JPH05234857A - シンクロトロン放射光照射装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光照射装置Info
- Publication number
- JPH05234857A JPH05234857A JP4035998A JP3599892A JPH05234857A JP H05234857 A JPH05234857 A JP H05234857A JP 4035998 A JP4035998 A JP 4035998A JP 3599892 A JP3599892 A JP 3599892A JP H05234857 A JPH05234857 A JP H05234857A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- synchrotron radiation
- light
- plane
- electron
- ray
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電子蓄積リングの放射光取り出し口にＸ線露光
装置と光励起反応装置を設置し、放射光を有効利用す
る。 【構成】放射光３を電子軌道面に垂直な面内で分割し、
電子軌道面に対する出射角が小さいＸ線をＸ線露光装置
８に導入し、電子軌道面に対する出射角が大きい真空紫
外光を光励起反応装置７に導入する。 【効果】半導体製造工程におけるコストが低減し、スル
ープットが向上する。
装置と光励起反応装置を設置し、放射光を有効利用す
る。 【構成】放射光３を電子軌道面に垂直な面内で分割し、
電子軌道面に対する出射角が小さいＸ線をＸ線露光装置
８に導入し、電子軌道面に対する出射角が大きい真空紫
外光を光励起反応装置７に導入する。 【効果】半導体製造工程におけるコストが低減し、スル
ープットが向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シンクロトロン放射光
を利用して、マスクのパターンを試料に転写したり、デ
ポジション，エッチング，表面クリーニングなどを行な
う放射光照射装置に関する。
を利用して、マスクのパターンを試料に転写したり、デ
ポジション，エッチング，表面クリーニングなどを行な
う放射光照射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光速に近い速度の荷電粒子が加速度運動
するとき、軌道の接線方向にシンクロトロン放射光（以
下、放射光と呼ぶ）が発生する。通常は、電子蓄積リン
グの中で、一定エネルギの電子を磁場により水平面内で
円弧運動させて、放射光を得ている。放射光はＸ線から
可視光にわたる連続波長光である。
するとき、軌道の接線方向にシンクロトロン放射光（以
下、放射光と呼ぶ）が発生する。通常は、電子蓄積リン
グの中で、一定エネルギの電子を磁場により水平面内で
円弧運動させて、放射光を得ている。放射光はＸ線から
可視光にわたる連続波長光である。
【０００３】図２は、電子の運動エネルギ７００Ｍｅ
Ｖ、磁場の強度３.８Ｔ における放射光のスペクトル強
度を示す。ここで、縦軸の強度は、蓄積電子の電流１０
０ｍＡ、電子軌道面に平行な面内（水平面内）の発散角
１mrad、波長バンド幅１％当たりの毎秒光子数である。
放射光は電子軌道面に平行な面内では、数十mradの範囲
に一様な分布で発散する。これに対して、電子軌道面に
垂直な面内（鉛直面内）では放射光は鋭く集中し、しか
も波長が短いほど発散角は小さい。
Ｖ、磁場の強度３.８Ｔ における放射光のスペクトル強
度を示す。ここで、縦軸の強度は、蓄積電子の電流１０
０ｍＡ、電子軌道面に平行な面内（水平面内）の発散角
１mrad、波長バンド幅１％当たりの毎秒光子数である。
放射光は電子軌道面に平行な面内では、数十mradの範囲
に一様な分布で発散する。これに対して、電子軌道面に
垂直な面内（鉛直面内）では放射光は鋭く集中し、しか
も波長が短いほど発散角は小さい。
【０００４】図３は、前記の電子蓄積リングにおける放
射光強度の角度分布を、波長をパラメータとして示す。
なお、図の横軸は、放射光が電子軌道面となす出射角で
あり、縦軸は、蓄積電子の電流１００ｍＡ、発散角１mr
ad×１mrad（水平×鉛直）、波長バンド幅１％当たりの
毎秒光子数である。放射光は、Ｘ線領域と真空紫外領域
では、従来の光源と比較して強度が極めて大きい。そこ
で、半導体製造等への応用を目的として、次のような放
射光利用技術が盛んに検討されている。
射光強度の角度分布を、波長をパラメータとして示す。
なお、図の横軸は、放射光が電子軌道面となす出射角で
あり、縦軸は、蓄積電子の電流１００ｍＡ、発散角１mr
ad×１mrad（水平×鉛直）、波長バンド幅１％当たりの
