JPH05234925A - Wafer retaining boat - Google Patents
Wafer retaining boatInfo
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- JPH05234925A JPH05234925A JP6999992A JP6999992A JPH05234925A JP H05234925 A JPH05234925 A JP H05234925A JP 6999992 A JP6999992 A JP 6999992A JP 6999992 A JP6999992 A JP 6999992A JP H05234925 A JPH05234925 A JP H05234925A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハを熱処
理する際に使用するウェーハ支持ボートに関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer support boat used for heat treating semiconductor wafers.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハはその表面に酸
化膜等を形成するために熱処理が行われ、その熱処理の
際には半導体ウェーハを所定の間隔をあけて並置保持す
るためのウェーハ支持ボートが使用される。このウェー
ハ支持ボートは、例えば図６に示すように両側の側枠部
材ａを複数本の支持ロッドｂで連結し、その支持ロッド
ｂに半導体ウェーハｃを嵌め込むためのウェーハ装着溝
ｄを一定の間隔をあけてそれぞれ形成し、このウェーハ
装着溝ｄに半導体ウェーハｃを装着して支持するように
なっている（実公昭５９−４０４４３号公報）。2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor wafer is subjected to a heat treatment to form an oxide film or the like on the surface thereof, and a wafer support boat for holding the semiconductor wafers side by side at a predetermined interval during the heat treatment. used. In this wafer support boat, for example, as shown in FIG. 6, side frame members a on both sides are connected by a plurality of support rods b, and a wafer mounting groove d for fitting a semiconductor wafer c into the support rods b is fixed. They are formed at intervals, and the semiconductor wafer c is mounted and supported in the wafer mounting groove d (Japanese Utility Model Publication No. 59-40443).
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】近時、ＩＣ等の高集積
化が進むにつれて半導体ウェーハの径も大きくなり、５
インチ、６インチが主流であったものが８インチに移行
しつつある。この状況下において、８インチの半導体ウ
ェーハを従来と同様なウェーハ支持ボートを用いて熱処
理を行うと、５インチや６インチでは生じなかった熱歪
みの問題が発生した。この熱歪みは所謂サーマルショッ
クという現象で、これが半導体ウェーハ内に生じるとＩ
Ｃチップとして使い物にならなくなり、生産性の向上の
ために半導体ウェーハの直径を大きくした意味がなくな
り、大径化が却って歩留りの低下を招く結果となってし
まう。Recently, as the degree of integration of ICs and the like has increased, the diameter of semiconductor wafers has become larger.
Inches and 6 inches were the mainstream, but are shifting to 8 inches. Under this circumstance, when an 8-inch semiconductor wafer was heat-treated using a wafer support boat similar to the conventional one, a problem of thermal strain that did not occur in 5 inches and 6 inches occurred. This thermal strain is a so-called thermal shock phenomenon, and if it occurs in a semiconductor wafer,
It becomes unusable as a C chip, and it is meaningless to increase the diameter of a semiconductor wafer to improve productivity, and the increase in diameter leads to a decrease in yield.
【０００４】本発明の発明者はその原因について色々検
討した結果、例えば１０００℃前後の熱処理において、
半導体ウェーハは比較的薄いので温度上昇に追随する
が、支持ロッドは比較的太く温度上昇に追随し難く、そ
の結果半導体ウェーハとそれを支持する支持部との間に
急激な温度差が生じ、それがサーマルショックを生じさ
せるという事実を見い出した。本発明は、このような事
実に基づいて８インチのような大径の半導体ウェーハに
サーマルショックを生じさせない支持部を有するウェー
ハ支持ボートを提供することを課題としたものである。The inventor of the present invention has conducted various studies on the cause, and as a result, for example, in the heat treatment at about 1000.degree.
