JPH05258345A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH05258345A JPH05258345A JP4055672A JP5567292A JPH05258345A JP H05258345 A JPH05258345 A JP H05258345A JP 4055672 A JP4055672 A JP 4055672A JP 5567292 A JP5567292 A JP 5567292A JP H05258345 A JPH05258345 A JP H05258345A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超高解像度再生方式の光ディスクの相変化材
料層にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ三元合金を用いて温度分布によ
り部分的に液相状態として反射率変化を生じさせてＣ／
Ｎ（Ｓ／Ｎ）のよい超解像再生を行なう。 【構成】 情報信号に対応する記録ピット１が形成され
た透明基板２上に、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ三元合金より成る
相変化材料層３が形成されて成り、読み出し光が照射さ
れたときに、この相変化材料層３が読み出し光の走査ス
ポット内で部分的に液相化して反射率が変化する構成と
する。
料層にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ三元合金を用いて温度分布によ
り部分的に液相状態として反射率変化を生じさせてＣ／
Ｎ（Ｓ／Ｎ）のよい超解像再生を行なう。 【構成】 情報信号に対応する記録ピット１が形成され
た透明基板２上に、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ三元合金より成る
相変化材料層３が形成されて成り、読み出し光が照射さ
れたときに、この相変化材料層３が読み出し光の走査ス
ポット内で部分的に液相化して反射率が変化する構成と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光照射により情
報の再生を行なう光ディスク、特に高密度記録に適用し
て好適な光ディスクに係わる。
報の再生を行なう光ディスク、特に高密度記録に適用し
て好適な光ディスクに係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えばディジタルオーディオディスク
（いわゆるコンパクトディスク）や、ビデオディスク等
の光ディスクは、予め情報信号に応じた凹凸による位相
ピットが形成された透明基板上にアルミニウム反射膜を
成膜し、その上に保護膜等を形成することで構成されて
いる。
（いわゆるコンパクトディスク）や、ビデオディスク等
の光ディスクは、予め情報信号に応じた凹凸による位相
ピットが形成された透明基板上にアルミニウム反射膜を
成膜し、その上に保護膜等を形成することで構成されて
いる。
【０００３】このような光ディスクでは、ディスク面に
読み出し光を照射して位相ピットの形成部での光の回折
による反射光量の大幅な減少を検出することによって信
号の読み出し（再生）を行うようにしている。
読み出し光を照射して位相ピットの形成部での光の回折
による反射光量の大幅な減少を検出することによって信
号の読み出し（再生）を行うようにしている。
【０００４】ところで、上述のような光ディスクにおい
て、信号再生の分解能は、ほとんど再生光学系の光源の
波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数
２ＮＡ／λが再生限界となる。
て、信号再生の分解能は、ほとんど再生光学系の光源の
波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数
２ＮＡ／λが再生限界となる。
【０００５】そのため、このような光ディスクにおいて
高密度化を実現するためには、再生光学系の光源（例え
ば半導体レーザ）の波長λを短くすること、あるいは対
物レンズの開口数ＮＡを大きくすることが必要となる。
高密度化を実現するためには、再生光学系の光源（例え
ば半導体レーザ）の波長λを短くすること、あるいは対
物レンズの開口数ＮＡを大きくすることが必要となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、光源の波長λ
や対物レンズの開口数ＮＡの改善には自ずと限界があ
り、これによって記録密度を飛躍的に高めることは難し
いのが実情である。
や対物レンズの開口数ＮＡの改善には自ずと限界があ
り、これによって記録密度を飛躍的に高めることは難し
いのが実情である。
【０００７】そこで、本出願人は、読み出し光の走査ス
ポット内の部分的相変化による反射率変化を利用するこ
とで、上述した波長λや開口数ＮＡによる制限以上の解
像度を得ることができる光ディスクを提案した（特願平
