JPH05235640A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPH05235640A
JPH05235640A JP7275992A JP7275992A JPH05235640A JP H05235640 A JPH05235640 A JP H05235640A JP 7275992 A JP7275992 A JP 7275992A JP 7275992 A JP7275992 A JP 7275992A JP H05235640 A JPH05235640 A JP H05235640A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
oscillation circuit
chip
transmission gate
resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP7275992A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Minamide
靖宏 南出
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7275992A priority Critical patent/JPH05235640A/en
Publication of JPH05235640A publication Critical patent/JPH05235640A/en
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce number of externally mounted components mounted at the outside of a chip when an oscillation circuit is formed by devising a transmission gate used to separate the oscillation circuit to act like a damping resistor. CONSTITUTION:A switch 12 and a resistor 11 are shown in an equivalent circuit of a transmission gate (TMG) 9 and the resistance depends on the size of a transistor(TR) of the TMG 9. Thus, the size of the TR of the TMG 9 is manufactured so that the resistance is proper as a damping resistance and the resistor 11 is used for the damping resistor. Thus, an output terminal 3 of an oscillation circuit and an output terminal 3 of a usual port circuit 13 are used in common and the output terminal is selected by TMGs 9,10. Then the TMG 9 acts like the damping resistor acting like a switch to select an oscillation inverter 1. Thus, it is not required to provide the damping resistor at the outside of a chip 20, and its exclusive circuit is not required even in the inside and number of components and output terminals is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関し、
特にチップ上にセラミック振動子または水晶共振子が接
続されて発振回路を構成する発振用回路を有する半導体
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device,
In particular, the present invention relates to a semiconductor device having an oscillation circuit in which a ceramic oscillator or a crystal resonator is connected on a chip to form an oscillation circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は従来の半導体装置の発振回路の構
成図である。図において、1はチップ20内にある発振
用のインバータ、2は発振回路の入力端子、15は発振
回路の出力端子、4はセラミック振動子または水晶共振
子、5は帰還抵抗、6はダンピング抵抗、7と8はコン
デンサである。また、13はチップ20内にある通常ポ
ート回路、14は通常ポート回路の出力端子である。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a configuration diagram of an oscillation circuit of a conventional semiconductor device. In the figure, 1 is an inverter for oscillation in a chip 20, 2 is an input terminal of the oscillation circuit, 15 is an output terminal of the oscillation circuit, 4 is a ceramic resonator or crystal resonator, 5 is a feedback resistor, and 6 is a damping resistor. , 7 and 8 are capacitors. Further, 13 is a normal port circuit in the chip 20, and 14 is an output terminal of the normal port circuit.

【0003】チップ20内のインバータ1に、チップ2
9の外部においてセラミック振動子または水晶共振子
4、帰還抵抗5、ダンピング抵抗6、コンデンサ7と8
を図3に示すように接続することにより、この発振回路
はセラミック振動子または水晶共振子4の共振周波数で
発振する。
Inverter 1 in chip 20 is connected to chip 2
A ceramic oscillator or a crystal resonator 4, a feedback resistor 5, a damping resistor 6, and capacitors 7 and 8 outside the device 9.
By connecting as shown in FIG. 3, the oscillation circuit oscillates at the resonance frequency of the ceramic oscillator or the crystal resonator 4.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されており、発振回路を構成する際にチ
ップ20の外部にダンピング抵抗を用意しなければなら
ず、外付け部品点数が1点増えるという問題があった。
The conventional semiconductor device is constructed as described above, and a damping resistor must be prepared outside the chip 20 when the oscillation circuit is constructed, and the number of external parts is reduced. There was a problem of increasing one point.

【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ダンピング抵抗を外部に付けな
くてもよいだけでなく、チップの内部にもダンピング抵
抗専用の回路を持たない発振回路を得ることを目的とす
る。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is not necessary to attach a damping resistor to the outside, and the oscillation not having a circuit dedicated to the damping resistor inside the chip is also possible. Aim to get the circuit.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、セラミック振動子または水晶共振子が接続されて
発振回路を構成する発振用回路と上記セラミック振動子
または水晶共振子が接続されるチップ端子との間に設け
られ、該発振用回路とチップ端子間の接続,非接続を切
替え、かつ発振回路動作時にダンピング抵抗として機能
するトランスミッションゲートを備えたものである。
A semiconductor device according to the present invention is a chip in which a ceramic oscillator or a crystal resonator is connected to form an oscillation circuit and an oscillation circuit is connected to the ceramic oscillator or the crystal resonator. The transmission gate is provided between the oscillation circuit and the chip terminal and switches between connection and non-connection between the oscillation circuit and the chip terminal and functions as a damping resistor when the oscillation circuit operates.

