JPH05260631A - ガス絶縁電気装置 - Google Patents

ガス絶縁電気装置

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Publication number
JPH05260631A
JPH05260631A JP4054963A JP5496392A JPH05260631A JP H05260631 A JPH05260631 A JP H05260631A JP 4054963 A JP4054963 A JP 4054963A JP 5496392 A JP5496392 A JP 5496392A JP H05260631 A JPH05260631 A JP H05260631A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor layer
groove
ground tank
foreign matter
electric device
Prior art date
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Pending
Application number
JP4054963A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Okamoto
隆司 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4054963A priority Critical patent/JPH05260631A/ja
Publication of JPH05260631A publication Critical patent/JPH05260631A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02GINSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
    • H02G5/00Installations of bus-bars
    • H02G5/06Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
    • H02G5/063Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings filled with oil or gas
    • H02G5/065Particle traps

Landscapes

  • Installation Of Bus-Bars (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガス絶縁電気装置の内部に存在する金属微粉
などの異物を所定場所に集める。 【構成】 ガス絶縁電気装置の接地タンク内の底部に絶
縁板を設置する。この絶縁板の表面には半導体層が設け
られて上面には所定の間隔で多数の溝が設けられてい
る。半導体層は前記溝の側面及び底部には設けられてい
ない。 【効果】 ガス絶縁電気装置の導体に高電圧の電流を流
すと、絶縁板上の異物は半導体層から電荷を受けて弱く
帯電し半導体層の表面を低く跳躍する。跳躍しつつ溝の
上にきた異物は溝の中に落下し溝の中に滞留する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はガス絶縁電気装置内にお
ける金属粉末などの異物を捕足する装置の改良に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】図3は従来の技術による金属粉末などの
異物を捕捉するトラップ装置4を有するガス絶縁電気装
置の側断面図である。図において、アルミなどの金属に
より作られたパイプ状の接地タンク2は内部に絶縁性ガ
スが充填された密閉容器であり、その中心に高電圧の電
流が流れる導体1が設けられている。導体1には、金属
製のリング4Aと、リング4Aを接地タンク2の内壁面に対
して所定の間隔を保つて保持するための絶縁物製取付部
材3からなるトラップ装置4が設けられている。リング
4Aにはその一部に多数のスリット4Dが設けられており、
このガス絶縁電気装置を設置するとき、スリット4Dが下
方に来るように位置決めする。リング4Aに設けられた接
触子4Bは接地タンク2の内壁面に接触する金属部材であ
り、リング4Aを接地タンク2に電気的に接続するための
ものである。
【0003】一般にガス絶縁電気装置を設置した場合
に、設置工事の過程において接地タンク2内に金属粉等
の異物が入る可能性がある。内部に異物を有するガス絶
縁電気装置の導体1と接地タンク2間に高電圧が印加さ
れると、接地タンク2の内壁面に接触している異物は帯
電する。接地タンク2内には強い電界が存在するので、
帯電した異物には浮力が働き接地タンク2内の空間に浮
上する。浮上した異物は自分の保有電荷によってガス空
間中で静電力を受けるが、交流電圧の場合、常に電圧の
極性が反転しているので、異物に作用する静電力は相殺
される。このため浮上時だけに力を受け、異物は放物線
運動にほぼ近い挙動をして落下する。落下した異物は接
地タンク2の内壁面に触れると再び帯電して空間に浮上
する。このようにして異物は接地タンク2の中であたか