２−９４４５２号、特願平２−２９１７７３号参照）。
これら出願に係わる発明は、読み出し光のレーザスポッ
ト内の部分的相変化により反射率を変化させ超解像再生
を行うようにした光ディスクあるいはその再生方式に係
わるものである。
ポット内の部分的相変化による反射率変化を利用するこ
とで、上述した波長λや開口数ＮＡによる制限以上の解
像度を得ることができる光ディスクを提案した（特願平
２−９４４５２号、特願平２−２９１７７３号参照）。
これら出願に係わる発明は、読み出し光のレーザスポッ
ト内の部分的相変化により反射率を変化させ超解像再生
を行うようにした光ディスクあるいはその再生方式に係
わるものである。
【０００８】本発明においては、このように再生レーザ
光スポット内の部分的相変化による反射率変化を利用し
た超解像再生方式を採り、目的とする読み出し位相ピッ
トと他部との反射率差を顕著にして、より安定確実に高
Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）をもって超解像再生を行なうことがで
きるようにした光ディスクを提供する。
光スポット内の部分的相変化による反射率変化を利用し
た超解像再生方式を採り、目的とする読み出し位相ピッ
トと他部との反射率差を顕著にして、より安定確実に高
Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）をもって超解像再生を行なうことがで
きるようにした光ディスクを提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明光ディスクは、図
１にその一例の要部の概略的断面図を示すように、情報
信号に対応する記録ピット１が形成された透明基板２上
に、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ三元合金より成る相変化材料層３
が形成されて成り、読み出し光が照射されたときに、こ
の相変化材料層３が読み出し光の走査スポット内で部分
的に液相化して反射率が変化する構成とする。
１にその一例の要部の概略的断面図を示すように、情報
信号に対応する記録ピット１が形成された透明基板２上
に、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ三元合金より成る相変化材料層３
が形成されて成り、読み出し光が照射されたときに、こ
の相変化材料層３が読み出し光の走査スポット内で部分
的に液相化して反射率が変化する構成とする。
【００１０】また本発明は、この光ディスクの相変化材
料層３のＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比をｘ：ｙ：ｚとした
ときに、 ０．５≦ｘ≦３、１．５≦ｙ≦５、２≦ｚ≦７．５ として構成する。
料層３のＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比をｘ：ｙ：ｚとした
ときに、 ０．５≦ｘ≦３、１．５≦ｙ≦５、２≦ｚ≦７．５ として構成する。
【００１１】
【作用】本発明による光ディスクは、前述の特願平２−
９４４５２号、特願平２−２９１７７３号と同様に、そ
の記録ピット１例えば情報に対応する凹凸が形成されて
成る位相ピットによる記録の再生にあたって、その読み
出し光の走査スポット内での温度分布を利用して、その
スポット内に生じる高温領域で部分的に相変化材料層３
を液相状態として、例えば此処における反射率が著しく
増加するようにし、例えばこの液相状態部分にある記録
ピットについては回折等による読み出しを可能として、
つまり、読み出し光スポット内において記録ピットを光
学的に出現させる領域を形成してこのスポット内で例え
ば１の記録ピットのみが読み出されるようにすることに
よって、光学的に読み出し得る解像度（λ／２ＮＡ）よ
り高い解像度をもって、その記録ピット１の読み出しを
行うことができるという効果を得る。そして更に本発明
においては、特にその相変化材料層３をＧｅ、Ｓｂ、Ｔ
ｅ三元合金より構成することによって、その反射率の変
化を顕著として、より安定確実に高Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）を
もって超解像再生を行なうことができた。
９４４５２号、特願平２−２９１７７３号と同様に、そ
の記録ピット１例えば情報に対応する凹凸が形成されて
成る位相ピットによる記録の再生にあたって、その読み
出し光の走査スポット内での温度分布を利用して、その
スポット内に生じる高温領域で部分的に相変化材料層３
を液相状態として、例えば此処における反射率が著しく
増加するようにし、例えばこの液相状態部分にある記録
ピットについては回折等による読み出しを可能として、
つまり、読み出し光スポット内において記録ピットを光
学的に出現させる領域を形成してこのスポット内で例え
ば１の記録ピットのみが読み出されるようにすることに
よって、光学的に読み出し得る解像度（λ／２ＮＡ）よ
り高い解像度をもって、その記録ピット１の読み出しを
