JPH05259712A - ダイナミックに同調可能な小型マイクロ波およびミリメータ波装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、制御信号によって静電的に同調が
制御できる小型の同調可能なマイクロ波およびミリメー
タ波用の装置を提供することを目的とする。 【構成】 表面に配置されたインターデジタルな構造の
キャパシタの一方の電極22を構成する第１の回路部材20
を有する基体12と、基体12の上方に配置され、この第１
の回路部材20に関して移動可能なキャパシタの他方の電
極32を構成する第２の回路部材30と、基体12上に形成さ
れ、第２の回路部材30に結合される静電界を生成するた
めに制御信号を選択的に受信する制御電極70a 〜d ，72
a 〜d とを具備し、静電界が第１の回路部材20に関して
第２の回路部材30を選択的に移動させて回路を同調する
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般に同調可能な電子装
置、特に集積回路基体上に製造されることができるタイ
プの小型のダイナミックに同調可能な装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路技術により、寸法および空間は
回路設計者に厳しい制約を与える。例えば、非常に小さ
い面積にされた、薄膜の伝送ラインおよび回路素子は誘
電体基体の表面上に直接製造される。これらの回路素子
はそれらが結合される回路素子と異なる特性インピーダ
ンスを有していることがかなり多い。関連した小さい寸
法および回路素子の密度のためにインピーダンス整合の
ために同調可能な回路素子を使用することは困難であ
る。したがって、このような回路素子は典型的に固定イ
ンピーダンス整合で同調されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】残念ながら、回路装置
インピーダンスは処理される集積回路の通常の変化によ
って変化する。結果的に、インピーダンス整合が失われ
る可能性が高い。典型的な回路素子の固定された性質の
結果、集積回路の結果的な動作フレキシビリティおよび
特性は望ましくない影響を受ける。

【０００４】これらの問題は回路同調のためにアクチブ
半導体装置を使用することが試みられている。このよう
な同調に対するアクチブ半導体装置の使用はＩ．Ｂahl
およびＰ．Ｂhartia氏らによる文献（“Microwave Soli
d-State Circuit Design”，John Wiley & Sons ，1988
年， 373乃至 422頁）に記載されている。これらのタイ
プの装置は小さい寸法によって特徴付けられているが、
それらは回路設計者に別の問題を与えている。例えば、
それらは典型的に著しい損失を導き、範囲およびパワー
処理能力を制限している。

【０００５】マイクロ機械加工の進歩により、薄膜集積
回路技術を使用して機械的および電気・機械装置を製造
することが行われている。いくつかの限定された例は、
Ｒ．Ｓ．Ｍuller 氏他により1988年４月26日に出願され
た米国特許第 4,740,410号明細書（“Micro Mechanical
Elements and Methods for Their Fabrication ”）に
記載されたレバー、ギア、スライダーおよびばねであ
る。さらに、回転可能なモータおよびリニアモータのよ
うな電気・機械装置は、Ｋ．Ｊ．Ｇabriel氏他により19
88年６月28日出願の米国特許第 4,754,185号明細書
（“Micro-Electrostatic Motor ”）に記載されてい
る。

【０００６】

【課題解決のための手段】上記の問題を解決するため
に、本発明は集積回路処理技術の使用によって集積回路
チップの誘電体基体上に製造されたマイクロ機械加工さ
れ静電的に付勢されダイナミックに同調可能な回路装置
を提供する。特に、同調可能な回路は基体の表面上に形
成された固定された回路部材を含む。さらに、可動回路
部材は固定された回路部材に関して電気・機械的に移動
されることができるように基体上に製造される。これら
の部材間の相対的な運動は同調可能な回路のインピーダ
ンスに影響を与え、それによってそれが結合されている
関連した回路素子にそれを同調する。種々の実施例は、
例えば可変キャパシタおよび同調可能なリング共振器を
含む。

