JPH0224086B2 - - Google Patents
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- JPH0224086B2 JPH0224086B2 JP56179874A JP17987481A JPH0224086B2 JP H0224086 B2 JPH0224086 B2 JP H0224086B2 JP 56179874 A JP56179874 A JP 56179874A JP 17987481 A JP17987481 A JP 17987481A JP H0224086 B2 JPH0224086 B2 JP H0224086B2
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- trap ring
- sheath
- time
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B9/00—Power cables
- H01B9/06—Gas-pressure cables; Oil-pressure cables; Cables for use in conduits under fluid pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
- H02G5/00—Installations of bus-bars
- H02G5/06—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings
- H02G5/063—Totally-enclosed installations, e.g. in metal casings filled with oil or gas
- H02G5/065—Particle traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B17/00—Insulators or insulating bodies characterised by their form
- H01B17/42—Means for obtaining improved distribution of voltage; Protection against arc discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Installation Of Bus-Bars (AREA)
- Electrostatic Separation (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガス絶縁送電線に関するものであり、
特にガス絶縁送電線に用いる粒子捕促装置および
ガス絶縁送電線の製造方法に関するものである。
特にガス絶縁送電線に用いる粒子捕促装置および
ガス絶縁送電線の製造方法に関するものである。
高電圧ガス絶縁送電線は一般に、低電位の外装
と、外装に対して高電位で外装内に設けられた内
部導体と、外装内で内部導体を絶縁支持する支持
絶縁体とを備えている。普通は内部導体を外装か
ら絶縁するために絶縁ガスが用いられ、絶縁ガス
の大絶縁耐力のために内部導体と外装との間をよ
り近くし離間距離を短かくすることができる。絶
縁ガスとしては六弗化硫黄が用いられるが、これ
は蒸気圧、化学的安定性、価格、絶縁耐力、熱伝
導度、非毒性等の特性に関連した多くの理由のた
めである。
と、外装に対して高電位で外装内に設けられた内
部導体と、外装内で内部導体を絶縁支持する支持
絶縁体とを備えている。普通は内部導体を外装か
ら絶縁するために絶縁ガスが用いられ、絶縁ガス
の大絶縁耐力のために内部導体と外装との間をよ
り近くし離間距離を短かくすることができる。絶
縁ガスとしては六弗化硫黄が用いられるが、これ
は蒸気圧、化学的安定性、価格、絶縁耐力、熱伝
導度、非毒性等の特性に関連した多くの理由のた
めである。
高電圧ガス絶縁送電線の設計に於て生じた一つ
の問題は、移動性の導電性あるいは半導電性の粒
子の影響である。これら粒子は組立時に入つたも
のあるいは動作中に生じたものであり、外装と内
部導体との間を横切つてスパーク、コロナを発生
させたり、絶縁ガスあるいは絶縁性支持体の絶縁
破壊あるいはフラツシオーバーを起こさせること
がある。これら汚染粒子は六弗化硫黄ガスの絶縁
耐力を低下させることがある。このような粒子の
影響を克服するためには、送電線寸法を大きくす
るか送電線内に導電性粒子を無くすあるいは不活
性化するための装置を設けるかしなければならな
い。
の問題は、移動性の導電性あるいは半導電性の粒
子の影響である。これら粒子は組立時に入つたも
