JPH0521541A - Bonding tool and bonding method using the same - Google Patents
Bonding tool and bonding method using the sameInfo
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- JPH0521541A JPH0521541A JP3172969A JP17296991A JPH0521541A JP H0521541 A JPH0521541 A JP H0521541A JP 3172969 A JP3172969 A JP 3172969A JP 17296991 A JP17296991 A JP 17296991A JP H0521541 A JPH0521541 A JP H0521541A
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Abstract
Description
［発明の目的］ [Object of the Invention]
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのバンプ
（電極部）とこのバンプに接合されるインナリード、ま
たは外部リードとインナリードに連設され外部リードに
接合されるアウタリードとを圧着するボンディングツー
ル及びこのボンディングツールを用いたボンディング方
法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention pressure-bonds a bump (electrode portion) of a semiconductor chip and an inner lead joined to the bump, or an outer lead and an outer lead connected to the inner lead and joined to the outer lead. The present invention relates to a bonding tool and a bonding method using this bonding tool.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体装置は高密度化，高集積化
が進み、半導体チップのバンプの数やアウタリードの本
数が増加し、さらにそれらのピッチも狭まってきてい
る。そしてこれらにともない上記インナリード、または
上記アウタリードの本数も増え、またリードピッチも大
変狭くなりインナリードどうしやアウタリードどうしの
間隔も近接してきている。この様に高密度化，高集積化
が進んだ状況のもと、半導体チップのバンプとインナリ
ード、または外部リードとアウタリードとの位置決め及
び接合状況などにおいては高精度化が要求されている。2. Description of the Related Art In recent years, the density and integration of semiconductor devices have advanced, and the number of bumps and the number of outer leads of a semiconductor chip have increased, and their pitch has also narrowed. Along with this, the number of the inner leads or the outer leads has increased, and the lead pitch has become very narrow, and the inner leads and the outer leads have come closer to each other. Under the circumstances of higher density and higher integration, higher precision is required for positioning and joining of bumps and inner leads of semiconductor chips or outer leads and outer leads.
【０００３】従来のインナリードボンディングでは、半
導体チップのバンプとインナリードとを位置決めした
後、図８に示したような圧着部の先端面が平坦状に形成
されているボンディングツール２３を利用して、インナ
リードを半導体チップのバンプに押圧し、超音波振動と
熱を併用して半導体チップのバンプにインナリードを圧
着していた。In the conventional inner lead bonding, after the bumps of the semiconductor chip and the inner leads are positioned, a bonding tool 23 is used as shown in FIG. The inner leads were pressed against the bumps of the semiconductor chip, and ultrasonic vibration and heat were used together to press the inner leads onto the bumps of the semiconductor chip.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
ボンディングツールを、インナリードボンディング装置
や、アウタリードボンディング装置に適用した場合、以
下に述べるような問題点が発生してくる。When the above-described conventional bonding tool is applied to an inner lead bonding apparatus or an outer lead bonding apparatus, the following problems will occur.
【０００５】圧着部の先端面が平坦状のボンディングツ
ールであると、ボンディングツールの圧着部先端面がイ
ンナリードやアウタリードの被接触部に接触する際や接
触後に押圧する際、または超音波振動を付加する際に、
インナリードやアウタリードを押圧保持することができ
ず、予め半導体チップのバンプと位置決めされていたイ
ンナリード、または外部リードと位置決めされていたア
ウタリードとが、半導体チップのバンプまたは外部リー
ドの外周形状に沿って位置ズレを起こしてしまうことが
しばしばあった。If the tip surface of the crimping portion is a flat bonding tool, when the tip surface of the crimping portion of the bonding tool comes into contact with the contacted portion of the inner lead or the outer lead, or when pressed after the contact, or ultrasonic vibration is generated. When adding
The inner lead or outer lead cannot be pressed and held, and the inner lead that was previously positioned with the bump of the semiconductor chip or the outer lead that was positioned with the outer lead follows the outer shape of the bump of the semiconductor chip or the outer lead. It often caused a position shift.