Since the semiconductor wafer is relatively thin and follows the temperature rise, the supporting rod is relatively thick and it is difficult to follow the temperature rise, and as a result, a sharp temperature difference occurs between the semiconductor wafer and the supporting portion supporting the semiconductor wafer. Found the fact that causes a thermal shock. An object of the present invention is to provide a wafer support boat having a support portion that does not cause a thermal shock to a semiconductor wafer having a large diameter of 8 inches, based on such a fact.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、複数の半導体ウェー
ハを支持し、所定の熱処理を施すためのウェーハ支持ボ
ートであって、このウェーハ支持ボートには半導体ウェ
ーハを支持する支持部が複数形成されており、この支持
部は熱容量が小さくなるように構成したことを要旨とす
るものである。又、支持部は、点又は線若しくは薄板等
で構成されていることを要旨とするものである。As a means for technically solving the above-mentioned problems, the present invention is a wafer support boat for supporting a plurality of semiconductor wafers and performing a predetermined heat treatment. The support boat is provided with a plurality of support portions for supporting the semiconductor wafer, and the summary is that the support portions are configured to have a small heat capacity. Further, the gist is that the support portion is formed of dots, lines, thin plates, or the like.
【０００６】[0006]
【作 用】ウェーハ支持ボートの支持部は、半導体ウェ
ーハに点接触又は線接触するようにして接触面積を極力
小さくしたので、支持部の熱容量が小となって半導体ウ
ェーハと支持部との間に急激な温度差が生じ難くなり、
サーマルショックを防止することができる。[Operation] The support area of the wafer support boat is made as small as possible by making point contact or line contact with the semiconductor wafer, so the heat capacity of the support section is small and the contact area between the semiconductor wafer and the support section is small. It becomes difficult for a sudden temperature difference to occur,
Thermal shock can be prevented.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面により詳説
する。図１は本発明の第１実施例を示すもので、１は上
下の円形端板であり、４本の支持ロッド２で連結一体化
され、これらの支持ロッド２には一定の間隔をあけて半
導体ウェーハを支持するための装着溝３がそれぞれ形成
されている。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention, in which reference numerals 1 are upper and lower circular end plates, which are connected and integrated by four support rods 2, and these support rods 2 are spaced at regular intervals. Mounting grooves 3 for supporting the semiconductor wafer are formed respectively.
【０００８】４は上の円形端板１の中央部に設けられた
係止部であり、この係止部を熱処理装置のボートローダ
（図略）で掴み、ウェーハ支持ボート５を吊り下げた状
態で加熱炉に出し入れできるようにしてある。Reference numeral 4 denotes a locking portion provided in the central portion of the upper circular end plate 1. The locking portion is grasped by a boat loader (not shown) of the heat treatment apparatus and the wafer support boat 5 is suspended. It can be put in and taken out of the heating furnace with.
【０００９】前記装着溝３は図２(イ) に拡大して示すよ
うに、下面３ａのほぼ中央部に断面三角形の突条６を溝
の深さ方向に沿って設けてある。従って、この装着溝３
に半導体ウェーハＷを入れると、図２(ロ) にしめすよう
に前記突条６の上縁つまり両側の斜面が交差した稜線６
ａに接触して受止されることになる。As shown in the enlarged view of FIG. 2 (a), the mounting groove 3 is provided with a ridge 6 having a triangular cross-section along the depth direction of the groove at substantially the center of the lower surface 3a. Therefore, this mounting groove 3
When the semiconductor wafer W is put into the ridge 6, the upper edge of the ridge 6, that is, the ridge line 6 where the slopes on both sides intersect, as shown in FIG.
It comes into contact with a and is received.
【００１０】このようにして、各支持ロッド２の装着溝
３において半導体ウェーハＷが接触するのは各装着溝３
内に設けられた突条６の稜線６ａのみであるから、従来
例に比べると接触面積が著しく減少し、このため熱容量
が小さくなって半導体ウェーハＷと装着溝３の接触点に
おいて急激な温度差が生じ難くなり、サーマルショック
を未然に防止することができる。In this way, the mounting groove 3 of each support rod 2 is in contact with the semiconductor wafer W in each mounting groove 3.
Since there is only the ridgeline 6a of the ridge 6 provided inside, the contact area is remarkably reduced as compared with the conventional example, and therefore the heat capacity is reduced, and the temperature difference between the semiconductor wafer W and the mounting groove 3 is sharp. Is less likely to occur, and thermal shock can be prevented in advance.