のあるいは動作中に生じたものであり、外装と内
部導体との間を横切つてスパーク、コロナを発生
させたり、絶縁ガスあるいは絶縁性支持体の絶縁
破壊あるいはフラツシオーバーを起こさせること
がある。これら汚染粒子は六弗化硫黄ガスの絶縁
耐力を低下させることがある。このような粒子の
影響を克服するためには、送電線寸法を大きくす
るか送電線内に導電性粒子を無くすあるいは不活
性化するための装置を設けるかしなければならな
い。
従来このような粒子を不活性化するのに用いら
れていた手段は、低電界領域を用いるものであつ
た。低電界領域は、送電線内に導電性電極を外装
から離間させて外装に電気的に接続して設け、電
極と外装との間に低電界領域を形成していた。こ
のような電極は一般に粒子トラツプとして知られ
ている。
れていた手段は、低電界領域を用いるものであつ
た。低電界領域は、送電線内に導電性電極を外装
から離間させて外装に電気的に接続して設け、電
極と外装との間に低電界領域を形成していた。こ
のような電極は一般に粒子トラツプとして知られ
ている。
粒子トラツプの原理は、圧縮ガス絶縁送電線系
内に電界により粒子が入り込まされる非常に低い
電界のあるいは零電界の領域を形成することであ
る。粒子トラツプは普通、内部絶縁体周囲に取付
られる外装の底から離間した軸方向の金属製遮蔽
あるいは円筒である。トラツプ表面の底にはスロ
ツトが設けられ、粒子がスロツトを通つて落下し
て低電界領域に入つて不活性化するようにしてあ
る。
内に電界により粒子が入り込まされる非常に低い
電界のあるいは零電界の領域を形成することであ
る。粒子トラツプは普通、内部絶縁体周囲に取付
られる外装の底から離間した軸方向の金属製遮蔽
あるいは円筒である。トラツプ表面の底にはスロ
ツトが設けられ、粒子がスロツトを通つて落下し
て低電界領域に入つて不活性化するようにしてあ
る。
このような高くなつたトラツプでは、内部導体
の60Hzが電圧が粒子を外装表面から浮上させるの
に必要な電圧よりも僅か高いとき、殆んどの粒子
はトラツプと外装との間の開口から移動してきて
捕捉される。すると粒子の活動および跳上り高さ
は制限されて外装表面に近い部分に留まつてい
る。この状態はトラツプへの粒子の効果的な移動
のために最も望ましいものであり、また粒子が絶
縁体上にあるいは高電位導体に移動して絶縁破壊
を起こす可能性を減少させるので最も望ましいも
のでもある。粒子が一坦トツプ内に入つたら、そ
こに捕捉されて高電圧時に再び逃げ出さぬことが
重要であり、粒子が逃げ出すと絶縁破壊が起こり
装置に損傷を与えて送電線を開いて修理しなけれ
ばならなくなることがある。
の60Hzが電圧が粒子を外装表面から浮上させるの
に必要な電圧よりも僅か高いとき、殆んどの粒子
はトラツプと外装との間の開口から移動してきて
捕捉される。すると粒子の活動および跳上り高さ
は制限されて外装表面に近い部分に留まつてい
る。この状態はトラツプへの粒子の効果的な移動
のために最も望ましいものであり、また粒子が絶
縁体上にあるいは高電位導体に移動して絶縁破壊
を起こす可能性を減少させるので最も望ましいも
のでもある。粒子が一坦トツプ内に入つたら、そ
こに捕捉されて高電圧時に再び逃げ出さぬことが
重要であり、粒子が逃げ出すと絶縁破壊が起こり
装置に損傷を与えて送電線を開いて修理しなけれ
ばならなくなることがある。
本発明によれば、低電位に長い円筒形外装と、
上記外装内に設けられ上記外装に対して高電位の
内部導体と、上記内部導体を上記外装から電気的
に絶縁する絶縁ガスと、上記内部導体を上記外装
内に絶縁支持する絶縁支持装置と、上記外装内に
設けられ、上記外装に電気的に接続されかつ上記
外装から離間されて間に低電界領域を形成し、第
1および第2軸方向端を有する開孔付粒子トラツ
プリングと、一方が上記トラツプリングの上記第
1軸方向端に固着され他方が上記トラツプリング
の上記第2軸方向端に固着されて、共に上記トラ
ツプリングから軸方向外方にかつ上記外装に向つ
て径方向外方に延びた1対の誘電性部材と、上記
低電界領域内で上記外装上に設けられて上記トラ
ツプリングに固着され、上記トラツプリングに面
する表面上に接着剤被覆を有する支持板とを備え
たガス絶縁送電線が得られる。
上記外装内に設けられ上記外装に対して高電位の
内部導体と、上記内部導体を上記外装から電気的
に絶縁する絶縁ガスと、上記内部導体を上記外装
内に絶縁支持する絶縁支持装置と、上記外装内に
設けられ、上記外装に電気的に接続されかつ上記
外装から離間されて間に低電界領域を形成し、第
1および第2軸方向端を有する開孔付粒子トラツ
プリングと、一方が上記トラツプリングの上記第
1軸方向端に固着され他方が上記トラツプリング
の上記第2軸方向端に固着されて、共に上記トラ
ツプリングから軸方向外方にかつ上記外装に向つ