【０００６】上記したように、半導体チップのバンプと
インナリード、または外部リードとアウタリードが位置
ズレを起こしてしまい、接合強度が不十分であるなどの
接合不良が生じていた。
［発明の構成］As described above, the bumps of the semiconductor chip and the inner leads, or the outer leads and the outer leads are misaligned, resulting in insufficient joint strength. [Constitution of Invention]
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記したような技術的課
題を解決するために、本発明は、半導体チップのバンプ
とこのバンプに接合されるインナリード、または外部リ
ードと前記インナリードに連設され前記外部リードに接
合されるアウタリードを圧着するボンディングツールに
おいて、圧着部の先端面を凹凸形状に形成したことを特
徴とするボンディングツールを提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above technical problems, the present invention provides a bump of a semiconductor chip and an inner lead joined to the bump, or an external lead and the inner lead. A bonding tool for crimping an outer lead to be joined to the external lead, wherein the tip surface of the crimping portion is formed in an uneven shape.
【０００８】また、半導体チップのバンプとこのバンプ
に接合されるインナリード、または外部リードと前記イ
ンナリードに連設され前記外部リードに接合されるアウ
タリードを位置決めした後、ボンディングツールで圧着
するボンディング方法において、圧着部の先端面を凹凸
形状に形成したボンディングツールを利用して圧着する
ことを特徴とするボンディング方法を提供するものであ
る。Also, a bonding method in which bumps of a semiconductor chip and inner leads joined to the bumps or outer leads and outer leads connected to the inner leads and joined to the outer leads are positioned and then pressure-bonded by a bonding tool. In the above, there is provided a bonding method characterized in that the bonding is performed by using a bonding tool in which the tip end surface of the crimping portion is formed in an uneven shape.
【０００９】さらに、半導体チップのバンプとこのバン
プに接合されるインナリード、または外部リードと前記
インナリードに連設され前記外部リードに接合されるア
ウタリードを圧着するボンディングツールにおいて、圧
着部の先端面に前記インナリードまたは前記アウタリー
ドの１本または複数本収納保持する溝を形成したことを
特徴とするボンディングツールを提供するものである。Further, in a bonding tool for crimping a bump of a semiconductor chip and an inner lead joined to the bump, or an outer lead and an outer lead connected to the inner lead and joined to the outer lead, a tip surface of a crimping portion And a groove for accommodating and holding one or more of the inner lead or the outer lead is formed in the bonding tool.
【００１０】また、半導体チップのバンプとこのバンプ
に接合されるインナリード、または外部リードと前記イ
ンナリードに連設され前記外部リードに接合されるアウ
タリードを位置決めした後、ボンディングツールで圧着
するボンディング方法において、圧着部の先端面に前記
インナリードまたは前記アウタリードの１本または複数
本保持収納する溝を形成したボンディングツールを利用
して圧着することを特徴とするボンディング方法を提供
するものである。Further, a bonding method in which bumps of a semiconductor chip and inner leads joined to the bumps or outer leads and outer leads connected to the inner leads and joined to the outer leads are positioned and then pressure-bonded by a bonding tool. In the present invention, there is provided a bonding method, characterized in that the bonding is performed using a bonding tool having a groove for holding and accommodating one or a plurality of the inner leads or the outer leads formed on the tip surface of the crimping portion.