行うことができるという効果を得る。そして更に本発明
においては、特にその相変化材料層３をＧｅ、Ｓｂ、Ｔ
ｅ三元合金より構成することによって、その反射率の変
化を顕著として、より安定確実に高Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）を
もって超解像再生を行なうことができた。
【００１２】また、特にこの光ディスクの相変化材料層
３のＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比をｘ：ｙ：ｚとしたとき
に、 ０．５≦ｘ≦３、１．５≦ｙ≦５、２≦ｚ≦７．５ として構成することによって、その再生出力を十分大と
することができた。
３のＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比をｘ：ｙ：ｚとしたとき
に、 ０．５≦ｘ≦３、１．５≦ｙ≦５、２≦ｚ≦７．５ として構成することによって、その再生出力を十分大と
することができた。
【００１３】
【実施例】本発明は、図１にその一例の要部の断面図い
わば基本的構成における略線的断面図を示すように、記
録ピット１が形成された透明基板２上に、溶融後初期状
態に戻り得る相変化材料層３を形成する。
わば基本的構成における略線的断面図を示すように、記
録ピット１が形成された透明基板２上に、溶融後初期状
態に戻り得る相変化材料層３を形成する。
【００１４】そして、読み出し光、例えばレーザ光がこ
の材料層３に照射されたときに、この相変化材料層３の
読み出し光の走査スポット内で部分的に液相状態となっ
て反射率が増加すると共に、読み出し後の状態で初期状
態の反射率に戻るようにする。
の材料層３に照射されたときに、この相変化材料層３の
読み出し光の走査スポット内で部分的に液相状態となっ
て反射率が増加すると共に、読み出し後の状態で初期状
態の反射率に戻るようにする。
【００１５】図１に示した例においては、透明基板２上
に直接的に相変化材料層３を形成するようにした場合で
あるが、例えば図２にその要部の略線的拡大断面図を示
すように記録ピット１を有する透明基板２上に第１の誘
電体層４を介して相変化材料層３が形成され、さらにこ
れの上に第２の誘電体層５が形成され、これの上に反射
膜６と、第３の誘電体層７とが順次形成され、第１及び
第２の誘電体層４及び５によって光学特性例えば反射率
等の設定がなされる構成とすることができる。また、第
３の誘電体層７によって積層膜の機械強度が向上し、繰
り返し読み出し耐久性を向上することができる。また、
ある場合はこの上に保護膜（図示せず）を形成すること
もできる。
に直接的に相変化材料層３を形成するようにした場合で
あるが、例えば図２にその要部の略線的拡大断面図を示
すように記録ピット１を有する透明基板２上に第１の誘
電体層４を介して相変化材料層３が形成され、さらにこ
れの上に第２の誘電体層５が形成され、これの上に反射
膜６と、第３の誘電体層７とが順次形成され、第１及び
第２の誘電体層４及び５によって光学特性例えば反射率
等の設定がなされる構成とすることができる。また、第
３の誘電体層７によって積層膜の機械強度が向上し、繰
り返し読み出し耐久性を向上することができる。また、
ある場合はこの上に保護膜（図示せず）を形成すること
もできる。
【００１６】そして、本発明による光ディスクは、その
再生に当たってその読み出し光の走査スポット内での温
度分布を利用して、そのスポット内に生じる高温領域で
部分的に相変化材料層３に液相状態を発生させて例えば
此処における反射率が著しく増加するようにして例えば
この液相状態部分にある記録ピットについては、例えば
回折による読み出しが超解像をもって再生を行うことが
できた。
再生に当たってその読み出し光の走査スポット内での温
度分布を利用して、そのスポット内に生じる高温領域で
部分的に相変化材料層３に液相状態を発生させて例えば
此処における反射率が著しく増加するようにして例えば
この液相状態部分にある記録ピットについては、例えば
回折による読み出しが超解像をもって再生を行うことが
できた。
【００１７】このような超解像再生の動作態様を、図３
を参照して詳細に説明する。図３において横軸はスポッ
トの走査方向に関する位置を示したもので、いま光ディ
スクにレーザの照射によるレーザ光スポットＬが照射さ
れた状態についてみると、この場合その光強度は同図中
破線Ａの分布を示す。これに対して相変化材料層３にお
ける温度分布に対応した温度分布は、レーザスポットＬ
の走査速度に対応して僅かに矢印Ｃで示すスポットＬの
走査方向に対し遅れた同図中実線Ｂの反射率分布を示
す。
を参照して詳細に説明する。図３において横軸はスポッ
トの走査方向に関する位置を示したもので、いま光ディ
スクにレーザの照射によるレーザ光スポットＬが照射さ
れた状態についてみると、この場合その光強度は同図中
破線Ａの分布を示す。これに対して相変化材料層３にお
ける温度分布に対応した温度分布は、レーザスポットＬ
の走査速度に対応して僅かに矢印Ｃで示すスポットＬの