も虫が跳ねるように跳躍運動をする。このような異物が
導体1と接地タンク2間の空間に浮上して導体1と接地
タンク間に分布すると導体1と接地タンク2間を閃絡す
る恐れがあり、このためにガス絶縁電気装置の絶縁耐力
が低下する。
【0004】前記のトラップ装置4を有する従来のガス
絶縁電気装置では、このようなトラブルを未然に防ぐた
めに、設置工事を終了した後、所定の電圧の交流電源を
用いて導体1と接地タンク2間に電圧を印加することを
行う。その結果接地タンク2内の異物は前記のように接
地タンク2内を跳躍しつつ任意の方向へ移動する。そし
て矢印で示すように跳躍をくり返してトラップ装置4の
スリット4Dの部分に到達した異物はスリット4Dを通り抜
けてリング4と接地タンク2間の間隙4Cに落下する。間
隙4Cにおいては、リング4と接地タンク2は同電位であ
るので電界強度は極めて低い。従って異物は再び浮上す
ることがなく、間隙4Cに滞留する。このようにして接地
タンク2内の多数の異物は時間の経過と共に次第に間隙
4Cに集まる。一度間隙4Cに集まった異物は重力によって
そのまま滞留し再び接地タンク2内に散乱することはな
い。上記のように交流電源によって定格電圧又はそれ以
下の電圧を導体1と接地タンク2間に印加し、異物を予
めトラップ装置4の間隙4Cに集積させる処理を“コンデ
ィショニング”と呼んでいる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のガス絶縁電気装
置においては、複雑な構造のトラップ装置4を所定の距
離毎に設ける必要があり、また設置工事を行なった後に
コンディショニング処理を行なう必要があった。このよ
うなトラップ装置は構造が複雑であるので製造コストが
高価であると共に、コンディショニング処理はそのため
の設備と相当の時間を要する問題があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明のガス絶縁電気
装置は、絶縁ガスが充填された密閉容器である接地タン
ク内の底部に、上面に所定間隔で凹部を有しかつ前記上
面の凹部を除く表面に接地タンクに電気的に接続された
半導体層を有する絶縁部材を設けている。
【0007】
【作用】半導体層の上にある異物は帯電により半導体層
の上を導体の上におけるよりは小さいエネルギーで跳躍
しつつ移動し半導体層の穴を通して絶縁部材に設けられ
た凹部の中に落下する。いったん凹部の中に落下した異
物は導体にも半導体層に接していないので再び静電気を
帯びることがない。従って浮上することはなく凹部の中
に滞留する。
【0008】
【実施例】図1はこの発明のガス絶縁電気装置の第1の
実施例を示す側断面図である。図示のように、絶縁ガス
が充填されたパイプ状の金属製密閉容器である接地タン
ク2の中心部に高電圧の電流が流れる導体1が絶縁スペ
ーサー9によって保持されている。接地タンク2の内面
の下部にはプラスチック等により構成された絶縁板6が
設けられている。絶縁板6下面の接地タンク2の内面に
接する形成面の形状は接地タンク2の内面に添う円弧状
に形成されており、上面は平面又は円弧状に形成されて
いる。絶縁板6の上面には所定の間隔で凹部、例えば溝
8が設けられている。図1に示す第1の実施例において
は、溝8は接地タンク2の長手方向(図の左右方向)に
対して直角の方向に設けられているが、長手方向に対し
て平行の方向に設けてもよい。また図2に示す第2の実
施例のように溝8の代わりに所定の深さを有する凹部18
を設けてもよい。
【0009】絶縁板6の表面には比較的高い抵抗率を有
する半導体層7が設けられており、この半導体層7は接
地タンク2の内面に電気的に接続されるようになされて
いる。半導体層7の抵抗率は104〜1010 Ω・m程度が適
している。このような半導体層7は例えば絶縁板6の表
面に半導体物質を蒸着することによって得られる。ま
た、他の方法として金属又はカーボンの微粉末を混入し
た塗料を塗付することによっても得られる。絶縁板6の
全面(上面、側面及び下面)に半導体層7を設けた場合
には、この絶縁板6を接地タンク2の内部に置くことに
よって半導体層7と接地タンク2とは電気的に接続され
る。しかし図2に示す第2の実施例のように半導体層7
を絶縁板16の上面にのみ設けた場合には、半導体層7と
接地タンク2との電気的接続のために適当な手段、例え
ば接続導線など(図示省略)が必要である。半導体層7
は溝8の側面8A及び底面8Bには設けられていない。この
ような絶縁板6は、絶縁物の板の両面に半導体層7を付
着させた後、切削加工で溝8又は凹部18を設けることに
より容易に製作することができる。絶縁板6の絶縁スペ
ーサー9の近傍における端部6Aには他の部分より高い山
状部6Aが設けられている。
【0010】第1の実施例における動作を以下に説明す
る。ガス絶縁電気装置を設置した後、通常の使用状態に
おいて導体1と接地タンク2間に高電圧が印加されてい
るので、このとき半導体層7の上にのった異物は帯電す
るものの、半導体層7の抵抗率が金属よりははるかに高
いため、その帯電量は金属の接地タンク2内面上にある
場合に較べて比較的少ない。従って異物に作用する浮力
も比較的小さく跳躍の高さも低い。それ故異物は高電圧
の電流が流れている導体1に衝突したりその近傍に沢山
集まったりすることはなく絶縁板6上を小幅に跳躍して