て径方向外方に延びた1対の誘電性部材と、上記
低電界領域内で上記外装上に設けられて上記トラ
ツプリングに固着され、上記トラツプリングに面
する表面上に接着剤被覆を有する支持板とを備え
たガス絶縁送電線が得られる。
外装内には外装に電気的に接続された穴あき粒
子トラツプリングが設けられて、外装とトラツプ
リングとの間に低電界領域が形成されている。ト
ラツプリングの軸方向両端には一対の誘電性部材
が固着されており、これらの誘電性部材はいずれ
も軸方向に外方にまた径方向外方に外装に向かつ
て延びている。支持板が外装内でトラツプリング
に取付けられ、低電界領域内に設けられており、
支持板のトラツプリングに面する表面には接着剤
の被覆が施こされている。
子トラツプリングが設けられて、外装とトラツプ
リングとの間に低電界領域が形成されている。ト
ラツプリングの軸方向両端には一対の誘電性部材
が固着されており、これらの誘電性部材はいずれ
も軸方向に外方にまた径方向外方に外装に向かつ
て延びている。支持板が外装内でトラツプリング
に取付けられ、低電界領域内に設けられており、
支持板のトラツプリングに面する表面には接着剤
の被覆が施こされている。
送電性の組立て、整調は、水平に対して傾け、
内部導体に複数の電圧−時間工程として交流電圧
を掛け、電圧−時間工程は電圧の大きさを順次増
加し同時に時間を順次減らすことによつて行なう
のが望ましい。
内部導体に複数の電圧−時間工程として交流電圧
を掛け、電圧−時間工程は電圧の大きさを順次増
加し同時に時間を順次減らすことによつて行なう
のが望ましい。
次に添付図面に示す本発明の実施例に沿つて本
発明を説明する。
発明を説明する。
第1図および第2図に示すガス絶縁送電線10
は、大地電位にある長い円筒形の外装12と、外
装12内に設けられ、外装12よりも高電位の内
部導体14とを備えている。内部導体14は例え
ば121−1200KVの電位であり、内部導体14も
外装12も共にアルミニウムム等の高導電体で形
成されている。約50psigの圧力の六弗化硫黄等の
絶縁ガス18が、外装12内に設けられ内部導体
14を外装12から電気的に絶縁している。外装
12内で内部導体14を絶縁支持するために複数
の絶縁支持体16が用いられている。粒子トラツ
プリング22が、外装12内で絶縁支持体16に
近接して固着され、また接触ボタン23等により
外装12に電気的に接続されている。粒子トラツ
プリング22と外装12との間の電気的接続関係
のより詳しい説明については米国特許第4084064
号に記載されている。
は、大地電位にある長い円筒形の外装12と、外
装12内に設けられ、外装12よりも高電位の内
部導体14とを備えている。内部導体14は例え
ば121−1200KVの電位であり、内部導体14も
外装12も共にアルミニウムム等の高導電体で形
成されている。約50psigの圧力の六弗化硫黄等の
絶縁ガス18が、外装12内に設けられ内部導体
14を外装12から電気的に絶縁している。外装
12内で内部導体14を絶縁支持するために複数
の絶縁支持体16が用いられている。粒子トラツ
プリング22が、外装12内で絶縁支持体16に
近接して固着され、また接触ボタン23等により
外装12に電気的に接続されている。粒子トラツ
プリング22と外装12との間の電気的接続関係
のより詳しい説明については米国特許第4084064
号に記載されている。
粒子トラツプリング22はその表面に複数の開
孔即ちスロツト21を有し、絶縁ガス18中に入
つていることのある汚染粒子がスロツト21を通
つて落下できるようにしてある。図示のトラツプ
リング22は外装12の底部内表面25よりも高
くされていて、トラツプリング22と外装12と
の間に形成された低電界領域あるいは零電界領域
20内に粒子が入るようにしてある。トラツプリ
ング22の下側には第2図に示す如く、トラツプ
リング22に取付けられる支持板26が設けられ
ている。支持板26は金属または絶縁性プラスチ
ツクからなり、トラツプリング22に面する表面
に接着剤の被覆28が施こされている。この接着
剤被覆の施こされた支持板26は外装12上に乗
つていて、内部導体14と外装12との間に相対
運動が生じたときにトラツプリング22と共に滑
動する。接着剤被覆28の機能は、スロツト21
を通つて或いはトラツプリング22と外装12と
の間の端開口部27,29を通つてトラツプリン
グ22の下の低電界領域20に入る汚染粒子を捕
捉して永久的に保持することである。従つて、接
着剤被覆28に捕捉された粒子は、例えば輪送中
にまたは現場での据え付け作業中或いは使用中に
送電線10の高電位部分へ戻つて、後に事故の原
因となるようなことがない。支持板26とこれに
被覆されてた接着剤被覆28はトラツプリング2
