい。The protective layer 5 is provided to prevent scratches and dust when handling the phase change optical disk, and is usually made of an ultraviolet curable resin or the like. The protective layer 5 is formed, for example, by applying an ultraviolet curable resin to the surface of the reflective layer 4 by spin coating and irradiating it with ultraviolet rays to cure it. The thickness of this protective layer 5 is
Practically, it is preferably in the range of 0.5 μm to 500 μm.
【００３９】境界層７は、保護膜３と記録膜１との間に
形成され、記録膜材料よりも融点が高い金属あるいは合
金または金属間化合物により構成される。このような境
界層７は、保護層３と記録層１に固溶することなく、記
録層１との濡れ性がいいので、保護層３と記録層１との
間の付着性を向上させることができる。The boundary layer 7 is formed between the protective film 3 and the recording film 1 and is made of a metal, an alloy or an intermetallic compound having a melting point higher than that of the recording film material. Since such a boundary layer 7 does not form a solid solution with the protective layer 3 and the recording layer 1 and has good wettability with the recording layer 1, the adhesion between the protective layer 3 and the recording layer 1 should be improved. You can
【００４０】記録層１への拡散を防止するために、境界
層７の融点は記録層１の融点（摂氏）の３倍以上の融点
であることが望ましい。境界層７としてこのような材質
を選択することにより、境界層７の融点の半分以下の温
度において、境界層７は冷間加工状態となり、拡散が抑
制されるためである。In order to prevent diffusion into the recording layer 1, the melting point of the boundary layer 7 is preferably 3 times or more the melting point (Celsius) of the recording layer 1. This is because by selecting such a material for the boundary layer 7, the boundary layer 7 is in a cold working state at a temperature equal to or lower than half the melting point of the boundary layer 7 and diffusion is suppressed.
【００４１】例えば、融点が約６００℃のＧｅＳｂＴｅ
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えば、Ｔａ−Ｗ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉなどが境
界層７を構成する材料として適している。For example, GeSbTe having a melting point of about 600 ° C.
For the recording layer of the system, the melting point of W is about 1800 ° C. or higher,
Ta, Re, Ir, Os, Hf, Mo, Nb, Ru, T
c, Rh, Zr, and the like, alloys thereof, and other compounds such as Ta-W, Mo-Si, and W-Si are suitable as materials for forming the boundary layer 7.
【００４２】境界層７は、境界層７を構成する材料のス
パッタまたは蒸着などの気相法で形成することができ
る。例えば、スパッタ法では、境界層７を構成する材料
の金属または合金のターゲットを用いて行う。The boundary layer 7 can be formed by a vapor phase method such as sputtering or vapor deposition of the material forming the boundary layer 7. For example, the sputtering method is performed using a target of a metal or an alloy of the material forming the boundary layer 7.
【００４３】境界層７の膜厚は、実用上、境界層として
の機能から、光記録の記録再生で使用される光ビームを
完全には遮断しない膜厚であり、光学的及び熱的要件か
ら１〜１００ｎｍの範囲で設定されることが望ましい。The film thickness of the boundary layer 7 is a film thickness that does not completely block the light beam used for recording / reproducing of optical recording from the function of the boundary layer in practical use. It is desirable to set in the range of 1 to 100 nm.
【００４４】これら金属薄膜は活性で吸着性が高いの
で、真空を破ることなく、保護膜３、境界層７、記録層
１を連続して成膜することが望ましい。 （実施例３）図３は、本発明の第３の実施例に係る相変
化光ディスクの層構成の例を模式的に示す断面図であ
る。この図では、相変化光ディスクは、光ディスク基板
６、保護層３、境界層７、記録層１、境界層８、保護層
２、反射層４、及び保護層５から構成されている。Since these metal thin films are active and have high adsorptivity, it is desirable to continuously form the protective film 3, the boundary layer 7, and the recording layer 1 without breaking the vacuum. (Embodiment 3) FIG. 3 is a sectional view schematically showing an example of the layer structure of a phase change optical disk according to the third embodiment of the present invention. In this figure, the phase-change optical disk is composed of an optical disk substrate 6, a protective layer 3, a boundary layer 7, a recording layer 1, a boundary layer 8, a protective layer 2, a reflective layer 4, and a protective layer 5.
【００４５】この層構成は単板型の場合の例であり、記
録層１の一方の面を内側にしてこの単板光ディスク２枚
を貼り合わせ、両面使用の光ディスクとすることも可能
である。また、用途に応じて、保護層３、保護層５はそ
れぞれ省略することも可能である。This layer structure is an example in the case of a single plate type, and it is also possible to bond two of these single plate optical disks with one surface of the recording layer 1 being the inner side to make an optical disk for double-sided use. Further, the protective layer 3 and the protective layer 5 may be omitted depending on the application.
【００４６】光ディスク基板６は、透明で経時変化が少
ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で構成され
る。記録フォーマットに応じて連続溝、サンプルサーボ
マーク、プリフォーマットマーク等が形成される。The optical disk substrate 6 is made of a material that is transparent and does not easily change with time, such as polymethylmethacrylate (PMM).
It is made of acrylic resin such as A), polycarbonate resin, epoxy resin, styrene resin, or glass. Continuous grooves, sample servo marks, pre-format marks, etc. are formed according to the recording format.
【００４７】記録層１は、光ビームが照射されることに
より状態が変化する材料で構成されている。このような
相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、Ｇｅ
ＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系
等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料や、Ｉｎ
Ｓｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体
材料などを用いることができる。この記録層１は、真空
蒸着法やスパッタリング法等で形成することができる。
この記録層１の膜厚としては、実用上、０．１ｎｍ〜１
０μｍの範囲であることが好ましい。The recording layer 1 is made of a material whose state changes when irradiated with a light beam. Examples of such phase change materials include GeTe-based, TeSe-based, Ge
A chalcogenide-based amorphous semiconductor material such as SbSe-based, TeOx-based, InSe-based, GeSbTe-based, or In
A compound semiconductor material such as Sb-based, GaSb-based, InSbTe-based, or the like can be used. The recording layer 1 can be formed by a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or the like.
The thickness of the recording layer 1 is practically 0.1 nm to 1
It is preferably in the range of 0 μm.
【００４８】保護層２，３は、記録層１を挟むように配
設されており、記録ビームの照射により記録層１が、飛
散したり、穴があいてしまうことを防止する役割を有し
ている。また記録のときの記録層の加熱、冷却の熱拡散
を制御する役割もある。この保護層２，３は、ＳｉＯ
2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはこれら
の混合材料等を真空蒸着法やスパッタリング法などで形
成することができる。保護層２，３の膜厚は、実用上、
０．１ｎｍ〜５００μｍであることが好ましい。The protective layers 2 and 3 are arranged so as to sandwich the recording layer 1 and have a role of preventing the recording layer 1 from scattering or having holes due to the irradiation of the recording beam. ing. It also has the role of controlling the thermal diffusion of heating and cooling of the recording layer during recording. The protective layers 2 and 3 are made of SiO.
2 , SiO, AlN, Al 2 O 3 , ZrO 2 , Ti
O 2 , Ta 2 O 3 , ZnS, Si, Ge, a mixed material thereof, or the like can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. The thickness of the protective layers 2 and 3 is practically
The thickness is preferably 0.1 nm to 500 μm.
【００４９】反射層４は、記録層の光学的変化を光学的
にエンハンスして再生信号を増大させる効果と、記録層
の冷却効果をとを有する。この反射層４は、Ａｕ、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｒ、またはこれらを主成分とした合
金等の金属膜を真空蒸着法やスパッタリング法などで形
成することができる。反射層の膜厚は、実用上、１０ｎ
ｍであることが好ましい。The reflective layer 4 has the effect of optically enhancing the optical change of the recording layer to increase the reproduced signal and the effect of cooling the recording layer. The reflective layer 4 is made of Au, A
A metal film of 1, 1, Cu, Ni—Cr, or an alloy containing these as a main component can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. The thickness of the reflective layer is practically 10 n
It is preferably m.
【００５０】保護層５は、相変化光ディスクを取り扱う
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常紫外線硬化樹脂などにより構成される。この
保護層５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法に
より反射層４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化さ
せて形成する。この保護層５の膜厚としては、実用上、
０．５μｍ〜５００μｍの範囲であることが好ましい。The protective layer 5 is provided to prevent scratches and dust when handling the phase change optical disk, and is usually made of an ultraviolet curable resin or the like. The protective layer 5 is formed, for example, by applying an ultraviolet curable resin to the surface of the reflective layer 4 by a spin coating method and irradiating it with ultraviolet rays to cure it. The thickness of the protective layer 5 is practically
It is preferably in the range of 0.5 μm to 500 μm.