【０００７】このようなダイナミックに同調可能な装置
には多数の利点がある。特に、関連した集積回路が製造
される同じ集積回路処理技術を使用する集積回路チップ
上にそれらはバッチ製造されることができる。したがっ
てその集積回路が製造されると同時に小型のダイナミッ
クに同調可能な装置が製造され、それはウェハ上の空間
をほとんど取らず、非常に小さい重さしか付加せず、容
易に複製されることができる。さらに、同調可能な装置
は同調可能な装置がウェハから離されて位置された場合
よりも関連した回路素子の近くに位置され、それによっ
て長いラインの影響を軽減することができる。さらに、
同調可能な装置はマイクロ波およびミリメータ波帯域に
おいて広いダイナミックレンジを有し、同調を行ったと
きにパワー損失をほとんど示さない。さらに、同調可能
な装置は非常に低いパワーの制御信号によりウェハ上で
電気・機械的にダイナミックに同調されることができ
る。同調可能な装置はまた放射線硬化される。

【０００８】集積回路上にこのようなダイナミックに同
調可能な装置を製造することによって、製造後に回路を
同調し、それによって良好な回路の回路生産率を高め、
したがって製造費用を低くすることが可能になる。さら
に、開示された装置はマイクロ波およびミリメータ波帯
域動作においてその他の既知の同調可能な装置より広い
ダイナミックレンジおよび低い挿入損失を有していると
考えられる。

【０００９】

【実施例】図面を参照にさらに詳細に説明すると、図１
の上面図に（実寸ではない）示されているように、可変
キャパシタ10として構成されたダイナミックに同調可能
なインピーダンス装置は例えばＬawrence Ｅ．Ｌarson
氏により1991年11月に出願された米国特許出願第07/60
8,139号明細書（“Micro-Machined Switch & MethodOf
Fabrication ”）に記載されたフォトレジスト、マス
ク、付着、めっき、選択的エッチングおよび化学研磨技
術のような薄膜集積回路製造技術を使用して基体12の表
面上に製造される。もちろん、その他の技術も同調可能
な装置を製造するために使用されることができる。

【００１０】以下“薄膜”という用語が使用された場
合、それは典型的にめっき、スパッタリング、蒸発また
は蒸着によって付着され、約10ミクロンの典型的な厚さ
を有する（単なる例示であってそれに限定されるもので
はない）フィルムを意味すると理解されるべきである。

【００１１】基体12は誘電体から形成され、滑らかで平
坦な表面14を有する。基体はヒ化ガリウムから形成され
ることが好ましい。それはマイクロ波およびミリメータ
波用として優れた誘電体であり、半導体装置および受動
回路素子がその上に製造されることができるためであ
る。例えばシリコン、サファイヤまたはリン化インジウ
ム等の別の材料はある適用に対して適切であると考えら
れる。

【００１２】導体16はフォトレジスト、マスク、選択的
エッチングおよび薄膜金属化プロセスを使用して基体12
の表面14上に製造される。

【００１３】さらに、複数の間隔を隔てられたフィンガ
22を有する固定されたキャパシタ部材20はまた導体16と
電気的に接触して表面14上に製造される。これらのフィ
ンガ22は導体16に接続されるウェブ24によって一端で接
続される。図２に示されているように、フィンガ22は直
線状であり、ほぼ平坦で互いに平行に配置され、フィン
ガ22の側壁26は表面14の平面に垂直である。

【００１４】構造的に導体16および固定されたキャパシ
タ部材20は、表面14上に付着された約500 オングストロ
ームの厚さのチタニウムの第１の層28および約4500オン
グストロームの厚さの金の層から構成される。チタニウ
ムは、それがヒ化ガリウムガリウムに非常に良好に結合
するため使用される。例えば金の厚い層は層28の上部上
にめっきされる。この厚い層は例えば２乃至３ミクロン
の厚さが可能であり、電気めっきによって付着されるこ
とが好ましい。例示すると、導体16は 100ミクロンであ
り、フィンガ22の幅は50ミクロンであり、フィンガの長
さは 300乃至 500ミクロンにすることができる。

【００１５】複数の間隔を隔てられたフィンガ32を有す
る可動キャパシタ部材はフォトレジスト、パターン化さ
れたマスク、選択的エッチングおよび薄膜金属化プロセ
スを使用して基体12の表面14上に形成される。この可動
部材30は、全てのフォトレジストが除去されたときにそ
れが基体12または別の回路素子に結合されないで、固定
されたキャパシタ部材20に関して自由に移動するように
構成される。

