JPH0521400A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0521400A JPH0521400A JP3168391A JP16839191A JPH0521400A JP H0521400 A JPH0521400 A JP H0521400A JP 3168391 A JP3168391 A JP 3168391A JP 16839191 A JP16839191 A JP 16839191A JP H0521400 A JPH0521400 A JP H0521400A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は半導体装置の製造工程におけるアルミ
ニウム又はアルミニウム合金のエッチング方法に関し、
ゴミの発生がなく、SiO2やレジストとの選択比が高く、
更に高精度にアルミニウムやアルミニウム合金をパター
ニングすることを可能とする半導体装置の製造方法の提
供を目的とする。 【構成】塩素系ガスと臭素系ガスを混合したガスにより
アルミニウム又はアルミニウム合金をエッチングするこ
とを特徴とし、その混合ガスは、例えば、Cl2, BCl3 ,
HBr 混合ガス、Cl2,BCl3,BBr3混合ガス、あるいは、C
l2,BBr3混合ガス、または BCl3, HBr 混合ガスである。
また、HBr,BBr3混合ガスによりアルミニウム又はアルミ
ニウム合金をエッチングすることを特徴とする。
ニウム又はアルミニウム合金のエッチング方法に関し、
ゴミの発生がなく、SiO2やレジストとの選択比が高く、
更に高精度にアルミニウムやアルミニウム合金をパター
ニングすることを可能とする半導体装置の製造方法の提
供を目的とする。 【構成】塩素系ガスと臭素系ガスを混合したガスにより
アルミニウム又はアルミニウム合金をエッチングするこ
とを特徴とし、その混合ガスは、例えば、Cl2, BCl3 ,
HBr 混合ガス、Cl2,BCl3,BBr3混合ガス、あるいは、C
l2,BBr3混合ガス、または BCl3, HBr 混合ガスである。
また、HBr,BBr3混合ガスによりアルミニウム又はアルミ
ニウム合金をエッチングすることを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に半導体装置の製造工程におけるアルミニウム
又はアルミニウム合金のエッチング方法に関するもので
ある。
関し、特に半導体装置の製造工程におけるアルミニウム
又はアルミニウム合金のエッチング方法に関するもので
ある。
【0002】近年、半導体装置の高密度化,高集積化に
伴い、アルミニウムを精度良くエッチングして高微細配
線パターンを形成することが要求されている。そのた
め、等方性ウエットエッチングの他に、高微細化パター
ン形成に有利な異方性ドライエッチングの研究・開発が
盛んに行われている。
伴い、アルミニウムを精度良くエッチングして高微細配
線パターンを形成することが要求されている。そのた
め、等方性ウエットエッチングの他に、高微細化パター
ン形成に有利な異方性ドライエッチングの研究・開発が
盛んに行われている。
【0003】
【従来の技術】従来のアルミニウム、アルミニウム合金
を異方性エッチングする方法として、Cl2 系のガスを用
い、高周波(RF)プラズマによってエッチングするこ
とが知られている。
を異方性エッチングする方法として、Cl2 系のガスを用
い、高周波(RF)プラズマによってエッチングするこ
とが知られている。
【0004】例えば、塩素系のガスとして、Cl2 ガス、
B Cl3 ガス又はCl2 とB Cl3 の混合ガス等である。しか
し、かかるCl2 系のガスを用いると、表面を被覆してい
るアルミニウム酸化物を除去した後のアルミニウム、ア
ルミニウム合金は室温でもエッチングされるので、サイ
ドエッチングが進行しやすい。このため、アルミニウム
パターンのエッチング精度が著しく低下する問題があ
る。
B Cl3 ガス又はCl2 とB Cl3 の混合ガス等である。しか
し、かかるCl2 系のガスを用いると、表面を被覆してい
るアルミニウム酸化物を除去した後のアルミニウム、ア
ルミニウム合金は室温でもエッチングされるので、サイ
ドエッチングが進行しやすい。このため、アルミニウム
