JPH0521873Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0521873Y2
JPH0521873Y2 JP13804089U JP13804089U JPH0521873Y2 JP H0521873 Y2 JPH0521873 Y2 JP H0521873Y2 JP 13804089 U JP13804089 U JP 13804089U JP 13804089 U JP13804089 U JP 13804089U JP H0521873 Y2 JPH0521873 Y2 JP H0521873Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
generation chamber
plasma generation
plasma
sample
diameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP13804089U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0377434U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP13804089U priority Critical patent/JPH0521873Y2/ja
Publication of JPH0377434U publication Critical patent/JPH0377434U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0521873Y2 publication Critical patent/JPH0521873Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は、ECRプラズマ装置に関し、特に、
プラズマ生成室に対し小径の内径を有する小径プ
ラズマ生成室を取付け、試料等のサイズに合わせ
て最適なプラズマ密度及び分布を得ることができ
るようにするための新規な改良に関する。
[従来の技術] 従来、用いられていたこの種のECRプラズマ
装置としては種々あるが、その中で代表的な構成
について述べると、第5図で示す一般に用いられ
ている装置及び特開平1−187919号公報に開示さ
れた装置を挙げることができる。
まず、第5図に示されたECRプラズマ装置に
おいて、符号1で示されるものは基台であり、こ
の基台1の外端には筒形をなす励磁コイル2が設
けられ、この励磁コイル2の内側には、冷却水を
案内する冷却ジヤケツト3及び冷却パイプ4を有
する円筒体の形状からなる単筒式イオン化室を構
成するプラズマ生成室5が設けられている。
前記プラズマ生成室5の上蓋6には、2.45GHz
の高周波電力7を導入するための矩形導波管8が
設けられていると共に、N2ガス等の第1ガス9
を導入するための第1ガス導入管10が設けられ
ている。
前記基台1の下部には、試料11を載置した試
料台12、ビーム制御用コイル13及びSiH4
ス等の第2ガス14を導入する第2ガス導入管1
5を有する試料室16が設けられており、この試
料室16は、排気手段17によつて排気されてい
る。
従つて、前述の構成において、プラズマ生成室
5内に導入した第1ガス9に、高周波電力7によ
る高周波電界と前記励磁コイル2からの磁界が作
用してプラズマが発生すると、このプラズマは、
前記磁界による発散磁界の作用によつて試料室1
6内に導入され、試料台12上の試料11の表面
で、プラズマ流中のイオン、ラジカル粒子による
表面反応を生起させ、試料11の表面に成膜が施
される。
また、特開平1−187919号公報に開示された構
成は、図示していないが、プラズマ生成室内に筒
状の誘電体を設け、プラズマ生成室内の電界の一
様性を向上させ、試料表面に施される成膜又はエ
ツチングの均一化を図る構成である。
[考案が解決しようとする課題] 従来のECRプラズマ装置は、以上のように構
成されていたため、次のような課題が存在してい
た。
すなわち、前者の従来例の場合、プラズマ生成
室の内径が一定であるため、このプラズマ生成室
で生成されるプラズマの密度は、その中心部で高
く、その周縁で低くなる特性があり、例えば、試
料であるウエハーの径が種々異なつている場合、
プラズマ生成室から得られるプラズマ密度分布が
同一では、成膜の厚さにバラツキが発生し、特に
大径の試料又は特に小径の試料に対する成膜が良
好に行えないと云う重大な課題が存在していた。
また、後者の従来例では、円筒形の誘電体によ
つて電界の一様性を図り、成膜又はエツチングの
均一化を図ることがあり、試料の大きさに合わせ
てプラズマ生成室の内径を種々変えることは不可
能であつた。
本考案は、以上のような課題を解決するために
なされたもので、特に、プラズマ生成室に対し小
径の内径を有する小径プラズマ生成室を取付け、
試料等のサイズに合わせて最適なプラズマ密度及
び分布を得ることができるようにしたECRプラ
ズマ装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本考案によるECRプラズマ装置は、プラズマ
生成室内に導入したガスにマイクロ波による高周
波電界と前記プラズマ生成室の周囲に配した励磁
コイルにより形成される磁界とを作用させてプラ
ズマを発生させると共に、前記プラズマを前記磁
界により前記プラズマ生成室と連通した試料室に
導出するようにしたECRプラズマ装置において、 前記プラズマ生成室内に設けられ前記プラズマ
生成室の第1内径よりも小径の第2内径を有する
小径プラズマ生成室を有する構成である。
[作用] 本考案によるECRプラズマ装置においては、
プラズマ生成室の中に、このプラズマ生成室の第
1内径よりも小径の第2内径を有する小径プラズ
マ生成室が設けられているため、プラズマ生成室