【００５１】境界層７は、保護膜２と記録膜１との間に
形成され、記録膜材料よりも融点が高い金属あるいは合
金または金属間化合物により構成される。このような境
界層７は、保護層３と記録層１に固溶することなく、記
録層１との濡れ性が良好なので、保護膜２と記録膜１と
の間の付着性を向上させることができる。The boundary layer 7 is formed between the protective film 2 and the recording film 1 and is made of a metal, an alloy or an intermetallic compound having a melting point higher than that of the recording film material. Since the boundary layer 7 does not form a solid solution with the protective layer 3 and the recording layer 1 and has good wettability with the recording layer 1, it is possible to improve the adhesion between the protective film 2 and the recording film 1. You can
【００５２】記録層１との相互拡散を防止するために、
境界層７の融点は、記録層１の融点（摂氏）の３倍以上
の融点であることが望ましい。境界層７の融点の半分以
下の温度において、境界層７は冷間加工状態となり、拡
散が抑制されるためである。In order to prevent mutual diffusion with the recording layer 1,
The melting point of the boundary layer 7 is preferably 3 times or more the melting point (Celsius) of the recording layer 1. This is because the boundary layer 7 is in a cold working state at a temperature equal to or lower than half the melting point of the boundary layer 7 and diffusion is suppressed.
【００５３】例えば、融点が約６００℃のＧｅＳｂＴｅ
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えばＴａ−Ｗ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉ、Ｎｂ−Ａ
ｌなどが境界層７を構成する材料として適している。For example, GeSbTe having a melting point of about 600 ° C.
For the recording layer of the system, the melting point of W is about 1800 ° C. or higher,
Ta, Re, Ir, Os, Hf, Mo, Nb, Ru, T
c, Rh, Zr, etc., and their alloys and other compounds such as Ta-W, Mo-Si, W-Si, Nb-A.
l or the like is suitable as a material forming the boundary layer 7.
【００５４】境界層７は、境界層７を構成する材料のス
パッタまたは蒸着などの気相法で形成することができ
る。例えば、スパッタ法では、境界層７を構成する材料
の金属または合金のターゲットを用いて行う。The boundary layer 7 can be formed by a vapor phase method such as sputtering or vapor deposition of the material forming the boundary layer 7. For example, the sputtering method is performed using a target of a metal or an alloy of the material forming the boundary layer 7.
【００５５】境界層７の膜厚は、実用上境界層としての
機能から光記録の記録再生で使用される光ビームを完全
には遮断しない膜厚であり、光学的、熱的要件から１〜
１００ｎｍの範囲で設定されることが望ましい。The film thickness of the boundary layer 7 is a film thickness that does not completely block the light beam used for recording / reproducing of optical recording from the function of the boundary layer in practical use, and is 1 to 1 from the optical and thermal requirements.
It is desirable to set in the range of 100 nm.
【００５６】これら金属薄膜は活性で吸着性が高いの
で、真空を破ることなく、保護膜３，境界層７，記録層
１を連続して成膜することが望ましい。境界膜８は、保
護膜２と記録膜１との間に形成され、記録膜材料よりも
融点が高い金属あるいは合金または金属間化合物により
構成される。このような境界層８は、保護層２と記録層
１に固溶することなく、記録層１との濡れ性が良好なの
で、保護層２と記録層１との付着性を向上させることが
できる。Since these metal thin films are active and have high adsorptivity, it is desirable to continuously form the protective film 3, the boundary layer 7, and the recording layer 1 without breaking the vacuum. The boundary film 8 is formed between the protective film 2 and the recording film 1, and is made of a metal, an alloy, or an intermetallic compound having a melting point higher than that of the recording film material. Since such a boundary layer 8 does not form a solid solution with the protective layer 2 and the recording layer 1 and has good wettability with the recording layer 1, the adhesion between the protective layer 2 and the recording layer 1 can be improved. .
【００５７】記録層１との相互拡散を防止するために、
境界層８の融点は記録層１の融点（摂氏）の３倍以上の
融点であることが望ましい。境界層８の融点の半分以下
の温度において、境界層８は冷間加工状態であり、拡散
が抑制されるためである。In order to prevent mutual diffusion with the recording layer 1,
The melting point of the boundary layer 8 is preferably 3 times or more the melting point (Celsius) of the recording layer 1. This is because the boundary layer 8 is in a cold working state at a temperature equal to or lower than half the melting point of the boundary layer 8 and diffusion is suppressed.
【００５８】例えば、融点が約６００℃のＧｅＳｂＴｅ
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えば、Ｔａ−Ｗ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉ、Ｎｂ−
Ａｌなどが、境界層を構成する材料として適している。For example, GeSbTe having a melting point of about 600 ° C.
For the recording layer of the system, the melting point of W is about 1800 ° C. or higher,
Ta, Re, Ir, Os, Hf, Mo, Nb, Ru, T
c, Rh, Zr, etc., and their alloys and other compounds such as Ta-W, Mo-Si, W-Si, Nb-.
Al or the like is suitable as a material forming the boundary layer.
【００５９】境界層８は、境界層８を構成する材料のス
パッタまたは蒸着などの気相法で形成することができ
る。例えば、スパッタ法では境界層８を構成する材料の
金属または合金のターゲットを用いて行う。The boundary layer 8 can be formed by a vapor phase method such as sputtering or vapor deposition of the material forming the boundary layer 8. For example, the sputtering method is performed using a target of a metal or an alloy of the material forming the boundary layer 8.
【００６０】境界層８の膜厚は、実用上境界層としての
機能から光記録の記録再生で使用される光ビームを完全
に遮断しない膜厚であり、光学的、熱的要件から１〜１
００ｎｍの範囲で設定されることが望ましい。The film thickness of the boundary layer 8 is a film thickness that does not completely block the light beam used for recording / reproducing of optical recording from the function of the boundary layer in practical use, and is 1 to 1 from the optical and thermal requirements.
It is desirable to set in the range of 00 nm.
【００６１】これら金属薄膜は活性で吸着性が高いの
で、真空を破ることなく、記録膜１、境界層８、保護膜
２を連続して成膜することが望ましい。また、境界層７
と境界層８を構成する材料は、本発明の要件を満たして
いれば同じ材料でもよいし、また異なる材料でもよい。
本発明はいずれに限定されるものではない。 （実施例４）図４は、本発明の第４の実施例に係る相変
化光ディスクの層構成の例を模式的に示す断面図であ
る。この図では、相変化光ディスクは、光ディスク基板
６、保護層３、記録層１、反射層４、及び保護層５から
構成されている。Since these metal thin films are active and have high adsorptivity, it is desirable to continuously form the recording film 1, the boundary layer 8 and the protective film 2 without breaking the vacuum. Also, the boundary layer 7
The material forming the boundary layer 8 and the boundary layer 8 may be the same material or different materials as long as the requirements of the present invention are satisfied.
The present invention is not limited to either. (Embodiment 4) FIG. 4 is a sectional view schematically showing an example of the layer structure of a phase change optical disk according to the fourth embodiment of the present invention. In this figure, the phase-change optical disk comprises an optical disk substrate 6, a protective layer 3, a recording layer 1, a reflective layer 4, and a protective layer 5.
【００６２】この層構成は単板型の場合の例であり、記
録層１の一方の面を内側にしてこの単板光ディスク２枚
を貼り合わせ、両面使用の光ディスクとすることも可能
である。また、用途に応じて、保護層３、保護層５はそ
れぞれ省略することも可能である。This layer structure is an example of the case of a single plate type, and it is also possible to bond two of these single plate optical disks with one surface of the recording layer 1 being the inner side to form a double-sided optical disk. Further, the protective layer 3 and the protective layer 5 may be omitted depending on the application.
【００６３】光ディスク基板６は、透明で経時変化が少
ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で構成され
る。録フォーマットに応じて連続溝、サンプルサーボマ
ーク、プリフォーマットマーク等が形成される。The optical disk substrate 6 is made of a material that is transparent and has little change over time, such as polymethylmethacrylate (PMM).
It is made of acrylic resin such as A), polycarbonate resin, epoxy resin, styrene resin, or glass. Continuous grooves, sample servo marks, pre-format marks, etc. are formed according to the recording format.
【００６４】記録層１は、光ビームが照射されることに
より状態が変化する材料で構成されている。このような
相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、Ｇｅ
ＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系
等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料やＩｎＳ
ｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体材
料などを用いることができる。この記録層１は、真空蒸
着法やスパッタリング法等で形成することができる。こ
の記録層１の膜厚としては、実用上０．１ｎｍ〜１０μ
ｍの範囲であることが好ましい。The recording layer 1 is made of a material whose state changes when irradiated with a light beam. Examples of such phase change materials include GeTe-based, TeSe-based, Ge
SbSe-based, TeOx-based, InSe-based, GeSbTe-based chalcogenide-based amorphous semiconductor materials and InS
A compound semiconductor material such as b-based, GaSb-based, InSbTe-based, or the like can be used. The recording layer 1 can be formed by a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or the like. The thickness of the recording layer 1 is practically 0.1 nm to 10 μm.
It is preferably in the range of m.