毎秒光子数である。放射光は、Ｘ線領域と真空紫外領域
では、従来の光源と比較して強度が極めて大きい。そこ
で、半導体製造等への応用を目的として、次のような放
射光利用技術が盛んに検討されている。
【０００５】利用技術の一つは、Ｘ線リソグラフィであ
る。半導体素子の微細化に伴い、高解像力のリソグラフ
ィ技術が必要となってきた。Ｘ線リソグラフィは、水銀
のｉ線（波長３６５ｎｍ）などを利用する光リソグラフ
ィに替わる次世代技術として、有望視されている。Ｘ線
リソグラフィには、二つの方式がある。第１は、マスク
とウェハとを数十μｍの間隙で近接させ、波長１ｎｍ程
度のＸ線によりパターンを等倍転写するＸ線近接露光で
ある。第２は、波長１０ｎｍ程度のＸ線によりマスクを
照明し、結像光学系を介してパターンをウェハに縮小転
写するＸ線投影露光である。いずれの方式のＸ線リソグ
ラフィでも、０.１μｍ 以下の高解像力を達成できる。
る。半導体素子の微細化に伴い、高解像力のリソグラフ
ィ技術が必要となってきた。Ｘ線リソグラフィは、水銀
のｉ線（波長３６５ｎｍ）などを利用する光リソグラフ
ィに替わる次世代技術として、有望視されている。Ｘ線
リソグラフィには、二つの方式がある。第１は、マスク
とウェハとを数十μｍの間隙で近接させ、波長１ｎｍ程
度のＸ線によりパターンを等倍転写するＸ線近接露光で
ある。第２は、波長１０ｎｍ程度のＸ線によりマスクを
照明し、結像光学系を介してパターンをウェハに縮小転
写するＸ線投影露光である。いずれの方式のＸ線リソグ
ラフィでも、０.１μｍ 以下の高解像力を達成できる。
【０００６】他方の利用技術は、波長１０〜１００ｎｍ
程度の真空紫外光を利用する光励起反応プロセスであ
る。半導体素子の微細化につれて、低温、低損傷、かつ
高選択なプロセスが必要となってきた。前述の波長の真
空紫外光は、ほとんどの物質の内殻準位の励起が可能で
あり、反応ガスや物質表面の励起状態を実現できる。そ
こで、放射光励起反応を用いたデポジション，エッチン
グ，表面クリーニングなどが期待されている。
程度の真空紫外光を利用する光励起反応プロセスであ
る。半導体素子の微細化につれて、低温、低損傷、かつ
高選択なプロセスが必要となってきた。前述の波長の真
空紫外光は、ほとんどの物質の内殻準位の励起が可能で
あり、反応ガスや物質表面の励起状態を実現できる。そ
こで、放射光励起反応を用いたデポジション，エッチン
グ，表面クリーニングなどが期待されている。
【０００７】電子蓄積リングは高価かつ大型であるの
で、できるだけ多数のＸ線露光装置と光励起反応装置で
１台の電子蓄積リングを共有することが望ましい。従来
の放射光の利用では、例えば、ニュークリア インスツ
ルメンツ アンド メソッズ、２０８巻、１９８３年、
２３頁から３０頁（Nucl.Instrum.and Methods ２０８
（１９８３）２３−３０）に開示されているように、電
子軌道面に平行な面内で放射光を分割利用している。
で、できるだけ多数のＸ線露光装置と光励起反応装置で
１台の電子蓄積リングを共有することが望ましい。従来
の放射光の利用では、例えば、ニュークリア インスツ
ルメンツ アンド メソッズ、２０８巻、１９８３年、
２３頁から３０頁（Nucl.Instrum.and Methods ２０８
（１９８３）２３−３０）に開示されているように、電
子軌道面に平行な面内で放射光を分割利用している。
【０００８】図４は、従来の方法による放射光照射装置
を示す。電子軌道１１上の放射光取り出し口１２から、
放射光１３が発散する。図示しないが実際には、複数の
放射光取り出し口が電子軌道に沿って配置される。この
放射光を電子軌道面に平行な面内（水平面内）で分割
し、一部を反射鏡１４で偏向して光励起反応装置１５に
導入する。放射光の他の部分は、直進してＸ線露光装置
１６に入射する。なお、放射光を反射鏡で偏向する理由
は、Ｘ線露光装置と光励起反応装置との空間的干渉を避
けるためである。
を示す。電子軌道１１上の放射光取り出し口１２から、
放射光１３が発散する。図示しないが実際には、複数の
放射光取り出し口が電子軌道に沿って配置される。この
放射光を電子軌道面に平行な面内（水平面内）で分割
し、一部を反射鏡１４で偏向して光励起反応装置１５に
導入する。放射光の他の部分は、直進してＸ線露光装置
１６に入射する。なお、放射光を反射鏡で偏向する理由
は、Ｘ線露光装置と光励起反応装置との空間的干渉を避
けるためである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術では、
電子軌道面に平行な面内で放射光を分割利用するので、
Ｘ線露光装置や光励起反応装置において十分大きな放射
光強度が得られない。したがって、リソグラフィやプロ
セスのスループットが低いという問題がある。これを避
けるために、一つの放射光取り出し口から発散する放射