【００１１】[0011]
【作用】本発明は上記構成及び方法により、インナリー
ドやアウタリードを確実に押圧保持することが可能とな
るので、ボンディングツールの先端部がインナリード
や、アウタリードの被接触部に接触する際や接触した後
に押圧する際、または超音波振動を加える際などに生じ
ていた位置ズレなどを起こすことを防止することが可能
となる。According to the present invention, the inner lead and the outer lead can be surely pressed and held by the above-described structure and method. Therefore, when the tip of the bonding tool comes into contact with the inner lead or the contacted part of the outer lead, It is possible to prevent the occurrence of a positional deviation or the like that occurs when pressing after that, or when applying ultrasonic vibration.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明のボンディングツールをインナ
リードボンディング装置に適用させた第１の実施例を図
１乃至図３を参照しながら説明する。図１は、圧着部の
先端面を凹凸形状に形成したボンディングツールの一部
拡大図である。図２は、インナリードボンディング装置
の構成の概略図である。図３は、図２のインナリードボ
ンディング装置の要部拡大図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment in which the bonding tool of the present invention is applied to an inner lead bonding apparatus will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a partially enlarged view of a bonding tool in which a tip end surface of a crimping portion is formed in an uneven shape. FIG. 2 is a schematic diagram of the configuration of the inner lead bonding apparatus. FIG. 3 is an enlarged view of a main part of the inner lead bonding apparatus of FIG.
【００１３】半導体チップ４は、加熱部５上に位置決め
されて載置されている。半導体チップ４上の所定位置に
はバンプ３が形成されており、インナリード２との相互
間を位置決めされている。加熱部５の近傍位置には駆動
機構７が配置されており、この駆動機構７は制御部８の
信号を駆動部１０を介して受け、後述する超音波ホーン
６を駆動するように構成されている。駆動機構７の加熱
部５が位置する側には、超音波ホーン６が設けられてお
り、この超音波ホーン６の先端部は加熱部５の上方位置
に達するようになっている。超音波ホーン６は、制御部
８の信号を受けた超音波ホーン駆動部９により超音波振
動を発生させるように構成されている。制御部８は超音
波ホーン６の駆動量及び超音波振動を、駆動部１０及び
超音波ホーン駆動部９のそれぞれを介して制御可能な構
成となっている。超音波ホーン６の先端部の加熱部５側
には、例えばチタンカーバイトなどの材質で形成された
ボンディングツール１が設置されており、位置決めされ
た半導体チップ４のバンプ３とインナリード２とを押圧
して、超音波振動及び熱の併用により圧着する。ボンデ
ィングツール１の先端部は、図１に示したように、例え
ば四角柱形状の突起物１ａ…が複数個形成された凹凸形
状をしており、インナリード２を複数個の点で押圧保持
するようになっている。The semiconductor chip 4 is positioned and placed on the heating section 5. Bumps 3 are formed at predetermined positions on the semiconductor chip 4 and are positioned relative to the inner leads 2. A drive mechanism 7 is arranged in the vicinity of the heating unit 5, and the drive mechanism 7 is configured to receive a signal from the control unit 8 via the drive unit 10 and drive an ultrasonic horn 6 described later. There is. An ultrasonic horn 6 is provided on the side of the drive mechanism 7 where the heating section 5 is located, and the tip of the ultrasonic horn 6 reaches the position above the heating section 5. The ultrasonic horn 6 is configured to generate ultrasonic vibration by an ultrasonic horn driving unit 9 which receives a signal from the control unit 8. The control unit 8 is configured to control the drive amount and ultrasonic vibration of the ultrasonic horn 6 via the drive unit 10 and the ultrasonic horn drive unit 9, respectively. A bonding tool 1 formed of a material such as titanium carbide is installed on the heating portion 5 side of the tip of the ultrasonic horn 6, and the bumps 3 and the inner leads 2 of the positioned semiconductor chip 4 are attached. Press and press-bond using ultrasonic vibration and heat in combination. As shown in FIG. 1, the tip of the bonding tool 1 has an uneven shape in which, for example, a plurality of quadrangular prism-shaped protrusions 1a are formed, and the inner lead 2 is pressed and held at a plurality of points. It is like this.