走査方向に対し遅れた同図中実線Ｂの反射率分布を示
す。
【００１８】ここで上述したようにレーザスポットＬ
が、図３中矢印Ｃで示す方向に走査されているとする
と、光ディスクは、レーザスポットＭＰの走行方向の先
端側から次第に温度が上昇し次に相変化材料層３の融点
Ｔ以上の温度となる。この段階で相変化材料層は初期の
結晶状態から溶融状態になり、この溶融状態への移行に
よって反射率が増加する。したがってレーザ光スポット
Ｌ内で図中斜線を付して示した反射率が高い、すなわち
記録ピット１の読み出しが可能な領域Ｐｘと、反射率が
低い領域Ｐｚとが存在する。
が、図３中矢印Ｃで示す方向に走査されているとする
と、光ディスクは、レーザスポットＭＰの走行方向の先
端側から次第に温度が上昇し次に相変化材料層３の融点
Ｔ以上の温度となる。この段階で相変化材料層は初期の
結晶状態から溶融状態になり、この溶融状態への移行に
よって反射率が増加する。したがってレーザ光スポット
Ｌ内で図中斜線を付して示した反射率が高い、すなわち
記録ピット１の読み出しが可能な領域Ｐｘと、反射率が
低い領域Ｐｚとが存在する。
【００１９】したがって、この場合、図示のように同一
スポットＬ内に例えば２つの記録ピット１が存在してい
る場合においても、反射率が大なる領域Ｐｘに存在する
１つの記録ピット１に関してのみその読み出しを行なう
ことができ、他の記録ピットに関してはこれが反射率が
きわめて低い領域Ｐｚにあってこれの読み出しがなされ
ない。このように同一スポットＬ内に複数の記録ピット
１が存在しても、単一の記録ピット１に関してのみその
読み出しを行なうことができる。すなわち、レンズ系の
開口数ＮＡ、読み出し光の波長λに制限されることなく
超解像再生が可能となる。
スポットＬ内に例えば２つの記録ピット１が存在してい
る場合においても、反射率が大なる領域Ｐｘに存在する
１つの記録ピット１に関してのみその読み出しを行なう
ことができ、他の記録ピットに関してはこれが反射率が
きわめて低い領域Ｐｚにあってこれの読み出しがなされ
ない。このように同一スポットＬ内に複数の記録ピット
１が存在しても、単一の記録ピット１に関してのみその
読み出しを行なうことができる。すなわち、レンズ系の
開口数ＮＡ、読み出し光の波長λに制限されることなく
超解像再生が可能となる。
【００２０】以下の本発明実施例においては、図２で説
明した構成を採って各光ディスクを作製し、その再生出
力の測定を行った。透明基板２として、ガラス基板を使
用し、２Ｐ法（フォトポリマー法）により記録ピット
１、この場合情報に対応する凹凸によって、回折光強度
の変化によってその読み出しを行う位相ピットによる記
録ピット１を形成した。またこの例においては、記録ピ
ット１のトラックピッチＰを１．６μｍ、ピット深さを
約１２０ｎｍ、ピット幅Ｗを０．３μｍの設定条件で形
成した。
明した構成を採って各光ディスクを作製し、その再生出
力の測定を行った。透明基板２として、ガラス基板を使
用し、２Ｐ法（フォトポリマー法）により記録ピット
１、この場合情報に対応する凹凸によって、回折光強度
の変化によってその読み出しを行う位相ピットによる記
録ピット１を形成した。またこの例においては、記録ピ
ット１のトラックピッチＰを１．６μｍ、ピット深さを
約１２０ｎｍ、ピット幅Ｗを０．３μｍの設定条件で形
成した。
【００２１】そしてこの場合、記録ピット１を有する透
明基板２の一主面に厚さ例えば９０ｎｍのＡｌＮ等より
なる第１の誘電体層４を被着形成し、これの上に厚さ例
えば１７ｎｍのＧｅＳｂＴｅ三元合金よりなる相変化材
料層３を、その組成比を後述の実施例１〜７において示
すように変化させて、それぞれ被着形成した。さらにこ
れの上に厚さ例えば６６ｎｍのＡｌＮ等よりなる第２の
誘電体層５と、厚さ例えば１８０ｎｍのＡｌ等より成る
反射膜６と、厚さ例えば９０ｎｍのＡｌＮ等よりよる第
３の誘電体層７を被着形成した。
明基板２の一主面に厚さ例えば９０ｎｍのＡｌＮ等より
なる第１の誘電体層４を被着形成し、これの上に厚さ例
えば１７ｎｍのＧｅＳｂＴｅ三元合金よりなる相変化材
料層３を、その組成比を後述の実施例１〜７において示
すように変化させて、それぞれ被着形成した。さらにこ
れの上に厚さ例えば６６ｎｍのＡｌＮ等よりなる第２の
誘電体層５と、厚さ例えば１８０ｎｍのＡｌ等より成る
反射膜６と、厚さ例えば９０ｎｍのＡｌＮ等よりよる第
３の誘電体層７を被着形成した。
【００２２】このように形成された光ディスクに対し
て、その線速を６ｍ／ｓに設定して再生パワーを０ｍＷ
から徐々にあげていったときのＣ／Ｎの値を測定した。
各例における組成比と、この再生による信号のＣ／Ｎを
以下に示す。
て、その線速を６ｍ／ｓに設定して再生パワーを０ｍＷ
から徐々にあげていったときのＣ／Ｎの値を測定した。
各例における組成比と、この再生による信号のＣ／Ｎを
以下に示す。
【００２３】実施例１ この例においては、相変化材料層３にＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ
5 三元合金を用いた。この場合のＣ／Ｎの値を図４に示
す。信号部分を再生したところその信号のＣ／Ｎは４４
ｄＢであった。
5 三元合金を用いた。この場合のＣ／Ｎの値を図４に示
す。信号部分を再生したところその信号のＣ／Ｎは４４
ｄＢであった。
【００２４】実施例２ この例においては、相変化材料層３にＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ
4 三元合金を用いた。この場合のＣ／Ｎの値を図５に示
す。信号部分を再生したところその信号のＣ／Ｎは４３
ｄＢであった。
4 三元合金を用いた。この場合のＣ／Ｎの値を図５に示
す。信号部分を再生したところその信号のＣ／Ｎは４３
ｄＢであった。
【００２５】実施例３ この例においては、相変化材料層３にＧｅ1 Ｓｂ4 Ｔｅ
7 三元合金を用いた。この場合のＣ／Ｎの値を図６に示
す。信号部分を再生したところその信号のＣ／Ｎは４３
ｄＢであった。
7 三元合金を用いた。この場合のＣ／Ｎの値を図６に示
す。信号部分を再生したところその信号のＣ／Ｎは４３
ｄＢであった。
【００２６】実施例４ この例においては、相変化材料層３にＧｅ3 Ｓｂ4 Ｔｅ
2 三元合金を用いた。この場合のＣ／Ｎの値を図７に示
す。信号部分を再生したところその信号のＣ／Ｎは３７
ｄＢであった。
2 三元合金を用いた。この場合のＣ／Ｎの値を図７に示
す。信号部分を再生したところその信号のＣ／Ｎは３７
ｄＢであった。
【００２７】実施例５ この例においては、相変化材料層３にＧｅ1 Ｓｂ3 Ｔｅ
10三元合金を用いた。この場合のＣ／Ｎの値を図８に示
す。信号部分を再生したところその信号のＣ／Ｎは３９
ｄＢであった。
10三元合金を用いた。この場合のＣ／Ｎの値を図８に示
す。信号部分を再生したところその信号のＣ／Ｎは３９
ｄＢであった。
【００２８】実施例６ この例においては、相変化材料層３にＧｅ7 Ｓｂ9 Ｔｅ
2 三元合金を用いた以外は上述の実施例１と同様の構成
とした。この光ディスクに対し、上述の実施例１〜５と
同様に、線速を６ｍ／ｓに設定して再生パワーを０ｍＷ
から徐々にあげて再生を試みたところ、良好な信号の再
生はできなかった。
2 三元合金を用いた以外は上述の実施例１と同様の構成
とした。この光ディスクに対し、上述の実施例１〜５と
同様に、線速を６ｍ／ｓに設定して再生パワーを０ｍＷ
から徐々にあげて再生を試みたところ、良好な信号の再
生はできなかった。
【００２９】実施例７ この例においては、相変化材料層３にＧｅ1 Ｓｂ1 Ｔｅ
7 三元合金を用いた。外は実施例１と同様の構成とし
た。この光ディスクに対して、その線速を６ｍ／ｓに設
定して再生パワーを０ｍＷから徐々にあげて再生を試み
たところ、良好な信号の再生はできなかった。
7 三元合金を用いた。外は実施例１と同様の構成とし
た。この光ディスクに対して、その線速を６ｍ／ｓに設
定して再生パワーを０ｍＷから徐々にあげて再生を試み
たところ、良好な信号の再生はできなかった。
【００３０】この結果から、相変化材料層３としてＧ
ｅ、Ｓｂ及びＴｅより成る三元合金を用いることによっ
て、反射率の変化を顕著として、より安定確実に高Ｃ／
Ｎ（Ｓ／Ｎ）をもって超解像再生を行なうことができ
た。
ｅ、Ｓｂ及びＴｅより成る三元合金を用いることによっ
て、反射率の変化を顕著として、より安定確実に高Ｃ／
Ｎ（Ｓ／Ｎ）をもって超解像再生を行なうことができ
た。
【００３１】特にこの光ディスクの相変化材料層３のＧ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比をｘ：ｙ：ｚとしたときに、 ０．５≦ｘ≦３、１．５≦ｙ≦５、２≦ｚ≦７．５ として構成することによって、その再生出力を例えば３
７ｄＢ以上とすることができて、十分大とすることがで
きた。
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比をｘ：ｙ：ｚとしたときに、 ０．５≦ｘ≦３、１．５≦ｙ≦５、２≦ｚ≦７．５ として構成することによって、その再生出力を例えば３
７ｄＢ以上とすることができて、十分大とすることがで
きた。
【００３２】尚、本発明光ディスクの相変化材料層３と
しては、上述の実施例に限ることなく、ＧｅＳｂＴｂ三
元合金の、特に組成比を上述の範囲とした材料であれば
よい。そして望ましくは、上述の組成比ｘ：ｙ：ｚを
２：２：５、１：２：４、１：４：７の値とすることに
よって、４３ｄＢ以上の高Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）を得ること
ができる。
しては、上述の実施例に限ることなく、ＧｅＳｂＴｂ三
元合金の、特に組成比を上述の範囲とした材料であれば
よい。そして望ましくは、上述の組成比ｘ：ｙ：ｚを
２：２：５、１：２：４、１：４：７の値とすることに
よって、４３ｄＢ以上の高Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）を得ること
ができる。
【００３３】また、透明基板２の材料としては、アクリ