【００６５】保護層３は、基板６と記録層１の間に配設
されており、記録ビームの照射により記録層１が飛散し
たり、穴があいてしまうことを防止する役割を有してい
る。また記録のときの記録層の加熱、冷却の熱拡散を制
御する役割もある。この保護層３は、ＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｏ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2
Ｏ3 、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはこれらの混合材料等
を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成することが
できる。保護層３の膜厚は実用上０．５ｎｍ〜１０μｍ
であることが好ましい。The protective layer 3 is disposed between the substrate 6 and the recording layer 1 and has a role of preventing the recording layer 1 from scattering and forming holes due to the irradiation of the recording beam. There is. It also has the role of controlling the thermal diffusion of heating and cooling of the recording layer during recording. This protective layer 3 is made of SiO 2 , Si
O, AlN, Al 2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2 , Ta 2
O 3 , ZnS, Si, Ge, a mixed material thereof, or the like can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. The thickness of the protective layer 3 is practically 0.5 nm to 10 μm.
Is preferred.
【００６６】保護層５は、相変化光ディスクを取り扱う
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成される。この
保護層５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法に
より反射層４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化さ
せて形成する。この保護層５の膜厚としては、実用上
０．５μｍ〜５００μｍの範囲であることが好ましい。The protective layer 5 is provided to prevent scratches and dust when handling the phase change optical disk, and is usually made of an ultraviolet curable resin or the like. The protective layer 5 is formed, for example, by applying an ultraviolet curable resin to the surface of the reflective layer 4 by a spin coating method and irradiating it with ultraviolet rays to cure it. Practically, the film thickness of the protective layer 5 is preferably in the range of 0.5 μm to 500 μm.
【００６７】反射層４は、記録層の光学的変化を光学的
にエンハンスして再生信号を増大させる効果と記録層の
冷却効果とを有する。本発明では特に、この反射層４
に、記録膜材料よりも融点が高い金属あるいは合金また
は金属間化合物を用いるものである。The reflective layer 4 has the effect of optically enhancing the optical change of the recording layer to increase the reproduction signal and the effect of cooling the recording layer. Particularly in the present invention, this reflective layer 4
In addition, a metal or alloy having a melting point higher than that of the recording film material or an intermetallic compound is used.
【００６８】このような反射層４は、記録層１に固溶す
ることなく、かつ記録層１との濡れ性が良好なので、記
録層１との付着性を向上させることができる。記録層１
との拡散を防止するために、反射層４の融点は記録層１
の融点（摂氏）の３倍以上の融点であることが望まし
い。反射層４の融点の半分以下の温度において、反射層
４は冷間加工状態となり、拡散が抑制されるためであ
る。Since the reflective layer 4 does not form a solid solution in the recording layer 1 and has good wettability with the recording layer 1, the adhesiveness with the recording layer 1 can be improved. Recording layer 1
The melting point of the reflective layer 4 is set to the recording layer 1 in order to prevent the diffusion of
It is preferable that the melting point is 3 times or more than the melting point (Celsius). This is because the reflection layer 4 is in a cold working state at a temperature equal to or lower than half the melting point of the reflection layer 4 and diffusion is suppressed.
【００６９】例えば、融点が約６００℃のＧｅＳｂＴｅ
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えば、Ｔａ−Ｗ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉ、Ｎｂ−
Ａｌなどが、反射層４を構成する材料として適してい
る。For example, GeSbTe having a melting point of about 600 ° C.
For the recording layer of the system, the melting point of W is about 1800 ° C. or higher,
Ta, Re, Ir, Os, Hf, Mo, Nb, Ru, T
c, Rh, Zr, etc., and their alloys and other compounds such as Ta-W, Mo-Si, W-Si, Nb-.
Al or the like is suitable as a material forming the reflective layer 4.
【００７０】この反射層４は反射層４を構成する材料の
スパッタまたは蒸着などの気相法で形成することができ
る。例えば、スパッタでは、反射層４を構成する材料の
金属または合金のターゲットを用いる。The reflective layer 4 can be formed by a vapor phase method such as sputtering or vapor deposition of the material forming the reflective layer 4. For example, in sputtering, a metal or alloy target of the material forming the reflective layer 4 is used.
【００７１】反射層４の膜厚は、実用上反射層としての
機能から光記録の記録再生で使用される光ビームを完全
には透過しない膜厚であり、光学的、熱的要件から１０
ｎｍ以上の範囲で設定されることが望ましい。The film thickness of the reflective layer 4 is a film thickness that does not completely transmit a light beam used for recording / reproducing of optical recording because of its function as a reflective layer in practice, and is 10 from the optical and thermal requirements.
It is desirable to set in the range of nm or more.
【００７２】これら金属薄膜は活性で吸着性が高いの
で、真空を破ることなく、記録膜１、反射層４を連続し
て成膜することが望ましい。また、金属膜の酸化防止用
に反射層４の上に誘電体の保護膜を設けることも有効で
ある。 （実施例５）図５を参照しながら、上記実施例１〜３に
係る情報記録媒体の製造方法の一例について説明する。Since these metal thin films are active and have high adsorptivity, it is desirable to continuously form the recording film 1 and the reflective layer 4 without breaking the vacuum. It is also effective to provide a dielectric protective film on the reflective layer 4 to prevent oxidation of the metal film. (Embodiment 5) An example of a method for manufacturing the information recording medium according to Embodiments 1 to 3 will be described with reference to FIG.
【００７３】図５は、実施例１〜３に係る情報記録媒体
を製造するために用いられるスパッタリング装置の概略
構成を示す縦断面図、図６はその横断面図である。図
中、参照符号１０は真空容器を示し、この真空容器１０
は、その底面にガス導入ポート１１及びガス排気ポート
１２を有している。ガス排出ポート１２は排気装置１３
に接続されており、この排気装置１３により排出ポート
１２を介して真空容器１０内が排気される。またガス導
入ポート１１はアルゴンガスボンベ１４に接続されてお
り、このボンベ１４から真空容器１０内にガス導入ポー
ト１１を介してスパッタリングガスとしてのアルゴンガ
スが導入される。FIG. 5 is a vertical sectional view showing a schematic structure of a sputtering apparatus used for manufacturing the information recording media according to Examples 1 to 3, and FIG. 6 is a transverse sectional view thereof. In the drawings, reference numeral 10 indicates a vacuum container, and this vacuum container 10
Has a gas introduction port 11 and a gas exhaust port 12 on its bottom surface. The gas exhaust port 12 is an exhaust device 13
The exhaust device 13 exhausts the inside of the vacuum container 10 through the exhaust port 12. Further, the gas introduction port 11 is connected to an argon gas cylinder 14, and an argon gas as a sputtering gas is introduced from the cylinder 14 into the vacuum container 10 via the gas introduction port 11.
【００７４】真空容器１０内の上部には、基板支持用の
円盤状の回転基台１５がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に基板６が支持され、図示しないモータ
ーによって回転されるようになっている。A disk-shaped rotating base 15 for supporting the substrate is disposed in the upper part of the vacuum container 10 with its surface horizontal, and the substrate 6 is supported on the lower surface thereof and rotated by a motor (not shown). It is supposed to be done.
【００７５】また、真空容器１０内の底部近傍には、基
台１５に対向するように、記録層１用のＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系材料からなるスパッタリング源２１、保護層２及び
３用のＺｎＳ系材料からなるスパッタリング源２２、反
射層４用のＡｌ系合金からなるスパッタリング源２３、
及び境界層７及び／または境界層８用の材料、例えばＷ
からなるスパッタリング源２４が配設されており、各ス
パッタリング源には図示しない高周波電源が接続されて
いる。In the vicinity of the bottom of the vacuum container 10, the Ge-Sb-T for the recording layer 1 is disposed so as to face the base 15.
a sputtering source 21 made of an e-based material, a sputtering source 22 made of a ZnS-based material for the protective layers 2 and 3, a sputtering source 23 made of an Al-based alloy for the reflective layer 4,
And a material for the boundary layer 7 and / or the boundary layer 8, eg W
A sputtering source 24 composed of is provided, and a high-frequency power source (not shown) is connected to each sputtering source.
【００７６】これらのスパッタリング源２１、２２、２
３、２４の上部には、それぞれモニタ装置２５，２６
（図示せず），２７，２８（図示せず）が設けられてお
り、これらモニタ装置により各スパッタリング源からの
スパッタリング量をモニタし、各層が所定の膜厚になる
ように各スパッタリング源のスパッタリング時間を調節
出来るようになっている。These sputtering sources 21, 22, 2
Monitor devices 25, 26 are provided on the upper portions of 3, 24, respectively.
(Not shown), 27, 28 (not shown) are provided, and the amount of sputtering from each sputtering source is monitored by these monitoring devices and the sputtering of each sputtering source is performed so that each layer has a predetermined film thickness. You can adjust the time.