2の両軸方向端30,32を超えて外へ延びてい
てはならない。支持板26の位置をこのようにす
れば、接着剤被覆28に捕捉された粒子がトラツ
プリング22の下の低電界領域20内だけで捕捉
される。
孔即ちスロツト21を有し、絶縁ガス18中に入
つていることのある汚染粒子がスロツト21を通
つて落下できるようにしてある。図示のトラツプ
リング22は外装12の底部内表面25よりも高
くされていて、トラツプリング22と外装12と
の間に形成された低電界領域あるいは零電界領域
20内に粒子が入るようにしてある。トラツプリ
ング22の下側には第2図に示す如く、トラツプ
リング22に取付けられる支持板26が設けられ
ている。支持板26は金属または絶縁性プラスチ
ツクからなり、トラツプリング22に面する表面
に接着剤の被覆28が施こされている。この接着
剤被覆の施こされた支持板26は外装12上に乗
つていて、内部導体14と外装12との間に相対
運動が生じたときにトラツプリング22と共に滑
動する。接着剤被覆28の機能は、スロツト21
を通つて或いはトラツプリング22と外装12と
の間の端開口部27,29を通つてトラツプリン
グ22の下の低電界領域20に入る汚染粒子を捕
捉して永久的に保持することである。従つて、接
着剤被覆28に捕捉された粒子は、例えば輪送中
にまたは現場での据え付け作業中或いは使用中に
送電線10の高電位部分へ戻つて、後に事故の原
因となるようなことがない。支持板26とこれに
被覆されてた接着剤被覆28はトラツプリング2
2の両軸方向端30,32を超えて外へ延びてい
てはならない。支持板26の位置をこのようにす
れば、接着剤被覆28に捕捉された粒子がトラツ
プリング22の下の低電界領域20内だけで捕捉
される。
或る電圧レベルでトラツプリング22の端領域
37,38の近くで停止し接着剤被覆28に粘着
してない粒子が、電圧が増大したとき送電線10
内に再侵入せぬように、トラツプリング22には
一対の誘電性部材34,36が設けられている。
第1の誘電性部材34はトラツプリング22の第
1の軸方向端30に固着され、第2の誘電性部材
36はトラツプリング22の第2の軸方向端32
に固着されている。誘電性部材34,36は共に
トラツプリング22から軸方向外向きにかつ外装
12に向つて径方向外向きに弧状に延びている。
誘電性部材34,36は、誘電性部材34,36
の下方にあり接着剤被覆28上にない端領域3
7,38から浮上した粒子が、トラツプリング2
2の下方の接着剤被覆28上に偏向し戻されるよ
うに曲がつている。
37,38の近くで停止し接着剤被覆28に粘着
してない粒子が、電圧が増大したとき送電線10
内に再侵入せぬように、トラツプリング22には
一対の誘電性部材34,36が設けられている。
第1の誘電性部材34はトラツプリング22の第
1の軸方向端30に固着され、第2の誘電性部材
36はトラツプリング22の第2の軸方向端32
に固着されている。誘電性部材34,36は共に
トラツプリング22から軸方向外向きにかつ外装
12に向つて径方向外向きに弧状に延びている。
誘電性部材34,36は、誘電性部材34,36
の下方にあり接着剤被覆28上にない端領域3
7,38から浮上した粒子が、トラツプリング2
2の下方の接着剤被覆28上に偏向し戻されるよ
うに曲がつている。
誘電性部材34,36と共に支持板26に施こ
された接着剤被覆28を使用すると、粒子捕捉装
置で捕捉される絶縁ガス18中の汚染粒子は、ト
ラツプリング22と外装12との間の電界が極め
て低い低電界領域20内の接着剤被覆28だけ捕
捉されるようになり、内部導体14の電圧上昇時
に、再活性化させられる可能性のある場所例えば
電界が僅かに低いだけの端領域37,38には捕
捉されないようにできる。
された接着剤被覆28を使用すると、粒子捕捉装
置で捕捉される絶縁ガス18中の汚染粒子は、ト
ラツプリング22と外装12との間の電界が極め
て低い低電界領域20内の接着剤被覆28だけ捕
捉されるようになり、内部導体14の電圧上昇時
に、再活性化させられる可能性のある場所例えば
電界が僅かに低いだけの端領域37,38には捕
捉されないようにできる。
第3図には、上述の構成の送電線10の使用に
先立つて送電線10の組立作業の一部としてなさ
れる整調作業に用いられる装置が示されている。
この調整作業は製造工場でも据え付け現場でも可
能であり、両方でなされるのが望ましい。図示の
如く、前に述べた様に構成された送電線10の一
端46に絶縁ガス18が逃げない様にキヤツプ4
5が取り付けられる。送電線10は、始めに水平
に対して傾けられて或る角度例えば約5゜で保持さ
れる。このように送電線10を傾けることによつ
て、粒子が与えられた電界で動かされている間に
重力の作用を受けて低電界領域(零電界領域)2