パターンのエッチング精度が著しく低下する問題があ
る。
【0005】そこで、アルミニウム、又はアルミニウム
合金のエッチング中に該エッチング表面を保護する膜が
形成されるようなガスを用いることにより、サイドエッ
チングを防止している。このようなガスとしては、Cl
2 ,B Cl3 ,SiCl4 の混合ガス、あるいはCl2 ,B C
l3 ,CHCl3 の混合ガスがある。この方法によれば、保
護膜によってアルミニウムやアルミニウム合金の側壁が
保護されるので、サイドエッチングが防止されて高精度
のパターンが得られる。
合金のエッチング中に該エッチング表面を保護する膜が
形成されるようなガスを用いることにより、サイドエッ
チングを防止している。このようなガスとしては、Cl
2 ,B Cl3 ,SiCl4 の混合ガス、あるいはCl2 ,B C
l3 ,CHCl3 の混合ガスがある。この方法によれば、保
護膜によってアルミニウムやアルミニウム合金の側壁が
保護されるので、サイドエッチングが防止されて高精度
のパターンが得られる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかるガスを
用いたエッチング方法によれば、エッチング中にゴミが
発生し、該ゴミによって正常なパターニングが妨げられ
るという問題がある。
用いたエッチング方法によれば、エッチング中にゴミが
発生し、該ゴミによって正常なパターニングが妨げられ
るという問題がある。
【0007】また、一般にアルミニウムやアルミニウム
合金と、その下地となるSiO2やエッチングマスクとなる
レジストとの選択比が大きい(エッチング速度の差が大
きい)ことが要求されている。
合金と、その下地となるSiO2やエッチングマスクとなる
レジストとの選択比が大きい(エッチング速度の差が大
きい)ことが要求されている。
【0008】本発明はかかる従来の問題に鑑みて創作さ
れたものであり、ゴミの発生がなく、SiO2やレジストと
の選択比が高く、更に高精度にアルミニウムやアルミニ
ウム合金をパターニングすることを可能とする半導体装
置の製造方法の提供を目的とする。
れたものであり、ゴミの発生がなく、SiO2やレジストと
の選択比が高く、更に高精度にアルミニウムやアルミニ
ウム合金をパターニングすることを可能とする半導体装
置の製造方法の提供を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、塩素系ガスと臭素系ガスを混合したガス
によりアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチング
することを特徴とする。
の製造方法は、塩素系ガスと臭素系ガスを混合したガス
によりアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチング
することを特徴とする。
【0010】例えば、Cl2, BCl3 , HBr の混合ガスでも
よいし、Cl2,BCl3, BBr3の混合ガスでもよい。また、Cl
2,BBr3の混合ガス、又は BCl3,HBr 混合ガスを用いても
よい。
よいし、Cl2,BCl3, BBr3の混合ガスでもよい。また、Cl
2,BBr3の混合ガス、又は BCl3,HBr 混合ガスを用いても
よい。
【0011】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、HBr,BBr3の混合ガスによりアルミニウム又はアルミ
ニウム合金をエッチングすることを特徴とする。
は、HBr,BBr3の混合ガスによりアルミニウム又はアルミ
ニウム合金をエッチングすることを特徴とする。
【0012】
【作 用】本願の発明者は、アルミニウムやアルミニウ
ムの合金に対して、種々のガスを用いて実験および検討
をした結果、次のような組み合わせのガスの場合に最も
良い結果を得ることを認識した。
ムの合金に対して、種々のガスを用いて実験および検討
をした結果、次のような組み合わせのガスの場合に最も
良い結果を得ることを認識した。
【0013】
Cl2 ,BCl3 , HBrの混合ガス
Cl2 ,BCl3 , BBr3 の混合ガス
Cl2 ,BBr3の混合ガス
BCl3,HBr の混合ガス
BBr3, HBr混合ガスの場合である。