【００７７】このようなスパッタリング装置を用いたス
パッタリングに際しては、まず排気装置により真空容器
１０内を例えば百万分の１Ｔｏｒｒ台まで排気する。次
いでガス導入ポート１１を介して容器１０内にアルゴリ
ズムを導入しつつ、排気装置１３の排気量を調節して真
空容器１０内を所定のアルゴンガス雰囲気に保持する。
この状態で、基板６を回転させつつ、各スパッタリング
源に層構成の順番に所定時間所定の電力を印加する。こ
れにより、基板６に所定の層構成を形成することができ
る。In the case of sputtering using such a sputtering device, first, the inside of the vacuum container 10 is evacuated by the evacuation device to, for example, one millionth Torr level. Next, while introducing the algorithm into the container 10 via the gas introduction port 11, the exhaust amount of the exhaust device 13 is adjusted to maintain the inside of the vacuum container 10 in a predetermined argon gas atmosphere.
In this state, while rotating the substrate 6, a predetermined power is applied to each sputtering source for a predetermined time in the order of the layer structure. As a result, a predetermined layer structure can be formed on the substrate 6.
【００７８】本発明の方法では特に、境界層７及び／ま
たは境界層８の成膜の前後では、真空容器１０を開けて
大気に曝すことなく、境界層７及び／または境界層８を
真空中で連続して成膜するものである。それによって、
境界層７及び／または境界層８及び記録層１の酸化やゴ
ミの混入を防止することが出来、記録層１との密着性に
優れた境界層７及び／または境界層８を形成することが
可能である。 （実施例６）図７を参照して、上記実施例４に係る情報
記録媒体の製造方法の一例について説明する。Particularly in the method of the present invention, before and after the formation of the boundary layer 7 and / or the boundary layer 8, the boundary layer 7 and / or the boundary layer 8 is vacuumed without opening the vacuum container 10 and exposing it to the atmosphere. The film is continuously formed by. Thereby,
It is possible to prevent the boundary layer 7 and / or the boundary layer 8 and the recording layer 1 from being oxidized and to prevent dust from entering, and to form the boundary layer 7 and / or the boundary layer 8 having excellent adhesion to the recording layer 1. It is possible. (Embodiment 6) An example of a method for manufacturing the information recording medium according to Embodiment 4 will be described with reference to FIG.
【００７９】図７は、実施例４の情報記録媒体を製造す
るために用いられるスパッタリング装置の概略構成を示
す縦断面図、図８はその横断面図である。図中、参照符
号１０は真空容器を示し、この真空容器１０は、その底
面にガス導入ポート１１及びガス排気ポート１２を有し
ている。ガス排出ポート１２は排気装置１３に接続され
ており、この排気装置１３により排出ポート１２を介し
て真空容器１０内が排気される。またガス導入ポート１
１はアルゴンガスボンベ１４に接続されており、このボ
ンベ１４から真空容器１０内にガス導入ポート１１を介
してスパッタリングガスとしてのアルゴンガスが導入さ
れる。FIG. 7 is a vertical sectional view showing a schematic structure of a sputtering apparatus used for manufacturing the information recording medium of Example 4, and FIG. 8 is a horizontal sectional view thereof. In the figure, reference numeral 10 indicates a vacuum container, and the vacuum container 10 has a gas introduction port 11 and a gas exhaust port 12 on its bottom surface. The gas exhaust port 12 is connected to an exhaust device 13, and the exhaust device 13 exhausts the inside of the vacuum container 10 via the exhaust port 12. Also gas introduction port 1
1 is connected to an argon gas cylinder 14, and an argon gas as a sputtering gas is introduced from the cylinder 14 into the vacuum container 10 through a gas introduction port 11.
【００８０】真空容器１０内の上部には、基板支持用の
円盤状の回転基台１５がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に基板６が支持され、図示しないモータ
ーによって回転されるようになっている。A disk-shaped rotating base 15 for supporting the substrate is disposed in the upper part of the vacuum container 10 with its surface horizontal, and the substrate 6 is supported on the lower surface thereof and rotated by a motor (not shown). It is supposed to be done.
【００８１】また、真空容器１０内の底部近傍には、基
台１５に対向するように、記録層１用のＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系材料からなるスパッタリング源２１、保護層３用の
ＺｎＳ系材料からなるスパッタリング源２２、及び本発
明に係わる反射層４用の高融点金属または合金、例えば
Ｗからなるスパッタリング源２３が配設されており、各
スパッタリング源には図示しない高周波電源が接続され
ている。In the vicinity of the bottom of the vacuum container 10, the Ge-Sb-T for the recording layer 1 is disposed so as to face the base 15.
A sputtering source 21 made of an e-based material, a sputtering source 22 made of a ZnS-based material for the protective layer 3 and a sputtering source 23 made of a refractory metal or alloy such as W for the reflective layer 4 according to the present invention are provided. A high frequency power source (not shown) is connected to each sputtering source.
【００８２】これらのスパッタリング源２１，２２，２
３の上部には、それぞれモニタ装置２５，２６（図示せ
ず），２７が設けられており、これらモニタ装置により
各スパッタリング源からのスパッタリング量をモニタ
し、各層が所定の膜厚になるように各スパッタリング源
のスパッタリング時間を調節するようになっている。These sputtering sources 21, 22, 2
Monitor devices 25, 26 (not shown) and 27 are provided on the upper part of 3, respectively, and monitor the amount of sputtering from each sputtering source by these monitor devices so that each layer has a predetermined film thickness. The sputtering time of each sputtering source is adjusted.
【００８３】このようなスパッタリング装置を用いたス
パッタリングに際しては、まず排気装置により真空容器
１０内を例えば百万分の１Ｔｏｒｒ台まで排気する。次
いで、ガス導入ポート１１を介して容器１０内にアルゴ
ンガスを導入しつつ、排気装置１３の排気量を調節して
真空容器１０内を所定のアルゴンガス雰囲気に保持す
る。この状態で、基板６を回転させつつ、各スパッタリ
ング源に層構成の順番に所定時間所定の電力を印加す
る。これにより、基板６に所定の層構成を形成すること
ができる。In sputtering using such a sputtering apparatus, first, the inside of the vacuum container 10 is evacuated by the evacuation apparatus to, for example, one millionth Torr level. Next, while introducing argon gas into the container 10 via the gas introduction port 11, the exhaust amount of the exhaust device 13 is adjusted to maintain the inside of the vacuum container 10 in a predetermined argon gas atmosphere. In this state, while rotating the substrate 6, a predetermined power is applied to each sputtering source for a predetermined time in the order of the layer structure. As a result, a predetermined layer structure can be formed on the substrate 6.
【００８４】本発明では特に、反射層４の成膜の前に真
空容器１０を開けて大気に曝すことなく、記録層１と反
射層４とを連続して成膜するものである。それによっ
て、反射層４及び記録層１の酸化やゴミの混入を防止す
ることが出来、記録層１との密着性に優れた反射層４を
形成することが可能である。 （従来例１）図９は、従来例に係る相変化型光ディスク
の層構成の一例を模式的に示す断面図である。この図で
は相変化光ディスクは、光ディスク基板６、保護層３、
記録層１、保護層２、反射層４、及び保護層５から構成
されている。In the present invention, in particular, the recording layer 1 and the reflective layer 4 are continuously formed without opening the vacuum container 10 and exposing it to the atmosphere before forming the reflective layer 4. As a result, it is possible to prevent oxidation of the reflective layer 4 and the recording layer 1 and mixing of dust, and it is possible to form the reflective layer 4 having excellent adhesion to the recording layer 1. (Conventional Example 1) FIG. 9 is a sectional view schematically showing an example of the layer structure of a phase-change optical disk according to the conventional example. In this figure, the phase-change optical disk includes an optical disk substrate 6, a protective layer 3,
It is composed of a recording layer 1, a protective layer 2, a reflective layer 4, and a protective layer 5.
【００８５】図９に示す相変化光ディスクは、境界層又
は境界層を兼ねる反射層を用いていないことを除いて、
基板及び各層の機能、材質、膜厚、成膜法等は、上記実
施例と同様である。The phase change optical disk shown in FIG. 9 does not use a boundary layer or a reflective layer which also serves as a boundary layer, except that
The functions, materials, film thicknesses, film forming methods and the like of the substrate and each layer are the same as those in the above-mentioned embodiment.
【００８６】このような従来の層構成の相変化光ディス
クでは、保護層２及び保護層３と記録膜１との濡れ性が
良好ではなく、オーバーライトの記録消去の繰り返しに
おいて、記録膜１の物質流動を生じ易い。また保護層２
と反射層４の付着性が良好ではなく、オーバーライトの
記録消去の繰り返しにおいて、保護層２と反射層４の間
で剥離を生じ易い。 （実験例１）上記実施例５の製造方法により、下記の層
構成の相変化型光ディスク１、２、３を作製した。In the conventional phase change optical disk having such a layered structure, the wettability between the protective layer 2 and the protective layer 3 and the recording film 1 is not good, and the substance of the recording film 1 is repeatedly used during repeated recording and erasing. It easily flows. Also protective layer 2
The adhesiveness of the reflective layer 4 is not good, and peeling easily occurs between the protective layer 2 and the reflective layer 4 during repeated recording and erasing by overwriting. (Experimental Example 1) The phase-change optical disks 1, 2, and 3 having the following layer structure were manufactured by the manufacturing method of Example 5 described above.