【００１４】以下、上記構成の装置の動作の概要を説明
する。半導体チップ４は、加熱部５の所定位置に載置さ
れる。半導体チップ４が加熱部５上に載置されると、次
に半導体チップ４上に形成されたバンプ３とインナリー
ド２との相互間を位置決めする。バンプ３とインナリー
ド２とが位置決めされると、制御部８が駆動部１０へ信
号を発信し、信号を受けた駆動部１０は駆動機構７を駆
動させる。駆動機構７の駆動により、超音波ホーン６の
先端部に設置されたボンディングツール１は、バンプ３
と相互間を位置決めされているインナリード２上に接触
した後、所定の押圧で加圧する。ボンディングツール１
の先端部がインナリード２上に接触して押圧すると、次
に制御部８より超音波ホーン駆動部６へ信号が伝わり、
超音波ホーン６が超音波振動を発振してボンディングツ
ール１を振動させ、バンプ３とインナリード２とを圧着
する。この時、超音波振動の付加と平行して半導体チッ
プ４及びバンプ３は、加熱部５により加熱されている。
インナリード２は超音波振動を受けることによりぶれを
生ずるが、複数個の点で押圧保持されているためにこの
ぶれを抑制するので、超音波振動の付加による位置ズレ
を押さえることが可能である。また、ボンディングツー
ル１の複数個の点で押圧保持されているインナリード２
には、超音波振動が効率よく確実に伝わるので接合強度
の高いボンディングを得ることが可能である。The outline of the operation of the apparatus having the above configuration will be described below. The semiconductor chip 4 is placed at a predetermined position on the heating unit 5. When the semiconductor chip 4 is placed on the heating section 5, the bumps 3 and the inner leads 2 formed on the semiconductor chip 4 are positioned next to each other. When the bumps 3 and the inner leads 2 are positioned, the control unit 8 sends a signal to the drive unit 10, and the drive unit 10 receiving the signal drives the drive mechanism 7. The bonding tool 1 installed at the tip of the ultrasonic horn 6 is driven by the drive mechanism 7 to move the bump 3
After being brought into contact with the inner lead 2 which is positioned between them and each other, a predetermined pressure is applied. Bonding tool 1
When the tip portion of the contacting portion contacts the inner lead 2 and presses it, a signal is transmitted from the control portion 8 to the ultrasonic horn driving portion 6 next.
The ultrasonic horn 6 oscillates ultrasonic vibration to vibrate the bonding tool 1 and press-bond the bump 3 and the inner lead 2. At this time, the semiconductor chip 4 and the bumps 3 are heated by the heating unit 5 in parallel with the application of ultrasonic vibration.
Although the inner lead 2 is shaken by receiving ultrasonic vibration, since it is pressed and held at a plurality of points to suppress this shake, it is possible to suppress the positional deviation due to the addition of ultrasonic vibration. . In addition, the inner leads 2 that are pressed and held by the bonding tool 1 at a plurality of points.
In addition, since ultrasonic vibration is efficiently and reliably transmitted, it is possible to obtain bonding with high bonding strength.
【００１５】図３には、ボンディングツール１の圧着部
先端面の一辺が、インナリード２の幅より広い場合につ
いて示してある。このように、ボンディングツール１の
圧着部先端面の一辺がインナリード２の幅より広く形成
されていると、複数個の点でインナリード２を押圧保持
すると共に、インナリード２に超音波振動を加えて圧着
する際に生じる横方向へのぶれを、２つの突起物１ｂの
間に形成された溝で確実に抑えて位置ズレを防止するこ
とも可能となる。FIG. 3 shows a case where one side of the end surface of the crimping portion of the bonding tool 1 is wider than the width of the inner lead 2. In this way, if one side of the tip surface of the crimping portion of the bonding tool 1 is formed wider than the width of the inner lead 2, the inner lead 2 is pressed and held at a plurality of points and ultrasonic vibration is applied to the inner lead 2. In addition, it is possible to prevent lateral displacement caused by the pressure bonding by the groove formed between the two protrusions 1b to prevent the positional displacement.