【0014】エッチング装置は、13.56 MHzのカソー
ド結合型プラズマエッチング装置を用いている。これら
の混合ガスを用いてアルミニウムやアルミニウムの合金
をエッチングした結果、エッチング中のゴミの発生が
非常に少ない。
ド結合型プラズマエッチング装置を用いている。これら
の混合ガスを用いてアルミニウムやアルミニウムの合金
をエッチングした結果、エッチング中のゴミの発生が
非常に少ない。
【0015】(従来法によればSiCl4 やCHCl3等、保護
膜形成用のガスを用いているので、ゴミの発生を伴
う。)ライン/スペースの精度が向上し、高微細パタ
ーンの形成が可能になる。
膜形成用のガスを用いているので、ゴミの発生を伴
う。)ライン/スペースの精度が向上し、高微細パタ
ーンの形成が可能になる。
【0016】下地のSiO2およびマスクのレジストと、
アルミニウム,アルミニウム合金との選択比が高い。
アルミニウム,アルミニウム合金との選択比が高い。
【0017】
【実施例】次に、本発明の実施例を説明する。
(1)本発明の第1の実施例
ーエッチング試料の作製ー
Si基板(ウエハ)上にSiO2膜を形成し、該SiO2膜の上に
被エッチング膜として1%のSiを含有する膜厚1μmの
Al膜を形成する。
被エッチング膜として1%のSiを含有する膜厚1μmの
Al膜を形成する。
【0018】その後、該Al膜の上にレジスト膜を形成
し、該レジスト膜に何種類かのライン/スペースの幅の
パターンを形成した。すなわち、ライン/スペース幅が
0.2 μmから0.1 μm毎に増加するパターンを形成して
試料を作製した。 ーエッチングー 次に、該ウエハをプラズマイオンエッチング装置内に入
れた後、次のような条件でプラズマエッチングを行っ
た。
し、該レジスト膜に何種類かのライン/スペースの幅の
パターンを形成した。すなわち、ライン/スペース幅が
0.2 μmから0.1 μm毎に増加するパターンを形成して
試料を作製した。 ーエッチングー 次に、該ウエハをプラズマイオンエッチング装置内に入
れた後、次のような条件でプラズマエッチングを行っ
た。
【0019】すなわち、Cl2 ガス75SCCM、BCl3ガス7
5SCCMおよびHBr ガス75SCCMを混合したガスをカソー
ド結合型プラズマイオンエッチング装置内に導入し、装
置内のガス圧力を0.11 Torr 、13.56 MHz のRF電力を
250W(直流バイアス350V)、ウエハ基板温度2
0℃に設定してエッチングを行った。 ーエッチング結果ー Al膜のエッチング速度は2.2 μm/min.であり、選択比
についてはレジスト膜に対して10、SiO2膜に対しては
40の良好な結果が得られた。
5SCCMおよびHBr ガス75SCCMを混合したガスをカソー
ド結合型プラズマイオンエッチング装置内に導入し、装
置内のガス圧力を0.11 Torr 、13.56 MHz のRF電力を
250W(直流バイアス350V)、ウエハ基板温度2
0℃に設定してエッチングを行った。 ーエッチング結果ー Al膜のエッチング速度は2.2 μm/min.であり、選択比
についてはレジスト膜に対して10、SiO2膜に対しては
40の良好な結果が得られた。
【0020】また、レジスト膜のライン/スペースの幅
が0.5 μmまでは、Al膜の適正なエッチングパターンが
得られた。また、エッチング中にゴミの発生は認められ
なかった。これにより、常に安定したエッチングを行う
ことができる。
が0.5 μmまでは、Al膜の適正なエッチングパターンが
得られた。また、エッチング中にゴミの発生は認められ
なかった。これにより、常に安定したエッチングを行う
ことができる。
【0021】(2)本発明の第2の実施例
ーエッチング試料の作製およびエッチングー
第2の実施例のエッチング条件は、プラズマエッチング
装置内のガス圧力0.11Torr 、13.56 MHz のRF電力2
50W(直流バイアス350V)、基板温度20℃であ
り、第1の実施例と同じである。また、被エッチング試
料も第1の実施例と同様である。
装置内のガス圧力0.11Torr 、13.56 MHz のRF電力2
50W(直流バイアス350V)、基板温度20℃であ
り、第1の実施例と同じである。また、被エッチング試
料も第1の実施例と同様である。
【0022】第2の実施例のエッチング条件が第1の実