【００１１】図３は装着溝の他の実施例を示すもので、
(イ) は支持ロッド１２の装着溝１３の下面１３ａの内縁
部に三角錐状の小突起１６を設けた例であり、この場合
は小突起１６の頂点１６ａのみが半導体ウェーハと接触
し、言わば点接触となるため前記突条６の稜線６ａによ
る線接触よりも一層接触面積の減少を図ることが可能と
なる。FIG. 3 shows another embodiment of the mounting groove.
(A) is an example in which the triangular pyramid-shaped small protrusions 16 are provided on the inner edge portion of the lower surface 13a of the mounting groove 13 of the support rod 12, and in this case, only the apex 16a of the small protrusions 16 contacts the semiconductor wafer. Since the contact is point contact, it is possible to further reduce the contact area as compared with the line contact by the ridge line 6a of the protrusion 6.
【００１２】図３(ロ) は、支持ロッド２２の装着溝２３
の下面２３ａを溝の深さ方向に下傾させて形成し、その
斜面の高い方即ち内側縁２３ｂで半導体ウェーハを受止
するようにしたものである。この場合は、図２(イ) と同
様に半導体ウェーハに対して線接触となる。FIG. 3B shows the mounting groove 23 of the support rod 22.
The lower surface 23a is formed so as to be inclined downward in the depth direction of the groove, and the semiconductor wafer is received at the higher side of the inclined surface, that is, the inner edge 23b. In this case, similar to FIG. 2A, the semiconductor wafer is in line contact.
【００１３】図４は支持部の他の実施例を示すもので、
支持部が装着溝ではなく薄板の例であり、(イ) は支持ロ
ッド３２の内面側に薄くて小さい受け板３７を張り出さ
せて設けたものである。この場合、受け板３７が半導体
ウェーハに接触することになるが、薄板であるために熱
容量が小さく半導体ウェーハと共に温度変化に追随で
き、半導体ウェーハと受け板３７との間には温度差が生
じ難く、サーマルショックを未然に防止することができ
る。FIG. 4 shows another embodiment of the supporting portion,
The supporting portion is an example of a thin plate instead of the mounting groove, and (a) is a thin and small receiving plate 37 protruding and provided on the inner surface side of the supporting rod 32. In this case, the receiving plate 37 comes into contact with the semiconductor wafer, but since it is a thin plate, it has a small heat capacity and can follow the temperature change together with the semiconductor wafer, and a temperature difference between the semiconductor wafer and the receiving plate 37 is less likely to occur. The thermal shock can be prevented in advance.
【００１４】図４(ロ) も支持部が薄板の例であるが、こ
れは受け板４７の受け止面４７ａを(イ) の場合よりも減
少させたものであり、更にその受け止面の前端部に球状
小突起４８を設けた場合には、言わば点接触となって受
け止面４７ａによる面接触よりも一層半導体ウェーハに
対する接触面積を減少させることができる。FIG. 4B also shows an example in which the support portion is a thin plate, but this is one in which the receiving surface 47a of the receiving plate 47 is made smaller than in the case of (a), and the receiving surface of the receiving surface is reduced. When the spherical small protrusion 48 is provided at the front end, it is a point contact, so to speak, and the contact area with the semiconductor wafer can be further reduced as compared with the surface contact by the receiving surface 47a.
【００１５】図５は本発明の第２実施例を示すもので、
前記のような線接触又は点接触構造で半導体ウェーハを
支持できるようにしたウェーハ支持棚５６（仮想線で示
す）を、ウェーハ支持ボート５５とは別体に形成すると
共に着脱自在に構成したものである。この場合は、ウェ
ーハ支持ボート５５の支持ロッド５２に装着溝を形成し
ないので、ウェーハ支持ボートの製作が簡単になる。ウ
ェーハ支持棚５６は、ウェーハ支持ボート５５とは別体
であるから容易に製造することができる。又、半導体ウ
ェーハを支持するだけなので支持ロッドを比較的細くす
ることができ、温度変化に追随できる構造とすることが
可能である。FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention.
A wafer support shelf 56 (shown by an imaginary line) capable of supporting a semiconductor wafer in the line contact or point contact structure as described above is formed separately from the wafer support boat 55 and is detachably configured. is there. In this case, since the mounting groove is not formed on the support rod 52 of the wafer support boat 55, the wafer support boat can be easily manufactured. The wafer support shelf 56 is a separate body from the wafer support boat 55, and thus can be easily manufactured. Further, since the semiconductor wafer is only supported, the supporting rod can be made relatively thin, and the structure can follow the temperature change.