は、この小径プラズマ生成室の第2内径によつて
形成され、試料のサイズによつてこの第2内径を
適合させるように小径プラズマ生成室の形状を選
ぶことにより、その試料の大きさに最適なプラズ
マ生成室を得ることができる。
同時に、その試料のサイズに合わせた最適な内
径の小径プラズマ生成室を得ることにより、その
試料の大きさに合わせた状態のプラズマ密度及び
分布を得ることができ、試料上に密度のほぼ均一
な成膜を得ることができる。
[実施例] 以下、図面と共に本考案によるECRプラズマ
装置の好適な実施例について詳細に説明する。
尚、従来例と同一又は同等部分については同一
符号を付して説明する。
図において、符号1で示されるものは基台であ
り、この基台1の外端には磁界を発生するための
筒形をなす励磁コイル2が設けられ、この励磁コ
イル2の内側には、冷却水を案内する冷却ジヤケ
ツト3及び冷却パイプ4を有する円筒体の形状か
らなる単筒式イオン化室を構成するプラズマ生成
室5が設けられている。
前記プラズマ生成室5の上蓋6には、2.45GHz
の高周波電力7を導入するための矩形導波管8が
設けられていると共に、N2ガス等の第1ガス9
をプラズマ生成室5に導入するための第1ガス導
入管10が設けられている。
前記基台1の下部には、試料11を載置した試
料台12、ビーム制御用コイル13及びSiH4
ス等の第2ガス14を導入する第2ガス導入管1
5を有する試料室16が設けられており、この試
料室16は、排気手段17によつて排気されてい
る。
前記プラズマ生成室5内には、このプラズマ生
成室5の第1内径D0よりも大幅に小さい第2内
径D1を有する小径プラズマ生成室20が配設さ
れており、この小径プラズマ生成室20の下端に
は、プラズマ案内孔20a及び前記基台1への取
付部21が形成された基板24が設けられ、この
取付部21を介して前記小径プラズマ生成室20
は前記プラズマ生成室5及び基台1に対して着脱
自在に設けられている。
前記小径プラズマ生成室20は、具体的には、
第2図及び第3図に示すように構成されており、
筒体22の外周には冷却パイプ23が周回して設
けられ、この冷却パイプ23は、前記筒体22の
下端に設けられた前記基板24を貫通して、連結
管25を介して図示しない冷却液源に接続されて
いる。また、符号30で示されるものは、小径プ
ラズマ生成室20を挿着したとき、小径プラズマ
生成室20の外周部の排気を容易にするための穴
である。
前記基板24の周縁の前記取付部21には、第
3図に示されるように、取付ねじ26を貫通させ
るためのねじ孔27が多数形成されており、この
取付ねじ26を介して、前記小径プラズマ生成室
20が基台1及び前記プラズマ生成室5に対して
着脱自在に設けられている。
さらに、前記冷却パイプ23は、前記基板24
の取付部21に形成された係止溝28内に保持さ
れている。
前記基台1の下側には、試料11を載置した試
料台12、ビーム制御用コイル13及びSiH4
ス等の第2ガス14を導入する第2ガス導入管1
5を有する試料室16が設けられており、この試
料室16は、排気手段17によつて排気されてい
る。
本考案によるECRプラズマ装置は、前述した
ように構成されており、以下に、その動作につい
て説明する。
まず、成膜しようとする試料11のサイズに適
合した第2内径D1を有する小径プラズマ生成室
20をプラズマ生成室5の第1内径D0内に挿入
し、取付ねじ26を介して基板1に固定すると、
プラズマ生成室5は第2内径D1の小径プラズマ
生成室20へと変更が完了し、冷却パルプ23
は、図示しない冷却液源に接続される。
前述の状態で、プラズマ生成室5を経由して小
径プラズマ生成室20内に導入した第1ガス9
に、高周波電力7による高周波電界と前記励磁コ
イル2からの磁界が作用してプラズマが発生する
と、このプラズマは、前記磁界による発散磁界の
作用によつて試料室16内に導入され、試料台1
2上の試料11の表面で、プラズマ流中のイオ
ン、ラジカル粒子による表面反応を生起させ、試
料11の表面に成膜が施される。
この場合、この装置本来のプラズマ生成室5の
第1内径D0が小径プラズマ生成室20の有する
第2内径D1に、試料11のサイズに合わせて変
更されているため、導入されるプラズマ流の密度
及び分布も試料11に対して大きい変化で対応せ
ず、ほぼ平均的に対応することになり、試料11
の表面にほぼ均一な膜厚の成膜を得ることができ
る。
また、次の成膜又はエツチング工程において、
前回と異なる径の試料11を用いる場合は、その
試料のサイズに適合した別の第2内径D1を有す
る小径プラズマ生成室20を、取付ねじ26を介
して変換することにより、常に、その試料11の
サイズに応じた大きさの小径プラズマ生成室20
からその試料11に最適な密度及び分布のプラズ
マ流を導入することができる。
尚、前述の小径プラズマ生成室20の取付構造
は、一例を示したものであり、取付ねじ26を用
いない嵌合のみによる装着構造、又は、他の周知
な係止手段を用いた場合も同等の作用効果を得る
ことができるものである。
尚、本出願人の実験結果によると、第4図に示
すように、イオン化室径がφ280と大きい場合
(図中破線)はマイクロ波パワーが増えても成膜
速度は、ほぼ一定であるが、φ200の方は、マイ
クロ波パワーと共に増加し、1000Wでは、φ280
の場合の約2倍程度となることが判明した。
[考案の効果] 本考案によるECRプラズマ装置は、以上のよ
うに構成されているため、次のような効果を得る
ことができる。
すなわち、プラズマ生成室の中に、このプラズ
マ生成室の第1内径よりも小径の第2内径を有す
る小径プラズマ生成室が設けられているため、プ
ラズマ生成室は、この小径プラズマ生成室の第2
内径によつて形成され、試料のサイズによつてこ
の第2内径を適合させるように小径プラズマ生成
室の形状を選ぶことにより、その試料の大きさに
最適なプラズマ生成室を得ることができる。