【００８７】ディスク１は、前述の実施例１に係るもの
で、記録層１と保護層２の間にＷからなる境界層７を設
けたものである。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系
保護層３が２７０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層１が２０ｎ
ｍ、Ｗ境界層７が４ｎｍ、ＺｎＳ系保護層２が２０ｎ
ｍ、Ａｌ系反射層４が２００ｎｍとした。The disc 1 is based on Example 1 described above, and has a boundary layer 7 made of W between the recording layer 1 and the protective layer 2. The thickness of each layer is 270 nm for the ZnS-based protective layer 3 and 20 n for the GeSbTe recording layer 1 from the substrate 6 side.
m, W boundary layer 7 is 4 nm, ZnS-based protective layer 2 is 20 n
The thickness of the Al-based reflective layer 4 was 200 nm.
【００８８】ディスク２は、前述の実施例２に係るもの
で、基板１側の保護層３と記録層１との間にＷからなる
境界層７を設けたものである。各層の膜厚は、基板６側
からＺｎＳ系保護層３が２７０ｎｍ、Ｗ境界層７が４ｎ
ｍ、ＧｅＳｄＴｅ記録層１が２０ｎｍ、ＺｎＳ系保護層
２が２０ｎｍ、Ａｌ系反射層４が２００ｎｍとした。The disc 2 is based on the above-described second embodiment, and has a boundary layer 7 made of W between the protective layer 3 on the substrate 1 side and the recording layer 1. The thickness of each layer is 270 nm for the ZnS-based protective layer 3 and 4 n for the W boundary layer 7 from the substrate 6 side.
m, GeSdTe recording layer 1 was 20 nm, ZnS-based protective layer 2 was 20 nm, and Al-based reflective layer 4 was 200 nm.
【００８９】ディスク３は、前述の実施例３に係るもの
で、基板１側の保護層３と記録層１との間及び記録層１
と保護層２の間に、Ｗからなる境界層７及び８を設けた
ものである。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護
層３が２７０ｎｍ、Ｗ境界層７が４ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ
記録層１が２０ｎｍ、Ｗ境界層８が４ｎｍ、ＺｎＳ系保
護層２が２０ｎｍ、Ａｌ系反射層４が２００ｎｍとし
た。The disk 3 relates to the above-mentioned third embodiment, and is provided between the protective layer 3 and the recording layer 1 on the substrate 1 side and the recording layer 1.
The boundary layers 7 and 8 made of W are provided between the protective layer 2 and the protective layer 2. The thickness of each layer is 270 nm for the ZnS-based protective layer 3, 4 nm for the W boundary layer 7, GeSbTe from the substrate 6 side.
The recording layer 1 was 20 nm, the W boundary layer 8 was 4 nm, the ZnS-based protective layer 2 was 20 nm, and the Al-based reflective layer 4 was 200 nm.
【００９０】各ディスクとも直径８６ｍｍの基板を用い
た。各ディスクの記録特性の評価は、波長６８０ｎｍの
光ビームを使用して行った。この光波長において、境界
層材料のＷは、膜厚が３０ｎｍ以下ではある程度光が透
過する。従って光学的な境界層としての要件からは、境
界層としてのＷの膜厚は３０ｎｍ以下が望ましい。A substrate having a diameter of 86 mm was used for each disk. The recording characteristics of each disc were evaluated using a light beam having a wavelength of 680 nm. At this wavelength of light, the boundary layer material W transmits light to some extent when the film thickness is 30 nm or less. Therefore, from the requirement of the optical boundary layer, the film thickness of W as the boundary layer is preferably 30 nm or less.
【００９１】またＷは、融点が約３３８０℃であり、記
録層１のＧｅＳｂＴｅの融点約６００℃の３倍以上と高
く、熱的安定性にも優れている。記録層１を構成するＧ
ｅＳｂＴｅとの濡れ性も、金属−金属の境界となるので
優れている。以上のように、Ｗは境界層に適した材料で
ある。W has a melting point of about 3380 ° C., which is three times higher than the melting point of GeSbTe of the recording layer 1, which is about 600 ° C., and is excellent in thermal stability. G constituting the recording layer 1
The wettability with eSbTe is also excellent because it becomes a metal-metal boundary. As described above, W is a material suitable for the boundary layer.
【００９２】また、記録特性の比較のために、上記従来
例１に係わるディスク４を作製した。ディスク４の各層
の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３が２７０ｎ
ｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層１が２０ｎｍ、ＺｎＳ系保護層
２が２０ｎｍ、Ａｌ系反射層４が２００ｎｍとした。Further, for comparison of recording characteristics, the disk 4 according to the conventional example 1 was manufactured. The thickness of each layer of the disk 4 is 270 n when the ZnS-based protective layer 3 is 270 n from the substrate 6 side.
m, GeSbTe recording layer 1 was 20 nm, ZnS-based protective layer 2 was 20 nm, and Al-based reflective layer 4 was 200 nm.
【００９３】以上、４種類のディスクの記録特性の評価
結果を図１０に示す。記録特性の評価は、波長６８０ｎ
ｍの光ビームを用い、Ｎ．Ａ．０．６の対物レンズに
て、基板６側から記録層１に集光させて行った。ディス
クを３６００ｒｐｍで回転させ、半径２５ｍｍの位置
に、通常この技術分野で用いられている２−７ＲＬＬコ
ードの１．５Ｔと４Ｔのキャリア信号を記録パルス幅４
０ｎｓで記録した。記録波形はオーバーライト波形を用
い、記録ピークパワー及び記録バイアスパワーは各ディ
スクの最適パワーとした。そのときの各ディスクの１．
５Ｔと４Ｔを交互にオーバーライトしたときの１．５Ｔ
のＣ／Ｎを示した。FIG. 10 shows the evaluation results of the recording characteristics of the four types of disks. Recording characteristics are evaluated at a wavelength of 680n.
m light beam and N.M. A. It was performed by focusing the light from the substrate 6 side onto the recording layer 1 with an objective lens of 0.6. The disc is rotated at 3600 rpm and the carrier signal of 1.5T and 4T of 2-7RLL code which is usually used in this technical field is recorded at a position of a radius of 25 mm with a recording pulse width of 4
Recorded at 0 ns. An overwriting waveform was used as the recording waveform, and the recording peak power and the recording bias power were the optimum powers of the respective disks. 1. of each disc at that time
1.5T when 5T and 4T are alternately overwritten
C / N of
【００９４】その結果、従来層構成のディスク４は、３
０万回でＣ／Ｎの低下が見られた。これに対し、本発明
の実施例であるディスク２では６０万回、ディスク１で
は１００万回、さらにディスク３では２００万回までＣ
／Ｎの低下は見られなかった。As a result, the conventional layered disc 4 has three
A decrease in C / N was observed at 0,000 times. On the other hand, in the disk 2 of the embodiment of the present invention, up to 600,000 times, disk 1 up to 1 million times, and disk 3 up to 2 million times C
No decrease in / N was observed.
【００９５】以上のように境界層を設けることによっ
て、サイクル特性の向上が明らかに認められた。 （実験例２）上記実施例６の製造方法により、下記の層
構成のディスク５を作製した。It was clearly recognized that the cycle characteristics were improved by providing the boundary layer as described above. (Experimental Example 2) A disk 5 having the following layer structure was produced by the production method of Example 6 described above.
【００９６】ディスク５は、前述の実施例４に係るもの
で、記録層１の上にＷからなる反射層７を設けたもので
ある。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３が
２７０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層１が２０ｎｍ、Ｗ反射
層４が２００ｎｍとした。The disk 5 is based on the above-mentioned fourth embodiment, and has the reflective layer 7 made of W provided on the recording layer 1. The thickness of each layer was 270 nm from the substrate 6 side, the ZnS-based protective layer 3 was 270 nm, the GeSbTe recording layer 1 was 20 nm, and the W reflective layer 4 was 200 nm.
【００９７】ディスクは直径８６ｍｍの基板を用いた。
ディスクの記録特性の評価は波長６８０ｎｍの光ビーム
を使用した。この光波長で境界層材料のＷは、膜厚が３
０ｎｍ以下ではある程度光が透過する。従って光学的な
反射層としての要件からは境界層としてのＷの膜厚は３
０ｎｍより厚いことが望ましい。しかし、本発明はそれ
に限定されず、用途によってはＷの膜厚を透過する厚さ
とすることも可能である。As the disc, a substrate having a diameter of 86 mm was used.
A light beam having a wavelength of 680 nm was used to evaluate the recording characteristics of the disc. At this light wavelength, the boundary layer material W has a film thickness of 3
Light is transmitted to some extent below 0 nm. Therefore, the thickness of W as the boundary layer is 3 from the requirement of the optical reflection layer.