【００１６】この第２実施例においても、ウェーハ支持
棚５６と半導体ウェーハとの接触面積が極小となるため
熱容量が小さくなって急激な温度差が生じ難くなり、サ
ーマルショックを未然に防止することができる。Also in the second embodiment, since the contact area between the wafer support shelf 56 and the semiconductor wafer is minimized, the heat capacity is reduced and a sharp temperature difference is less likely to occur, and thermal shock can be prevented in advance. it can.
【００１７】尚、ウェーハ支持ボートの材質はSi、Si
O2、SiC 等のいずれでも良く、又組立式でも一体形でも
どちらでも構わない。The material of the wafer support boat is Si, Si
It may be O 2 , SiC or the like, and may be an assembled type or an integrated type.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハ支持ボートの支持部を点接触又は面接触構造に
して半導体ウェーハとの接触面積を極小にし、支持部の
熱容量を小さくするで熱処理時の急激な温度差を生じ難
くし、半導体ウェーハのサーマルショックを未然に防止
することができる。従って、８インチ等の大径の半導体
ウェーハであっても熱歪みを起こすことなく熱処理がで
き、生産性の向上及び歩留りの向上が図れる等の優れた
効果を奏する。As described above, according to the present invention,
The support part of the wafer support boat is made into a point contact or surface contact structure to minimize the contact area with the semiconductor wafer, and the heat capacity of the support part is made small so that a rapid temperature difference during heat treatment is hard to occur and the thermal shock of the semiconductor wafer Can be prevented in advance. Therefore, even a semiconductor wafer having a large diameter of 8 inches or the like can be heat-treated without causing thermal distortion, and excellent effects such as improvement in productivity and improvement in yield can be achieved.
【図１】 本発明の第１実施例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention.
【図２】 そのＡ部の拡大斜視図である。FIG. 2 is an enlarged perspective view of part A thereof.
【図３】 (イ) 、(ロ) はいずれも装着溝の他の実施例を
示す拡大斜視図である。3A and 3B are enlarged perspective views showing another embodiment of the mounting groove.
【図４】 (イ) 、(ロ) はいずれも支持部の他の実施例を
示す拡大斜視図である。4 (a) and 4 (b) are enlarged perspective views showing another embodiment of the supporting portion.
【図５】 本発明の第２実施例を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a second embodiment of the present invention.
【図６】 従来例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a conventional example.
１…円形端板 ２…支持ロッド ３…装着溝 ３
…下面 ４…係止部 ５…ウェーハ支持ボート ６…突条 ６ａ…稜線
１２…支持ロッド １３…装着溝 １３ａ…下面 １６…小突起 １
６ａ…頂点 ２２…支持ロッド ２３…装着溝
２３ａ…下面 ２３ｂ…内側縁 ３２…支持ロッド
３７…受け板 ４７…受け板 ４７ａ…受け止
面 ４８…球状小突起 ５２…支持ロッド ５５
…ウェーハ支持ボート ５６…ウェーハ支持棚1 ... Circular end plate 2 ... Support rod 3 ... Mounting groove 3
... Lower surface 4 ... Locking portion 5 ... Wafer support boat 6 ... Ridge 6a ... Ridge line
12 ... Support rod 13 ... Mounting groove 13a ... Lower surface 16 ... Small protrusion 1
6a ... Apex 22 ... Support rod 23 ... Mounting groove
23a ... Lower surface 23b ... Inner edge 32 ... Support rod 37 ... Receiving plate 47 ... Receiving plate 47a ... Receiving surface 48 ... Spherical small protrusion 52 ... Support rod 55
… Wafer support boat 56… Wafer support shelf
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成４年１１月１３日[Submission date] November 13, 1992
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Name of item to be corrected] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【書類名】 明細書[Document name] Statement
【発明の名称】 ウェーハ支持ボートTitle of the invention Wafer support boat
【特許請求の範囲】[Claims]
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハを熱処
理する際に使用するウェーハ支持ボートに関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer support boat used for heat treating semiconductor wafers.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体ウェーハはその表面に酸
化膜等を形成するために熱処理が行われ、その熱処理の
際には半導体ウェーハを所定の間隔をあけて並置保持す
るためのウェーハ支持ボートが使用される。このウェー
ハ支持ボートは、例えば図６に示すように両側の側枠部
材ａを複数本の支持ロッドｂで連結し、その支持ロッド
ｂに半導体ウェーハｃを支持するためのウェーハ装着溝
ｄを一定の間隔をあけてそれぞれ形成し、このウェーハ
装着溝ｄに半導体ウェーハｃを装着して支持するように
なっている（実公昭５９−４０４４３号公報）。2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor wafer is subjected to a heat treatment to form an oxide film or the like on the surface thereof, and a wafer support boat for holding the semiconductor wafers side by side at a predetermined interval during the heat treatment. used. In this wafer support boat, for example, as shown in FIG. 6, side frame members a on both sides are connected by a plurality of support rods b, and a wafer mounting groove d for supporting a semiconductor wafer c is fixed on the support rods b. They are formed at intervals, and the semiconductor wafer c is mounted and supported in the wafer mounting groove d (Japanese Utility Model Publication No. 59-40443).