【００１６】本発明の第２の実施例として、インナリー
ドに連設されたアウタリードと外部リード（例えばリー
ドフレーム）を圧着するアウタリードボンディング装置
に、本発明のボンディングツールを適用した装置を図４
を参照しながら説明する。図４はアウタリードと外部リ
ードを圧着する装置の要部拡大図である。加熱部１３上
の所定の位置には、外部リード１２が載置されている。
その外部リード１２上にアウタリード１１を位置決めし
て載置する。その後、ボンディングツール１が駆動装置
（図示しない）により下降し、ボンディングツール１の
圧着部先端面がアウタリード１１の被接触部に接触し、
アウタリード１１に所定の押圧で加圧する。次に、超音
波ホーン駆動部（図示しない）により、先端にボンディ
ングツール１を備えた超音波ホーン（図示しない）に超
音波を発振させ、ボンディングツール１を超音波振動さ
せる。このボンディングツール１の超音波振動によりア
ウタリード１１を外部リード１２上に圧着する。この時
外部リード１２は加熱部１３により加熱されている。As a second embodiment of the present invention, an apparatus in which the bonding tool of the present invention is applied to an outer lead bonding apparatus for crimping an outer lead and an outer lead (for example, a lead frame) connected to an inner lead is shown in FIG.
Will be described with reference to. FIG. 4 is an enlarged view of a main part of a device for crimping the outer lead and the outer lead. The external lead 12 is placed at a predetermined position on the heating unit 13.
The outer lead 11 is positioned and placed on the outer lead 12. Thereafter, the bonding tool 1 is lowered by a driving device (not shown), the tip surface of the pressure bonding portion of the bonding tool 1 contacts the contacted portion of the outer lead 11,
The outer lead 11 is pressed with a predetermined pressure. Next, an ultrasonic horn driving unit (not shown) oscillates ultrasonic waves to an ultrasonic horn (not shown) provided with the bonding tool 1 at the tip, and ultrasonically vibrates the bonding tool 1. The outer lead 11 is pressure-bonded onto the outer lead 12 by the ultrasonic vibration of the bonding tool 1. At this time, the external lead 12 is heated by the heating unit 13.
【００１７】上記した第１及び第２の実施例（図３及び
図４）では、ボンディングツール１のインナリード２、
あるいはアウタリード１１と接触する圧着部先端面の一
辺がそれぞれのインナリード２やアウタリード１１の幅
より広い場合について説明しているが、これに限ったも
のではなく、インナリード２やアウタリード１１の幅と
同等，あるいは同等以下のものでも可能である。また、
逆に複数本のリードを一括して圧着できるように幅の広
い構成にすることも可能である。In the above-described first and second embodiments (FIGS. 3 and 4), the inner lead 2 of the bonding tool 1,
Alternatively, the case where one side of the tip surface of the crimping portion that comes into contact with the outer lead 11 is wider than the width of the inner lead 2 or the outer lead 11 has been described, but the present invention is not limited to this, and the width of the inner lead 2 or the outer lead 11 may be different. Equivalent or less than equivalent is possible. Also,
On the contrary, it is also possible to adopt a wide structure so that a plurality of leads can be collectively crimped.
【００１８】さらに、図１，図３及び図４中では四角錐
形のボンディングツールの先端部に四角柱形状の突起物
を形成したものを示しているが、この形状に限ったもの
ではなく、突起物の形状は任意である。また、上記第２
の実施例ではリードフレームを外部リードの例としてあ
げているが、他には配線基板の配線パターンなどでも実
施可能である。Further, in FIGS. 1, 3 and 4, a quadrangular pyramid-shaped bonding tool having a quadrangular prism-shaped projection formed at the tip thereof is shown, but the shape is not limited to this. The shape of the protrusion is arbitrary. In addition, the second
In the above embodiment, the lead frame is used as an example of the external lead, but it is also possible to use a wiring pattern of a wiring board or the like.