ル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ガラス等を用いるこ
とができる。
ル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ガラス等を用いるこ
とができる。
【００３４】更にまた、誘電体層４及び５としては、Ａ
ｌ、Ｓｉ等金属及び半導体元素の窒化物、酸化物、硫化
物があげられ、これらの化合物で半導体レーザ波長領域
において吸収の無いものならば何でもよい。
ｌ、Ｓｉ等金属及び半導体元素の窒化物、酸化物、硫化
物があげられ、これらの化合物で半導体レーザ波長領域
において吸収の無いものならば何でもよい。
【００３５】さらに、反射膜６としては、Ａｌ、Ａｕ等
反射率及び熱電動率の良好な金属ならばなんでもよい。
反射率及び熱電動率の良好な金属ならばなんでもよい。
【００３６】また、上述の実施例においては、記録ピッ
トを、情報に対応する凹凸による位相ピットとして形成
したものであるが、本発明はその他種々の光学的に読み
出し可能な記録ピットを形成するものにも適用できる。
トを、情報に対応する凹凸による位相ピットとして形成
したものであるが、本発明はその他種々の光学的に読み
出し可能な記録ピットを形成するものにも適用できる。
【００３７】
【発明の効果】上述したように本発明においては、その
読み出し光スポット内の温度分布の差によって反射率の
差を生じさせて、光スポット内の特定の位相ピットに関
してのみ読み出しがなされるようにして超解像再生を行
なうようにするものであるが、特にこの発明において
は、相変化材料層にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ三元合金を用いる
ことによって、Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）の高い再生を行なうこ
とができる高記録密度の光ディスクを提供することがで
きる。
読み出し光スポット内の温度分布の差によって反射率の
差を生じさせて、光スポット内の特定の位相ピットに関
してのみ読み出しがなされるようにして超解像再生を行
なうようにするものであるが、特にこの発明において
は、相変化材料層にＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ三元合金を用いる
ことによって、Ｃ／Ｎ（Ｓ／Ｎ）の高い再生を行なうこ
とができる高記録密度の光ディスクを提供することがで
きる。
【００３８】そして、特にＧｅ、Ｓｂ及びＴｅの組成比
を選定することによって、その再生出力を確実に大とす
ることができ、安定確実に超解像再生を行い得る光ディ
スクを提供することができる。
を選定することによって、その再生出力を確実に大とす
ることができ、安定確実に超解像再生を行い得る光ディ
スクを提供することができる。
【図１】光ディスクの一例の構成を示す要部概略断面図
である。
である。
【図２】光ディスクの他の例の構成を示す要部概略断面
図である。
図である。
【図３】レーザスポットの光強度分布と光ディスクの温
度分布との関係を示す図である。
度分布との関係を示す図である。
【図４】本発明の説明に供するレーザパワーとＣ／Ｎの
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図５】本発明の説明に供するレーザパワーとＣ／Ｎの
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図６】本発明の説明に供するレーザパワーとＣ／Ｎの
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図７】本発明の説明に供するレーザパワーとＣ／Ｎの
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図８】本発明の説明に供するレーザパワーとＣ／Ｎの
関係を示す図である。
関係を示す図である。
１ 記録ピット ２ 透明基板 ３ 材料層 ４ 第１の誘電体層 ５ 第２の誘電体層 ６ 反射膜 ７ 第３の誘電体層
Claims (2)
- 【請求項１】 情報信号に対応する記録ピットが形成さ
れた透明基板上に、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの三元合金より成
る相変化材料層が形成されて成り、読み出し光が照射さ
れたときに、上記相変化材料層が上記読み出し光の走査
スポット内で部分的に液相化して反射率が変化する構成
とされたことを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比をｘ：ｙ：ｚ
としたときに、０．５≦ｘ≦３、１．５≦ｙ≦５、２≦
ｚ≦７．５とされたことを特徴とする上記請求項１に記