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】近時、ＩＣ等の高集積
化が進むにつれて半導体ウェーハの径も大きくなり、５
インチ、６インチが主流であったものが８インチに移行
しつつある。この状況下において、８インチの半導体ウ
ェーハを従来と同様なウェーハ支持ボートを用いて熱処
理を行うと、５インチや６インチでは生じなかった熱歪
の問題が発生した。この熱歪は所謂サーマルショックと
いう現象で、これが半導体ウェーハ内に生じるとＩＣチ
ップとして使い物にならなくなり、生産性の向上のため
に半導体ウェーハの直径を大きくした意味がなくなり、
大径化が却って歩留りの低下を招く結果となってしま
う。Recently, as the degree of integration of ICs and the like has increased, the diameter of semiconductor wafers has become larger.
Inches and 6 inches were the mainstream, but are shifting to 8 inches. Under this circumstance, when an 8-inch semiconductor wafer was heat-treated using the same wafer support boat as in the conventional case, a problem of thermal strain that did not occur in 5 inches and 6 inches occurred. This thermal strain is a so-called thermal shock, and if it occurs in a semiconductor wafer, it becomes useless as an IC chip, and there is no point in increasing the diameter of the semiconductor wafer to improve productivity.
Increasing the diameter rather results in lowering the yield.
【０００４】本発明の発明者はその原因について色々検
討した結果、例えば１０００℃前後の熱処理において、
半導体ウェーハは比較的薄いので温度上昇に追随する
が、支持ロッドは比較的太く温度上昇に追随し難く、そ
の結果半導体ウェーハとそれを支持する支持部との間に
急激な温度差が生じ、それがサーマルショックを生じさ
せるという事実を見い出した。本発明は、このような事
実に基づいて８インチのような大径の半導体ウェーハに
サーマルショックを生じさせない支持部を有するウェー
ハ支持ボートを提供することを課題としたものである。The inventor of the present invention has conducted various studies on the cause, and as a result, for example, in the heat treatment at about 1000.degree.
Since the semiconductor wafer is relatively thin and follows the temperature rise, the supporting rod is relatively thick and it is difficult to follow the temperature rise, and as a result, a sharp temperature difference occurs between the semiconductor wafer and the supporting portion supporting the semiconductor wafer. Found the fact that causes a thermal shock. An object of the present invention is to provide a wafer support boat having a support portion that does not cause a thermal shock to a semiconductor wafer having a large diameter of 8 inches, based on such a fact.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、複数の半導体ウェー
ハを支持し、所定の熱処理を施すためのウェーハ支持ボ
ートであって、このウェーハ支持ボートには半導体ウェ
ーハを支持する支持部が複数形成されており、この支持
部は熱容量が小さくなるように点又は線で支持するよう
に、構成されていることを要旨とするものである。As a means for technically solving the above-mentioned problems, the present invention is a wafer support boat for supporting a plurality of semiconductor wafers and performing a predetermined heat treatment. The support boat is formed with a plurality of supporting portions for supporting the semiconductor wafers. The supporting portions should be supported by dots or lines so that the heat capacity becomes small.
In addition, the summary is that it is configured.