【００１９】次に、本発明第３の実施例を図５及び図６
を参照しながら説明する。図５は、ボンディングの圧着
部の先端面に、インナリードやアウタリード等の幅より
広い溝を形成したボンディングツールの一部拡大図であ
る。また図６は、溝を形成したボンディングツールをイ
ンナリードボンディング装置に適用したときの一部拡大
図である。インナリードボンディング装置の構成及び動
作は、上記第１の実施例と同一であるため、同一構成の
ものには同一符号を付して説明は省略する。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
Will be described with reference to. FIG. 5 is a partially enlarged view of the bonding tool in which a groove wider than the width of the inner lead, the outer lead, or the like is formed on the tip surface of the bonding crimping portion. Further, FIG. 6 is a partially enlarged view of a bonding tool having a groove applied to an inner lead bonding apparatus. Since the structure and operation of the inner lead bonding apparatus are the same as those of the first embodiment, those having the same structure are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【００２０】ボンディングツール２１の圧着部先端面に
は、図５に示すように、圧着するインナリード（図示し
ない）の幅より広い溝２１ａが互いに交差するように形
成されている。半導体チップ４は、バンプ（電極部）３
を上方に向けて加熱部５上の所定の位置に載置されてお
り、所定のバンプ３上にはインナリード２が位置決めさ
れて載置されている。ボンディングツール２１は、駆動
機構７の駆動により下降してくる。下降してきたボンデ
ィングツール２１は、図６に示したように溝２１ａでイ
ンナリード２を保持する。この様にインナリード２を溝
２１ａで保持するようにすると、ボンディングツール２
１ａがインナリード２に接触する際や押圧する際に生じ
る位置ズレを防止することが可能となる。溝２１ａがイ
ンナリード２を保持すると、超音波ホーン駆動部９によ
り超音波ホーン６が超音波振動を発振し、ボンディング
ツール２１ａを超音波振動させる。インナリード２は、
超音波振動の付加により横方向のぶれを生じるが、溝２
１ａに保持されているため位置ズレを起こさず、所定の
位置に圧着される。As shown in FIG. 5, grooves 21a wider than the inner leads (not shown) to be crimped are formed on the tip surface of the crimping portion of the bonding tool 21 so as to intersect with each other. The semiconductor chip 4 has bumps (electrode portions) 3
Is placed at a predetermined position on the heating unit 5 with the upper side facing upward, and the inner lead 2 is positioned and placed on a predetermined bump 3. The bonding tool 21 moves down by the drive of the drive mechanism 7. The bonding tool 21 that has descended holds the inner lead 2 in the groove 21a as shown in FIG. When the inner lead 2 is held in the groove 21a in this manner, the bonding tool 2
It is possible to prevent the positional deviation that occurs when the 1a contacts the inner lead 2 or presses it. When the groove 21a holds the inner lead 2, the ultrasonic horn 6 is oscillated by the ultrasonic horn 6 by the ultrasonic horn drive unit 9. Inner lead 2
Horizontal vibration occurs due to the addition of ultrasonic vibration, but the groove 2
Since it is held by 1a, it is pressure-bonded to a predetermined position without causing a positional deviation.
【００２１】上記した第３の実施例では、半導体チップ
のバンプにインナリードを圧着するインナリードボンデ
ィング装置に適用したものについて説明しているが、上
記第２の実施例のように、アウタリードと外部リードを
圧着する装置に適用して実施することも可能である。In the above-mentioned third embodiment, the one applied to the inner lead bonding apparatus for crimping the inner leads to the bumps of the semiconductor chip is explained. However, as in the second embodiment, the outer leads and the outside are connected. It is also possible to apply it to a device for crimping leads.