0へ向かつて移動するようにする。送電線10の
内部導体14を60Hz試験装置として図示した可変
電圧源48に接続する。この電圧源48は掛ける
時間を変化させて大きさの異なる電圧を供給でき
るものである。送電線10の整調作業は、送電線
を傾けた後、可変電圧源48により内部導体14
に複数の電圧−時間ステツプで交流電圧を与えて
行なう。整調作業中の電圧−時間ステツプは、電
圧が次第に増されこれに応じて時間が次第に短か
くなるようなものである。換言すれば、第1ステ
ツプに於いては第1電圧は例えば工場での試験電
圧の10パーセントで第1時間だけ内部導体14に
与えられる。この第1時間の終わつた後に、第1
電圧より高い第2電圧例えば工場に於ける試験電
圧の10パーセントを更に増した電圧を第1時間よ
り短い第2時間だけ内部導体14に与える。次
に、第2電圧より更に高い第3電圧を第2時間よ
り短い第3時間だけ内部導体に与える。
先立つて送電線10の組立作業の一部としてなさ
れる整調作業に用いられる装置が示されている。
この調整作業は製造工場でも据え付け現場でも可
能であり、両方でなされるのが望ましい。図示の
如く、前に述べた様に構成された送電線10の一
端46に絶縁ガス18が逃げない様にキヤツプ4
5が取り付けられる。送電線10は、始めに水平
に対して傾けられて或る角度例えば約5゜で保持さ
れる。このように送電線10を傾けることによつ
て、粒子が与えられた電界で動かされている間に
重力の作用を受けて低電界領域(零電界領域)2
0へ向かつて移動するようにする。送電線10の
内部導体14を60Hz試験装置として図示した可変
電圧源48に接続する。この電圧源48は掛ける
時間を変化させて大きさの異なる電圧を供給でき
るものである。送電線10の整調作業は、送電線
を傾けた後、可変電圧源48により内部導体14
に複数の電圧−時間ステツプで交流電圧を与えて
行なう。整調作業中の電圧−時間ステツプは、電
圧が次第に増されこれに応じて時間が次第に短か
くなるようなものである。換言すれば、第1ステ
ツプに於いては第1電圧は例えば工場での試験電
圧の10パーセントで第1時間だけ内部導体14に
与えられる。この第1時間の終わつた後に、第1
電圧より高い第2電圧例えば工場に於ける試験電
圧の10パーセントを更に増した電圧を第1時間よ
り短い第2時間だけ内部導体14に与える。次
に、第2電圧より更に高い第3電圧を第2時間よ
り短い第3時間だけ内部導体に与える。
これらの電圧ステツプは、工場の試験電圧の約
10パーセントを1ステツプとして次第に増してゆ
くのが好ましく、低い電圧はそれより高い電圧よ
り長い時間だけ与えられる。このようにするの
は、低い電圧で粒子を確実に移動させて、支持絶
縁体16が汚染される可能性を減らすと共に汚染
粒子が高電圧内部導体14まで移動して絶縁破壊
のきつかけとなる可能性を少くするためである。
このことによつて、より高い電圧で粒子が外装1
2から内部導体14まで移動して粒子が原因とな
つて始まる事故の起きる危険が抑さえられる。ま
た、絶縁破壊電圧は電圧が任意の電圧レベルで保
持される時間と共に低下する。例えば242KV送
電線の内部導体14に与えられる電圧−時間ステ
ツプの例を次に示す。
10パーセントを1ステツプとして次第に増してゆ
くのが好ましく、低い電圧はそれより高い電圧よ
り長い時間だけ与えられる。このようにするの
は、低い電圧で粒子を確実に移動させて、支持絶
縁体16が汚染される可能性を減らすと共に汚染
粒子が高電圧内部導体14まで移動して絶縁破壊
のきつかけとなる可能性を少くするためである。
このことによつて、より高い電圧で粒子が外装1
2から内部導体14まで移動して粒子が原因とな
つて始まる事故の起きる危険が抑さえられる。ま
た、絶縁破壊電圧は電圧が任意の電圧レベルで保
持される時間と共に低下する。例えば242KV送
電線の内部導体14に与えられる電圧−時間ステ
ツプの例を次に示す。
電圧(KV) 時間(分)
50 10
100 5
150 2
200 2
250 2
300 2
350 1
400 1
425 1
低い電圧での粒子が確実に移動するのを助ける
ために、低い電圧例えば50KVと100KVのステツ
プでは、外装12に機械的な振動を与えるのが望
ましいことがある。この機械的振動によつて、外
装12に附着した汚染粒子があればそれらは投げ
出される。
ために、低い電圧例えば50KVと100KVのステツ
プでは、外装12に機械的な振動を与えるのが望
ましいことがある。この機械的振動によつて、外
装12に附着した汚染粒子があればそれらは投げ
出される。
また、汚染粒子の存在を知るための粒子センサ
(図示してない)を使用するのが望ましいことも
ある。各電圧ステツプの終りで、粒子の活動の証
拠があれば、全ての粒子捕捉されるまで電圧を掛