【０００６】[0006]
【作 用】ウェーハ支持ボートの支持部は、半導体ウェ
ーハに点接触又は線接触するようにして接触面積を極力
小さくしたので、支持部の熱容量が小となって半導体ウ
ェーハと支持部との間に急激な温度差が生じ難くなり、
サーマルショックを防止することができる。[Operation] The support area of the wafer support boat is made as small as possible by making point contact or line contact with the semiconductor wafer, so the heat capacity of the support section is small and the contact area between the semiconductor wafer and the support section is small. It becomes difficult for a sudden temperature difference to occur,
Thermal shock can be prevented.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面により詳説
する。図１は本発明の第１実施例を示すもので、１は上
下の円形端板であり、４本の支持ロッド２で連結一体化
され、これらの支持ロッド２には一定の間隔をあけて半
導体ウェーハを支持するための支持部３がそれぞれ形成
されている。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention, in which reference numerals 1 are upper and lower circular end plates, which are connected and integrated by four support rods 2, and these support rods 2 are spaced at regular intervals. Support portions 3 for supporting the semiconductor wafer are formed respectively.
【０００８】４は上の円形端板１の中央部に設けられた
係止部であり、この係止部を熱処理装置のボートローダ
（図略）で掴み、ウェーハ支持ボート５を吊り下げた状
態で加熱炉に出し入れできるようにしてある。Reference numeral 4 denotes a locking portion provided in the central portion of the upper circular end plate 1. The locking portion is grasped by a boat loader (not shown) of the heat treatment apparatus and the wafer support boat 5 is suspended. It can be put in and taken out of the heating furnace with.
【０００９】前記支持部３は図２（イ）に拡大して示す
ように、凹溝であってその下面３ａのほぼ中央部に断面
三角形の突条６を溝の深さ方向に沿って設けてある。従
って、この支持部３に半導体ウェーハＷを入れると、図
２（ロ）に示すように前記突条６の上縁つまり両側の斜
面が交差した稜線６ａに接触して受止されることにな
る。As shown in the enlarged view of FIG. 2 (a), the supporting portion 3 is a concave groove, and a ridge 6 having a triangular cross-section is provided along the depth direction of the groove in the substantially central portion of the lower surface 3a. There is. Therefore, when the semiconductor wafer W is put into the supporting portion 3, as shown in FIG. 2B, the semiconductor wafer W is received by being contacted with the upper edge of the ridge 6, that is, the ridge line 6a where the slopes on both sides intersect. ..
【００１０】このようにして、各支持ロッド２の支持部
３において半導体ウェーハＷが接触するのは各支持部３
内に設けられた突条６の稜線６ａのみであるから、従来
例に比べると接触面積が著しく減少し、このため熱容量
が小さくなって半導体ウェーハＷと支持部３の接触点に
おいて急激な温度差が生じ難くなり、サーマルショック
を未然に防止することができる。[0010] In this manner, the respective support portions 3 of the semiconductor wafer W contacts the support portion 3 of the support rods 2
Since there is only the ridge line 6a of the ridge 6 provided inside, the contact area is remarkably reduced as compared with the conventional example, and therefore the heat capacity is reduced and the temperature difference between the semiconductor wafer W and the supporting portion 3 is suddenly increased. Is less likely to occur, and thermal shock can be prevented in advance.
【００１１】図３は支持部の他の実施例を示すもので、
（イ）は支持ロッド１２の凹溝状支持部１３の下面１３
ａの内縁部に三角錐状の小突起１６を設けたものであ
り、この場合は小突起１６の頂点１６ａのみが半導体ウ
ェーハと接触し、言わば点接触となるため前記突条６の
稜線６ａによる線接触よりも一層接触面積の減少を図る
ことが可能となる。FIG. 3 shows another embodiment of the supporting portion ,
(A) is the lower surface 13 of the groove-shaped support portion 13 of the support rod 12.
A small pyramid-shaped small projection 16 is provided on the inner edge of a. In this case, only the apex 16a of the small projection 16 contacts the semiconductor wafer, which is, so to speak, point contact, so that the ridge line 6a of the ridge 6 is used. It is possible to further reduce the contact area as compared with the line contact.