施例と異なる点は、エッチングガスである。すなわち、
第2の実施例では、エッチングガスとして、Cl2 ガス7
5SCCM、BCl3ガス75SCCMおよびBBr3ガス25SCCMを混
合したガスを用いる。 ーエッチング結果ー 実施例1と同様な結果が得られた。
施例と異なる点は、エッチングガスである。すなわち、
第2の実施例では、エッチングガスとして、Cl2 ガス7
5SCCM、BCl3ガス75SCCMおよびBBr3ガス25SCCMを混
合したガスを用いる。 ーエッチング結果ー 実施例1と同様な結果が得られた。
【0023】すなわち、Al膜のエッチング速度は2.2 μ
m/min.であり、選択比についてはレジスト膜に対して
10、SiO2膜に対しては40の良好な結果が得られた。
また、レジスト膜のライン/スペースの幅が0.5 μmま
では、Al膜の適正なエッチングパターンが得られた。
m/min.であり、選択比についてはレジスト膜に対して
10、SiO2膜に対しては40の良好な結果が得られた。
また、レジスト膜のライン/スペースの幅が0.5 μmま
では、Al膜の適正なエッチングパターンが得られた。
【0024】また、エッチング中にゴミの発生は認めら
れなかった。これにより、常に安定したエッチングを行
うことができる。 (3)本発明の第3の実施例 ーエッチング試料の作製およびエッチングー 第3の実施例のエッチング条件は、プラズマエッチング
装置内のガス圧力0.11Torr 、13.56 MHz のRF電力2
50W(直流バイアス350V)、基板温度20℃であ
り、第1の実施例と同じである。また、被エッチング試
料も第1の実施例と同様である。
れなかった。これにより、常に安定したエッチングを行
うことができる。 (3)本発明の第3の実施例 ーエッチング試料の作製およびエッチングー 第3の実施例のエッチング条件は、プラズマエッチング
装置内のガス圧力0.11Torr 、13.56 MHz のRF電力2
50W(直流バイアス350V)、基板温度20℃であ
り、第1の実施例と同じである。また、被エッチング試
料も第1の実施例と同様である。
【0025】第3の実施例のエッチング条件が第1の実
施例と異なる点は、エッチングガスである。すなわち、
第3の実施例では、エッチングガスとして、Cl2 ガス7
5SCCM、BBr3ガス25SCCMを混合したガスを用いる。 ーエッチング結果ー 次のような結果が得られる。
施例と異なる点は、エッチングガスである。すなわち、
第3の実施例では、エッチングガスとして、Cl2 ガス7
5SCCM、BBr3ガス25SCCMを混合したガスを用いる。 ーエッチング結果ー 次のような結果が得られる。
【0026】すなわち、Al膜のエッチング速度は2.7 μ
m/min.であり、選択比についてはレジスト膜に対して
15、SiO2膜に対しては100の良好な結果が得られ
た。また、レジスト膜のライン/スペースの幅が0.5 μ
mまでは、Al膜の適正なエッチングパターンが得られ
た。
m/min.であり、選択比についてはレジスト膜に対して
15、SiO2膜に対しては100の良好な結果が得られ
た。また、レジスト膜のライン/スペースの幅が0.5 μ
mまでは、Al膜の適正なエッチングパターンが得られ
た。
【0027】また、エッチング中にゴミの発生は認めら
れなかった。これにより、常に安定したエッチングを行
うことができる。 (4)本発明の第4の実施例 ーエッチング試料の作製およびエッチングー 第4の実施例のエッチング条件は、プラズマエッチング
装置内のガス圧力0.11Torr 、13.56 MHz のRF電力2
50W(直流バイアス350V)、基板温度20℃であ
り、第1の実施例と同じである。また、被エッチング試
料も第1の実施例と同様である。
れなかった。これにより、常に安定したエッチングを行
うことができる。 (4)本発明の第4の実施例 ーエッチング試料の作製およびエッチングー 第4の実施例のエッチング条件は、プラズマエッチング
装置内のガス圧力0.11Torr 、13.56 MHz のRF電力2
50W(直流バイアス350V)、基板温度20℃であ
り、第1の実施例と同じである。また、被エッチング試
料も第1の実施例と同様である。
【0028】第4の実施例のエッチング条件が第1の実
施例と異なる点は、エッチングガスである。すなわち、