【００１６】間隔を隔てられたフィンガ32は、可動子36
に接続されるウェブ34と一端で接続される。フィンガ32
は一般に直線的であり、互いに平行であり、表面14の平
面に垂直な平坦な側壁38を有する。表面14に隣接して配
置されたフィンガ32の下面は低摩擦接触で表面14上に位
置したノード状のベアリング40を含む。これらのベアリ
ングは、前に参照された薄膜処理の一部分としてフィン
ガと共に製造される。このフィンガ32のセットは固定さ
れたキャパシタ部材20のフィンガ22のセットとほぼ同じ
大きさにされ、２つのセットのフィンガがそれらの間で
エアギャップを有して交互に結合する関係で位置するこ
とを可能にするのに十分な距離で間隔を隔てられてい
る。このエアギャップは例えば約0.5 乃至約1.0 ミクロ
ンであることができる。

【００１７】例示的な寸法がフィンガ22および32に対し
て与えられているが、フィンガの長さを増加し、フィン
ガの厚さを増加し、フィンガ数を増加し、フィンガ間の
エアギャップの幅を減少することによって可変キャパシ
タ10の最大容量を増加することができることが理解され
るべきである。

【００１８】導体としても動作する可動子36はフィンガ
22および32の平面に平行な運動軸に沿ってウェブ34から
突出する。低摩擦接触で基体の表面14上に位置する２つ
の間隔を隔てられたベアリング40は可動子36の下面上に
配置される。これらのベアリング40は十分な距離で間隔
を隔てられ、表面14上に配置された導体42が可動子36と
低摩擦接触してそれらの間を通過することを可能にする
のに十分な高さである。

【００１９】導体42は、同じ薄膜処理技術を使用して導
体16と同じ方法で基体12上に製造される。

【００２０】基体12の上部に可動キャパシタ部材30を保
持し、滑らかな面14に沿った直線的な低摩擦移動を行わ
せるために、保持クリップ48は可動キャパシタ部材30の
外側縁部に沿って配置される。図３に最も良く示されて
いるように、これらのクリップ48は前に参照された薄膜
処理により表面14上に製造されるベース50を含む。構造
的に、ベース50はチタニウムおよび金の薄い層28並びに
金の厚い層を含み、表面14に結合される。金の舌部52は
ベース上に積層され、可動キャパシタ部材30上で外側縁
部上に延在するようにカンチレバー構造である。エアギ
ャップは保持クリップの表面と可動キャパシタ部材30と
の間に形成される。結果として、可動キャパシタ部材30
は低摩擦で表面14上を直線的に移動される。

【００２１】キャパシタ部材30の直線移動は可動キャパ
シタ部材30の外側縁部に配置された可動子タブ60および
62によって制限されている。構造的に、これらのタブ60
および62はほぼ直線的であり、それらの最も外側に平坦
な可動子面64および平坦な側壁66および68を有する。こ
れらのタブ60および62は、可変キャパシタ10が図１に示
されたような最大容量構造であるときに側壁66が１対の
クリップ48に接触するように位置される。反対に、可変
キャパシタ10が図１の右方向に最小容量構造まで移動さ
れたとき、保持クリップ48の右端の対は可動子タブ60お
よび62の側壁68がそれらに接触したときに可動キャパシ
タ部材30の直線進行を制限する。

【００２２】動作において、可動キャパシタ部材30は固
定部材20に関して直線的に移動されるため、導体16と導
体42との間の容量はフィンガ22と32間の交差量に応じて
変化する。７つのフィンガにより構成された１つの可変
キャパシタにおいて、容量は0.05から0.2 ピコファラド
まで変化した。

【００２３】可動キャパシタ部材30の直線移動は、可動
子36の各外側縁部に沿ってそれぞれ配置された２行の固
定子制御電極70ａ乃至70ｄおよび72ａ乃至72ｄによって
可動子タブ60および62に与えられた静電力によって行わ
れる。