【００１２】図３（ロ）は、支持ロッド２２の凹溝状支
持部２３の下面２３ａを溝の深さ方向に下傾させて形成
し、その斜面の高い方即ち内側縁２３ｂで半導体ウェー
ハを受止するようにしたものである。この場合は、図２
（イ）と同様に半導体ウェーハに対して線接触となる。FIG. 3B shows a grooved support of the support rod 22.
The lower surface 23a of the holding portion 23 is formed so as to be inclined downward in the depth direction of the groove, and the higher side of the inclined surface, that is, the inner edge 23b, receives the semiconductor wafer. In this case,
Line contact is made to the semiconductor wafer as in (a).
【００１３】図４は支持部の更に他の実施例を示すもの
で、この場合は支持ロッド４２の支持部４７は凹溝状で
はなく突起状であって、その上面４７ａの前端部に球状
小突起４８を設けたものであり、この球状小突起４８が
半導体ウェーハを受止することで点接触とし、支持部４
７の上面４７ａによる面接触よりも一層接触面積を減少
させることができる。 FIG. 4 shows still another embodiment of the supporting portion .
In this case, the support portion 47 of the support rod 42 has a groove shape.
Rather, it has a protrusion shape and a spherical shape at the front end of its upper surface 47a.
The small protrusion 48 is provided.
The semiconductor wafer is received to make point contact, and the supporting portion 4
The contact area is further reduced than the surface contact by the upper surface 47a of 7
Can be made
【００１４】図５は本発明の第２実施例を示すもので、
前記のような線接触又は点接触構造で半導体ウェーハを
支持できるようにしたウェーハ支持棚５６（仮想線で示
す）を、ウェーハ支持ボート５５とは別体に形成すると
共に着脱自在に構成したものである。この場合は、ウェ
ーハ支持ボート５５の支持ロッド５２に支持部を形成し
ないので、ウェーハ支持ボートの製作が簡単になる。ウ
ェーハ支持棚５６は、ウェーハ支持ボート５５とは別体
であるから容易に製造することができる。又、半導体ウ
ェーハを支持するだけなので支持ロッドを比較的細くす
ることができ、温度変化に追随できる構造とすることが
可能である。FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention.
A wafer support shelf 56 (shown by an imaginary line) capable of supporting a semiconductor wafer in the line contact or point contact structure as described above is formed separately from the wafer support boat 55 and is detachably configured. is there. In this case, since the support portion is not formed on the support rod 52 of the wafer support boat 55, the wafer support boat can be easily manufactured. The wafer support shelf 56 is a separate body from the wafer support boat 55, and thus can be easily manufactured. Further, since the semiconductor wafer is only supported, the supporting rod can be made relatively thin, and the structure can follow the temperature change.
【００１５】この第２実施例においても、ウェーハ支持
棚５６と半導体ウェーハとの接触面積が極小となるため
熱容量が小さくなって急激な温度差が生じ難くなり、サ
ーマルショックを未然に防止することができる。Also in this second embodiment, since the contact area between the wafer support shelf 56 and the semiconductor wafer is minimized, the heat capacity is reduced and a sharp temperature difference is less likely to occur, and thermal shock can be prevented in advance. it can.
【００１６】尚、ウェーハ支持ボートの材質はＳｉ、Ｓ
ｉＯ２、ＳｉＣ等のいずれでも良く、又組立式でも一体
形でもどちらでも構わない。The material of the wafer support boat is Si or S.
Any of iO 2 , SiC, etc. may be used, and either assembled type or integrated type may be used.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハ支持ボートの支持部を点接触又は線接触構造に
して半導体ウェーハとの接触面積を極小にし、支持部の
熱容量を小さくすることで熱処理時の急激な温度差を生
じ難くし、半導体ウェーハのサーマルショックを未然に
防止することができる。従って、８インチ等の大径の半
導体ウェーハであっても熱歪を起こすことなく熱処理が
でき、生産性の向上及び歩留りの向上が図れる等の優れ
た効果を奏する。As described above, according to the present invention,
The support area of the wafer support boat is made into a point contact or line contact structure to minimize the contact area with the semiconductor wafer, and by making the heat capacity of the support area small, it is difficult to cause a rapid temperature difference during heat treatment, and the thermal performance of the semiconductor wafer Shock can be prevented in advance. Therefore, even a semiconductor wafer having a large diameter such as 8 inches can be heat-treated without causing thermal strain, and excellent effects such as improvement in productivity and improvement in yield can be achieved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】 本発明の第１実施例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention.