【0007】[0007]

【作用】この発明においては、発振回路を切り離すため
のトランスミッションゲートがダンピング抵抗としても
働くため、チップ外部にダンピング抵抗を必要とせず、
また、チップ内部にもダンピング抵抗専用の回路を必要
としない。
In the present invention, since the transmission gate for disconnecting the oscillation circuit also functions as a damping resistor, no damping resistor is required outside the chip,
Moreover, a circuit dedicated to the damping resistor is not required inside the chip.

【0008】[0008]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1はこの発明の一実施例による発振回路の構成
を示しており、図において、1はチップ内にある発振用
のインバータ、2は発振回路の入力端子、3は発振回路
の出力端子兼通常ポート、4はセラミック振動子または
水晶共振子、5は帰還抵抗、7と8はコンデンサ、9は
発振用インバータ1を切り離すためのトランスミッショ
ンゲート、10は通常ポート回路13を切り離すための
トランスミッションゲートである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows the configuration of an oscillator circuit according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is an inverter for oscillation in a chip, 2 is an input terminal of the oscillator circuit, 3 is an output terminal of the oscillator circuit Ports 4 are ceramic resonators or crystal resonators, 5 are feedback resistors, 7 and 8 are capacitors, 9 is a transmission gate for disconnecting the oscillating inverter 1, and 10 is a transmission gate for disconnecting the normal port circuit 13. ..

【0009】また、図2はトランスミッションゲート9
の等価回路を示しており、11は抵抗、12はスイッチ
である。
Further, FIG. 2 shows a transmission gate 9
11 is a resistance, and 12 is a switch.

【0010】次に動作について説明する。トランスミッ
ションゲート9,10は、切換信号によって“ON”と
“OFF”が切り換えられ、トランスミッションゲート
9が“ON”状態の時はトランスミッションゲート10
は“OFF”状態となり、トランスミッションゲート9
が“OFF”状態の時はトランスミッションゲート10
は“ON”状態となる。
Next, the operation will be described. The transmission gates 9 and 10 are switched between "ON" and "OFF" by a switching signal, and when the transmission gate 9 is in the "ON" state, the transmission gate 10
Is in the "OFF" state and the transmission gate 9
Is in the "OFF" state, transmission gate 10
Becomes the "ON" state.

【0011】従って、トランスミッションゲート9が
“ON”状態の時は、発振用のインバータ1の出力が端
子3につながり、端子3は発振回路の出力端子となる。
逆に、トランスミッションゲート10が“ON”状態の
時は通常ポート回路が端子3につながり、端子3は通常
ポートとなる。
Therefore, when the transmission gate 9 is in the "ON" state, the output of the inverter 1 for oscillation is connected to the terminal 3 and the terminal 3 becomes the output terminal of the oscillation circuit.
On the contrary, when the transmission gate 10 is in the "ON" state, the normal port circuit is connected to the terminal 3 and the terminal 3 becomes the normal port.

【0012】このトランスミッションゲート9の等価回
路は図2のようになっており、スイッチ12の他に抵抗
11を持っている。この抵抗値はトランスミッションゲ
ート9のトランジスタサイズによって決まり、トランジ
スタサイズを調整することにより、抵抗値の所望の値に
することができる。
The equivalent circuit of the transmission gate 9 is as shown in FIG. 2, and has a resistor 11 in addition to the switch 12. This resistance value is determined by the transistor size of the transmission gate 9, and the resistance value can be set to a desired value by adjusting the transistor size.

【0013】そこで、本実施例ではこの抵抗値がダンピ
ング抵抗として適当な値になるようにトランスミッショ
ンゲート9のトランジスタサイズを作り込み、トランス
ミッションゲート9の持つ抵抗11をダンピング抵抗に
利用する。
Therefore, in this embodiment, the transistor size of the transmission gate 9 is made so that this resistance value becomes an appropriate value as a damping resistance, and the resistance 11 of the transmission gate 9 is used as a damping resistance.

【0014】このように本実施例では、従来別々に設け
られていた発振回路の出力端子と通常ポート回路の出力
端子とを共通化し、これらをトランスミッションゲート
9,10によって切り換える構成とし、発振用インバー
タを切り換えるためのスイッチとして機能するトランス
ミッションゲート9にダンピング抵抗としての働きを持
たせたため、チップ20の外部にダンピング抵抗を設け
る必要がなく、また、チップ20の内部にもダンピング
抵抗専用の回路を設ける必要もなく、従来に比して外付
け部品点数及び出力端子数を1つ減らすことができる。
As described above, in this embodiment, the output terminal of the oscillation circuit and the output terminal of the normal port circuit, which are separately provided in the past, are made common, and these are switched by the transmission gates 9 and 10, and the oscillation inverter is used. Since the transmission gate 9 functioning as a switch for changing over is provided with a function as a damping resistor, it is not necessary to provide a damping resistor outside the chip 20, and a circuit dedicated to the damping resistor is also provided inside the chip 20. There is no need, and the number of external parts and the number of output terminals can be reduced by one as compared with the conventional case.