光全部を、一つの装置で利用することが考えられる。し
かし、この場合には、Ｘ線露光装置や光励起反応装置の
設置台数が少なくなり、装置１台当たりの電子蓄積リン
グのコストが増加するという問題がある。
電子軌道面に平行な面内で放射光を分割利用するので、
Ｘ線露光装置や光励起反応装置において十分大きな放射
光強度が得られない。したがって、リソグラフィやプロ
セスのスループットが低いという問題がある。これを避
けるために、一つの放射光取り出し口から発散する放射
光全部を、一つの装置で利用することが考えられる。し
かし、この場合には、Ｘ線露光装置や光励起反応装置の
設置台数が少なくなり、装置１台当たりの電子蓄積リン
グのコストが増加するという問題がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、放射光取り出し口から発散する放射光を
電子軌道面に垂直な面内（鉛直面内）で分割し、電子軌
道面に対する出射角が小さい放射光をＸ線露光装置に導
入し、電子軌道面に対する出射角が大きい放射光を光励
起反応装置に導入する。
に、本発明は、放射光取り出し口から発散する放射光を
電子軌道面に垂直な面内（鉛直面内）で分割し、電子軌
道面に対する出射角が小さい放射光をＸ線露光装置に導
入し、電子軌道面に対する出射角が大きい放射光を光励
起反応装置に導入する。
【００１１】
【作用】先に図３に示したように、電子軌道面に垂直な
面内では、短波長の放射光は発散角が小さく、長波長の
放射光は発散角が大きい。したがって、電子軌道面に対
する出射角が所定の値以下のＸ線成分をＸ線露光装置に
導入し、電子軌道面に対する出射角が所定の値以上の真
空紫外成分を光励起反応装置に導入することにより、Ｘ
線露光装置と光励起反応装置のそれぞれの使用波長で、
十分大きな放射光強度が得られる。
面内では、短波長の放射光は発散角が小さく、長波長の
放射光は発散角が大きい。したがって、電子軌道面に対
する出射角が所定の値以下のＸ線成分をＸ線露光装置に
導入し、電子軌道面に対する出射角が所定の値以上の真
空紫外成分を光励起反応装置に導入することにより、Ｘ
線露光装置と光励起反応装置のそれぞれの使用波長で、
十分大きな放射光強度が得られる。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明の放射光照射装置の第１実施
例を示す。電子軌道１の一部に放射光取り出し口２があ
り、放射光３が発散する。反射鏡４と４ａは、この放射
光の光路上にあり、それぞれ電子軌道面の上側と下側に
間隙をはさんで設置されている。電子軌道面に対する出
射角が大きい放射光５と５ａは、それぞれ反射鏡４と４
ａで偏向され、光励起反応装置７に入射する。一方、電
子軌道面に対する出射角が小さい放射光６は、前述の間
隙を直進し、Ｘ線露光装置８に入射する。なお、電子軌
道面に平行な面内では、反射鏡と間隙の長さは十分大き
く、光励起反応装置とＸ線露光装置は、発散する放射光
を全部受容する。
例を示す。電子軌道１の一部に放射光取り出し口２があ
り、放射光３が発散する。反射鏡４と４ａは、この放射
光の光路上にあり、それぞれ電子軌道面の上側と下側に
間隙をはさんで設置されている。電子軌道面に対する出
射角が大きい放射光５と５ａは、それぞれ反射鏡４と４
ａで偏向され、光励起反応装置７に入射する。一方、電
子軌道面に対する出射角が小さい放射光６は、前述の間
隙を直進し、Ｘ線露光装置８に入射する。なお、電子軌
道面に平行な面内では、反射鏡と間隙の長さは十分大き
く、光励起反応装置とＸ線露光装置は、発散する放射光
を全部受容する。
【００１３】次に、本発明における放射光の利用効率を
説明する。図５は、電子の運動エネルギ７００ＭｅＶ、
磁場の強度３.８Ｔ のときの、電子軌道面に垂直な面内
における放射光強度の集中度を、波長をパラメータとし
て示したものである。横軸は放射光の発散角であり、縦
軸はこの発散角内に集中する放射光強度と全放射光強度
との比である。例えば、発散角が１mradのとき、波長１
ｎｍ，１０ｎｍ、および１００ｎｍにおける放射光強度
の集中度はそれぞれ７５％，３０％および１０％であ
る。すなわち、Ｘ線露光装置の使用波長を１ｎｍとし、
発散角１mrad以下の放射光を利用するとき、利用効率７
５％が得られる。一方、光励起反応装置が発散角１mrad
以上の放射光を利用するとき、波長１０ｎｍと１００ｎ
ｍにおける利用効率はそれぞれ７０％と９０％になる。
また、発散角が２.５mrad のとき、波長１０ｎｍと１０
０ｎｍにおける放射光強度の集中度はそれぞれ７５％と
３０％である。すなわち、波長１０ｎｍ，発散角２.５m
rad 以下の放射光をＸ線露光装置で利用するとき、利用
効率７５％が得られ、波長１００ｎｍ、発散角２.５mra
d以上の放射光を光励起反応装置で利用するとき、利用