ける時間を延長することもできる。
(図示してない)を使用するのが望ましいことも
ある。各電圧ステツプの終りで、粒子の活動の証
拠があれば、全ての粒子捕捉されるまで電圧を掛
ける時間を延長することもできる。
上述の如く、この発明によりガス絶縁送電線内
の汚染粒子の活性を奪う優れた粒子捕捉装置が得
られ、また汚染粒子の捕捉を容易にする送電線の
組立方法や得られる。
の汚染粒子の活性を奪う優れた粒子捕捉装置が得
られ、また汚染粒子の捕捉を容易にする送電線の
組立方法や得られる。
第1図はこの発明の実施例のガス絶縁送電線の
縦断面図、第2図は第1図の線−に沿つた送
電線の横断面図、第3図は組立作業中の送電線を
示す図である。 10……ガス絶縁送電線、12……外装、14
……内部導体、16…絶縁支持装置(支持体)、
18……絶縁ガス、20……低電界領域、21…
…開孔、22……トラツプリング、26……支持
板、28……接着剤被覆、30,32……軸方向
端、34,36……誘電性部材。
縦断面図、第2図は第1図の線−に沿つた送
電線の横断面図、第3図は組立作業中の送電線を
示す図である。 10……ガス絶縁送電線、12……外装、14
……内部導体、16…絶縁支持装置(支持体)、
18……絶縁ガス、20……低電界領域、21…
…開孔、22……トラツプリング、26……支持
板、28……接着剤被覆、30,32……軸方向
端、34,36……誘電性部材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 低電位の長い円筒形外装と、 上記外装内に設けられ上記外装に対して高電位
の内部導体と、 上記内部導体を上記外装から電気的に絶縁する
絶縁ガスと、 上記内部導体を上記外装内に絶縁支持する絶縁
支持装置と、 上記外装内に設けられ、上記外装に電気的に接
続されかつ上記外装から離間されて間に低電界領
域を形成し、第1および第2軸方向端を有する開
孔付粒子トラツプリングと、 一方が上記トラツプリングの上記第1軸方向端
に固着され他方が上記トラツプリングの上記第2
軸方向端に固着されて、共に上記トラツプリング
から軸方向外方にかつ上記外装に向かつて径方向
外方に延びた一対の誘電性部材と、 上記低電界領域内、かつ上記一対の誘電性部材
が固着された上記トラツプリングの位置で上記外
装上に設けられて上記トラツプリングに固着さ
れ、上記トラツプリングに面する表面上に接着剤
被覆を有する支持板とを備えたガス絶縁送電線。 2 上記誘電性部材が弧を描いて外向きに延びた
特許請求の範囲第1項記載のガス絶縁送電線。 3 上記粒子トラツプリングが上記絶縁支持装置
に固着された特許請求の範囲第1項あるいは第2
項記載のガス絶縁送電線。 4 上記支持板が薄いプラスチツク板である特許
請求の範囲第1項乃至第3項のいづれか記載のガ
ス絶縁送電線。 5 低電位の長い円筒形外装と、 上記外装内に設けられ上記外装に対して高電位
の内部導体と、 上記内部導体を上記外装から電気的に絶縁する
絶縁ガスと、 上記内部導体を上記外装内に絶縁支持する絶縁
支持装置と、 上記外装内に設けられ、上記外装に電気的に接
続されかつ上記外装から離間されて間に低電界領
域を形成し、第1および第2軸方向端を有する開
孔付粒子トラツプリングと、 一方が上記トラツプリングの上記第1軸方向端
に固着され他方が上記トラツプリングの上記第2
軸方向端に固着されて、共に上記トラツプリング
から軸方向外方にかつ上記外装に向かつて径方向
外方に延びた一対の誘電性部材と、 上記低電界領域内、かつ上記一対の誘電性部材
が固着された上記トラツプリングの位置で上記外
装上に設けられて上記トラツプリングに固着さ
れ、上記トラツプリングに面する表面上に接着剤
被覆を有する支持板とを備えたガス絶縁送電線の
組立方法であつて、 上記送電線を水平に対して傾けて保持する工程
と、 上記内部導体に第1時間だけ第1電圧を掛ける
工程と、 上記内部導体に上記第1時間より短い第2時間
だけ上記第1電圧より高い第2電圧を掛ける工程
と、 上記内部導体に上記第2時間より短い第3時間
だけ上記第2電圧より高い第3電圧を掛ける工程
とを備えたガス絶縁送電線の組立方法。 6 上記第1時間中、上記外装に機械的振動を与
える特許請求の範囲第5項記載の組立方法。 7 上記第1電圧を掛ける工程と上記第2電圧を
掛ける工程との間で、上記第1時間と同じ時間だ
け、上記第1電圧より高く上記第2電圧より低い
電圧を掛ける特許請求の範囲第5項あるいは第6
項記載の組立方法。 8 上記第2電圧を掛ける工程と上記第3電圧を
掛ける工程との間で、上記第2時間と同じ時間だ
け、上記第2電圧より高く上記第3電圧より低い
電圧を掛ける特許請求の範囲第5項あるいは第6
項記載の組立方法。 9 上記第3電圧を掛ける工程の後で、上記第3