【0015】なお、上記実施例では、図1に示すよう
に、トランスミッションゲート9をチャネルトランジス
タとNチャネルトランジスタの両方で構成していたが、
これはPチャネルトランジスタのみ、またはNチャネル
トランジスタのみで構成してもよい。
In the above embodiment, as shown in FIG. 1, the transmission gate 9 is composed of both channel transistors and N-channel transistors.
This may be composed of only P-channel transistors or only N-channel transistors.

【0016】また、上記実施例では発振用回路がチップ
端子から切り離されたときに、該チップ端子に通常ポー
ト回路の出力を接続するものについて説明したが、本発
明はトランスミッションゲート9をダンピング抵抗とし
ても使用していれば、それ以外の回路はどのようなもの
であってもよい。
Further, in the above embodiment, the case where the output of the normal port circuit is connected to the chip terminal when the oscillation circuit is separated from the chip terminal has been described, but the present invention uses the transmission gate 9 as a damping resistor. If it is also used, any other circuit may be used.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、セラ
ミック振動子または水晶共振子が接続されて発振回路を
構成する発振用回路と上記セラミック振動子または水晶
共振子が接続されるチップ端子との間に設けられ、該発
振用回路とチップ端子間の接続,非接続を切替え、かつ
発振回路動作時にダンピング抵抗として機能するトラン
スミッションゲートを備えた構成としたから、チップ内
にダンピング抵抗専用の回路を設けることなく、外付け
部品点数を1点減らすことができるという効果がある。
As described above, according to the present invention, an oscillation circuit which is connected to a ceramic resonator or a crystal resonator to form an oscillation circuit and a chip terminal to which the ceramic resonator or the crystal resonator is connected. And a connection between the oscillation circuit and the chip terminal, and a transmission gate that functions as a damping resistor when the oscillation circuit operates. There is an effect that the number of external parts can be reduced by 1 without providing a circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例による半導体装置を示す構
成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の一実施例による半導体装置のトラン
スミッションゲートの等価回路図である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a transmission gate of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図3】従来の半導体装置の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a conventional semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 発振用のインバータ 2 発振回路の入力端子 3 発振回路の出力端子兼通常ポート回路の出力端子 4 セラミック振動子または水晶共振子 5 帰還抵抗 6 ダンピング抵抗 7 コンデンサ 8 コンデンサ 9 トランスミッションゲート 10 トランスミッションゲート 11 抵抗 12 スイッチ 13 通常ポート回路 14 通常ポート回路の出力端子 20 チップ 1 Inverter for oscillation 2 Input terminal of oscillation circuit 3 Output terminal of oscillation circuit and output terminal of normal port circuit 4 Ceramic oscillator or crystal resonator 5 Feedback resistor 6 Damping resistor 7 Capacitor 8 Capacitor 9 Transmission gate 10 Transmission gate 11 Resistor 12 Switch 13 Normal Port Circuit 14 Output Port of Normal Port Circuit 20 Chip

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 チップ上にセラミック振動子または水晶
共振子が接続されて発振回路を構成する発振用回路を有
する半導体装置において、 上記発振用回路と上記セラミック振動子または水晶共振
子が接続されるチップ端子との間に設けられ、該発振用
回路とチップ端子間の接続,非接続を切替え、かつ発振
回路動作時にダンピング抵抗として機能するトランスミ
ッションゲートを備えたことを特徴とする発振回路。
1. A semiconductor device having an oscillating circuit in which a ceramic oscillator or a crystal resonator is connected on a chip to form an oscillation circuit, wherein the oscillation circuit is connected to the ceramic oscillator or the crystal resonator. An oscillation circuit comprising a transmission gate provided between the chip terminal and the oscillation circuit and the chip terminal to switch connection / disconnection between the oscillation circuit and the chip terminal and to function as a damping resistor when the oscillation circuit operates.
【請求項2】 上記発振用回路が上記チップ端子と非接
続の状態にあるときに、上記チップ端子に接続される他
の回路を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体
装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, further comprising another circuit connected to the chip terminal when the oscillation circuit is not connected to the chip terminal.
JP7275992A 1992-02-20 1992-02-20 Semiconductor device Pending JPH05235640A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7275992A JPH05235640A (en) 1992-02-20 1992-02-20 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7275992A JPH05235640A (en) 1992-02-20 1992-02-20 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05235640A true JPH05235640A (en) 1993-09-10

Family

ID=13498615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7275992A Pending JPH05235640A (en) 1992-02-20 1992-02-20 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05235640A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013150033A (en) * 2012-01-17 2013-08-01 Seiko Npc Corp Voltage controlled oscillator

Cited By (1)

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