【００２４】２行の固定子制御電極70ａ乃至70ｄおよび
72ａ乃至72ｄは各固定子制御電極の端部壁極面74が可動
子タブ60および62の面64から同じ距離で横方向に変位さ
れるように可動子36の対向した側に沿って配置されるた
め、極面74および76は全て同じ２つの平行な平面に配置
される。これらの極面74および76の幅および高さは可動
子タブ36とほぼ同じ幅および高さであり、隣接した制御
素子間の間隔は例えばタブ60および62の幅とほぼ同じに
することができる。制御導線は制御信号源（示されてい
ない）に各制御電極70ａ乃至70ｄおよび72ａ乃至72ｄを
接続する。

【００２５】各制御電極70ａ乃至70ｄは、伝送ラインの
反対側の各制御電極72ａ乃至72ｄの対応したものと整列
されるように可動子36の移動軸に直角に直角に方位付け
された分離した軸に沿って整列され、その結果この別の
制御電極と１対と考えられる。例えば制御電極70ａおよ
び72ａは１対と考えられる。可変キャパシタの動作に関
してさらに詳細に説明されるように、各制御電極対は異
なる信号レベルの制御信号＋Ａ1 および−Ａ1 （以下参
照）が供給されたときに静電界を動作可能に生成する。

【００２６】図２に最も良く示されているように、70ｃ
のような各制御電極はチタニウムおよび金の薄い層20並
びに導体16が製造される金の厚い層から製造される。表
面14の上方の制御電極の高さは可動部材30および導体42
の結合された厚さとほぼ同じである。フランジ部分76は
基体12の表面14から突出し、各固定子制御電極の極面74
または76が可動キャパシタ部材30が表面14の上方に配置
された距離にほぼ等しい距離だけ表面14の上方に変位さ
れるように“グースネック”構造で制御電極を保持す
る。結果的に、各制御電極の表面74および76はタブが70
ａおよび72ａのような制御電極対と軸方向に整列したと
き、タブ60および62の端部壁64と適合する。

【００２７】動作において、制御信号対：＋Ａ1 および
−Ａ1 ；＋Ａ2 および−Ａ2 ；並びに＋Ａ3 および−Ａ
3 は順次に制御電極対70ａ−72ａ，70ｂ−72ｂ，70ｃ−
72ｃ等に供給される。実際に、制御信号＋Ａは制御信号
−Ａより高い電圧電位を有する。これらの制御信号は、
タブ60および62の各端部において互いに関して逆の極性
の静電イメージ電荷を発達させる静電界を各制御電極上
に設ける。タブ60および62の端部上の制御電極のフィー
ルドと電荷の間の静電引力は移動軸に沿って可動部材30
を効果的に移動させる。図１に関して左から右にキャパ
シタ部材30を移動するために、制御信号対のシーケンス
はＡ1 ，Ａ2 ，Ａ3 およびＡ1 である。図１では、例え
ばタブ60および62は制御電極対70ａおよび72ａと整列し
ている。したがって、制御信号対シーケンスＡ1 ，Ａ2
，Ａ3 により可動子タブ60および62はそれらの軸が固
定子制御電極対70ｃおよび72ｃと整列する位置に右方向
に効果的にステップされる。しかしながら、可動キャパ
シタ部材30が右端から左にステップされた場合、固定子
制御電極に供給される制御信号対のシーケンスはＡ1 ，
Ａ3 ，Ａ2 ，Ａ1 に反転される。静電界および引力の結
果、可動キャパシタ部材30は図１に示されたようにタブ
60および62が制御電極対70ａおよび72ａと整列して止ま
るまで右から左に移動される。

【００２８】可動キャパシタ部材30の微同調はまた多数
の方法で行われることができる。例えば、タブ60および
62が隣接した制御電極対の間の中間の位置に移動される
ことができる微調整効果が得られる。これは電極70ｂお
よび72ｂに＋Ａ2 および−Ａ2 のような制御信号対を、
また電極70ｃおよび72ｃに＋Ａ3 および−Ａ3 を同時に
供給することによって行われる。したがって、制御電極
とタブ60および62との間の静電引力に対する平衡点は隣
接した制御電極対の間にある。結果として、タブ60およ
び62はこれらの隣接した制御電極間の中間に位置する。