載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05567292A JP3297928B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 再生専用光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05567292A JP3297928B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 再生専用光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258345A true JPH05258345A (ja) | 1993-10-08 |
| JP3297928B2 JP3297928B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=13005369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05567292A Expired - Fee Related JP3297928B2 (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 再生専用光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3297928B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576084A (en) * | 1993-11-11 | 1996-11-19 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical recording medium and the producing method of the optical recording medium |
| US6835531B1 (en) | 1999-07-20 | 2004-12-28 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Phase change optical disc |
| WO2008035522A1 (en) | 2006-09-22 | 2008-03-27 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Optical recording medium |
| JP2008165927A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Ltd | 光ディスク媒体及び光ディスク装置 |
| US7572496B2 (en) | 2002-05-16 | 2009-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Recording medium having high melting point recording layer, information recording method thereof, and information reproducing apparatus and method therefor |
| WO2010106972A1 (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-23 | 日本電気株式会社 | 光学情報記録媒体 |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP05567292A patent/JP3297928B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8097323B2 (en) | 2006-09-22 | 2012-01-17 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Optical recording medium |
| JP2008165927A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Ltd | 光ディスク媒体及び光ディスク装置 |
| JP4685754B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2011-05-18 | 株式会社日立製作所 | トラッキング方法 |
| WO2010106972A1 (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-23 | 日本電気株式会社 | 光学情報記録媒体 |
| US8426005B2 (en) | 2009-03-18 | 2013-04-23 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3297928B2 (ja) | 2002-07-02 |
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