It is desirable to be thicker than 0 nm. However, the present invention is not limited to this, and depending on the application, it is also possible to set the film thickness of W to a thickness that allows transmission.
【００９８】またＷは、融点が約３３８０℃で記録層１
のＧｅＳｂＴｅの融点約６００℃の２倍以上と高温く、
熱的安定性にも優れている。記録層１のＧｅＳｂＴｅと
の濡れ性も金属−金属の境界となるので優れており、間
に保護膜２がないので冷却能の向上も期待できる。W has a melting point of about 3380 ° C. and has a recording layer 1
GeSbTe has a melting point of about 600 ° C. or higher, which is a high temperature,
It also has excellent thermal stability. The wettability of the recording layer 1 with GeSbTe is also excellent because it becomes a metal-metal boundary, and since there is no protective film 2 between them, an improvement in cooling capacity can be expected.
【００９９】また、記録特性の比較のために、上記従来
例に係わるディスク６を作製した。ディスク６の各層の
膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３が２７０ｎｍ、
ＧｅＳｂＴｅ記録層１が２０ｎｍ、Ａｌ反射層４が２０
０ｎｍとした。For comparison of recording characteristics, the disk 6 according to the above-mentioned conventional example was manufactured. The thickness of each layer of the disk 6 is such that the ZnS-based protective layer 3 is 270 nm from the substrate 6 side,
The GeSbTe recording layer 1 has a thickness of 20 nm, and the Al reflection layer 4 has a thickness of 20 nm.
It was set to 0 nm.
【０１００】さらにディスク７は、図１１に示すよう
に、前述のディスク５のＷからなる反射層７の上にＺｎ
Ｓ系保護層９を設け、さらにその上にＵＶ硬化樹脂のオ
ーバーコート材からなる保護層５を設けたものである。
各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３が２７０
ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層１が２０ｎｍ、Ｗ反射層４が
２００ｎｍ、ＺｎＳ系保護層３が２７０ｎｍとした。Further, as shown in FIG. 11, the disk 7 has Zn on the reflective layer 7 made of W of the disk 5 described above.
The S-type protective layer 9 is provided, and the protective layer 5 made of an overcoat material of UV curable resin is further provided thereon.
The thickness of each layer is 270 when the ZnS-based protective layer 3 is 270 from the substrate 6 side.
nm, the GeSbTe recording layer 1 was 20 nm, the W reflective layer 4 was 200 nm, and the ZnS-based protective layer 3 was 270 nm.
【０１０１】このように反射層４の上に保護膜９を設け
ることで、反射層材料の酸化を防止し、またオーバーラ
イトサイクルでの表面疲労を低減する効果が期待でき
る。以上、３種類のディスクの記録特性の評価結果を図
１２に示す。記録特性の評価は、上記実験例１と同様の
手順で行った。By thus providing the protective film 9 on the reflection layer 4, it is expected that the effect of preventing the reflection layer material from being oxidized and reducing the surface fatigue in the overwrite cycle can be expected. FIG. 12 shows the evaluation results of the recording characteristics of the three types of discs. The recording characteristics were evaluated in the same procedure as in Experimental Example 1 above.
【０１０２】その結果、従来層構成のディスク６は、２
千回でＣ／Ｎの低下が見られた。これに対し、本発明の
実施例であるディスク５では１０万回までＣ／Ｎの低下
は見られなかった。さらに本発明の別の実施例である反
射層の上に保護層を設けたディスク７では２０万回まで
Ｃ／Ｎの低下は見られなかった。As a result, the conventional layered disc 6 has 2
A decrease in C / N was observed after 1,000 times. On the other hand, in the disk 5 of the example of the present invention, no decrease in C / N was observed up to 100,000 times. Further, in the disk 7 which is another embodiment of the present invention in which the protective layer is provided on the reflective layer, the decrease in C / N was not seen up to 200,000 times.
【０１０３】これは、従来例のディスク６のＡｌ反射層
ではオーバーライトサイクルで記録層との相互拡散を生
じたため、Ｃ／Ｎが低下したと考えられる。これに対し
て本発明のＷからなる反射層では、記録層との相互拡散
が生じ難いため、１０万回までＣ／Ｎの低下は見られな
かったものと考えられる。It is considered that the C / N was lowered because the Al reflection layer of the conventional disk 6 caused mutual diffusion with the recording layer in the overwrite cycle. On the other hand, in the reflective layer of W of the present invention, mutual diffusion with the recording layer is unlikely to occur, and therefore it is considered that the C / N was not reduced until 100,000 times.
【０１０４】また、さらに反射層の上に保護層を設ける
ことによってサイクル回数を伸ばすことが可能であっ
た。以上のように本発明の反射層を設けることによっ
て、従来より簡略化した層構成でもサイクル特性の向上
が認められた。Further, by providing a protective layer on the reflective layer, it was possible to extend the number of cycles. As described above, by providing the reflective layer of the present invention, it has been confirmed that the cycle characteristics are improved even with a layer structure which is simpler than the conventional one.
【０１０５】[0105]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
誘電体保護膜と記録膜の付着力の改善に着目し、誘電体
保護膜と記録膜との間に、記録膜材料よりも融点が高い
金属あるいは合金からなる境界層を設けているため、保
護膜と記録膜との間の付着性が向上し、優れた繰り返し
特性を有する、信頼性に優れた相変化型光ディスクを得
ることが可能である。As described above, according to the present invention,
Focusing on improving the adhesive force between the dielectric protective film and the recording film, a boundary layer made of a metal or an alloy having a melting point higher than that of the recording film material is provided between the dielectric protective film and the recording film. It is possible to obtain a highly reliable phase change type optical disk having improved adhesion between the film and the recording film and having excellent repeatability.
【０１０６】また、相変化型の記録膜と接して記録膜材
料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶しない金属あ
るいは合金又は金属間化合物からなる反射膜を設けるこ
とによって、誘電体保護膜を省略することも可能とな
り、ディスクの低コスト化を図ることも可能である。Further, by providing a reflective film which is in contact with the phase change type recording film and has a melting point higher than that of the recording film material and which does not form a solid solution with the recording film material, a reflective film made of a metal, an alloy or an intermetallic compound is provided. It is possible to omit the film, and it is possible to reduce the cost of the disk.
【図１】 実施例１に係る相変化光ディスク記録媒体の
断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of a phase change optical disc recording medium according to a first embodiment.
【図２】 実施例２に係る相変化光ディスク記録媒体の
断面図。FIG. 2 is a sectional view of a phase change optical disc recording medium according to a second embodiment.
【図３】 実施例３に係る相変化光ディスク記録媒体の
断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of a phase change optical disc recording medium according to a third embodiment.
【図４】 実施例４に係る相変化光ディスク記録媒体の
断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of a phase change optical disc recording medium according to a fourth embodiment.
【図５】 実施例１〜３に係る情報記録媒体を製造する
ために用いられるスパッタリング装置の概略構成を示す
縦断面図。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of a sputtering apparatus used for manufacturing the information recording media according to Examples 1 to 3.
【図６】 図５に示すスパッタリング装置の横断面図。6 is a cross-sectional view of the sputtering apparatus shown in FIG.
【図７】 実施例４に係る情報記録媒体を製造するため
に用いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断
面図。FIG. 7 is a vertical cross-sectional view showing a schematic configuration of a sputtering apparatus used for manufacturing an information recording medium according to Example 4.
【図８】 図７に示すスパッタリング装置の横断面図。8 is a cross-sectional view of the sputtering device shown in FIG.
【図９】 従来の相変化光ディスクの層構成を模式的に
示す図である。FIG. 9 is a diagram schematically showing a layer structure of a conventional phase change optical disc.
【図１０】 実施例１〜３に係る相変化光ディスク記録
媒体の記録特性の評価を従来例と比較して示す特性図。FIG. 10 is a characteristic diagram showing evaluation of recording characteristics of the phase change optical disc recording media according to Examples 1 to 3 in comparison with a conventional example.
【図１１】 本発明の他の実施例に係る相変化型光ディ
スク記録媒体の断面図。FIG. 11 is a sectional view of a phase change type optical disc recording medium according to another embodiment of the present invention.
【図１２】 実施例４及び他の実施例に係る相変化光デ
ィスク記録媒体の記録特性の評価を従来例と比較して示
す特性図。FIG. 12 is a characteristic diagram showing evaluation of recording characteristics of phase-change optical disk recording media according to Example 4 and other examples in comparison with a conventional example.