動く。異物は絶縁板6上を跳躍しているうちに溝8の位
置に達するとその中に落下する。一旦溝8の中に落下し
た異物は、溝の底面及び側面には半導体層7が設けられ
ていないため再び帯電することはなく、浮力も生じな
い。従って再び溝8から外に飛び出すことはない。この
ようにして時間が経過するとともに、接地タンク2内に
存在する異物は順次溝8の中に落込んでそこに滞留す
る。その結果接地タンク2内のすべての異物は最終的に
溝8の中に入ってしまう。上記の動作は図2に示す第2
の実施例においても同様であり、異物は凹部18内に入
る。半導体層7の抵抗率、厚さなどは工事中に接地タン
ク2内に侵入する金属粉などの直径に応じて実験的に決
める。
【0011】図1、図2の両実施例において、接地タン
ク2の絶縁スペーサー9の近傍においては、絶縁板6の
端部は他の部分よりも高くした山状部6Aを形成するよう
にしてある。この山状部6Aによって絶縁板6上で動く異
物が絶縁スペーサー9と接地タンク2の接続部のすきま
9Aに入り込むのを阻止することができる。従って絶縁ス
ペーサー9と接地タンク2の接合部に異物が溜まって絶
縁性その他の性能を損うのを防ぐことができる。
【0012】
【発明の効果】この発明によれば、表面に半導体層7を
有する絶縁板6を接地タンク2内の底部に設けているの
で、絶縁板上の異物は半導体層7によって帯電される。
しかし半導体層7は抵抗率が高いので異物の帯電量は比
較的少ない。従って異物が電界によって浮上する高さは
比較的低く導体1に達して絶縁性能などを損うことはな
い。絶縁板6から低く浮上した異物が絶縁板6に設けら
れた溝8の中に落下した後は再び帯電することはなくそ
こに滞留する。その結果絶縁板6上に来た異物は最終的
に溝8内に捕捉され、再びそこから飛び出すことはな
い。従ってガス絶縁電気装置を設置した後直ちに定格電
圧を印加しても異物は小幅に跳躍し、導体1に達するこ
となく溝8に補足されるので、従来行われていたよう
な、設置した後、運転開始前に行うコンディショニング
処理は不要となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例のガス絶縁電気装置の
側断面図
【図2】この発明の第2の実施例のガス絶縁電気装置の
側断面図
【図3】従来のガス絶縁電気装置の側断面図
【符号の説明】
2 接地タンク 6 絶縁板 7 半導体層 8 溝 18 凹部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁ガスが充填された密閉容器である接
    地タンクと、 接地タンク内の底部に設けられた絶縁部材であって、上
    面に所定間隔で凹部を有し、かつ前記上面の凹部を除く
    表面に接地タンクに電気的に接続された半導体層を有す
    る絶縁部材とを有するガス絶縁電気装置。
  2. 【請求項2】 前記絶縁部材は前記凹部を除く全表面に
    半導体層を有する請求項1のガス絶縁電気装置。
  3. 【請求項3】 前記絶縁部材の凹部は溝である請求項1
    のガス絶縁電気装置。
JP4054963A 1992-03-13 1992-03-13 ガス絶縁電気装置 Pending JPH05260631A (ja)

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JP4054963A JPH05260631A (ja) 1992-03-13 1992-03-13 ガス絶縁電気装置

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JPH05260631A true JPH05260631A (ja) 1993-10-08

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ID=12985322

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JP4054963A Pending JPH05260631A (ja) 1992-03-13 1992-03-13 ガス絶縁電気装置

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JP (1) JPH05260631A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016208670A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 株式会社東芝 密閉型開閉装置
CN112217128A (zh) * 2020-10-12 2021-01-12 华北电力大学 用于gis/gil中的金属微粒陷阱布置方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016208670A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 株式会社東芝 密閉型開閉装置
CN112217128A (zh) * 2020-10-12 2021-01-12 华北电力大学 用于gis/gil中的金属微粒陷阱布置方法
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