【図２】 そのＡ部の拡大斜視図である。FIG. 2 is an enlarged perspective view of part A thereof.
【図３】 （イ）、（ロ）はいずれも支持部の他の実施
例を示す一部拡大斜視図である。3A and 3B are partially enlarged perspective views showing another embodiment of the supporting portion .
【図４】 支持部の更に他の実施例を示す一部拡大斜視
図である。 FIG. 4 is a partially enlarged perspective view showing still another embodiment of the support portion .
It is a figure.
【図５】 本発明の第２実施例を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a second embodiment of the present invention.
【図６】 従来例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a conventional example.
【符号の説明】 １…円形端板 ２…支持ロッド ３…支持部 ３
…下面 ４…係止部 ５…ウェーハ支持ボート ６…突条 ６ａ…稜線
１２…支持ロッド １３…支持部 １３ａ…下面 １６…小突起 １
６ａ…頂点 ２２…支持ロッド ２３…支持部
２３ａ…下面 ２３ｂ…内側縁 ４２…支持ロッド
４７…支持部 ４７ａ…上面 ４８…球状小突
起 ５２…支持ロッド ５５…ウェーハ支持ボート
５６…ウェーハ支持棚[Explanation of Codes] 1 ... Circular end plate 2 ... Support rod 3 ... Support part 3
... Lower surface 4 ... Locking portion 5 ... Wafer support boat 6 ... Ridge 6a ... Ridge line
12 ... Support rod 13 ... Support part 13a ... Lower surface 16 ... Small protrusion 1
6a ... Apex 22 ... Support rod 23 ... Support part
23a ... Lower surface 23b ... Inner edge 42 ... Support rod 47 ... Support 47a ... Upper surface 48 ... Spherical small protrusion 52 ... Support rod 55 ... Wafer support boat 56 ... Wafer support shelf
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図４[Name of item to be corrected] Fig. 4
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図４】 [Figure 4]
Claims (2)
熱処理を施すためのウェーハ支持ボートであって、この
ウェーハ支持ボートには半導体ウェーハを支持する支持
部が複数形成されており、この支持部は熱容量が小さく
なるように構成されていることを特徴とするウェーハ支
持ボート。1. A wafer support boat for supporting a plurality of semiconductor wafers and performing a predetermined heat treatment, wherein the wafer support boat is provided with a plurality of support portions for supporting the semiconductor wafers. Is a wafer support boat characterized by being configured to have a small heat capacity.
で構成されている請求項１記載のウェーハ支持ボート。2. The wafer support boat according to claim 1, wherein the support portion is formed of dots, lines, thin plates, or the like.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6999992A JPH05234925A (en) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | Wafer retaining boat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6999992A JPH05234925A (en) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | Wafer retaining boat |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4327601A Division JPH05267202A (en) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | Wafer support boat |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234925A true JPH05234925A (en) | 1993-09-10 |
Family
ID=13418882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6999992A Pending JPH05234925A (en) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | Wafer retaining boat |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234925A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000048244A1 (en) * | 1999-02-10 | 2000-08-17 | Hitachi, Ltd. | Device and method for heat-treating wafer |
| KR100284867B1 (en) * | 1997-01-22 | 2001-04-02 | 가네꼬 히사시 | Substrate Cassette |
| JP5475900B1 (en) * | 2013-03-01 | 2014-04-16 | 坂口電熱株式会社 | Heating device |
| CN110627506A (en) * | 2019-10-29 | 2019-12-31 | 哈尔滨理工大学 | CfSiC crystal boat and 3D printing combined preparation method thereof |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP6999992A patent/JPH05234925A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN110627506A (en) * | 2019-10-29 | 2019-12-31 | 哈尔滨理工大学 | CfSiC crystal boat and 3D printing combined preparation method thereof |
| CN110627506B (en) * | 2019-10-29 | 2022-06-17 | 哈尔滨理工大学 | Preparation C combining 3D printingfMethod for preparing/SiC crystal boat |
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