【００２９】可動キャパシタ部材30のさらに精密な微同
調は隣接した制御電極対に異なる振幅の制御信号＋Ａお
よび−Ａを選択的に供給することによって行われること
ができる。その結果、静電界の平衡点は２つの隣接した
対の中のより近くに隣接した制御電極対に近く位置され
る。例えば、制御信号＋Ａ3 および−Ａ3 が制御信号＋
Ａ2 および−Ａ2 より高い振幅を有している場合、平衡
点は高い振幅の制御信号＋Ａ3 および−Ａ3 が供給され
る制御電極に近接している。

【００３０】上記の特徴を含む別の同調可能なインピー
ダンスは図４の同調可能なリング共振器100 である。構
造的に、基体102 上に製造されるリング共振器は上記に
参照された集積回路処理技術を使用して滑らかな平面10
4 を有する。“Ｕ”形状を有する固定リングセグメント
部材106 は導電材料の薄膜により表面104 上に形成され
る。この部材はほぼ楕円の一部分の形状であり、湾曲し
た閉端部が導体108 に接続される。開放端部は２つの分
岐端110 および112 で終端し、端部110 および112 まで
延在する固定リングのセグメントは直線である。

【００３１】図５において断面で示されているように、
直線セグメントは滑らかな面の上面114 を備えた直線構
造を有する。固定されたリングセグメントは表面104 上
に直接付着された約 500オングストロームの厚さのチタ
ニウムおよび4500オングストロームの厚さの金の層の第
１の薄膜層116 から製造される。その後、約２乃至３ミ
クロンの厚さの金のような導電材料の厚い層は層116 上
に付着される。固定部材の幅は例えば100 ミクロンであ
る。

【００３２】“Ｕ”形状構造を有する可動リンクセグメ
ント130 はまた前に参照されたフォトレジスト、パター
ンマスキング、選択的エッチングおよび薄膜金属化処理
を使用して表面104 上に形成される。導体としても作用
する可動子132 は可動リングセグメント130 の閉端部か
ら突出する。リングセグメント130 の開端部は２つの分
岐端134 および136 において終端し、端部134 および13
6 に到達するリングのセグメントは直線的である。固定
リングセグメント106 および可動リングセグメント130
の両者は同様の寸法および形状にされ、可動リングセグ
メント130 の直線長が固定リングセグメント106 の直線
長に動作可能に重ねられるように構成される。動作にお
いて、リングセグメント130 の滑らかな下面138 は固定
リングセグメント106 の滑らかな上面114 上に低摩擦接
触して位置し、リングを効果的に閉じる。

【００３３】図５に示されているように、可動リングセ
グメント130 はまた長方形断面を有し、合計で約２乃至
３ミクロンの厚さを持つチタニウムおよび金の薄層140
並びに金の薄層142 から製造される。

【００３４】可動子132 は可動リングセグメント130 の
運動軸に沿って突出し、基体の表面104 上に形成された
導体144 の上面に移動可能に位置する。この導体144 は
固定リングセグメント106 および導体108 と同様の寸法
で同じ方法で製造される。導体144 もまた長方形断面お
よび滑らかな平坦な上面146 を有する。結果的に、可動
リングセグメント130 の突出した可動子132 は表面146
上に低摩擦接触で位置する。

【００３５】基体表面104 上の可動リングセグメント13
0 の間隔を維持し、低摩擦運動を可能にするために、図
６に最も良く示されているようにノード状ベアリング15
2 および152 は表面104 に最も近い可動リングセグメン
ト130 の下面上に間隔を隔てられた関係で配置される。
これらのベアリングは可動リングセグメント130 と一体
であり、それと共に製造される。１対のこれらのベアリ
ング152 は出力導体144 に乗って配置され、運動軸に関
して可動リングセグメントの横方向の運動を制限し、一
方導体144 との低摩擦接触を行うように位置される。