第4の実施例では、エッチングガスとして、HBr ガス7
5SCCM、 BCl3 ガス75SCCMを混合したガスを用いる。 ーエッチング結果ー 次のような結果が得られる。
施例と異なる点は、エッチングガスである。すなわち、
第4の実施例では、エッチングガスとして、HBr ガス7
5SCCM、 BCl3 ガス75SCCMを混合したガスを用いる。 ーエッチング結果ー 次のような結果が得られる。
【0029】すなわち、Al膜のエッチング速度は0.88μ
m/min.であり、選択比についてはレジスト膜に対して
6.3 、SiO2膜に対しては18.6の良好な結果が得られた。
また、レジスト膜のライン/スペースの幅が0.5 μmま
では、Al膜の適正なエッチングパターンが得られた。
m/min.であり、選択比についてはレジスト膜に対して
6.3 、SiO2膜に対しては18.6の良好な結果が得られた。
また、レジスト膜のライン/スペースの幅が0.5 μmま
では、Al膜の適正なエッチングパターンが得られた。
【0030】また、エッチング中にゴミの発生は認めら
れなかった。これにより、常に安定したエッチングを行
うことができる。 (5)本発明の第5の実施例 ーエッチング試料の作製およびエッチングー 第5の実施例のエッチング条件は、プラズマエッチング
装置内のガス圧力0.11Torr 、13.56 MHz のRF電力2
50W(直流バイアス350V)、基板温度20℃であ
り、第1の実施例と同じである。また、被エッチング試
料も第1の実施例と同様である。
れなかった。これにより、常に安定したエッチングを行
うことができる。 (5)本発明の第5の実施例 ーエッチング試料の作製およびエッチングー 第5の実施例のエッチング条件は、プラズマエッチング
装置内のガス圧力0.11Torr 、13.56 MHz のRF電力2
50W(直流バイアス350V)、基板温度20℃であ
り、第1の実施例と同じである。また、被エッチング試
料も第1の実施例と同様である。
【0031】第5の実施例のエッチング条件が第1の実
施例と異なる点は、エッチングガスである。すなわち、
第4の実施例では、エッチングガスとして、HBr ガス7
5SCCM、BBr3ガス25SCCMを混合したガスを用いる。 ーエッチング結果ー その結果、次のような結果が得られる。
施例と異なる点は、エッチングガスである。すなわち、
第4の実施例では、エッチングガスとして、HBr ガス7
5SCCM、BBr3ガス25SCCMを混合したガスを用いる。 ーエッチング結果ー その結果、次のような結果が得られる。
【0032】すなわち、Al膜のエッチング速度は1.2 μ
m/min.であり、選択比についてはレジスト膜に対して
11、SiO2膜に対しては140の良好な結果が得られ
た。また、レジスト膜のライン/スペースの幅が0.5 μ
mまでは、Al膜の適正なエッチングパターンが得られ
た。
m/min.であり、選択比についてはレジスト膜に対して
11、SiO2膜に対しては140の良好な結果が得られ
た。また、レジスト膜のライン/スペースの幅が0.5 μ
mまでは、Al膜の適正なエッチングパターンが得られ
た。
【0033】また、エッチング中にゴミの発生は認めら
れなかった。これにより、常に安定したエッチングを行
うことができる。 (6)比較例 本発明のエッチング方法と従来例のエッチング方法とを
対比するために、上記の実施例1〜5で用いた試料と同
じものを用いて従来例のエッチング方法によりエッチン
グした。
れなかった。これにより、常に安定したエッチングを行
うことができる。 (6)比較例 本発明のエッチング方法と従来例のエッチング方法とを
対比するために、上記の実施例1〜5で用いた試料と同
じものを用いて従来例のエッチング方法によりエッチン
グした。
【0034】従来例のエッチング条件は、エッチングガ
スを除いて、本発明の実施例と同じエッチング条件であ
る。すなわち、プラズマエッチング装置内のガス圧力0.
11 Torr 、13.56 MHz のRF電力250W(直流バイア
ス350V)、基板温度20℃であり、第1の実施例と
同じである。また、被エッチング試料も第1の実施例と
同様である。
スを除いて、本発明の実施例と同じエッチング条件であ
る。すなわち、プラズマエッチング装置内のガス圧力0.