同時に、その試料のサイズに合わせた最適な内
径の小径プラズマ生成室を得ることにより、その
試料の大きさに合わせた状態のプラズマ密度及び
分布を得ることができ、試料上に密度のほぼ均一
な成膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図から第3図は、本考案によるECRプラ
ズマ装置を示すためのもので、第1図は全体構成
を示す断面図、第2図は小径プラズマ生成室を示
す拡大断面図、第3図は第2図の底面図、第4図
はイオン化室径の大小による成膜速度とマイクロ
波パワーの関係を示す特性図、第5図は従来の
ECRプラズマ装置を示す断面図である。2は励
磁コイル、5はプラズマ生成室、D0は第1内径、
D1は第2内径、11は試料、16は試料室、2
0は小径プラズマ生成室である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) プラズマ生成室5内に導入したガスにマイク
    ロ波による高周波電界と前記プラズマ生成室5
    の周囲に配した励磁コイル2により形成される
    磁界とを作用させてプラズマを発生させると共
    に、前記プラズマを前記磁界により前記プラズ
    マ生成室5と連通した試料室16に導出するよ
    うにしたECRプラズマ装置において、 前記プラズマ生成室5内に設けられ前記プラ
    ズマ生成室5の第1内径D0よりも小径の第2
    内径D1を有する小径プラズマ生成室20を有
    し、この小径プラズマ生成室20により、前記
    プラズマ生成室5の第1内径D0を実質的に小
    さくするようにしたことを特徴とするECRプ
    ラズマ装置。 (2) 前記小径プラズマ生成室20は、前記プラズ
    マ生成室5に着脱自在に設けられていることを
    特徴とする請求項1記載のECRプラズマ装置。
JP13804089U 1989-11-30 1989-11-30 Expired - Lifetime JPH0521873Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13804089U JPH0521873Y2 (ja) 1989-11-30 1989-11-30

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13804089U JPH0521873Y2 (ja) 1989-11-30 1989-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0377434U JPH0377434U (ja) 1991-08-05
JPH0521873Y2 true JPH0521873Y2 (ja) 1993-06-04

Family

ID=31685170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13804089U Expired - Lifetime JPH0521873Y2 (ja) 1989-11-30 1989-11-30

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0521873Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0377434U (ja) 1991-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5851600A (en) Plasma process method and apparatus
US5824605A (en) Gas dispersion window for plasma apparatus and method of use thereof
JP2570090B2 (ja) ドライエッチング装置
US5609774A (en) Apparatus for microwave processing in a magnetic field
JP3254069B2 (ja) プラズマ装置
US5736818A (en) Resonant radiofrequency wave plasma generating apparatus with improved stage
JPH0521873Y2 (ja)
US4946537A (en) Plasma reactor
JP3940467B2 (ja) 反応性イオンエッチング装置及び方法
JPH01187824A (ja) プラズマ処理装置
JP3112610B2 (ja) プラズマ発生装置
JP2902009B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法
JP3685461B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH10106796A (ja) プラズマ処理装置
JP2515885B2 (ja) プラズマ処理装置
US6812151B1 (en) Method of etching
JP3546331B2 (ja) プラズマプロセス装置
JPH0732076B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置およびその処理方法
JP2001077085A (ja) 試料の表面処理方法
JPH01187919A (ja) プラズマ装置
JP2990838B2 (ja) ドライエッチング装置
JPH0732134B2 (ja) プラズマ装置
JP3244624B2 (ja) 線状体のコーティング装置
KR200240816Y1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JPS63236327A (ja) プラズマ処理装置