【００２２】また、第４の実施例として、図７に示した
ように円弧状の溝２２ａを形成したボンディングツール
２２について説明する。ボンディングツール２２の圧着
部先端面は、互いに交差するように円弧状の溝２２ａが
形成されている。この様に、溝の側面が曲面形状である
と、半導体チップのバンプとインナリード、または外部
リードとアウタリードを相対位置決めした際に生じてい
る位置ズレ、またはインナリードや外部リードの加工時
におけるリードの曲りなどが、溝２２ａの内側に収まる
程度のわずかなズレであれば、ボンディングツール２２
の上下動作により強制的に位置修正して適正な位置に修
正復帰させ、さらに超音波振動の付加によるぶれを抑え
ながら適正な位置に圧着することが可能である。As a fourth embodiment, a bonding tool 22 having an arcuate groove 22a as shown in FIG. 7 will be described. Arc-shaped grooves 22a are formed on the tip end surface of the bonding tool 22 so as to intersect each other. In this way, if the side surface of the groove is a curved shape, the positional deviation that occurs when the bumps and the inner leads of the semiconductor chip or the outer leads and the outer leads are relatively positioned, or the leads when processing the inner leads and the outer leads If there is a slight misalignment such that the bend is within the groove 22a, the bonding tool 22
It is possible to forcibly correct the position by the vertical movement of and return to the correct position for correction, and to perform crimping at an appropriate position while suppressing the shake due to the addition of ultrasonic vibration.
【００２３】上記第４の実施例では、ボンディングツー
ルの圧着部先端面に互いに交差するように円弧状の溝を
形成しているが、円弧状に限ったものではなく、テーパ
形状などの溝の側面が斜面形状をして開孔部側が広く形
成されている溝であれば、上記した円弧状の溝を形成し
たボンディングツールと同様の効果を得ることが可能で
ある。In the fourth embodiment, arcuate grooves are formed so as to intersect with each other on the tip surface of the crimping portion of the bonding tool. However, the invention is not limited to arcuate grooves, and grooves of tapered shape or the like may be used. If the side surface is a groove and the opening side is wide, it is possible to obtain the same effect as that of the bonding tool in which the arc-shaped groove is formed.
【００２４】上記第３及び第４の実施例では、溝を互い
に交差するように形成したボンディングツールについて
説明しているが、この形状に限ったものではなく、例え
ばどちらか一方向のみに限定されている場合は、その方
向のみに溝を形成したボンディングツールを利用するこ
とは可能である。Although the third and fourth embodiments describe the bonding tool in which the grooves are formed so as to intersect with each other, the present invention is not limited to this shape and is limited to, for example, either one direction. In this case, it is possible to use a bonding tool having a groove formed only in that direction.
【００２５】また、上記第３及び第４の実施例において
は、ボンディングツールを回転させることのできる装置
の場合であれば、載置されたリードの方向に合わせてボ
ンディングツールを回転させれば良いので、どちらか一
方向にのみ溝の形成されているボンディングツールを利
用することで対応することは可能である。上記第１及び
第２の実施例においても、ボンディングツールを回転さ
せることのできる装置に適用させることは可能である。Further, in the third and fourth embodiments, in the case of a device capable of rotating the bonding tool, the bonding tool may be rotated in accordance with the direction of the mounted leads. Therefore, it is possible to deal with it by using a bonding tool in which a groove is formed only in one of the directions. The first and second embodiments can also be applied to a device that can rotate the bonding tool.
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明のボンディングツール、及びこれ
を用いたボンディング方法を実施することにより、半導
体チップのバンプとこのバンプに接合されるインナリー
ド、あるいは外部リードとインナリードに連設され外部
リードに接合されるアウタリードを位置決めした後、ボ
ンディングツールが下降して接触する際や押圧する際、
また超音波振動を付加する際に生じる位置ズレを防止し
て、適正な位置に確実に圧着することが可能であり、信
頼性が高いボンディングが可能となった。By carrying out the bonding tool of the present invention and the bonding method using the same, the bump of the semiconductor chip and the inner lead bonded to the bump, or the external lead and the external lead connected to the inner lead are connected. After positioning the outer lead to be joined to the bonding tool, when the bonding tool descends and contacts or presses,
In addition, it is possible to prevent positional displacement that occurs when applying ultrasonic vibration, and to reliably perform crimping at an appropriate position, which enables highly reliable bonding.