11 Torr 、13.56 MHz のRF電力250W(直流バイア
ス350V)、基板温度20℃であり、第1の実施例と
同じである。また、被エッチング試料も第1の実施例と
同様である。
【0035】一方、エッチングガスとして、Cl2 ガス5
0SCCM、BCl3ガス165SCCM、CH3Cl ガス15SCCMを混
合したガスを用いる。その結果、従来例の方法によれ
ば、Al膜のエッチング速度は1.0 μm/min.であり、選
択比についてはレジスト膜に対して3〜4、SiO2膜に対
しては12〜150の結果が得られた。
0SCCM、BCl3ガス165SCCM、CH3Cl ガス15SCCMを混
合したガスを用いる。その結果、従来例の方法によれ
ば、Al膜のエッチング速度は1.0 μm/min.であり、選
択比についてはレジスト膜に対して3〜4、SiO2膜に対
しては12〜150の結果が得られた。
【0036】また、Al膜の適正なエッチングパターンが
得られるのは、たかだかレジスト膜のライン/スペース
の幅が0.9 μmまでである。このように、本発明の各実
施例によれば、Alのエッチング中のゴミの発生が非常に
少ないので、安定したエッチングが可能になる。そし
て、Al膜のエッチング速度も従来方法に比べて同等か、
それ以上であり、実用上、問題はない。
得られるのは、たかだかレジスト膜のライン/スペース
の幅が0.9 μmまでである。このように、本発明の各実
施例によれば、Alのエッチング中のゴミの発生が非常に
少ないので、安定したエッチングが可能になる。そし
て、Al膜のエッチング速度も従来方法に比べて同等か、
それ以上であり、実用上、問題はない。
【0037】また、SiO2膜やレジスト膜のアルミニウム
やアルミニウム合金に対する選択比も従来例に比べて大
きい。更に、従来に比べてライン/スペースの幅の狭
い、0.5 μmまではAl膜の適正なエッチングパターンを
得ることができる。
やアルミニウム合金に対する選択比も従来例に比べて大
きい。更に、従来に比べてライン/スペースの幅の狭
い、0.5 μmまではAl膜の適正なエッチングパターンを
得ることができる。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
ドライエッチング方法によれば、サイドエッチングが非
常に少ないので、アルミニウムやアルミニウム合金のパ
ターニングを高精度に行うことが可能となる。これによ
り、高集積度・高微細な半導体装置の製造が可能とな
る。
ドライエッチング方法によれば、サイドエッチングが非
常に少ないので、アルミニウムやアルミニウム合金のパ
ターニングを高精度に行うことが可能となる。これによ
り、高集積度・高微細な半導体装置の製造が可能とな
る。
【0039】また、エッチング中にゴミの発生が非常に
少ないので、ウエハやエッチング装置内の汚染を防止で
きる。このため、製造プロセスが安定し、信頼性の高い
半導体装置の製造が可能となる。
少ないので、ウエハやエッチング装置内の汚染を防止で
きる。このため、製造プロセスが安定し、信頼性の高い
半導体装置の製造が可能となる。
【0040】更に、エッチング速度も大きいので、生産
のスループットの向上を図ることができる。
のスループットの向上を図ることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 山本 仁
東京都港区港南2ー13ー29 キヤノン販売
株式会社内
(72)発明者 藤野 勝裕
東京都港区港南2ー13ー29 株式会社半導
体プロセス研究所内
Claims (6)
- 【請求項1】塩素系ガスと臭素系ガスを混合したガスに
よりアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチングす
ることを特徴とする半導体装置の製造方法 - 【請求項2】Cl2, BCl3 , HBr 混合ガスによりアルミニ
ウム又はアルミニウム合金をエッチングすることを特徴
とする半導体装置の製造方法 - 【請求項3】Cl2,BCl3, BBr3混合ガスによりアルミニウ
ム又はアルミニウム合金をエッチングすることを特徴と
する半導体装置の製造方法 - 【請求項4】Cl2,BBr3混合ガスによりアルミニウム又は
アルミニウム合金をエッチングすることを特徴とする半
導体装置の製造方法 - 【請求項5】 BCl3,HBr混合ガスによりアルミニウム又
はアルミニウム合金をエッチングすることを特徴とする
半導体装置の製造方法 - 【請求項6】HBr,BBr3混合ガスによりアルミニウム又は
アルミニウム合金をエッチングすることを特徴とする半
導体装置の製造方法
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3168391A JPH0521400A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
EP19920111584 EP0522532A3 (en) | 1991-07-09 | 1992-07-08 | Method for etching aluminium or aluminiums-alloys in the manufacture of semi-conductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3168391A JPH0521400A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521400A true JPH0521400A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15867248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3168391A Pending JPH0521400A (ja) | 1991-07-09 | 1991-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0522532A3 (ja) |
JP (1) | JPH0521400A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04199512A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-20 | Applied Materials Japan Kk | アルミニウム合金膜のパターン形成方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0295581A1 (en) * | 1987-06-19 | 1988-12-21 | Tegal Corporation | Process for etching aluminum in a plasma |
-
1991
- 1991-07-09 JP JP3168391A patent/JPH0521400A/ja active Pending
-
1992
- 1992-07-08 EP EP19920111584 patent/EP0522532A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04199512A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-20 | Applied Materials Japan Kk | アルミニウム合金膜のパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0522532A3 (en) | 1993-03-03 |
EP0522532A2 (en) | 1993-01-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19951003 |