効率７０％が得られる。このように、電子軌道面に垂直
な面内で放射光を分割利用すると、Ｘ線露光装置と光励
起反応装置の放射光利用効率の合計は１００％より大き
くなる。これに対して、従来のように電子軌道面に平行
な面内で放射光を分割利用すると、Ｘ線露光装置と光励
起反応装置の放射光利用効率の合計は高々１００％であ
る。したがって、本発明により放射光の有効利用を実現
できることが判る。
説明する。図５は、電子の運動エネルギ７００ＭｅＶ、
磁場の強度３.８Ｔ のときの、電子軌道面に垂直な面内
における放射光強度の集中度を、波長をパラメータとし
て示したものである。横軸は放射光の発散角であり、縦
軸はこの発散角内に集中する放射光強度と全放射光強度
との比である。例えば、発散角が１mradのとき、波長１
ｎｍ，１０ｎｍ、および１００ｎｍにおける放射光強度
の集中度はそれぞれ７５％，３０％および１０％であ
る。すなわち、Ｘ線露光装置の使用波長を１ｎｍとし、
発散角１mrad以下の放射光を利用するとき、利用効率７
５％が得られる。一方、光励起反応装置が発散角１mrad
以上の放射光を利用するとき、波長１０ｎｍと１００ｎ
ｍにおける利用効率はそれぞれ７０％と９０％になる。
また、発散角が２.５mrad のとき、波長１０ｎｍと１０
０ｎｍにおける放射光強度の集中度はそれぞれ７５％と
３０％である。すなわち、波長１０ｎｍ，発散角２.５m
rad 以下の放射光をＸ線露光装置で利用するとき、利用
効率７５％が得られ、波長１００ｎｍ、発散角２.５mra
d以上の放射光を光励起反応装置で利用するとき、利用
効率７０％が得られる。このように、電子軌道面に垂直
な面内で放射光を分割利用すると、Ｘ線露光装置と光励
起反応装置の放射光利用効率の合計は１００％より大き
くなる。これに対して、従来のように電子軌道面に平行
な面内で放射光を分割利用すると、Ｘ線露光装置と光励
起反応装置の放射光利用効率の合計は高々１００％であ
る。したがって、本発明により放射光の有効利用を実現
できることが判る。
【００１４】放射光を分割して１台のＸ線露光装置と２
台の光励起反応装置で利用する第２実施例を、図６に示
す。反射鏡４と４ａは、放射光の光路上にあり、それぞ
れ電子軌道面の上側と下側に間隙をはさんで設置されて
いる。電子軌道面の上方向に出射角が大きい放射光５
は、反射鏡４で偏向され、光励起反応装置７に入射す
る。また、電子軌道面の下方向に出射角が大きい放射光
５ａは、反射鏡４ａで偏向され、光励起反応装置７ａに
入射する。一方、電子軌道面に対する出射角が小さい放
射光６は、前記の間隙を直進し、Ｘ線露光装置８に入射
する。
台の光励起反応装置で利用する第２実施例を、図６に示
す。反射鏡４と４ａは、放射光の光路上にあり、それぞ
れ電子軌道面の上側と下側に間隙をはさんで設置されて
いる。電子軌道面の上方向に出射角が大きい放射光５
は、反射鏡４で偏向され、光励起反応装置７に入射す
る。また、電子軌道面の下方向に出射角が大きい放射光
５ａは、反射鏡４ａで偏向され、光励起反応装置７ａに
入射する。一方、電子軌道面に対する出射角が小さい放
射光６は、前記の間隙を直進し、Ｘ線露光装置８に入射
する。
【００１５】以上の説明では、放射光を反射鏡で偏向し
て光励起反応装置に導入する実施例を示したが、放射光
を反射鏡で偏向してＸ線露光装置に導入してもよい。ま
た、曲面反射鏡により放射光を集光し、Ｘ線露光装置に
おいてマスクの照明条件を満足させたり、光励起反応装
置において放射光のパワー密度を高めることもできる。
て光励起反応装置に導入する実施例を示したが、放射光
を反射鏡で偏向してＸ線露光装置に導入してもよい。ま
た、曲面反射鏡により放射光を集光し、Ｘ線露光装置に
おいてマスクの照明条件を満足させたり、光励起反応装
置において放射光のパワー密度を高めることもできる。
【００１６】以上の実施例では、反射鏡の反射面として
金、白金、炭化珪素等を使用し、全反射が生じるように
入射角を設定することにより、高い反射率が得られる。
また、屈折率の異なる複数種類の物質を交互に積層した
多層膜鏡を使用してもよい。多層膜鏡を使用する場合、
必要な波長の放射光だけをＸ線露光装置や光励起反応装
置に導入することができる。
金、白金、炭化珪素等を使用し、全反射が生じるように
入射角を設定することにより、高い反射率が得られる。
また、屈折率の異なる複数種類の物質を交互に積層した
多層膜鏡を使用してもよい。多層膜鏡を使用する場合、
必要な波長の放射光だけをＸ線露光装置や光励起反応装
置に導入することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、電子蓄積リングをＸ線
露光装置と光励起反応装置で有効利用することが可能で
あり、半導体製造工程等におけるスループットを向上
し、コストを低減することができる。