【００３６】可動リングセグメント130 の運動をさらに
制限するために３対のクリップ154および156 は基体102
上においてリングセグメント130 の外側縁部および導
体144 にそれぞれ製造される。図５に示されたように、
各クリップは前に参照された薄膜プロセスを使用して基
体表面104 上に製造されるベース158 を含む。好ましく
は金のフランジ160 はベースから突出し、可動リングセ
グメント130 の外側縁部上に延在するようにカンチレバ
ー構造である舌部160 の一端を支持する。エアギャップ
は非結合、低摩擦移動を行わせるようにクリップの表面
と可動リングセグメント130 との間に形成される。

【００３７】直線移動の全長はさらに可動子144 の外側
縁部上に配置された可動子タブ162および164 の側壁に
よって制限される。構造的に、これらのタブはほぼ直線
的であり、それらの最も外面に平坦な可動子面164 を有
する。これらのタブは、図４に示されているようにリン
グ共振器がその最短の回路通路長形状である場合にそれ
らの側壁が左端の対のクリップ156 と接触し、また可動
リングセグメントが最大回路長形状まで図４の右方向に
直線移動した場合に別の右端の対のクリップ156 と接触
するように位置される。可動子144 の進行量に対する制
限の一例は 300ミクロンである。さらに、入力導体106
からリングが可動子と接触する位置までの共振器リング
の長さは300 と600 ミクロンの間で変化することができ
る。もちろん、これらは例示的な寸法であることを理解
すべきである。

【００３８】図４乃至図６の同調可能なリング共振器10
0 の全体的な電気・機械動作は図１乃至図３の可変キャ
パシタ10の動作に類似しているため、図面の両セットに
おいて同じ構造の素子が同じ参照符号により示されてい
る。したがって、共振器リングを短くしたり長くしたり
することはこの詳細な説明の前の部分を参照することに
よって理解されることができる。

【００３９】しかしながら、一般に制御信号対＋Ａ1 ，
−Ａ1 乃至＋Ａ3 ，−Ａ3 は固定リングセグメント106
に関して選択された位置に可動リングセグメント130 を
直線的に移動し、リング共振器100 の閉回路路を効果的
に長く、または短くし、それによってリング共振器回路
を同調するように制御電極70ａ−70ｄおよび72ａ−72ｄ
に選択的に供給される。

【００４０】可動リングセグメント130 の直線移動は可
動子144 の各側方に配置された２行の固定子制御電極70
ａ−70ｄおよび72ａ−72ｄによって可動子タブ160 およ
び162 に与えられた静電力によって行われる。固定子制
御電極の動作は図１乃至図３の固定子制御電極と実質的
に同じであり、同じ参照符号を与えられている。したが
って、詳細な説明は説明のその部分を再度参照すること
で省略される。

【００４１】前に述べられたように、ここに示された全
ての態様は説明された同じ材料を使用して集積回路プロ
セスによって製造される。例えば、各導体、同調可能な
回路素子、制御電極および支持構造はチタニウムおよび
金の薄層並びに金の厚い層のような導電材料から製造さ
れることが好ましく、それぞれマスキング、露光、選択
的エッチングおよび金属化によってパターン化されたフ
ォトレジストの層を使用して基体上にパターン化され
る。

【００４２】さらに、金は構造素子に対して好ましい材
料であるが、別の導電材料が使用できると考えられる。
したがって、ステンレス鋼、ドープされたシリコンおよ
びロジウムを使用することが可能であるが、これは単な
る例示であり、それに限定されるものではない。さら
に、基体に対してヒ化ガリウム以外の材料を使用するこ
ともできる。

【００４３】特定の実施例を参照して顕著な特徴が示さ
れてきたが、本発明の技術的範囲を逸脱することなく多
数の変形および修正を行うことができる。したがって、
本発明の技術的範囲は添付された特許請求の範囲の技術
的範囲によってのみ限定されるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】固定部材およびキャパシタの容量を変化させる
ように静電力によって直線路に沿って動作可能に移動さ
れる可動結合部材を含むインターデジタル形可変キャパ
シタの上面図。