１…記録層、２…保護層、３…保護層、４…反射層、５
…保護層、６…光ディスク基板、７…境界層、８…境界
層、９…保護層、２０…真空容器、１１…ガス導入ポー
ト、１２…ガス排気ポート、１３…排気装置、１４…ア
ルゴンガスボンベ、１５…回転基台、２１…スパッタリ
ング源、２２…スパッタリング源、２３…パッタリング
源、２４…スパッタリング源、２５…モニタ装置、２６
…モニタ装置、２７…モニタ装置、２８…モニタ装置。1 ... recording layer, 2 ... protective layer, 3 ... protective layer, 4 ... reflective layer, 5
... Protective layer, 6 ... Optical disc substrate, 7 ... Boundary layer, 8 ... Boundary layer, 9 ... Protective layer, 20 ... Vacuum container, 11 ... Gas inlet port, 12 ... Gas exhaust port, 13 ... Exhaust device, 14 ... Argon gas cylinder , 15 ... Rotating base, 21 ... Sputtering source, 22 ... Sputtering source, 23 ... Puttering source, 24 ... Sputtering source, 25 ... Monitor device, 26
... monitor device, 27 ... monitor device, 28 ... monitor device.
Claims (18)
ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基板
と記録膜との間に形成された誘電体保護膜とを具備する
情報記録媒体であって、前記保護膜と前記記録膜との間
に、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶
しない金属、合金又は金属間化合物からなる境界層を有
することを特徴とする情報記録媒体。1. A substrate, a phase-change recording film formed on the substrate and recording information by changing a state by irradiation of a light beam, and recording on the recording film and / or the substrate. An information recording medium, comprising: a dielectric protective film formed between the recording film and the protective film, wherein the protective film and the recording film have a melting point higher than that of the recording film material, and the recording film material is solid. An information recording medium having a boundary layer made of an insoluble metal, alloy or intermetallic compound.
ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基板
と記録膜との間に形成された誘電体保護膜とを具備する
情報記録媒体であって、前記保護膜と前記記録膜との間
に、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶
せず、Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎ
ｂ、Ｒｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚｒ、これら金属の２種以上の
合金、Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及びＮｂ−Ａ
ｌからなる群から選択された金属、合金又は金属間化合
物からなる境界層を有することを特徴とする情報記録媒
体。2. A substrate, a phase change type recording film formed on the substrate and recording information by changing the state by irradiation of a light beam, and recording on the recording film and / or the substrate. An information recording medium, comprising: a dielectric protective film formed between the recording film and the protective film, wherein the protective film and the recording film have a melting point higher than that of the recording film material, and the recording film material is solid. Not melted, W, Ta, Re, Ir, Os, Hf, Mo, N
b, Ru, Tc, Rh, Zr, alloys of two or more of these metals, Ta-W, W-Si, Mo-Si, and Nb-A.
An information recording medium having a boundary layer made of a metal, alloy or intermetallic compound selected from the group consisting of 1.
ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
ＧｅＳｂＴｅからなる記録膜と、この記録膜上及び／又
は前記基板と記録膜との間に形成された誘電体保護膜と
を具備する情報記録媒体であって、前記保護膜と前記記
録膜との間に、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材
料とは固溶せず、Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、
Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚｒ、これら金属の２
種以上の合金、Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及び
Ｎｂ−Ａｌからなる群から選択された金属、合金又は金
属間化合物からなる境界層を有することを特徴とする情
報記録媒体。3. A substrate, a recording film formed on this substrate and made of GeSbTe for recording information by changing a state by irradiation of a light beam, and on the recording film and / or the substrate and the recording film. An information recording medium comprising a dielectric protective film formed between the recording film material and the protective film, the melting point of which is higher than that of the recording film material, and a solid solution with the recording film material is formed between the protective film and the recording film. No, W, Ta, Re, Ir, Os, Hf,
Mo, Nb, Ru, Tc, Rh, Zr, 2 of these metals
An information recording medium having a boundary layer made of a metal, alloy or intermetallic compound selected from the group consisting of one or more alloys, Ta-W, W-Si, Mo-Si, and Nb-Al.
ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
ＧｅＳｂＴｅからなる記録膜と、この記録膜上及び／又
は前記基板と記録膜との間に形成された誘電体保護膜と
を具備する情報記録媒体であって、前記保護膜と前記記
録膜との間に、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材
料とは固溶せず、Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、
Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚｒ、これら金属の２
種以上の合金、Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及び
Ｎｂ−Ａｌからなる群から選択された金属、合金又は金
属間化合物からなり、膜厚が１００ｎｍ以下である境界
層を有することを特徴とする情報記録媒体。4. A substrate, a recording film formed on this substrate and made of GeSbTe for recording information by changing the state by irradiation of a light beam, and on this recording film and / or the substrate and the recording film. An information recording medium comprising a dielectric protective film formed between the recording film material and the protective film, the melting point of which is higher than that of the recording film material, and a solid solution with the recording film material is formed between the protective film and the recording film. No, W, Ta, Re, Ir, Os, Hf,
Mo, Nb, Ru, Tc, Rh, Zr, 2 of these metals
A boundary layer having a film thickness of 100 nm or less, which is made of a metal, an alloy, or an intermetallic compound selected from the group consisting of one or more alloys, Ta-W, W-Si, Mo-Si, and Nb-Al. An information recording medium characterized by:
ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基板
と記録膜との間に形成された、記録膜材料よりも融点が
高く、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属間
化合物からなる金属膜とを具備することを特徴とする情
報記録媒体。5. A substrate, a phase change type recording film formed on the substrate and recording information by changing the state by irradiation of a light beam, and recording on the recording film and / or the substrate. An information recording medium, comprising: a metal film formed between the film and a metal film, which has a melting point higher than that of the recording film material and does not form a solid solution with the recording film material, and which is made of a metal, an alloy, or an intermetallic compound.
ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基板
と記録膜との間に形成された、記録膜材料よりも融点が
高く、記録膜材料とは固溶せず、Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉ
ｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚ
ｒ、これら金属の２種以上の合金、Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓ
ｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及びＮｂ−Ａｌからなる群から選択さ
れた金属、合金又は金属間化合物からなる境界層を有す
ることを特徴とする情報記録媒体。6. A substrate, a phase change type recording film formed on the substrate and recording information by changing a state by irradiation of a light beam, and recording on the recording film and / or the substrate. It has a melting point higher than that of the recording film material formed between it and the film, does not form a solid solution with the recording film material, and contains W, Ta, Re, I
r, Os, Hf, Mo, Nb, Ru, Tc, Rh, Z
r, alloys of two or more of these metals, Ta-W, WS
An information recording medium having a boundary layer made of a metal, alloy or intermetallic compound selected from the group consisting of i, Mo-Si, and Nb-Al.
ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
ＧｅＳｂＴｅからなる相変化型の記録膜と、この記録膜
上及び／又は前記基板と記録膜との間に形成された、記
録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶せず、
Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒ
ｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚｒ、これら金属の２種以上の合金、
Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及びＮｂ−Ａｌから
なる群から選択された金属、合金又は金属間化合物から
なる境界層を有することを特徴とする情報記録媒体。7. A substrate, a phase-change type recording film formed on this substrate and made of GeSbTe for changing the state by irradiation of a light beam to record information, and on the recording film and / or Formed between the substrate and the recording film, has a higher melting point than the recording film material, does not form a solid solution with the recording film material,
W, Ta, Re, Ir, Os, Hf, Mo, Nb, R
u, Tc, Rh, Zr, alloys of two or more of these metals,
An information recording medium having a boundary layer made of a metal, alloy or intermetallic compound selected from the group consisting of Ta-W, W-Si, Mo-Si, and Nb-Al.
ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
ＧｅＳｂＴｅからなる相変化型の記録膜と、この記録膜
上及び／又は前記基板と記録膜との間に形成された、記
録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶せず、
Ｗ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒ
ｕ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｚｒ、これら金属の２種以上の合金、
Ｔａ−Ｗ、Ｗ−Ｓｉ、Ｍｏ−Ｓｉ、及びＮｂ−Ａｌから
なる群から選択された金属、合金又は金属間化合物から
なり、膜厚が１００ｎｍ以下である境界層を有すること
を特徴とする情報記録媒体。8. A substrate, a phase-change type recording film formed on this substrate and made of GeSbTe for changing the state by irradiation of a light beam to record information, and on the recording film and / or Formed between the substrate and the recording film, has a higher melting point than the recording film material, does not form a solid solution with the recording film material,
W, Ta, Re, Ir, Os, Hf, Mo, Nb, R
u, Tc, Rh, Zr, alloys of two or more of these metals,
Information comprising a boundary layer made of a metal, alloy or intermetallic compound selected from the group consisting of Ta-W, W-Si, Mo-Si and Nb-Al and having a film thickness of 100 nm or less. recoding media.
ムの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録する
相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基板
と記録膜との間に形成された誘電体保護膜とを具備し、
前記保護膜と前記記録膜との間に、記録膜材料よりも融
点が高く、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金
属間化合物からなる境界層を有する情報記録媒体の製造
方法であって、記録膜材料、誘電体保護膜材料、及び境
界層材料を、気相法により、大気に曝すことなく真空中
で連続して成膜することを特徴とする情報記録媒体の製
造方法。9. A substrate, a phase-change type recording film formed on the substrate and changing the state by irradiation of a light beam to record information, and a recording film on the recording film and / or the substrate. A dielectric protective film formed between the film and,
A method for manufacturing an information recording medium having a boundary layer between the protective film and the recording film, which has a melting point higher than that of the recording film material and does not form a solid solution with the recording film material, the boundary layer being made of a metal, an alloy or an intermetallic compound. A method for manufacturing an information recording medium, characterized in that a recording film material, a dielectric protective film material, and a boundary layer material are continuously formed in a vacuum by a vapor phase method without exposing to the atmosphere.
ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
る相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基
板と記録膜との間に形成された誘電体保護膜とを具備す
る情報記録媒体であって、前記保護膜と前記記録膜との
間に、記録膜材料の融点（摂氏）の３倍以上の融点を有
し、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属間化
合物からなる境界層を有することを特徴とする情報記録
媒体。10. A substrate, a phase-change type recording film formed on this substrate and changing the state by irradiation of a light beam to record information, and recording on this recording film and / or the substrate. An information recording medium, comprising: a dielectric protective film formed between the protective film and the recording film; and a melting point of three times or more of the melting point (Celsius) of the recording film material between the protective film and the recording film. An information recording medium having a boundary layer made of a metal, an alloy or an intermetallic compound that does not form a solid solution with the recording film material.
ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
る相変化型の記録膜と、この記録膜に接して形成され、
記録膜材料の融点（摂氏）の３倍以上の融点を有し、記
録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属間化合物か
らなり、前記光ビ−ムを実質的に遮断しない膜厚の金属
膜とを具備することを特徴とする情報記録媒体。11. A substrate, a phase change type recording film formed on the substrate, which changes state by irradiation of a light beam to record information, and formed in contact with the recording film,
It has a melting point of 3 times or more the melting point (Celsius) of the recording film material and is made of a metal, an alloy or an intermetallic compound which does not form a solid solution with the recording film material, and has a film thickness which does not substantially block the optical beam. An information recording medium comprising a metal film.
ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
る相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基
板と記録膜との間に形成され、記録膜材料の融点（摂
氏）の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは固溶しな
い金属、合金又は金属間化合物からなり、前記光ビ−ム
を実質的に遮断しない膜厚の金属膜とを具備することを
特徴とする情報記録媒体。12. A substrate, a phase change type recording film formed on the substrate and recording information by changing a state by irradiation of a light beam, and recording on the recording film and / or the substrate. It is formed between the recording film material and the melting point (Celsius) of the recording film material, and is composed of a metal, an alloy or an intermetallic compound which does not form a solid solution with the recording film material. An information recording medium comprising a metal film having a film thickness that does not substantially block.
ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
るＧｅＳｂＴｅからなる記録膜と、この記録膜に接して
形成され、記録膜材料の融点（摂氏）の３倍以上の融点
を有し、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属
間化合物からなり、前記光ビ−ムを実質的に遮断しない
膜厚の金属膜とを具備することを特徴とする情報記録媒
体。13. A substrate, a recording film made of GeSbTe which is formed on the substrate and changes state by irradiation of a light beam to record information, and a recording film material formed in contact with the recording film. And a metal film which has a melting point at least 3 times the melting point of (Celsius) and which does not form a solid solution with the recording film material, and which does not substantially block the optical beam. An information recording medium comprising:
ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
る相変化型の記録膜と、この記録膜に接して形成され
た、記録膜材料の融点（摂氏）の３倍以上の融点を有
し、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属間化
合物からなり、前記光ビ−ムを実質的に遮断しない膜厚
の金属膜と、この金属膜の前記記録膜とは反対側の面に
形成された誘電体保護膜とを具備することを特徴とする
情報記録媒体。14. A substrate, a phase change type recording film formed on the substrate, which changes a state by irradiation of a light beam to record information, and a recording film formed in contact with the recording film. A metal having a melting point that is at least 3 times the melting point (Celsius) of the film material and is made of a metal, alloy or intermetallic compound that does not form a solid solution with the recording film material and that does not substantially block the optical beam. An information recording medium comprising a film and a dielectric protective film formed on a surface of the metal film opposite to the recording film.
ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
る相変化型の記録膜と、この記録膜上及び／又は前記基
板と記録膜との間に形成され、記録膜材料の融点（摂
氏）の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは固溶しな
い金属、合金又は金属間化合物からなり、膜厚が１００
ｎｍ以下である金属膜とを具備することを特徴とする情
報記録媒体。15. A substrate, a phase-change recording film formed on the substrate and recording information by changing a state by irradiation of a light beam, and recording on the recording film and / or the substrate. It is formed between the film and the film, has a melting point that is three times or more the melting point (Celsius) of the recording film material, and is made of a metal, an alloy, or an intermetallic compound that does not form a solid solution with the recording film material.
An information recording medium, comprising: a metal film having a thickness of nm or less.
ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
るＧｅＳｂＴｅからなる記録膜と、この記録膜上及び／
又は前記基板と記録膜との間に形成され、記録膜材料の
融点（摂氏）の３倍以上の融点を有し、記録膜材料とは
固溶しない金属、合金又は金属間化合物からなり、膜厚
が１００ｎｍ以下である金属膜とを具備することを特徴
とする情報記録媒体。16. A substrate, a recording film formed on this substrate and made of GeSbTe for recording information by causing a change of state by irradiation of a light beam, and on the recording film and / or
Alternatively, the film is formed between the substrate and the recording film, has a melting point that is three times or more the melting point (Celsius) of the recording film material, and is made of a metal, an alloy, or an intermetallic compound that does not form a solid solution with the recording film material. An information recording medium comprising a metal film having a thickness of 100 nm or less.
ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
る相変化型の記録膜と、この記録膜に接して形成された
誘電体保護膜とを具備する情報記録媒体であって、前記
保護膜と前記記録膜との間に、記録膜材料よりも融点が
高く、記録膜材料とは固溶しない金属、合金又は金属間
化合物からなる境界層を有することを特徴とする情報記
録媒体。17. A substrate, a phase change type recording film formed on the substrate to change state by irradiation of a light beam to record information, and a dielectric formed in contact with the recording film. An information recording medium comprising a protective film, wherein a metal, an alloy or an intermetallic compound having a melting point higher than that of the recording film material and not forming a solid solution with the recording film material is provided between the protective film and the recording film. An information recording medium having the following boundary layer.
ームの照射により状態の変化を生じさせて情報を記録す
る相変化型の記録膜と、この記録膜に接して形成され
た、記録膜材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶
しない金属、合金又は金属間化合物からなる金属膜とを
具備することを特徴とする情報記録媒体。18. A substrate, a phase change type recording film formed on the substrate, which changes a state by irradiation of a light beam to record information, and a recording film formed in contact with the recording film. An information recording medium, comprising: a metal film made of a metal, an alloy or an intermetallic compound which has a melting point higher than that of the film material and does not form a solid solution with the recording film material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6054132A JPH07262614A (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6054132A JPH07262614A (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Information recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07262614A true JPH07262614A (en) | 1995-10-13 |
Family
ID=12962066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6054132A Pending JPH07262614A (en) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | Information recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07262614A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011079314A (en) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Image forming device and method of managing power therefor |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP6054132A patent/JPH07262614A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011079314A (en) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Image forming device and method of managing power therefor |
| CN102035974A (en) * | 2009-10-06 | 2011-04-27 | 三星电子株式会社 | Image forming apparatus and method of controlling power thereof |
| US8965235B2 (en) | 2009-10-06 | 2015-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image forming apparatus and method of controlling power thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3516996B2 (en) | Information recording medium and method of manufacturing the same | |
| WO1998038636A1 (en) | Phase-changeable optical recording medium, method of manufacturing the same, and method of recording information on the same | |
| JPWO2004085167A1 (en) | Information recording medium and manufacturing method thereof | |
| JPH10340489A (en) | Phase transition type optical disk and production of phase transition type optical disk | |
| JPH07262614A (en) | Information recording medium | |
| JP3087454B2 (en) | Optical information recording medium and structure design method thereof | |
| JPH03197173A (en) | Data recording medium | |
| JP2004265465A (en) | Optical recording medium and its manufacturing method | |
| JP2000298877A (en) | Optical information-recording medium | |
| JPH10289478A (en) | Optical information recording medium and its production | |
| JPH02147393A (en) | Information recording medium | |
| JPH113538A (en) | Phase change type optical disk and its production | |
| JP2004111048A (en) | Information recording medium | |
| JPH02219689A (en) | Information recording medium | |
| JPH05144084A (en) | Optical recording medium and production thereof | |
| JPH05217212A (en) | Information recording medium | |
| JPH04362542A (en) | Recording and erasing method for phase transition type optical disk | |
| JP2003091873A (en) | Optical information recording medium and recording method using the same | |
| JPH0388146A (en) | Information recording medium | |
| JPH02219688A (en) | Information recording medium | |
| JPH11149665A (en) | Phase transition type optical recording medium and its using method | |
| JPH0676355A (en) | Information recording medium | |
| JPH05274717A (en) | Optical information recording medium and its recording and reproducing method | |
| JPH0981968A (en) | Phase change type optical disk | |
| JPH03197177A (en) | Data recording medium |