露光装置と光励起反応装置で有効利用することが可能で
あり、半導体製造工程等におけるスループットを向上
し、コストを低減することができる。
【図１】本発明の放射光照射装置の第１実施例の説明
図。
図。
【図２】放射光のスペクトル強度を示す特性図。
【図３】電子軌道に垂直な面内における放射光強度の角
度分布図。
度分布図。
【図４】従来の放射光照射装置の説明図。
【図５】電子軌道に垂直な面内における放射光強度の集
中度を示す特性図。
中度を示す特性図。
【図６】本発明の放射光照射装置の第２実施例の説明
図。
図。
【符号の説明】 １…電子軌道、２…放射光取り出し口、３…放射光、
４，４ａ…反射鏡、５，５ａ…出射角が大きい放射光、
６…出射角が小さい放射光、７…光励起反応装置、８…
Ｘ線露光装置。
４，４ａ…反射鏡、５，５ａ…出射角が大きい放射光、
６…出射角が小さい放射光、７…光励起反応装置、８…
Ｘ線露光装置。
Claims (4)
- 【請求項１】荷電粒子を周回運動させてシンクロトロン
放射光を発生する光源と、前記シンクロトロン放射光の
Ｘ線成分を利用するＸ線露光装置と、前記シンクロトロ
ン放射光の真空紫外成分を利用する光励起反応装置とか
ら成り、前記荷電粒子の軌道面に垂直な面内で前記シン
クロトロン放射光を分割し、前記軌道面に対する出射角
が小さい前記シンクロトロン放射光を前記Ｘ線露光装置
に導入し、前記軌道面に対する出射角が大きい前記シン
クロトロン放射光を前記光励起反応装置に導入すること
を特徴とするシンクロトロン放射光照射装置。 - 【請求項２】請求項１において、反射鏡により前記シン
クロトロン放射光を、前記Ｘ線露光装置と前記光励起反
応装置の少なくとも一方に偏向するシンクロトロン放射
光照射装置。 - 【請求項３】請求項２において、前記反射鏡が前記シン
クロトロン放射光を集光する機能を有するシンクロトロ
ン放射光照射装置。 - 【請求項４】請求項２または３において、前記反射鏡の
反射面が、屈折率の異なる複数種類の物質を交互に積層
した多層膜で形成されているシンクロトロン放射光照射
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4035998A JPH05234857A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | シンクロトロン放射光照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4035998A JPH05234857A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | シンクロトロン放射光照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234857A true JPH05234857A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12457476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4035998A Pending JPH05234857A (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | シンクロトロン放射光照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234857A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016539382A (ja) * | 2013-09-25 | 2016-12-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | ビームデリバリ装置及び方法 |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP4035998A patent/JPH05234857A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016539382A (ja) * | 2013-09-25 | 2016-12-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | ビームデリバリ装置及び方法 |
| US10580545B2 (en) | 2013-09-25 | 2020-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Beam delivery apparatus and method |
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