【図１】本発明のボンディングツールの先端部拡大図FIG. 1 is an enlarged view of a tip portion of a bonding tool of the present invention.
【図２】本発明のボンディングツールを適用した第１の
実施例を示す図FIG. 2 is a diagram showing a first embodiment to which a bonding tool of the present invention is applied.
【図３】第１の実施例の先端部拡大図FIG. 3 is an enlarged view of the tip of the first embodiment.
【図４】本発明のボンディングツールを適用した第２の
実施例を示す図FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment to which the bonding tool of the present invention is applied.
【図５】本発明第２のボンディングツールの先端部拡大
図FIG. 5 is an enlarged view of the tip of the second bonding tool of the present invention.
【図６】第２のボンディングツールを適用した第３の実
施例を示す図FIG. 6 is a diagram showing a third embodiment to which a second bonding tool is applied.
【図７】本発明第３のボンディングツールの先端部拡大
図FIG. 7 is an enlarged view of the tip of the third bonding tool of the present invention.
【図８】従来のボンディングツールの先端部拡大図FIG. 8 is an enlarged view of the tip of a conventional bonding tool.
１，２１，２２，２３ ボンディングツール １ａ 突起物 ２ インナリード ４ 半導体チップ １１ アウタリード １２ 外部リード ２１ａ 溝 1,2,22,23 Bonding tool 1a protrusion 2 inner lead 4 semiconductor chips 11 outer lead 12 External lead 21a groove
Claims (4)
されるインナリード、または外部リードと前記インナリ
ードに連設され前記外部リードに接合されるアウタリー
ドを圧着するボンディングツールにおいて、圧着部の先
端面を凹凸形状に形成したことを特徴とするボンディン
グツール。1. A bonding tool for crimping a bump of a semiconductor chip and an inner lead joined to the bump, or an outer lead and an outer lead connected to the inner lead and joined to the outer lead. The bonding tool is characterized in that it is formed in an uneven shape.
されるインナリード、または外部リードと前記インナリ
ードに連設され前記外部リードに接合されるアウタリー
ドを位置決めした後、ボンディングツールで圧着するボ
ンディング方法において、圧着部の先端面を凹凸形状に
形成したボンディングツールを利用して圧着することを
特徴とするボンディング方法。2. A bonding method in which a bump of a semiconductor chip and an inner lead bonded to the bump, or an outer lead and an outer lead connected to the inner lead and bonded to the outer lead are positioned and then pressure-bonded by a bonding tool. 2. A bonding method, wherein the bonding is performed by using a bonding tool in which the tip surface of the crimping portion is formed in an uneven shape.
されるインナリード、または外部リードと前記インナリ
ードに連設され前記外部リードに接合されるアウタリー
ドを圧着するボンディングツールにおいて、圧着部の先
端面に前記インナリードまたは前記アウタリードの１本
または複数本収納保持する溝を形成したことを特徴とす
るボンディングツール。3. A bonding tool for crimping a bump of a semiconductor chip and an inner lead joined to the bump, or an outer lead and an outer lead connected to the inner lead and joined to the outer lead. A bonding tool, wherein a groove for accommodating and holding one or a plurality of the inner leads or the outer leads is formed in the bonding tool.
されるインナリード、または外部リードと前記インナリ
ードに連設され前記外部リードに接合されるアウタリー
ドを位置決めした後、ボンディングツールで圧着するボ
ンディング方法において、圧着部の先端面に前記インナ
リードまたは前記アウタリードの１本または複数本収納
保持する溝を形成したボンディングツールを利用して圧
着することを特徴とするボンディング方法。4. A bonding method in which bumps of a semiconductor chip and inner leads joined to the bumps or outer leads and outer leads connected to the inner leads and joined to the outer leads are positioned and then pressure-bonded with a bonding tool. In the bonding method, the bonding is performed by using a bonding tool in which a groove for accommodating and holding one or a plurality of the inner leads or the outer leads is formed on the tip surface of the pressure bonding portion.
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