時間と同じ時間だけ、上記第3電圧より高い電圧
を掛ける特許請求の範囲第8項記載の組立方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/206,755 US4330682A (en) | 1980-11-14 | 1980-11-14 | Hybrid particle traps and conditioning procedure for gas insulated transmission lines |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57110013A JPS57110013A (en) | 1982-07-08 |
JPH0224086B2 true JPH0224086B2 (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=22767804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56179874A Granted JPS57110013A (en) | 1980-11-14 | 1981-11-11 | Gas insulated transmission line and method of assembling same |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4330682A (ja) |
JP (1) | JPS57110013A (ja) |
KR (1) | KR880002126B1 (ja) |
AU (1) | AU542011B2 (ja) |
CA (1) | CA1177918A (ja) |
GB (1) | GB2087635B (ja) |
SE (1) | SE454552B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110661220A (zh) * | 2019-07-11 | 2020-01-07 | 平高集团有限公司 | 一种微粒捕捉结构及高压导体绝缘支撑结构 |
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---|---|---|---|---|
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EP1312926A1 (en) * | 2001-11-20 | 2003-05-21 | Abb Research Ltd. | Binary voltage indicator |
US7473301B2 (en) * | 2002-09-17 | 2009-01-06 | Euv Llc | Adhesive particle shielding |
JP5425591B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2014-02-26 | 三菱電機株式会社 | ガス絶縁開閉装置 |
US8189323B2 (en) * | 2008-12-02 | 2012-05-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Gas-insulated switchgear apparatus |
US20110226503A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Bolin Philip C | Gas insulated busbar particle trap |
FR2963172B1 (fr) | 2010-07-22 | 2012-08-31 | Areva T & D Sas | Ligne de transport d'electricite a isolation gazeuse |
JP5554746B2 (ja) * | 2011-05-06 | 2014-07-23 | 株式会社日立製作所 | ガス絶縁母線及びガス絶縁母線の異物除去方法 |
CN104707835A (zh) * | 2015-01-26 | 2015-06-17 | 山东泰开高压开关有限公司 | 一种800kV封闭式组合电器母线设备金属微粒捕集与消除装置 |
CN111403128B (zh) * | 2020-04-02 | 2021-10-08 | 国家电网有限公司 | 一种用于直流输电的支柱绝缘子及直流输电设备 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH493274A (fr) * | 1967-07-13 | 1970-07-15 | High Voltage Engineering Corp | Procédé et appareil pour enlever les particules indésirables du champ électrique d'un appareil à haute tension |