【図２】可動部材上の可動子タブと制御固定子との間の
関係を示す図１のライン２−２に沿った可変キャパシタ
の拡大された断面図。

【図３】可動部材、基体および保持部材の間の関係を示
す図１のライン３−３における可変キャパシタの拡大さ
れた断面図。

【図４】基体上に形成された固定されたリングセグメン
トを有する可変リング共振器およびリング共振器の長さ
を効果的に変化し、したがって選択された周波数帯域に
それを同調するように動作可能に直線的に移動される可
動リングセグメントの上面図。

【図５】可動回路部材、固定回路部材および保持部材の
間の関係を示す図４のライン５−５におけるリング共振
器の拡大された断面図。

【図６】可動部材、出力ラインおよび制御電極の間の関
係を示す図４のライン６−６におけるリング共振器の拡
大された断面図。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 小型の静電的に付勢され同調可能な回路
   において、 表面に配置された第１の回路部材を有する基体と、 前記基体の上方に配置され、前記第１の回路部材に関し
   て移動可能である第２の回路部材と、 前記基体上に形成され、前記第２の回路部材に結合され
   る静電界を生成するために制御信号を選択的に受信する
   ように動作可能である制御手段とを具備し、前記静電界
   が前記第１の回路部材に関して前記第２の回路部材を選
   択的に移動するように動作可能であり、回路を同調させ
   ることを特徴とする同調可能な回路。
2. 【請求項２】 前記制御手段は、制御手段が静電引力を
   高めるように前記第２の回路部材上にイメージ電荷を誘
   導するのに十分に狭いエアギャップを有して配置されて
   いる請求項１記載の小型の静電付勢された同調可能な回
   路。
3. 【請求項３】 前記制御手段は前記第２の回路部材の少
   なくとも１側において分布された複数の分離した制御電
   極を含んでいる請求項１記載の小型の静電付勢された同
   調可能な回路。
4. 【請求項４】 前記分離した制御電極は前記第２の回路
   部材の側面に沿って分配され、前記同調可能な回路を動
   作可能に同調するように前記第２の回路部材を直線的に
   移動するように動作可能である請求項３記載の小型の静
   電付勢された同調可能な回路。
5. 【請求項５】 前記第１および前記第２の回路部材は、
   前記第１の回路部材のフィンガ部材が前記同調可能な回
   路の容量を変化するように前記第２の回路部材のフィン
   ガ部材とインターディジタルに結合する複数の間隔を隔
   てられたフィンガ部材をそれぞれ備えている請求項４記
   載の小型の静電付勢された同調可能な回路。
6. 【請求項６】 前記フィンガ部材は互いに平行であり、
   平坦な側壁を有する請求項５記載の小型の静電付勢され
   た同調可能な回路。
7. 【請求項７】 前記第１の回路部材はリングの第１のセ
   グメントを含み、前記第２の回路部材は前記第１のセグ
   メントを補完するリングの第２のセグメントを含み、前
   記第２のセグメントはリング共振器として動作可能であ
   る閉じたリングを形成するようにリングの前記第１のセ
   グメントの表面に沿ってスライドするように動作可能で
   ある請求項４記載の小型の静電付勢された同調可能な回
   路。
8. 【請求項８】 リングの前記第１および前記第２のセグ
   メントは互いにスライド接触する個々の直線部分を有し
   ている請求項７記載の小型の静電付勢された同調可能な
   回路。
9. 【請求項９】 前記第２の回路部材は側壁から突出する
   少なくとも１つのタブを含み、そのタブは前記制御電極
   によって生成された静電界によって動作可能に静電的に
   引力を与えられる請求項２記載の小型の静電付勢された
   同調可能な回路。
10. 【請求項１０】 前記第１および第２の回路部材は長方
    形断面を有している請求項１記載の小型の静電付勢され
    た同調可能な回路。
11. 【請求項１１】 前記第１および第２の回路部材は長方
    形断面を有している請求項９記載の小型の静電付勢され
    た同調可能な回路。
12. 【請求項１２】 前記第１および第２の回路部材は薄膜
    から製造され、前記第１および第２の回路部材並びに前
    記制御手段が集積回路材料および処理技術を使用して製
    造される請求項１記載の小型の静電付勢された同調可能
    な回路。