US3765941A (en) * | 1971-01-04 | 1973-10-16 | Rca Corp | Method of preventing inoperation of a component by loose particles of material |
US3814879A (en) * | 1971-03-09 | 1974-06-04 | Westinghouse Electric Corp | Circuit interrupter with improved trap for removing particles from fluid insulating material |
US3792188A (en) * | 1972-08-21 | 1974-02-12 | Ite Imperial Corp | Conductive particle trap for high-power, gas-insulated transmission system |
US3911937A (en) * | 1974-02-21 | 1975-10-14 | Westinghouse Electric Corp | Adherent coating for captivating small particles in gas-insulated electrical equipment |
US4064353A (en) * | 1976-09-15 | 1977-12-20 | Westinghouse Electric Corporation | Gas insulated transmission line with particle trap |
US4084064A (en) * | 1977-09-02 | 1978-04-11 | Westinghouse Electric Corporation | Particle trap contact for gas insulated transmission lines |
-
1980
- 1980-11-14 US US06/206,755 patent/US4330682A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-09-29 AU AU75754/81A patent/AU542011B2/en not_active Ceased
- 1981-10-08 GB GB8130378A patent/GB2087635B/en not_active Expired
- 1981-10-30 CA CA000389107A patent/CA1177918A/en not_active Expired
- 1981-11-11 JP JP56179874A patent/JPS57110013A/ja active Granted
- 1981-11-12 KR KR1019810004332A patent/KR880002126B1/ko active
- 1981-11-12 SE SE8106740A patent/SE454552B/sv not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110661220A (zh) * | 2019-07-11 | 2020-01-07 | 平高集团有限公司 | 一种微粒捕捉结构及高压导体绝缘支撑结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU7575481A (en) | 1982-05-20 |
KR830008434A (ko) | 1983-11-18 |
KR880002126B1 (ko) | 1988-10-15 |
AU542011B2 (en) | 1985-01-31 |
SE8106740L (sv) | 1982-05-15 |
CA1177918A (en) | 1984-11-13 |
JPS57110013A (en) | 1982-07-08 |
GB2087635A (en) | 1982-05-26 |
SE454552B (sv) | 1988-05-09 |
GB2087635B (en) | 1984-06-06 |
US4330682A (en) | 1982-05-18 |
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